《晶片盖板和晶片加工设备.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《晶片盖板和晶片加工设备.pdf（10页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、10申请公布号CN104124185A43申请公布日20141029CN104124185A21申请号201310150818722申请日20130426H01L21/6720060171申请人北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司地址100026北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼72发明人陈雪峰74专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274代理人申健54发明名称晶片盖板和晶片加工设备57摘要本发明公开了一种晶片盖板和晶片加工设备，涉及半导体制造技术领域，使工艺过程中产生的副产物可以从晶片盖板和晶片之间的空隙通过，从而降低了工艺副产物沉积在晶片上的几率。该所述晶片盖板用于压住。
2、晶片，所述晶片盖板上设置有多个工艺孔，所述工艺孔用于露出晶片的工艺部分，所述晶片盖板的每个工艺孔边缘下方设置有多个支撑件，用于使所述晶片盖板与所述晶片之间留有空隙。该晶片加工设备，包括用于放置晶片的托盘和上述的晶片盖板，所述晶片盖板固定在所述托盘上并通过支撑件压住所述晶片。51INTCL权利要求书1页说明书4页附图4页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书4页附图4页10申请公布号CN104124185ACN104124185A1/1页21一种晶片盖板，所述晶片盖板用于压住晶片，所述晶片盖板上设置有多个工艺孔，所述工艺孔用于露出晶片的工艺部分，其特征在于，所述晶片。
3、盖板的每个工艺孔边缘下方设置有多个支撑件，用于使所述晶片盖板与所述晶片之间留有空隙。2根据权利要求1所述的晶片盖板，其特征在于，所述支撑件为圆柱形结构。3根据权利要求1所述的晶片盖板，其特征在于，所述支撑件水平方向的横截面积由上至下逐渐变小。4根据权利要求3所述的晶片盖板，其特征在于，所述支撑件为半球形或锥形结构。5根据权利要求1所述的晶片盖板，其特征在于，所述晶片盖板的每个工艺孔边缘设置有多个螺钉孔；在每个所述工艺孔边缘，所述螺钉孔的数量与所述支撑件的数量相等；每个所述支撑件设置于每个所述螺钉孔与所述工艺孔之间，使所述支撑件、所述螺钉孔的中心点和所述工艺孔的中心点呈一条直线。6根据权利要求1。
4、至5中任意一项所述的晶片盖板，其特征在于，所述晶片盖板的工艺孔边缘为倾斜面，使所述工艺孔为上大下小的结构。7根据权利要求6所述的晶片盖板，其特征在于，所述晶片盖板的工艺孔边缘为弧形面。8根据权利要求1至5中任意一项所述的晶片盖板，其特征在于，所述晶片盖板的工艺孔边缘为竖直面，使所述工艺孔为直筒状结构。9根据权利要求1至5中任意一项所述的晶片盖板，其特征在于，所述多个支撑件在每个所述工艺孔边缘均匀设置。10一种晶片加工设备，其特征在于，包括用于放置晶片的托盘和如权利要求1至9中任意一项所述的晶片盖板，所述晶片盖板固定在所述托盘上并通过支撑件压住所述晶片。权利要求书CN104124185A1/4页。
5、3晶片盖板和晶片加工设备技术领域0001本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶片盖板和晶片加工设备。背景技术0002在半导体制作工艺中需要对晶片进行加工，比如进行沉积或刻蚀工艺。以图形化蓝宝石衬底（PATTERNEDSAPPHIRESUBSTRATE,PSS）工艺为例，需要使用电感耦合等离子体（INDUCTIVECOUPLEDPLASMA，ICP）刻蚀设备对蓝宝石晶片进行刻蚀，如图1和图2所示，现有的ICP刻蚀设备包括晶片盖板1和托盘2，托盘2上设置有多个晶片卡槽，首先将多个蓝宝石晶片3放置于托盘2上的晶片卡槽中，晶片盖板1上设置有多个工艺孔4，之后将晶片盖板1盖在托盘2上，工艺孔4的边。
6、缘压住蓝宝石晶片3，蓝宝石晶片3下方的托盘2处设置有小孔，在刻蚀的过程中，氦（HE）气通过托盘2上的小孔接触蓝宝石晶片3的下表面使蓝宝石晶片3保持较低温度，但是需要避免HE气泄漏到工艺腔室，因此在放置蓝宝石晶片3的卡槽外圈设置有密封圈8，需要晶片盖板1对蓝宝石晶片3满足一定的压力，以保持密封效果，防止HE气的泄漏，因此用螺钉5将晶片盖板1固定在托盘2上，对蓝宝石晶片3形成一定的压力，蓝宝石晶片3的刻蚀部分从工艺孔4中露出。在进行刻蚀的过程中，托盘2正上方的石英喷嘴均匀地喷出稳定的气流，通过高频起辉放电，使气体离子对蓝宝石晶片3在工艺孔4中露出的刻蚀部分进行刻蚀。然而，在刻蚀的过程中会产生大量的。
7、副产物，例如颗粒（PARTICLE），虽然大部分副产物可以被抽走，但还是会有一小部分副产物会沉积在蓝宝石晶片3上，例如颗粒在工艺孔4的边缘被反弹至蓝宝石晶片3上，增加了颗粒沉积在蓝宝石晶片上的几率，这样就会对刻蚀的图形产生不良影响，降低产品的合格率。发明内容0003本发明提供一种晶片盖板和晶片加工设备，使工艺过程中产生的副产物可以从晶片盖板和晶片之间的空隙通过，从而降低了工艺副产物沉积在晶片上的几率。0004为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案0005一方面，提供了一种晶片盖板，所述晶片盖板用于压住晶片，所述晶片盖板上设置有多个工艺孔，所述工艺孔用于露出晶片的工艺部分，0006所述晶片盖。
8、板的每个工艺孔边缘下方设置有多个支撑件，用于使所述晶片盖板与所述晶片之间留有空隙。0007可选地，所述支撑件为圆柱形结构。0008优选地，所述支撑件水平方向的横截面积由上至下逐渐变小。0009具体地，所述支撑件为半球形或锥形结构。0010具体地，所述晶片盖板的每个工艺孔边缘设置有多个螺钉孔；0011在每个所述工艺孔边缘，所述螺钉孔的数量与所述支撑件的数量相等；0012每个所述支撑件设置于每个所述螺钉孔与所述工艺孔之间，使所述支撑件、所述螺钉孔的中心点和所述工艺孔的中心点呈一条直线。说明书CN104124185A2/4页40013优选地，所述晶片盖板的工艺孔边缘为倾斜面，使所述工艺孔为上大下小的。
9、结构。0014可选地，所述晶片盖板的工艺孔边缘为弧形面。0015可选地，所述晶片盖板的工艺孔边缘为竖直面，使所述工艺孔为直筒状结构。0016具体地，所述多个支撑件在每个所述工艺孔边缘均匀设置。0017另一方面，提供一种晶片加工设备，包括用于放置晶片的托盘和上述的晶片盖板，所述晶片盖板固定在所述托盘上并通过支撑件压住所述晶片。0018本发明提供的晶片盖板和晶片加工设备，通过晶片盖板上的支撑件压住晶片，避免了晶片盖板直接接触晶片，使工艺过程中产生的副产物可以从晶片盖板和晶片之间的空隙通过，从而降低了工艺副产物沉积在晶片上的几率，进而提高了产品的合格率。另外，通过支撑件实现与晶片的小面积接触，降低了。
10、工艺过程中晶片盖板对晶片的不良影响，从而增强了晶片边缘部分的工艺效果。附图说明0019为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。0020图1为现有技术中晶片盖板的俯视图；0021图2为图1中AA向的截面示意图；0022图3为本发明实施例中一种晶片盖板的局部俯视图；0023图4为图3中BB向的截面示意图；0024图5为图3中CC向的截面示意图；0025图6为本发明实施例中另一种晶片盖板。
11、的局部截面示意图；0026图7为本发明实施例中另一种晶片盖板的局部截面示意图。具体实施方式0027下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。0028如图3、图4和图5所示，本发明实施例提供了一种晶片盖板1，晶片盖板1用于压住晶片3，晶片盖板1上设置有多个工艺孔4（图3只示意了一个工艺孔），工艺孔4用于露出晶片3的工艺部分，晶片盖板1的每个工艺孔4边缘下方设置有多个支撑件6，用于使晶片盖板1与晶片3之间留有空隙。0029具体地，工艺过程与现有技术相同，首先将多个晶片3放置于托盘2上的晶片卡槽中，之后将晶片盖板1盖在托盘2上，工艺孔4的边缘下方设置的多个支撑件。
12、6压住晶片3，用螺钉5将晶片盖板1固定在托盘2上，使支撑件6对晶片3形成一定的压力，晶片3的工艺部分从工艺孔4中露出。例如，在进行晶片刻蚀的过程中，托盘2正上方的石英喷嘴均匀地喷出稳定的气流，通过高频起辉放电，使气体离子对晶片3在工艺孔4中露出的工艺部分进行刻蚀。在刻蚀的过程中产生的副产物，例如颗粒，可以迅速通过晶片盖板1与晶片3之间的空隙被抽走，减少了刻蚀副产物与晶片接触的几率。同样的，在进行晶片沉积的过程说明书CN104124185A3/4页5中，托盘2上方的沉积源对晶片3在工艺孔4中露出的工艺部分进行沉积，同样可以使沉积过程中产生的副产物迅速通过晶片盖板1与晶片3之间的空隙被抽走，减少了。
13、沉积副产物与晶片接触的几率。0030本实施例中的晶片盖板，通过支撑件压住晶片，避免了晶片盖板直接接触晶片，使工艺过程中产生的副产物可以从晶片盖板和晶片之间的空隙通过，从而降低了工艺副产物沉积在晶片上的几率，进而提高了产品的合格率。另外，通过支撑件实现与晶片的小面积接触，降低了工艺过程中晶片盖板对晶片的不良影响，从而增强了晶片边缘部分的工艺效果。0031具体地，上述支撑件可以为圆柱形结构（图中未示出），结构较为简单。0032优选地，如图4所示，支撑件6水平方向的横截面积由上至下逐渐变小。这种结构在保证竖直方向能够承受较大压力的情况下，使晶片3与晶片盖板1之间留有较大空隙。0033具体地，支撑件6。
14、可以为半球形或锥形结构（图中未示出锥形结构）。0034具体地，如图3所示，晶片盖板1的每个工艺孔4边缘设置有多个螺钉孔7；在每个工艺孔4边缘，螺钉孔7的数量与支撑件6的数量相等；每个支撑件6设置于每个螺钉孔7与工艺孔4之间，使支撑件6、螺钉孔7的中心点和工艺孔4的中心点呈一条直线，这种结构的受力效果最佳。当然也可以为其他结构，但是在支撑件数量较小的情况下，由于支撑件与螺钉孔分别承受方向相反的两个力，如果支撑件与螺钉孔之间的距离较远，则容易使晶片盖板损坏。0035优选地，如图4和图5所示，晶片盖板1的工艺孔4边缘为倾斜面，使工艺孔4为上大下小的结构。这种结构下工艺副产物除了可以从晶片3与晶片盖板。
15、1之间空隙被抽走外，还能够容易的通过工艺孔4边缘的倾斜面从晶片盖板1上方被抽走。上述倾斜面具体可以为平面，如图5所示，使工艺孔4边缘的截面为三角形。0036可选地，如图6所示，晶片盖板1的工艺孔4边缘为弧形面。0037可选地，如图7所示，晶片盖板1的工艺孔4边缘为竖直面，使工艺孔4为直筒状结构，即工艺孔4边缘的截面为矩形。0038具体地，上述多个支撑件6在每个工艺孔4边缘均匀设置，使晶片盖板1与晶片3之间的受力均匀。0039具体地，上述晶片盖板1可以由石英材料形成。0040需要说明的是，上述螺钉孔的数量与支撑件的数量可以不相等，具体可以根据需要进行设置。优选为每个工艺孔边缘设置三个以上的支撑件。
16、，支撑件的数量越多则晶片对HE气的密封效果越好；支撑件的数量越少则晶片盖板与晶片之间的空隙越大，从而避免副产物沉积在晶片上的效果越好。另外，支撑件与晶片的接触点和晶片边缘的距离越近则晶片露出工艺孔的有效工艺区域的面积越大，因此支撑件与晶片的接触点和晶片边缘的距离优选为不超过1MM。0041本实施例中的晶片盖板，通过支撑件压住晶片，避免了晶片盖板直接接触晶片，使工艺过程中产生的副产物可以从晶片盖板和晶片之间的空隙通过，从而降低了工艺副产物沉积在晶片上的几率，进而提高了产品的合格率。另外，通过支撑件实现与晶片的小面积接触，降低了工艺过程中晶片盖板对晶片的不良影响，从而增强了晶片边缘部分的工艺效果。。
17、0042本发明实施例还提供了一种晶片加工设备，如图4所示，包括用于放置晶片3的托盘2和上述的晶片盖板1，在工艺过程中，晶片盖板1固定在托盘2上，晶片盖板1通过支撑说明书CN104124185A4/4页6件6压住晶片3。0043晶片盖板1和支撑件6的具体结构和工艺过程与上述实施例相同，在此不再赘述。该晶片加工设备可以是刻蚀设备，比如ICP刻蚀设备，用于PSS刻蚀工艺，上述的晶片可以为蓝宝石晶片。该晶片加工设备还可以是沉积设备，用于对晶片进行沉积工艺。0044本实施例中的晶片加工设备，通过晶片盖板上的支撑件压住晶片，避免了晶片盖板直接接触晶片，使工艺过程中产生的副产物可以从晶片盖板和晶片之间的空隙。
18、通过，从而降低了工艺副产物沉积在晶片上的几率，进而提高了产品的合格率。另外，通过支撑件实现与晶片的小面积接触，降低了工艺过程中晶片盖板对晶片的不良影响，从而增强了晶片边缘部分的工艺效果。0045以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。说明书CN104124185A1/4页7图1图2说明书附图CN104124185A2/4页8图3图4说明书附图CN104124185A3/4页9图5图6说明书附图CN104124185A4/4页10图7说明书附图CN104124185A10。