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1、10申请公布号CN104064635A43申请公布日20140924CN104064635A21申请号201410183515X22申请日20140504H01L33/0020100171申请人易美芯光北京科技有限公司地址100176北京市大兴区亦庄经济技术开发区科创十四街99号汇龙森科技园2号楼4层72发明人朱浩邹灵威曲晓东74专利代理机构南昌新天下专利商标代理有限公司36115代理人施秀瑾54发明名称一种垂直结构的LED芯片的制备方法57摘要本发明提供一种垂直结构的LED芯片的制备方法，包括将外延层邦定在高阻硅基板上，去除生长衬底和缓冲层，暴露出N型GAN层，刻蚀所述暴露的GAN层的部分区。
2、域至暴露出金属层，该方法还包括在金属层上蒸镀P电极金属形成P电极，在N型GAN层上蒸镀N电极金属形成N电极。本发明通过将外延层邦定在高阻硅基板上，使得芯片的P电极与芯片的底部绝缘。采用本发明的方法制备的LED芯片既保留了垂直结构芯片的光电特点，又能解决一般垂直芯片在封装打线进行串联连接困难的问题。51INTCL权利要求书1页说明书2页附图2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页附图2页10申请公布号CN104064635ACN104064635A1/1页21一种垂直结构的LED芯片的制备方法，包括在生长衬底上依次生长缓冲层、N型GAN层、多量子阱层、P型GA。
3、N层，形成外延层；其特征在于，将所述外延层邦定在高阻硅基板上，去除生长衬底和缓冲层，暴露出N型GAN层；刻蚀所述暴露的GAN层的部分区域至暴露出金属层；在所述金属层上蒸镀P电极金属形成P电极，在N型GAN层上蒸镀N电极金属形成N电极。2根据权利要求1所述的垂直结构的LED芯片的制备方法，其特征在于所述刻蚀是采用ICP或RIE干法刻蚀。3根据权利要求1所述的垂直结构的LED芯片的制备方法，其特征在于所述生长衬底为下列中的一种蓝宝石、硅、碳化硅。4根据权利要求1所述的垂直结构的LED芯片的制备方法，其特征在于所述P电极金属和N电极金属的材料分别为下列中的一种AL/PT/AU、AG/PT/AU、NI。
4、/AG/PT/AU、TIW/PT/AU、TI/AG/PT/AU、NI/AL/PT/AU、TI/AL/PT/AU。权利要求书CN104064635A1/2页3一种垂直结构的LED芯片的制备方法技术领域0001本发明涉及发光二极管技术领域。更具体而言，本发明涉及一种垂直结构的LED芯片的制备方法。背景技术0002目前的LED芯片主要有同侧结构和垂直结构两种结构。对于同侧结构的LED芯片，它的衬底一般是透光的蓝宝石衬底，芯片即使背面镀上不透光的反射膜，也会有5个面同时出光，因而这种结构的芯片最难获得光斑均匀的白光，在芯片侧边会存在明显的黄圈，导致同侧结构的LED芯片在白光LED领域应用受阻。而对于垂。
5、直结构的LED芯片，由于发光薄膜是从外延衬底转移到新的不透光的支撑基板上，对于该结构的器件而言它只有一个面发光，因而，它最容易获得光斑均匀的白光。使得垂直结构的LED芯片在白光LED领域应用比较广泛。但是垂直结构的LED芯片由于电极分布在芯片的两侧，在封装形成白光时需要在芯片的两侧同时打线连接，存在串联困难的问题。发明内容0003本发明要解决的技术问题是提供一种垂直结构的LED芯片的制备方法，由该方法制得的LED芯片在封装时能够简单的进行串联连接。0004为了解决本发明的技术问题，本发明提供一种垂直结构的LED芯片的制备方法，该方法包括在生长衬底上依次生长缓冲层、N型GAN层、多量子阱层、P型。
6、GAN层，形成外延层，将所述外延层邦定在高阻硅基板上，去除生长衬底和缓冲层，暴露出N型GAN层，刻蚀所述暴露的GAN层的部分区域至暴露出金属层，该方法还包括在金属层上蒸镀P电极金属形成P电极，在N型GAN层上蒸镀N电极金属形成N电极。0005优选地，所述刻蚀是采用ICP或RIE干法刻蚀。0006优选地，所述生长衬底为下列中的一种蓝宝石、硅、碳化硅。0007优选地，所述P电极金属和N电极金属的材料分别为下列中的一种AL/PT/AU、AG/PT/AU、NI/AG/PT/AU、TIW/PT/AU、TI/AG/PT/AU、NI/AL/PT/AU、TI/AL/PT/AU。0008本发明的有益效果如下本发。
7、明提供一种垂直结构的LED芯片的制备方法，通过将外延层邦定在高阻硅基板上，使得芯片的P电极与芯片的底部绝缘。采用本发明的方法制备的LED芯片既保留了垂直结构芯片的光电特点，又能解决一般垂直芯片在封装打线进行串联连接困难的问题。附图说明0009图1为本发明的LED芯片的俯视结构示意图；图2图5为本发明一个实施例的制造过程示意图；图中标识说明1为蓝宝石生长衬底，2为缓冲层，3为N型GAN层，4为多量子阱层，5为P型GAN层，6说明书CN104064635A2/2页4为金属阻挡层，7为绑定层，8为高阻硅基板，9为P电极，10为N电极。具体实施方式0010下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。001。
8、1图1为用本发明提供的方法制备的垂直结构的LED芯片的俯视结构示意图。0012如图2所示在蓝宝石生长衬底1上依次外延生长缓冲层2，N型GAN层3，多量子阱层4，P型GAN层5，形成外延层，在外延层上溅射金属阻挡层6。如图3所示，把外延层通过邦定层7邦定到高阻硅基板8上。采用激光剥离的方法去除生长衬底1，把外延层转移到高阻硅基板8上，用ICP刻蚀法去除缓冲层2，暴露出N型GAN层3，如图4所示。如图5所示，用ICP刻蚀法刻蚀暴露出的GAN层的部分区域至暴露出金属阻挡层6，在暴露出的金属阻挡层6上蒸镀P电极金属材料，形成P电极9，在在N型GAN层3上蒸镀N电极金属形成N电极10，完成LED芯片的制备。0013以上所述，仅为本发明中的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变换或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。说明书CN104064635A1/2页5图1图2图3说明书附图CN104064635A2/2页6图4图5说明书附图CN104064635A。