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1、10申请公布号CN104135257A43申请公布日20141105CN104135257A21申请号201410309021122申请日20140630H03K17/72200601H03K17/7820060171申请人安徽国科电力设备有限公司地址231100安徽省合肥市长丰县双凤工业区金华大道28号72发明人王笋陈巍74专利代理机构安徽信拓律师事务所34117代理人鞠翔54发明名称一种新型稳定实用的可控硅触发电路57摘要一种新型稳定实用的可控硅触发电路，涉及电力系统技术领域，本发明将分合闸信号采用光耦隔离驱动技术，实现控制器分合闸信号和触发电路的强弱电隔离，光电耦合器输入、输出侧分别采用。
2、稳压二极管钳位和推挽电路抗干扰功能，相比传统的阻容吸收滤波网络，无论幅值还是能量方面，对干扰脉冲抑制能力更强，稳定性更好；电路结构简单，全部由普通电子元器件构成，成本低，效果好。51INTCL权利要求书1页说明书3页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图1页10申请公布号CN104135257ACN104135257A1/1页21一种新型稳定实用的可控硅触发电路，其特征在于包括光电耦合器U1，所述光电耦合器U1的第1脚经第一二极管D1和第一电阻R1连接至分合闸信号的正极，所述光电耦合器U1的第2脚连接至分合闸信号的负极，在所述分合闸信号正负之间并联。
3、有压敏电阻RV，所述光电耦合器U1第2脚与第一电容R1和第一二极管D1之间并联有第二电阻R2和第一电容C1，所述光电耦合器U1第2脚与光电耦合器U1第1脚之间并联有第三电阻R3和第二二极管D2，所述光电耦合器U1的第3脚分别连接至第二十七电阻R27和第三可控硅Q3的栅极，所述第二十七电阻R27分别接至12V电源和第二十六电阻R26的一端，所述第二十六电阻R26的另一端接至第三可控硅Q3的源极，所述第三可控硅Q3的栅极与光电耦合器U1的第3脚之间并联有第七可控硅Q7，所述第三可控硅Q3的漏极连接至第七可控硅Q7的漏极，所述第七可控硅Q7的源极连接至光电耦合器U1的第4脚，所述第二十六电阻R26与。
4、第七可控硅Q7的源极之间并联有第三十一电容C31，所述光电耦合器U1的第4脚上还并联有第四可控硅Q4和第二十电容C20，在第四可控硅Q4和第二十电容C20之间连接有分合闸线圈X1，所述第四可控硅Q4的一个引脚连接至第三可控硅Q3和第七可控硅Q3的漏极之间。2根据权利要求1所述的一种新型稳定实用的可控硅触发电路，其特征在于所述第一电阻R1和第二电阻R2为限流电阻，所述第一电容C1为滤波电容，第一电阻R1和第二电阻R2限制光电耦合器U1输入电流低于额定值，第一电容C1能有效滤除高频干扰信号。3根据权利要求1所述的一种新型稳定实用的可控硅触发电路，其特征在于所述第一二极管D1为91V稳压二极管，可以。
5、滤除掉低于91V的干扰脉冲。权利要求书CN104135257A1/3页3一种新型稳定实用的可控硅触发电路技术领域0001本发明涉及电力系统技术领域，具体涉及一种新型稳定实用的可控硅触发电路。背景技术0002目前在电力系统的特殊应用领域，对断路器的分合闸速度要求很高，常规的断路器无法满足负荷对断路器动作速度的要求。因此本公司开发了一种快速涡流驱动机构CN103280372A，断路器分合闸需要涡流盘驱动，涡流盘的能量则由电力电容器来提供。为了实现断路器可靠动作，控制电容器放电回路中可控硅通断就成了关键。0003然而在实际工作过程中，电容器充电电源开关管高速开断、变压器副边快恢复二极管的反向恢复和元。
6、器件的寄生参数等都会产生干扰信号，严重者甚至会引起可控硅误触发导致快速断路器误动作，从而造成不必要的损失。发明内容0004本发明所要解决的技术问题在于提供一种抗干扰能力强，防止误触发的新型稳定实用的可控硅触发电路。0005本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现0006一种新型稳定实用的可控硅触发电路，包括光电耦合器U1，所述光电耦合器U1的第1脚经第一二极管D1和第一电阻R1连接至分合闸信号的正极，所述光电耦合器U1的第2脚连接至分合闸信号的负极，在所述分合闸信号正负之间并联有压敏电阻RV，所述光电耦合器U1第2脚与第一电容R1和第一二极管D1之间并联有第二电阻R2和第一电容C1，所述。
7、光电耦合器U1第2脚与光电耦合器U1第1脚之间并联有第三电阻R3和第二二极管D2，D2能有效防止分合闸信号接反而击穿光耦，所述光电耦合器U1的第3脚分别连接至第二十七电阻R27和第三可控硅Q3的栅极，所述第二十七电阻R27分别接至12V电源和第二十六电阻R26的一端，所述第二十六电阻R26的另一端接至第三可控硅Q3的源极，所述第三可控硅Q3的栅极与光电耦合器U1的第3脚之间并联有第七可控硅Q7，所述第三可控硅Q3的漏极连接至第七可控硅Q7的漏极，所述第七可控硅Q7的源极连接至光电耦合器U1的第4脚，所述第二十六电阻R26与第七可控硅Q7的源极之间并联有第三十一电容C31，所述光电耦合器U1的第。
8、4脚上还并联有第四可控硅Q4和第二十电容C20，在第四可控硅Q4和第二十电容C20之间连接有分合闸线圈X1，所述第四可控硅Q4的一个引脚连接至第三可控硅Q3和第七可控硅Q3的漏极之间。0007光电耦合器输入侧0008压敏电阻RV跨接在分合闸信号正负之间，当人为接入或者串入高电压，立即从高阻状态变为低阻状态，有效防止了高电压对后级电路的破坏。0009所述第一电阻R1和第二电阻R2为限流电阻，所述第一电容C1为滤波电容，第一电阻R1和第二电阻R2限制光电耦合器U1输入电流低于额定值，第一电容C1能有效滤除高频干扰信号。说明书CN104135257A2/3页40010所述第一二极管D1为91V稳压二。
9、极管，可以滤除掉低于91V的干扰脉冲无论其能力大小，而普通的阻容吸收滤波网络只能滤除能量很小的干扰脉冲。0011光电耦合器输出侧0012在控制器未发出分合闸触发脉冲情况下，光电耦合器U1关断，第三可控硅Q3关断，第七可控硅Q7导通，第四可控硅Q4栅极电压被拉低，有效防止了干扰脉冲引起的可控硅误触发情况；0013在控制器发出分合闸触发脉冲时，光电耦合器U1导通，第三可控硅Q3导通，第七可控硅Q7关断，第三十一电容C31通过第三可控硅Q3提供可控硅触发导通所需的门极电压和电流，可控硅导通，电容器能量流经分合闸线圈带动断路器完成一次分合闸动作。0014本发明的有益效果是00151光耦输入、输出侧分别。
10、采用稳压二极管钳位和推挽电路抗干扰功能，相比传统的阻容吸收滤波网络，无论幅值还是能量方面，对干扰脉冲抑制能力更强，稳定性更好；00162电路结构简单，全部由普通电子元器件构成，成本低，效果好。附图说明0017图1为本发明电路原理图。具体实施方式0018为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。0019如图1所示，一种新型稳定实用的可控硅触发电路，包括光电耦合器U1，所述光电耦合器U1的第1脚经第一二极管D1和第一电阻R1连接至分合闸信号的正极，所述光电耦合器U1的第2脚连接至分合闸信号的负极，在所述分合闸信号正负之间并联有压敏电阻RV。
11、，所述光电耦合器U1第2脚与第一电容R1和第一二极管D1之间并联有第二电阻R2和第一电容C1，所述光电耦合器U1第2脚与光电耦合器U1第1脚之间并联有第三电阻R3和第二二极管D2，D2能有效防止分合闸信号接反而击穿光耦，所述光电耦合器U1的第3脚分别连接至第二十七电阻R27和第三可控硅Q3的栅极，所述第二十七电阻R27分别接至12V电源和第二十六电阻R26的一端，所述第二十六电阻R26的另一端接至第三可控硅Q3的源极，所述第三可控硅Q3的栅极与光电耦合器U1的第3脚之间并联有第七可控硅Q7，所述第三可控硅Q3的漏极连接至第七可控硅Q7的漏极，所述第七可控硅Q7的源极连接至光电耦合器U1的第4脚。
12、，所述第二十六电阻R26与第七可控硅Q7的源极之间并联有第三十一电容C31，所述光电耦合器U1的第4脚上还并联有第四可控硅Q4和第二十电容C20，在第四可控硅Q4和第二十电容C20之间连接有分合闸线圈X1，所述第四可控硅Q4的一个引脚连接至第三可控硅Q3和第七可控硅Q3的漏极之间。0020光电耦合器输入侧0021压敏电阻RV跨接在分合闸信号正负之间，当人为接入或者串入高电压，立即从高阻状态变为低阻状态，有效防止了高电压对后级电路的破坏。0022所述第一电阻R1和第二电阻R2为限流电阻，所述第一电容C1为滤波电容，第一电阻R1和第二电阻R2限制光电耦合器U1输入电流低于额定值，第一电容C1能有效。
13、滤除说明书CN104135257A3/3页5高频干扰信号。0023所述第一二极管D1为91V稳压二极管，可以滤除掉低于91V的干扰脉冲无论其能力大小，而普通的阻容吸收滤波网络只能滤除能量很小的干扰脉冲。0024光电耦合器输出侧0025在控制器未发出分合闸触发脉冲情况下，光电耦合器U1关断，第三可控硅Q3关断，第七可控硅Q7导通，第四可控硅Q4栅极电压被拉低，有效防止了干扰脉冲引起的可控硅误触发情况；0026在控制器发出分合闸触发脉冲时，光电耦合器U1导通，第三可控硅Q3导通，第七可控硅Q7关断，第三十一电容C31通过第三可控硅Q3提供可控硅触发导通所需的门极电压和电流，可控硅导通，电容器能量流经分合闸线圈带动断路器完成一次分合闸动作。0027以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。说明书CN104135257A1/1页6图1说明书附图CN104135257A。