有机电致发光装置的制造方法.pdf

《有机电致发光装置的制造方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《有机电致发光装置的制造方法.pdf（16页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。

1、10申请公布号CN104078422A43申请公布日20141001CN104078422A21申请号201410117756422申请日20140326201306574920130327JPH01L21/77200601H01L51/5620060171申请人精工爱普生株式会社地址日本东京72发明人佐藤久克村田贤志74专利代理机构北京金信立方知识产权代理有限公司11225代理人黄威苏萌萌54发明名称有机电致发光装置的制造方法57摘要本发明涉及一种有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，包括在第一绝缘层之上形成第三绝缘层的工序；通过对第三绝缘层进行蚀刻，从而去除第一像素区域的第三绝缘层的工序。

2、；在以连续覆盖第一反射膜以及第二反射膜的方式而形成了前驱体绝缘层之后，通过对前驱体绝缘层的上表面进行平坦化处理，从而在第一像素与第二像素中具有分别不同的膜厚，并且，形成具有作为平坦面的第一面的第二绝缘层的工序；在第二绝缘层的第一面之上形成第一像素电极以及第二像素电极的像素电极形成工序，其中，第一绝缘层与第三绝缘层相比，通过蚀刻而被去除的速度较慢。30优先权数据51INTCL权利要求书1页说明书9页附图5页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书9页附图5页10申请公布号CN104078422ACN104078422A1/1页21一种有机电致发光装置的制造方法，其特征。

3、在于，所述有机电致发光装置包括第一像素和第二像素，所述第一像素具有第一绝缘层、被设置于所述第一绝缘层之上的第一反射膜、被设置于所述第一反射膜之上的第二绝缘层、被设置于所述第二绝缘层之上的第一像素电极、被设置于所述第一像素电极之上的第一发光层、被设置于所述第一发光层之上的第一对置电极，并且所述第一像素在所述第一反射膜与所述第一对置电极之间使第一色的光共振，所述第二像素具有所述第一绝缘层、被设置于所述第一绝缘层之上的第三绝缘层、被设置于所述第三绝缘层之上的第二反射膜、被设置于所述第二反射膜之上的所述第二绝缘层、被设置于所述第二绝缘层之上的第二像素电极、被设置于所述第二像素电极之上的第二发光层、被设。

4、置于所述第二发光层之上的第二对置电极，并且所述第二像素在所述第二反射膜与所述第二对置电极之间使第二色的光共振，所述有机电致发光装置的制造方法包括在所述第一绝缘层之上形成所述第三绝缘层的工序；通过对所述第三绝缘层进行蚀刻从而去除第一像素区域的所述第三绝缘层的工序；在以连续覆盖所述第一反射膜以及所述第二反射膜的方式而形成了前驱体绝缘层之后，通过对所述前驱体绝缘层的上表面进行平坦化处理，从而在所述第一像素与所述第二像素中具有各自不同的膜厚，并且，形成具有作为平坦面的第一面的所述第二绝缘层的工序；在所述第二绝缘层的所述第一面之上形成所述第一像素电极以及所述第二像素电极的像素电极形成工序，所述第一绝缘层。

5、与所述第三绝缘层相比，通过所述蚀刻而被去除的速度较慢。2如权利要求1所述的有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，所述第一反射膜与所述第二反射膜被一体地形成。3如权利要求1或2所述的有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，在形成所述第二绝缘层的工序中，形成所述前驱体绝缘层的工序包括，在所述第一反射膜以及所述第二反射膜之上形成第四绝缘层的工序、和在所述第四绝缘层之上形成第五绝缘层的工序，在所述平坦化处理工序中，包括通过对所述第五绝缘膜进行化学机械研磨处理从而去除第二像素区域的所述第五绝缘层的工序，所述第四绝缘层与所述第五绝缘层相比，通过所述化学机械研磨处理而被去除的速度较慢。4如权利要求3所述的。

6、有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，所述第四绝缘层为氮化硅，所述第五绝缘层为氧化硅。5如权利要求1至4中的任意一项所述的有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层为氮化硅，所述第三绝缘层为氧化硅。权利要求书CN104078422A1/9页3有机电致发光装置的制造方法技术领域0001本发明涉及一种有机电致发光装置的制造方法。背景技术0002有机EL（电致发光）装置具有在阳极（像素电极）与阴极（对置电极）之间夹持有由发光材料构成的发光层的结构。例如，如专利文献1所记载的那样已知一种如下的共振结构，即，在阳极中的发光层的相反侧设置反射膜，并使发光层中发出的光在反射膜与阴极之间进行往返。

7、，从而选出具有峰值强度较高且宽度较窄的光谱的光。根据这种结构，能够提高发光的色再现性。0003作为有机EL装置的制造方法，例如在反射膜上形成阳极，并为了按照RGB等的各个颜色来改变光程长度而在其上层叠透明导电膜。而且，在其上依次形成发光层、阴极。由此，能够以成为在各个颜色中最合适的光程长度的方式而构成，从而能够提高亮度、提高色再现性。0004然而，由于为了设定为最合适的光程长度，需要在各个发光区域中以与各个颜色的所需的波长相对应的方式来形成透明导电膜等的层叠膜的厚度，因此会在各个颜色的像素区域的周围等处产生高低差。从而存在如下课题，即，当在像素区域的周围处形成高低差时，将产生由最合适的光程长度。

8、（共振）的值的偏差而造成的意图之外的寄生发光，由此在高低差部上会发出不同颜色的光。因此，需要形成对高低差部分进行覆盖的遮光性的氧化膜，以防止寄生发光。根据这种方式，除了会使制造工序复杂化之外，还由于在各个颜色的像素区域的周围处形成有遮光性膜，因此减少了各个颜色的可发光区域。0005专利文献1日本特开2007188653号公报发明内容0006根据以上分析，本发明的几个方式所涉及的目的之一为，提供一种即使不在各个颜色的像素区域的周围处设置遮光性部件，也能够抑制意图之外的寄生发光的有机EL装置的制造方法。0007本发明是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的发明，并且能够作为以下方式或应用例而实现。。

9、0008应用例10009本应用例所涉及的有机EL装置的制造方法，其特征在于，所述有机EL装置包括第一像素和第二像素电极，所述第一像素具有第一绝缘层、被设置于所述第一绝缘层之上的第一反射膜、被设置于所述第一反射膜之上的第二绝缘层、被设置于所述第二绝缘层之上的第一像素电极、被设置于所述第一像素电极之上的第一发光层、被设置于所述第一发光层之上的第一对置电极，并且所述第一像素在所述第一反射膜与所述第一对置电极之间使第一色的光共振，所述第二像素具有所述第一绝缘层、被设置于所述第一绝缘层之上的第三绝缘层、被设置于所述第三绝缘层之上的第二反射膜、被设置于所述第二反射膜之上的说明书CN104078422A2/。

10、9页4所述第二绝缘层、被设置于所述第二绝缘层之上的第二像素电极、被设置于所述第二像素电极之上的第二发光层、被设置于所述第二发光层之上的第二对置电极，并且所述第二像素在所述第二反射膜与所述第二对置电极之间使第二色的光共振，所述有机EL装置的制造方法包括在所述第一绝缘层之上形成所述第三绝缘层的工序；通过对所述第三绝缘层进行蚀刻从而去除第一像素区域的所述第三绝缘层的工序；在以连续覆盖所述第一反射膜以及所述第二反射膜的方式而形成了前驱体绝缘层之后，通过对所述前驱体绝缘层的上表面进行平坦化处理，从而在所述第一像素与所述第二像素中具有各自不同的膜厚，并且，形成具有作为平坦面的第一面的所述第二绝缘层的工序；。

11、在所述第二绝缘层的所述第一面之上形成所述第一像素电极以及所述第二像素电极的像素电极形成工序，其中，所述第一绝缘层与所述第三绝缘层相比，通过所述蚀刻而被去除的速度较慢。0010根据本应用例所涉及的有机EL装置的制造方法，通过具有在第一绝缘层之上形成能够对第二绝缘层的膜厚进行调节的第三绝缘层的工序，从而能够提供一种以简便的处理而使第二绝缘层的第一面平坦化了的有机EL装置。即，由于在第二绝缘层上并未形成有高低差，因此无需另外形成遮光性膜，由此能够以更简便的方法制造出抑制了寄生发光的有机EL装置。0011应用例20012在本应用例所涉及的有机EL装置的制造方法中，优选为，所述第一反射膜与所述第二反射膜。

12、被一体地形成。0013在第一反射膜与第二反射膜的下层处，已经形成有使第一反射膜与第二反射膜的表面位置不同的第三绝缘层。因此，即使在使用公知的成膜技术一体地形成的情况下，也能够很容易地使第一反射膜和所述第二反射膜的离第一绝缘层的表面位置有所不同。因此，能够进一步简化制造处理。0014应用例30015在本应用例所涉及的有机EL装置的制造方法中，优选为，在形成所述第二绝缘层的工序中，形成所述前驱体绝缘层的工序包括，在所述第一反射膜以及所述第二反射膜之上形成第四绝缘层的工序、和在所述第四绝缘层之上形成第五绝缘层的工序，在所述平坦化处理工序中，包括通过对所述第五绝缘膜进行化学机械研磨处理从而去除第二像素。

13、区域的所述第五绝缘层的工序，所述第四绝缘层与所述第五绝缘层相比，通过所述化学机械研磨处理而被去除的速度较慢。0016根据这种方式，能够使第二绝缘层具有由更加平坦的面构成的第一面，并且能够提供更难以发生寄生发光的有机EL装置的制造方法。0017此外，通过使第二绝缘层具备作为阻挡层而发挥功能的第四绝缘层，从而能够在化学机械研磨处理中更简便地对第二绝缘层40的膜厚进行控制。因此，能够提供一种进一步提高了可靠性的有机EL装置的制造方法。0018应用例40019在本应用例所涉及的有机EL装置的制造方法中，优选为，第四绝缘层为氮化硅，第五绝缘层为氧化硅。0020应用例50021在本应用例所涉及的有机EL装。

14、置的制造方法中，优选为，第一绝缘层为氮化硅，说明书CN104078422A3/9页5第三绝缘层为氧化硅。附图说明0022图1为示意性地表示通过本实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法而制造出的有机EL装置的结构的剖视图。0023图2为示意性地表示本实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法的剖视图。0024图3为示意性地表示本实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法的剖视图。0025图4为示意性地表示本实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法的剖视图。0026图5为表示具备了有机EL装置的电子设备的一个示例的模式图。0027图6为示意性地表示现有例所涉及的有机EL装置的构造的剖视图。具体实施方式002。

15、8以下，使用附图对本发明的优选的实施方式进行详细说明。另外，在下文中说明的实施方式并非对权利要求书所记载的本发明的内容进行不合理的限定的方式。此外，通过下文而被说明的全部结构不一定都是本发明的必要构成要件。00291有机EL装置的结构0030首先，参照说明书附图，对通过本实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法而制造出的有机EL装置100进行说明。图1为示意性地表示有机EL装置100的剖视图。另外，为了以便于理解的方式来表示结构，而使各个构成要素的层厚与尺寸的比率、角度等适当不同。在图1中，白色空心箭头标记表示从各个像素区域被出射的光，并且表示R为红色、G为绿色、B为蓝色。0031有机EL装置1。

16、00为，顶部发射方式的发光显示装置，并且具有在反射膜30与对置电极53之间使光产生共振的共振结构。0032如图1所示，有机EL装置100成为如下结构，即，包含第一像素、第二像素的多个发光元件50（50R、50G、50B）被排列在基板1的面上的结构。另外，省略被设置于基板1上的配线与电路、以及形成有这些构件的层等的图示。各个发光元件50（50R、50G、50B）为，产生与多个色彩（红色、绿色、蓝色）中的任意一个色彩相对应的波长的光的要素。在本实施方式中，可以采用发光元件50R出射红色光、发光元件50G出射绿色光、发光元件50B出射蓝色光的这种结构，也可以采用各个发光元件50出射白色光的这种结构。。

17、0033如上所述，有机EL装置100为，使由各个发光元件50产生的光朝向与基板1的相反侧前进的顶部发射结构。因此，除了玻璃等的具有透光性的板材之外，还可以采用陶瓷或金属的薄片等的不透明的板材来作为基板1。0034在基板1上，形成有对各个像素区域中的发光元件50进行驱动的晶体管。在基板1上，多个晶体管可以被配置成矩阵状。作为被形成在基板1上的晶体管，可以例举出如下部件，即，经由扫描线而向栅极电极供给扫描信号的开关用晶体管、对经由该开关用晶体管而从数据线被供给的像素信号进行保持的保持电容、和向栅极电极供给通过保持电容而被保持了的像素信号的驱动用晶体管。在晶体管的上方，适当设置有配线、贯穿电极、由氮。

18、化硅或氧化硅等构成的层间绝缘膜等。此外，虽然未图示，但在基板1之下设置有柔性基板。在柔性基板上，具有与各个配线连接的驱动用IC。说明书CN104078422A4/9页60035在基板1之上设置有第一绝缘层10（第一基底层10）。第一绝缘层10为，在形成后述的第三绝缘层20时作为蚀刻阻挡件而发挥功能的绝缘层。关于第一绝缘层10的膜厚以及材质，只要作为形成第三绝缘层20时的蚀刻阻挡件而发挥功能则不被特别限定。具体而言，第一绝缘层10的材质从蚀刻率小于第三绝缘层20的材质中选择。换言之，从与第三绝缘层20相比更难被蚀刻的材质中选择。例如，当第三绝缘层20由氧化硅构成时，第一绝缘层10的材质可以为氮化。

19、硅。0036在第一绝缘层10上，以与各个像素区域相对应的方式适当形成有第三绝缘层20。如图所示，当第一像素101出射波长最长的光（红）时，在第一像素区域101上并未形成第三绝缘层20，而在第二像素区域102、第三像素区域103上则形成有第三绝缘层20（20G、20B）。0037第三绝缘层20（第二基底层20）是为了在各个像素区域中对为进行光程调节而设置的第二绝缘层40的膜厚进行调节从而被适当设置的。第三绝缘层20的膜厚被设计为，从像素出射的光的波长越短该膜厚越厚。即，第三绝缘层20的膜厚以在各个像素区域中使第二绝缘层40成为预定的膜厚的方式而被适当决定。因此，如图所示，在出射与绿色相比波长较短。

20、的蓝色的光的第三像素103中，设置有具有与第三绝缘层20G相比而较厚的膜厚的第三绝缘层20B。如图所示，第三绝缘层20既可以为单层（20G），也可以具有层叠了多层的层叠结构（20B）。如前文所述，第三绝缘层20的材质从蚀刻率大于第一绝缘层10的材质中选择。例如，第三绝缘层20的材质可以为氧化硅。0038反射膜30（30R、30G、30B）被设置在第一绝缘层10之上，所述第一绝缘层10上设置有第三绝缘层20。如图所示，在第一像素区域101、第二像素区域102、第三像素区域103中，反射膜30可以以覆盖第三绝缘层20的方式被一体地形成。换言之，可以以使第一反射膜30R、第二反射膜30G、第三反射膜。

21、30B连续的方式而进行设置。此外，虽然未图示，但也可以仅个别地形成在各个像素区域中。反射膜30由具有光反射性的材料形成。作为材料，例如可以例举出铝或银、或者以铝或银为主成分的合金等。0039第二绝缘层40（光程调节层40）以覆盖反射膜30（30R、30G、30B）的方式而被设置。作为第二绝缘层40的上表面的第一面40A为，被平坦化了的面（被实施了化学机械研磨处理等的平坦化处理的面）。第二绝缘膜40为感应体，例如由氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜形成。此外，第二绝缘膜40例如由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等的有机树脂形成。0040第二绝缘层40在各个像素区域中具有不同的膜厚（40R、40G、40B）。。

22、即，第二绝缘层40具有在各个像素区域中对被出射的光的光程长度进行调节的功能。由于在有机EL装置100中，于各个像素区域内，作为第二绝缘膜40的基底层而适当设置了具有预定的膜厚的第三绝缘层20，因此能够具有被平坦化了的第一面40A，并且能够在各个像素区域中具有不同的膜厚。0041在有机EL装置100中采用了如下的光共振结构，即，通过使第二绝缘层40在各个像素区域中具有不同的膜厚（40R、40G、40B）从而使光程长度最佳化为，以便在各个像素区域101、102、103中产生对所要求的发光波长最佳的共振。0042第二绝缘层40既可以为单层（未图示），也可以为第四绝缘层41与第五绝缘层42的层叠结构。。

23、在该情况下，第四绝缘层41可以为化学机械研磨处理中的阻挡层。换言之，第四绝缘层41为，由在化学机械研磨处理中与第五绝缘层42相比更难被研磨的材质构成说明书CN104078422A5/9页7的绝缘层。例如，第四绝缘层41由氮化硅而构成，第五绝缘层42由氧化硅而构成。0043在第二绝缘层40由第四绝缘层41与第五绝缘层42的层叠结构构成的情况下，在第二绝缘膜40的膜厚最小的部分（第三像素区域103）处，第一面40A由第四绝缘膜41形成。在其他的第一像素区域101、第二像素区域102中，第一面40A由第五绝缘层42形成。0044在第二绝缘层40上，以与各自的像素区域相对应的方式设置有发光元件50（5。

24、0R、50G、50B）。发光元件50分别具有像素电极51（51R、51G、51B）、发光功能层52（52R、52G、52B）、和对置电极53（53R、53G、53B）。0045像素电极51（51R、51G、51B）例如由ITO（INDIUMTINOXIDE铟锡氧化物）、或者像ZNO2这样的透明氧化物导电材料形成。在本实施方式中，像素电极51由ITO形成。各个像素区域间的像素电极51由于彼此未被电连接，因此能够作为发光元件50的单个电极而发挥功能。0046发光功能层52（52R、52G、52B）以覆盖像素电极51的方式而被形成。如果详细叙述，则发光功能层52以跨多个发光元件50（50R、50G、。

25、50B）而连续的方式被形成。发光功能层52的发光特性在多个发光元件50中相同。另外，发光功能层52例如设为包含空穴注入层、空穴输送层、发光层（第一发光层、第二发光层）、电子输送层、电子注入层。0047发光层为显现电致发光现象的有机发光物质的层。通过向像素电极51与对置电极53之间施加电压，从而从空穴输送层向发光功能层52（发光层）注入空穴而且从电子输送层向发光功能层52（发光层）注入电子，由此在发光层中在它们再结合时进行发光。在本实施方式中，例如发出白色光。0048对置电极53（53R、53G、53B）以覆盖发光功能层52的方式而形成。换言之，对置电极53（53R、53G、53B）以跨多个发光。

26、元件50而连续的方式被形成。即，可以为多个发光元件50中的共用电极。对置电极53作为如下的半透过反射层而发挥功能，所述半透过反射层具有使到达其表面的光的一部分透射的同时将其他的一部分反射的性质（即，半透射反射性）。0049此外，对置电极53通过镁（MG）与银（AG）、或者以它们为主成分的镁银合金（MGAG）而被形成。在本实施方式中，使镁以及银共同蒸镀在发光功能层52上从而形成对置电极53。0050在有机EL装置100中，形成有如下的共振器结构，即，使发光功能层52所发出的光在反射膜30与对置电极53之间进行共振的共振器结构。即，发光功能层52所发出的光在反射膜30与对置电极53之间往返，并通过。

27、共振而使特定的波长的光被增强从而穿过对置电极53向观察侧（图1中的上方）前进（顶部发射方式）。0051对各个发光区域中的第二绝缘膜40（40R、40G、40B）的膜厚进行调节，以使得在发光元件50R中由发光功能层52R发出的白色光中的红色被增强，在发光元件50G绿色被增强，在发光元件50B中蓝色被增强。由此，可以在第一像素区域101中将反射膜30R与对置电极53R之间的距离设为HR，在第二像素区域102中将反射膜30G与对置电极53G之间的距离设为与HR相比而较短的HG，在第三像素区域103中将反射膜30B与对置电极53B之间的距离设为与HG相比而较短的HB（HRHGHB）。0052在对置电极。

28、53上形成有由无机材料构成的钝化层（未图示）。钝化层为，用于防止对于发光元件50的水或外部气体的浸入的保护膜。此外，钝化层由氮化硅或氧化硅等的气说明书CN104078422A6/9页8体透过率较低的无机材料形成。0053在形成有多个发光元件50的元件基板60上，对置配置有滤色器基板71。滤色器基板71由玻璃等的具有透光性的材料形成。在滤色器基板71中的、与元件基板60的对置面上，形成有滤色器72（72R、72G、72B）以及遮光膜73。遮光膜73为，以对应于各个发光元件50的方式形成有开口74的遮光性的膜体。在开口74内形成有滤色器72（72R、72G、72B）。0054在与发光元件50R相对。

29、应的开口74内，形成有选择性地使红色光透射的红色用滤色器72R。在与发光元件50G相对应的开口74内，形成有选择性地使绿色光透射的绿色用滤色器72G。在与发光元件50B相对应的开口74内，形成有选择性地使蓝色光透射的蓝色用滤色器72B。0055被形成有滤色器72以及遮光膜73的滤色器基板71经由密封层75而与元件基板60贴合在一起。密封层75由透明的树脂材料、例如环氧树脂等的固化性树脂形成。0056此外，虽然未图示，但在有机EL装置100采用发光元件50R出射红色光、发光元件50G出射绿色光、发光元件50B出射蓝色光的这种结构时，也可以不具有滤色器72。0057根据本实施方式所涉及的有机EL装。

30、置100，例如具有以下的特征。0058根据有机EL装置100，在为了实施光程长度的调节而需要调节第二绝缘层40的膜厚的第二像素102（或者103）中，在第一绝缘层10之上设置有膜厚调节用的第三绝缘层20。由此，能够使第二绝缘层40的第一面40A平坦化、且无需在第一像素101与第二像素102之间设置遮光性部件，并且，能够防止由高低差引起的寄生发光。即，能够提高显示质量。0059例如，在图6中图示了未设置有第三绝缘层20的、现有例所涉及的有机EL装置200的剖视图。在此，对于具有与本实施方式所涉及的有机EL装置100相同结构的部件标记相同的符号并省略其说明。0060如图6所示，在未设置第三绝缘层2。

31、0的情况下，为了在各个像素区域中实施被出射的光的光程调节，需要使第二绝缘层240的厚度在各个像素区域中有所不同。因此，如图6所示，第二绝缘层240的上表面240A在像素区域间形成有高低差241。在该情况下，由于会产生由该高低差241引起的寄生发光，因此需要在其上表面上形成遮光膜245来抑制寄生发光。0061相对于此，根据本实施方式所涉及的有机EL装置100，如上所述，由于能够不在第二绝缘层40的上表面40A上形成高低差并且设为平坦的面，因此即使不设置遮光膜也能够抑制寄生发光。0062此外，在如图6所示，在各个像素区域间形成有高低差的情况下，则需要例如形成具有宽度W的遮光膜。相对于此，根据本实施。

32、方式所涉及的有机EL装置100，由于无需设置遮光膜形成区域，因此能够增加每个像素的发光区域。即，能够提供如下的有机EL装置100，所述有机EL装置100在俯视观察时能够使被设置于各个像素间的遮光膜73的面积更小，并且使开口74的面积更大。00632有机EL装置的制造方法0064接下来，参照附图对本实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法进行说明。图2图4为，示意性地表示本实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法的剖视图。另外，图说明书CN104078422A7/9页92图4对应于图1的剖视图。0065如图2（A）所示，在基板1上形成第一绝缘层10（第一绝缘层形成工序）。如上所述，第一绝缘层10为，。

33、能够在通过蚀刻技术对第三绝缘层20进行图案形成时作为蚀刻阻挡层而发挥功能的层。第一绝缘层10例如既可以通过对由硅构成的基板1的上表面进行氮化处理从而形成由氮化硅构成的绝缘层，也可以通过阴极真空喷镀、CVD（CHEMICALVAPORDEPOSITION化学气相沉积）、真空蒸镀等的公知的成膜技术来成膜。0066接下来，如图2（B）所示，在第一绝缘层10之上，以第一绝缘层10作为蚀刻阻挡件，并通过公知的蚀刻技术而形成第三绝缘层20（第三绝缘层形成工序）。例如，在通过阴极真空喷镀、CVD等的公知的成膜技术与热氧化处理而使氧化硅等的无机绝缘膜全面成膜之后，通过公知的光刻技术以及蚀刻技术来实施图案形成从。

34、而形成第三绝缘层20。如图2（B）所示，第三绝缘层20被形成为，在各个像素区域中被适当层叠并具有所需的膜厚。0067虽然使厚度阶段式地不同的第三绝缘层20的形成方法并未被特别限定，但例如可以采用如下方法，即，在以成为最厚的膜厚的第三绝缘层20B的膜厚使前驱体膜全面成膜之后，通过在第二像素区域102中蚀刻至成为所需的膜厚从而形成第三绝缘层20G，并在第一像素区域101等的其他区域中，通过蚀刻来去除所述前驱体膜。或者，也可以通过重复成膜工序与蚀刻工序，从而形成由具有所需的膜厚的层叠体构成的第三绝缘层20。0068接下来，如图2（C）所示，使用蒸镀或阴极真空喷镀等的公知的成膜技术，以覆盖第一绝缘层1。

35、0以及第三绝缘层20的方式形成反射膜30（30R、30G、30B）（反射膜形成工序）。例如，可以通过利用蒸镀法使铝膜等成膜，从而在多个像素区域中一体地形成反射膜30（30R、30G、30B）。根据本实施方式所涉及的有机EL的制造方法，在反射膜30（例如，反射膜30R和反射膜30G）的下层处已经形成有使反射膜30R与反射膜30G的表面位置（高度）不同的第三绝缘层20。因此，即使在使用阴极真空喷镀等的公知成膜技术而一体地形成的情况下，也能够很容易地使反射膜30R与反射膜30G的、离第一绝缘层10的表面位置（高度）有所不同。0069接下来，如图3（A）图3（C）所示，通过在以连续地覆盖反射膜30（例。

36、如，第一以及第二反射膜30R、30G）的方式形成了前驱体绝缘层之后，对该前驱体绝缘层的上表面进行平坦化处理，从而形成第二绝缘层40（第二绝缘层形成工序）。0070在形成第二绝缘层的工序中，形成前驱体绝缘层的工序可以包括如下工序，即，在反射膜30之上形成第四绝缘层41的工序、和在第四绝缘层41之上形成第五绝缘层42的工序（参照图3（A）、图3（B）。0071具体而言，如图3（A）所示，在反射膜30之上，通过阴极真空喷镀等的公知的成膜技术来形成例如由氮化硅构成的第四绝缘层41。由此，在各个像素区域中，形成了彼此距离第一绝缘层10的高度有所不同的第四绝缘层41的上表面41R、41G、41B。0072。

37、接下来，如图3（B）所示，在第四绝缘层41之上，通过阴极真空喷镀等的公知的成膜技术来形成例如由氧化硅构成的第五绝缘层42。在此，如图3（B）所示，对第五绝缘层42的膜厚进行调节，以使上表面42A的表面位置成为与第三像素区域103中的第四绝缘层41的上表面41B相比而较高的位置。0073在平坦化处理工序中，通过将图3（C）第四绝缘层41作为阻挡层，来对第五绝缘层42的上表面42A进行化学机械研磨处理，从而能够形成具有作为平坦面的第一面40A的说明书CN104078422A8/9页10第二绝缘层40。以此方式，通过具备将第二绝缘层40作为阻挡层而发挥功能的第四绝缘层41，从而能够在化学机械研磨处理。

38、中更简便地对第二绝缘层40的膜厚进行控制。因此，由于在化学机械研磨处理工序上所产生的第二绝缘层40的膜厚的误差较小，因此能够提供进一步提高了可靠性的有机EL装置的制造方法。0074此外，虽然未图示，但也可以采用如下方法，即，第二绝缘层40仅由第五绝缘层构成，并通过适当地对平坦化处理进行调节，从而形成具有所需的膜厚的第二绝缘层40。0075接下来，如图4（A）所示，在被平坦化了的第二绝缘层40上形成像素电极51（像素电极形成工序）。虽然形成像素电极51的方法并未被特别限定，但例如通过蒸镀等的公知的成膜技术而在第二绝缘层40上使铟锡氧化物（ITO）全面成膜。接下来，通过光刻技术以及蚀刻技术来对该膜。

39、进行图案形成，从而在各个像素区域中形成像素电极51（51R、51G、51B）。0076接下来，如图4（B）所示，在被设置有像素电极51的第二绝缘层40上对发光功能层52进行成膜（发光功能层形成工序）。首先，在像素电极51以及第二绝缘层40上形成构成发光功能层52的空穴输送层（包括空穴注入层）。具体而言，例如通过基于众所周知的蒸镀法而对NPD等的材料进行蒸镀从而形成。接下来，在空穴输送层的上表面上形成发光层以及电子输送层（包括电子注入层）。具体而言，通过基于众所周知的蒸镀法来进行蒸镀从而形成。0077接下来，如图4（C）所示，在发光功能层52（电子输送层）上形成对置电极53（对置电极形成工序）。。

40、具体而言，在发光功能层52上使镁（MG）与银（AG）、或者以它们为主成分的镁银合金（MGAG）进行例如共同蒸镀从而形成对置电极53。0078此外，虽然未图示，但在对置电极53上形成有钝化层，所述钝化层用于防止由氧气与水分的影响而造成的发光元件50的劣化。具体而言，例如通过基于众所周知的蒸镀法对氮氧化硅等的材料进行蒸镀从而形成。0079通过以上的工序，能够制造出设置有多个发光元件50的元件基板60。0080接下来，形成密封层75、滤色器基板71等从而完成有机EL装置100（参照图1）。0081密封层75为例如环氧树脂等的固化性树脂，并且通过CVD法而成膜。优选为，密封层75采用层叠结构，以防止水。

41、分的侵入而不使发光元件50劣化。0082接下来，准备被设置有滤色器72以及遮光膜73的滤色器基板71。首先，使用公知的成膜技术来形成滤色器72以及遮光膜73。由此，以与各个发光元件50（50R、50G、50B）相对应的方式而形成了各个滤色器72（72R、72G、72B）。0083接下来，使元件基板60与滤色器基板71贴合在一起，从而完成有机EL装置100。具体而言，在隔绝了大气的氮气环境下经由密封层75而进行贴合。通过以上方式，能够制造出有机EL装置100。0084根据本实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法，例如具有以下的特征。0085根据有机EL装置的制造方法，通过具有在第一绝缘层10之上。

42、形成能够对第二绝缘层40的膜厚进行调节的第三绝缘层20的工序，从而能够提供一种以简便的处理而使第二绝缘层40的第一面平坦化的有机EL装置100。即，由于在第二绝缘层40上并未形成有高低差，因此无需另外形成遮光性膜（参照图6），由此能够以更简便的方法制造出抑制了寄生发光的有机EL装置。说明书CN104078422A109/9页1100863电子设备的结构0087图5为表示作为具备了由本实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法而制造出的有机EL装置100的电子设备的一个示例的智能手机的模式图。以下，参照图5对具备有机EL装置的智能手机的结构进行说明。0088如图5所示，智能手机130具有显示部110。

43、以及图标120。显示部110由于通过被组装于内部的有机EL装置100而抑制了寄生发光，因此能够进行高质量的显示。另外，上述的有机EL装置100，除了上述智能手机130之外，还能够在移动电话、头戴式显示器、小型投影仪、移动计算机、数码相机、数码摄像机、车载设备、音响设备、曝光装置或照明设备等各种电子设备中使用。0089本发明包括与在实施方式中所说明的结构实质相同的结构（例如，功能、方法以及结果相同的结构、或者目的以及效果相同的结构）。此外，本发明包括替换了在实施方式中所说明的结构的非本质部分的结构。此外，本发明包括能够获得与在实施方式中所说明的结构相同的作用效果的结构、或者能够实现相同目的的结构。

44、。此外，本发明包括在实施方式中所说明的结构上附加了公知技术的结构。0090另外，在本发明中，在特定的A（以下称为“A”）之上设置特定的B（以下称为“B”）时，并不限定于在A之上直接设置（形成）B的情况。也包括如下情况，即，在A之上，于不妨碍本发明的作用效果的范围内，经由其他构件而设置（形成）有B的情况。0091符号说明00921基板；10第一绝缘层；20、20G、20R第三绝缘层；30、30B、30G、30R反射膜；40、240第二绝缘层；40A第一面；41第四绝缘层；42第五绝缘层；50、50B、50G、50R发光元件；51、51B、51G、51R像素电极；52、52B、52G、52R发光功能层；53、53B、53G、53R对置电极；60元件基板；71滤色器基板；72滤色器；72B蓝色用滤色器；72G绿色用滤色器；72R红色用滤色器；73遮光膜；74开口；75密封层；130智能手机；110显示部；120图标；100、200有机EL装置。说明书CN104078422A111/5页12图1说明书附图CN104078422A122/5页13图2说明书附图CN104078422A133/5页14图3说明书附图CN104078422A144/5页15图4说明书附图CN104078422A155/5页16图5图6说明书附图CN104078422A16。