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1、10申请公布号CN104124184A43申请公布日20141029CN104124184A21申请号201310145960222申请日20130424H01L21/67200601H01J37/3220060171申请人北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司地址100026北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼72发明人武小娟74专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274代理人申健54发明名称等离子设备及其控制方法57摘要本发明公开了一种等离子设备及其控制方法，涉及等离子技术领域，可实现耦合窗的均匀加热，减少等离子反应室初始化稳定时间，提高连续工艺过程的稳定性及设备的产出率。。
2、所述等离子设备包括等离子反应室；等离子反应室包括用于对耦合窗进行温度控制的温控装置，温控装置包括主加热器，用于从耦合窗的边缘对耦合窗进行加热；辅助加热器，用于对述耦合窗的中心区域进行加热；第一测温单元，设置于耦合窗的边缘，用于测量耦合窗边缘的温度；第二测温单元，设置于耦合窗的中心区域，用于测量耦合窗中心区域的温度；温控器，用于根据第一测温单元及第二测温单元反馈的测量值，控制主加热器和辅助加热器，以使耦合窗的温度维持在预设值。51INTCL权利要求书2页说明书8页附图4页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书8页附图4页10申请公布号CN104124184ACN10。
3、4124184A1/2页21一种等离子设备，包括等离子反应室；所述等离子反应室包括耦合窗；其特征在于，所述等离子设备还包括用于对所述耦合窗进行温度控制的温控装置，所述温控装置包括主加热器，设置在所述耦合窗的边缘，用于从所述耦合窗的边缘对所述耦合窗进行加热；辅助加热器，设置在所述耦合窗外表面的中心区域，用于对所述耦合窗的中心区域进行加热；第一测温单元，设置于所述耦合窗的边缘，用于测量所述耦合窗边缘的温度；第二测温单元，设置于所述耦合窗的中心区域，用于测量所述耦合窗中心区域的温度；温控器，用于根据所述第一测温单元及所述第二测温单元反馈的测量值，控制所述主加热器和所述辅助加热器，以使所述耦合窗的温度。
4、维持在预设值。2根据权利要求1所述的等离子设备，其特征在于，所述第二测温单元集成在所述辅助加热器内。3根据权利要求1所述的等离子设备，其特征在于，还包括提升装置和内置有射频源的线圈盒；所述线圈盒设置在所述耦合窗之上；所述提升装置包括提升柄，所述提升柄的末端穿过所述线圈盒的上壁延伸至所述线圈盒内，所述辅助加热器及所述第二测温单元设置在所述提升柄的末端，所述提升柄的提升高度使得所述提升柄提升后所述辅助加热器及所述第二测温单元被提升至所述线圈盒上壁，或者，所述线圈盒的上壁设置有过孔，所述提升柄的提升高度使得所述提升柄提升后，所述辅助加热器及所述第二测温单元经所述过孔被提升至所述线圈盒的外部。4根据权。
5、利要求3所述的等离子设备，其特征在于，所述线圈盒的上壁设置有容纳所述辅助加热器及所述第二测温单元的凹槽，所述提升柄的提升高度使得所述提升柄提升后所述辅助加热器及所述第二测温单元恰位于所述线圈盒上壁的所述凹槽内。5根据权利要求4所述的等离子设备，其特征在于，所述凹槽的大小、形状与所述辅助加热器及所述第二测温单元相对应，以使所述辅助加热器及所述第二测温单元位于所述凹槽内时，所述线圈盒的上壁平整。6根据权利要求3所述的等离子设备，其特征在于，所述提升装置还包括电机驱动器、电机、联轴器和制动器；所述提升柄的前端与所述联轴器相连接，所述驱动器控制所述电机运转，所述电机输出的扭矩驱动所述联轴器转动，所述联。
6、轴器带动所述提升柄上升，所述提升柄上升后所述制动器抱闸使得的所述提升柄的末端位置保持固定。7根据权利要求3所述的等离子设备，其特征在于，所述线圈盒上壁的外侧设置有隔热棉。8根据权利要求3所述的等离子设备，其特征在于，权利要求书CN104124184A2/2页3所述辅助加热器包括多个片状加热器。9根据权利要求8所述的等离子设备，其特征在于，所述片状加热器均匀分布在所述耦合窗的中心区域。10根据权利要求19任一项所述的等离子设备，其特征在于，所述主加热器为沿所述耦合窗圆周方向包裹的加热带，或者，所述主加热器为沿所述耦合窗圆周方向等间距分布的多个加热棒。11根据权利要求1所述的等离子设备，其特征在于。
7、，所述第一测温单元和第二测温单元为抗射频干扰的热电偶或光纤测温装置。12一种基于权利要求111任一项所述的等离子设备的控制方法，其特征在于，包括进行启辉前的准备工作，其中包括设定所述离子反应室的耦合窗温度，通过温控装置控制耦合窗达到并稳定在设定的耦合窗温度，关闭所述辅助加热器，并提升所述辅助加热器及所述第二测温单元至所述线圈盒上壁，或者，所述线圈盒的上壁设置有过孔，提升所述辅助加热器及所述第二测温单元，使所述辅助加热器及所述第二测温单元穿过所述过孔位于所述线圈盒的外部；进行启辉；在启辉后开启所述辅助加热器，并使所述辅助加热器及所述第二测温单元降落至所述耦合窗的外表面。13根据权利要求12所述的。
8、方法，其特征在于，所述线圈盒的上壁设置有容纳所述辅助加热器及所述第二测温单元的凹槽，所述提升所述辅助加热器及所述第二测温单元至所述线圈盒上壁，具体为提升所述辅助加热器及所述第二测温单元，使得所述辅助加热器及所述第二测温单元恰位于所述线圈盒上壁的所述凹槽内。14根据权利要求13所述的等离子设备，其特征在于，所述辅助加热器及所述第二测温单元位于所述凹槽内时，所述线圈盒的上壁平整。15根据权利要求12所述的等离子设备，其特征在于，所述通过温控装置控制耦合窗达到并稳定在设定的耦合窗温度，具体包括通过所述温控装置的主加热器对所述耦合窗的边缘进行加热使所述耦合窗升温，并且通过所述温控器控制所述耦合窗边缘的。
9、升温速度，所述第一测温单元监控所述耦合窗边缘的实际温度，当实际温度达到设定的耦合窗温度后，通过温控器使所述耦合窗边缘的温度稳定在设定值；通过所述温控装置的辅助加热器对所述耦合窗的中心区域进行加热使所述耦合窗升温，并且通过所述温控器控制所述耦合窗的中心区域的升温速度，第二测温单元监控所述耦合窗中心区域的实际温度，当实际温度达到设定的耦合窗温度后，通过温控器使所述耦合窗的温度稳定在设定值。权利要求书CN104124184A1/8页4等离子设备及其控制方法技术领域0001本发明涉及等离子技术领域，尤其涉及一种等离子设备及其控制方法。背景技术0002等离子刻蚀是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露。
10、在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。0003等离子刻蚀工艺对温度非常敏感，等离子体反应室精确的温度控制对刻蚀工艺结果起到至关重要的作用，直接影响刻蚀速率的均匀性和特征尺寸CD，CRITICALDIMENSION的均匀性，而且保持合适的温度还可以减少反应室侧壁的颗粒沉积，促使挥发性的残留物及时排出反应室，从而有效延长预防性维护的周期。0004目前，如图1所示，等离子反应室通常采用对等离子反应室2侧壁及静电卡盘4进行精确温度控制。衬底3通过静电引力固定在静电。
11、卡盘4正上方，静电卡盘4外接温度控制模块图中未显示，温度控制模块中的冷却液通过进口6流入静电卡盘4内部，在静电卡盘4内部进行热量交换后，从出口7返回温度控制模块，从而实现对衬底3的精确温度控制，反应室2侧壁通过加热器5、热电偶和过温开关的组合形成对反应室2侧壁的温度控制。但是反应室上方的耦合窗1一般没有单独的温度控制，在刻蚀工艺开始时，耦合窗1的温度会低于腔室以及静电卡盘4的温度，为了得到满意的工艺结果，在实际工艺过程中，通过增加预热等离子体启辉的工艺过程来实现耦合窗1温度的升高，但这种加热方式极不稳定，且控温不准确；而且，因增加预热等离子体启辉的步骤，必然延长单片工艺的时间，从而降低设备的产。
12、出率；此外，在进行大批量生产过程中，等离子体启辉会使得耦合窗1温度上升，由于热量的累积效应会使得耦合窗1的温度高于腔室温度，无法精确控制等离子体反应室的温度。0005在申请号为CN2008101187679的专利申请文件中，公开了一种耦合窗1的温度控制方法，该方法通过在耦合窗1圆周方向包裹图2所示的加热带来实现加热，同时通过在耦合窗1上部增加热电偶对耦合窗1的温度进行监控。但发明人发现在圆周方向给耦合窗1加热，而耦合窗是热的不良导体，这种圆周方向的加热方式会在耦合窗1的径向形成较大温度梯度，中心区域升温较慢，整个耦合窗1的盘面温度梯度较大当加热带的温度控制到120度时中心区域的温度只有109度。
13、，温度梯度达到11度，不利于精确控温，无法满足工艺对于温控均匀性的要求，同时温度梯度大也会影响耦合窗1的使用寿命。发明内容0006本发明提供一种等离子设备及其控制方法，可实现耦合窗均匀加热的问题，从而减少等离子反应室初始化稳定时间，提高连续工艺过程的稳定性及设备的产出率。0007为解决上述技术问题，本发明的实施例采用如下技术方案说明书CN104124184A2/8页50008一种等离子设备，包括等离子反应室；所述等离子反应室包括耦合窗；还包括用于对所述耦合窗进行温度控制的温控装置，所述温控装置包括0009主加热器，设置在所述耦合窗的边缘，用于从所述耦合窗的边缘对所述耦合窗进行加热；0010辅助。
14、加热器，设置在所述耦合窗外表面的中心区域，用于对所述耦合窗的中心区域进行加热；0011第一测温单元，设置于所述耦合窗的边缘，用于测量所述耦合窗边缘的温度；0012第二测温单元，设置于所述耦合窗的中心区域，用于测量所述耦合窗中心区域的温度；0013温控器，用于根据所述第一测温单元及所述第二测温单元反馈的测量值，控制所述主加热器和所述辅助加热器，以使所述耦合窗的温度维持在预设值。0014可选地，所述第二测温单元集成在所述辅助加热器内。0015进一步地，所述等离子设备还包括提升装置和内置有射频源的线圈盒；0016所述线圈盒设置在所述耦合窗之上；0017所述提升装置包括提升柄，所述提升柄的末端穿过所述。
15、线圈盒的上壁延伸至所述线圈盒内，所述辅助加热器及所述第二测温单元设置在所述提升柄的末端，所述提升柄的提升高度使得所述提升柄提升后所述辅助加热器及所述第二测温单元被提升至所述线圈盒上壁，或者，0018所述线圈盒的上壁设置有过孔，所述提升柄的提升高度使得所述提升柄提升后，所述辅助加热器及所述第二测温单元经所述过孔被提升至所述线圈盒的外部。0019优选地，所述线圈盒的上壁设置有容纳所述辅助加热器及所述第二测温单元的凹槽，0020所述提升柄的提升高度使得所述提升柄提升后，所述辅助加热器及所述第二测温单元恰位于所述线圈盒上壁的所述凹槽内。0021进一步优选地，所述凹槽的大小、形状与所述辅助加热器及所述第。
16、二测温单元相对应，以使所述辅助加热器及所述第二测温单元位于所述凹槽内时，所述线圈盒的上壁平整。0022可选地，所述提升装置还包括电机驱动器、电机、联轴器和制动器；0023所述提升柄的前端与所述联轴器相连接，所述驱动器控制所述电机运转，所述电机输出的扭矩驱动所述联轴器转动，所述联轴器带动所述提升柄上升，所述提升柄上升后所述制动器抱闸使得的所述提升柄的末端位置保持固定。0024可选地，所述线圈盒上壁的外侧设置有隔热棉。0025可选地，所述辅助加热器包括多个片状加热器。0026进一步可选地，所述片状加热器均匀分布在所述耦合窗的中心区域。0027可选地，所述主加热器为沿所述耦合窗圆周方向包裹的加热带，。
17、或者，0028所述主加热器为沿所述耦合窗圆周方向等间距分布的多个加热棒。0029可选地，所述第一测温单元和第二测温单元均为抗射频干扰的热电偶或光纤测温装置。0030本发明实施例一种基于上述等离子设备的控制方法，包括说明书CN104124184A3/8页60031进行启辉前的准备工作，其中包括0032设定所述离子反应室的耦合窗温度，通过温控装置控制耦合窗达到并稳定在设定的耦合窗温度，0033关闭所述辅助加热器，并提升所述辅助加热器及所述第二测温单元至所述线圈盒上壁，或者，0034所述线圈盒的上壁设置有过孔，提升所述辅助加热器及所述第二测温单元，使所述辅助加热器及所述第二测温单元穿过所述过孔位于所。
18、述线圈盒的外部；0035进行启辉，并在启辉后开启所述辅助加热器，并使所述辅助加热器及所述第二测温单元降落至所述耦合窗的外表面。0036优选地，所述线圈盒的上壁设置有容纳所述辅助加热器及所述第二测温单元的凹槽，所述提升所述辅助加热器及所述第二测温单元至所述线圈盒上壁，具体为0037提升所述辅助加热器及所述第二测温单元，使得所述辅助加热器及所述第二测温单元恰位于所述线圈盒上壁的所述凹槽内。0038进一步优选地，所述辅助加热器及所述第二测温单元位于所述凹槽内时，所述线圈盒的整个上壁保持平整，不影响所述线圈盒内的电磁场分布。0039具体地，所述通过温控装置控制耦合窗达到并稳定在设定的耦合窗温度，具体包。
19、括0040通过所述温控装置的主加热器对所述耦合窗的边缘进行加热使所述耦合窗升温，并且通过所述温控器控制所述耦合窗边缘的升温速度，所述第一测温单元监控所述耦合窗边缘的实际温度，当实际温度达到设定的耦合窗温度后，使所述耦合窗边缘的温度稳定在设定值；0041通过所述温控装置的辅助加热器对所述耦合窗的中心区域进行加热使所述耦合窗升温，并且通过所述温控器控制所述耦合窗的中心区域的升温速度，第二测温单元监控所述耦合窗中心区域的实际温度，当实际温度达到设定的耦合窗温度后，使所述耦合窗的温度稳定在设定值。0042本发明提供一种等离子设备及其控制方法，在耦合窗圆周方向包裹加热带作为主加热器，在径向方向比较靠近中。
20、心的区域增加辅助加热器来补偿耦合窗的温度梯度，同时对耦合窗采用双区控温，圆周方向设置的第一测温单元测量负责测量外圈的温度，中心区域的第二测温单元负责内圈的温度测量，温控器用于根据第一、第二测温单元反馈的测量值，控制所述主加热器和所述辅助加热器，从而实现耦合窗的均匀加热，减少等离子反应室初始化稳定时间，提高连续工艺过程的稳定性及设备的产出率。附图说明0043为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获。
21、得其他的附图。0044图1为等离子反应室的结构示意图；0045图2为等离子反应室耦合窗的加热带；说明书CN104124184A4/8页70046图3为本发明实施例一中等离子反应室的结构示意图；0047图4为本发明实施例一中耦合窗的温控装置的框架示意图；0048图5为本发明实施例一中提升柄提升后线圈盒上壁的局部放大示意图；0049图6为本发明实施例二中等离子设备的控制方法流程图；0050图7为本发明实施例二中等离子设备的工艺流程。0051附图标记说明00521耦合窗，2等离子反应室，3衬底，4静电卡盘，5加热器，00536进口，7出口，8主加热器，9线圈盒，10温控装置，005411第一测温单元。
22、，12第二测温单元，13辅助加热器，14温控器，005515提升柄，16隔热棉。具体实施方式0056下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。0057实施例一0058参照图3和4所示，本发明实施例提供一种等离子设备，包括等离子反应室2；等离子反应室2包括耦合窗1；还包括用于对耦合窗1进行温度控制的温控装置10，温控装置10包括0059主加热器8，设置在耦合窗1的边缘，用于从耦合窗。
23、1的边缘对耦合窗1进行加热；0060辅助加热器13，设置在耦合窗1外表面的中心区域，用于对耦合窗1的中心区域进行加热；0061第一测温单元11，设置于耦合窗1的边缘，用于测量耦合窗1边缘的温度；0062第二测温单元12，设置于耦合窗1的中心区域，用于测量耦合窗1中心区域的温度；0063温控器14，用于根据第一测温单元11及第二测温单元12反馈的测量值，控制主加热器8和辅助加热器13，以使耦合窗1的温度维持在预设值。0064本实施例中的等离子设备广泛应用于集成电路、微机电系统或太阳能电池板的制造工艺中。等离子中含有的大量电子、离子、激发态原子、分子和自由基等活性粒子，当这些活性粒子和被加工的衬底。
24、相互作用，在衬底表面发生复杂的物理和化学反应，从而使衬底表面的结构和性能发生变化，等离子设备利用这种变化在半导体制造方面完成多种工艺，例如各向异性、等向性刻蚀和化学气相沉积等。0065为保证得到高质量的工艺结果，必须精确控制等离子反应室2的温度。本实施例除对等离子反应室2侧壁及静电卡盘4的温度进行控制外，还对耦合窗1的温度进行控制。其中，等离子反应室2侧壁及静电卡盘4的温度控制与现有技术大致类似，本实施例不再赘述，对此也不做限定。0066本实施例在等离子反应室2的耦合窗1的边缘设置主加热器8，从耦合窗1的边缘对耦合窗1进行加热；耦合窗1的材质一般为石英等热的不良导体，为避免在径向形成大的说明书。
25、CN104124184A5/8页8温度梯度，本实施例还在耦合窗1上靠近中心的区域设置辅助加热器13，从而实现耦合窗1的均匀加热。0067具体而言，所述主加热器8可以为沿耦合窗1圆周方向包裹的加热带，或者，所述主加热器8还可以为沿耦合窗1圆周方向等间距分布的多个加热棒。优选地，所述辅助加热器13可包括多个片状加热器，且所述片状加热器均匀分布在耦合窗1的中心区域。具体实施时，可对主加热器8和辅助加热器13的功率、分布位置进行优化，以能实现耦合窗1均匀加热为目的。0068具体地，本实施例所述的第一测温单元11和第二测温单元12均为抗射频干扰的热电偶或光纤测温装置。例如，本实施例所述具体实施方式中，第。
26、一测温单元11为红外测温探头，设置在耦合窗1的边缘；第二测温单元12为热电偶，而且将作为第二测温单元12的热电偶集成在辅助加热器13上，辅助加热器13的出线上增加一个热电偶出线几乎所有的加热器制造商都能轻易实现，这样辅助加热器13的出线就有交流加热出线和热电偶出线两根线缆。0069温控器14根据工作环境的温度变化，在开关内部发生物理形变，从而产生某些特殊效应，产生导通或者断开动作或者功率调节的一系列自动控制元件，可达到理想的温度及节能效果，广泛应用在家电、电机、制冷或制热等众多产品中。0070本实施例中用温控器14控制主加热器8和辅助加热器13，具体而言，耦合窗1分别采用两路独立的控温回路对主。
27、加热器8和辅助加热器13进行控制简称双区控温，其原理如图4所示实际工作中，计算机把温度的设定值例如120度传给温控器14，第二测温单元12把中心区域内圈目前的温度传递给温控器14，温控器14根据预设值和当前温度的关系，输出一个控制信号，这个信号控制继电器的通断，从而控制辅助加热器13是否得电，也就是是否加热当然，具体实施中，这个信号也可以用来控制辅助加热器13的功率，从而控制升温速度，最终把中心区域的温度控制在预设值。主加热器8控制耦合窗1边缘外圈的温度，主加热器8所在的控温回路的工作过程，与上述辅助加热器13所在的控温回路工作过程大致类似，在此不再详细叙述。0071需要注意的是，本实施例采用。
28、一个温控器14同时控制主加热器8和辅助加热器13，当然，也可以采用两个独立的温控器14分别控制主加热器8和辅助加热器13。0072本发明实施例提供的等离子设备，在等离子反应室耦合窗的圆周方向设置主加热器，在耦合窗的比较靠近中心的区域设置辅助加热器，同时采用两路独立的控温回路对主加热器和辅助加热器进行控制，实现了耦合窗的均匀加热，从而减少等离子反应室初始化稳定时间，提高连续工艺过程的稳定性及设备的产出率。0073进一步地，所述等离子设备还包括提升装置和内置有射频源的线圈盒9；0074线圈盒9设置在耦合窗1之上，线圈盒9的上壁设置有容纳辅助加热器13及第二测温单元12的凹槽图中未示出；0075提升。
29、装置包括提升柄15，提升柄15的末端穿过线圈盒9的上壁延伸至线圈盒9内，辅助加热器13及第二测温单元12设置在提升柄15的末端，提升柄15的提升高度使得提升柄15提升后辅助加热器13及第二测温单元12恰位于线圈盒9上壁的凹槽内，如图5所示。0076考虑到金属对线圈产生的电磁场有影响，将主加热器8设置在耦合窗1的边缘，主说明书CN104124184A6/8页9加热器8不会影响线圈盒9内的射频环境即启辉时线圈盒9内的电磁场，；而辅助加热器13设置线圈盒9内耦合窗1的上表面，而加热器一般为金属制成，为避免辅助加热器13影响线圈盒9内的射频环境，本发明实施例将辅助加热器13及第二测温单元12设置在提升。
30、柄15的末端，只在设备不启辉时辅助加热器13及第二测温单元12才贴近耦合窗1的上表面，对耦合窗进行加热。具体而言，先使得设备在启辉前达到好的温度均匀性，在准备启辉之时前，由位于线圈盒9外部的提升装置将辅助加热器13及第二测温单元12提升到线圈盒9的顶部后，再进行启辉，这样既能避免辅助加热器13对线圈盒9内的启辉时形成的射频环境产生影响，又可实现对耦合窗1整个表面的均匀加热，保证做工艺时耦合窗1表面的温度均匀性。而且，启辉时间一般最多几分钟，启辉后，可将辅助加热器13落下来继续对耦合窗1进行加热，保证真个耦合窗1盘面的温度均匀性。其中，提升辅助加热器13及第二测温单元12一般为集成有测温功能的辅。
31、助加热器13时，可从线圈间隙之间升至线圈盒9上壁凹槽处，以避免辅助加热器13在上下升降运动时与线圈发生干涉。0077其中，优选地，将辅助加热器13及第二测温单元12被提升至线圈盒9上壁的凹槽内，并且，所述凹槽的大小、形状与辅助加热器13及第二测温单元12一般为集成有测温功能的辅助加热器13相对应，以使辅助加热器13及第二测温单元12位于凹槽内时，线圈盒9的整个上壁平整，不对线圈盒9内的电磁场分布造成影响。0078次选地，将辅助加热器13及第二测温单元12提升至线圈盒9的上壁附近，或者，线圈盒9的上壁设置有过孔，辅助加热器13及第二测温单元12经该过孔被提升至线圈盒9的外部。这两种方法，第一种在。
32、效果上比提升至凹槽的方案稍微差些，第二种在具体实现上较复杂。0079辅助加热器13用于补偿耦合窗1的温度梯度，其功率一般不需要很大，例如在一种具体实施方式中，主加热器8的功率2000瓦，辅助加热器13的功率500瓦，因此辅助加热器13的大小可以设计得比较小。优选地，辅助加热器13可选择宽度有23厘米，厚度05厘米左右的片状金属加热器，且进一步优选地，将第二测温单元12也集成在该片状金属加热器内，而线圈盒9上壁的厚度在两厘米左右，因此在线圈盒9上壁设计一个或多个用以容纳05厘米厚加热器的凹槽不成问题。这样，在使得辅助加热器13提升至凹槽内后，线圈盒的上表面平滑，降低辅助加热器13对电磁场的影响。。
33、0080其中，提升装置用于在启辉前将辅助加热器13及第二测温单元12提升到线圈盒9上壁的凹槽内，其具体实现原理及装置存在多种可能，本实施例对此不做限定。0081在一种可选的实施方式中，所述提升装置还包括电机驱动器、电机、联轴器和制动器；提升柄15的前端与联轴器相连接，驱动器控制电机运转，电机输出的扭矩驱动联轴器转动，联轴器带动提升柄15上升，提升柄15上升后制动器抱闸使得的提升柄15的末端位置保持固定，此时辅助加热器13及第二测温单元12恰位于线圈盒9上壁的凹槽内。0082其中，由于耦合窗1到线圈盒9上壁的距离是固定的，所以电机采用步进电机由试验确认步数即可。传动技术是通用技术，本发明对此不做。
34、限定。0083实际结构设计中，将第二测温单元12集成在辅助加热器13上，辅助加热器13的出线上增加一个热电偶出线，辅助加热器13的出线就有交流加热出线和热电偶出线两根线缆。在提升柄15上设计一个凹槽容纳这两根线缆，也就是说线缆的引入不增加提升柄15的直径，线缆及辅助加热器13跟随提升柄15一起升降。此外，在设计辅助加热器13时，在说明书CN104124184A7/8页10与提升炳14末端衔接的位置设置一个卡套，提升炳14插入卡套后通过使用内陷螺钉固定。0084此外，提升柄15要穿过线圈盒9的上壁，因此需要在线圈盒9上壁开孔，所开孔的直径与提升柄15直径相同，且采用正公差即可，这样提升柄15能够。
35、自由升降，线圈盒9不属于真空端不用考虑密封，空隙不大时对电磁屏蔽的影响可忽略。0085可选地，本发明实施例还在线圈盒9的上壁安装隔热棉16，保护线圈盒外部的部件以及人员安全。0086实际使用中，设备第一次启机从冷态启机时，需要抽真空，测漏率等准备性工作，这些准备性工作需要时间较长一个小时以上，而把耦合窗1的内外圈温度控在预设温度一般短于这个时间，因此在准备性工作的同时，对耦合窗1进行加热并将温度控在预设温度，本发明的设计不会增加设备的启机时间。0087而且，本实施例离子设备，可实现耦合窗的均匀、快速加热，并且不影响等离子体耦合，可减少等离子反应室初始化稳定时间，提高连续工艺过程的稳定性及设备的。
36、产出率。0088实施例二0089本发明实施例一种等离子设备的控制方法，如图6所示，包括0090101、进行启辉前的准备工作，其中包括0091设定所述离子反应室的耦合窗温度，通过温控装置控制耦合窗达到并稳定在设定的耦合窗温度，关闭辅助加热器，并提升辅助加热器及第二测温单元至线圈盒上壁，或者，线圈盒的上壁设置有过孔，提升加热器及第二测温单元，使辅助加热器及第二测温单元穿过所述过孔位于线圈盒的外部；0092102、进行启辉；0093103、在启辉后开启辅助加热器，并使辅助加热器及第二测温单元降落至耦合窗的外表面，即最终使辅助加热器及第二测温单元靠贴在线圈盒上壁的外表面，对耦合窗进行温控。0094其中。
37、，优选地，线圈盒的上壁设置有容纳辅助加热器及第二测温单元的凹槽，提升辅助加热器及第二测温单元，使得辅助加热器及第二测温单元恰位于线圈盒上壁的所述凹槽内。而且，辅助加热器及第二测温单元位于凹槽内时，所述线圈盒的上壁平整，不影响线圈盒内的电磁场分布。0095此外，上面所述的通过温控装置控制耦合窗达到并稳定在设定的耦合窗温度，具体包括0096通过所述温控装置的主加热器对所述耦合窗的边缘进行加热使所述耦合窗升温，并且通过温控器控制耦合窗边缘的升温速度，第一测温单元监控耦合窗边缘的实际温度，当实际温度达到设定的耦合窗温度后，通过温控器使耦合窗边缘的温度稳定在设定值；0097通过温控装置的辅助加热器对耦合。
38、窗的中心区域进行加热使所述耦合窗升温，并且通过温控器控制耦合窗的中心区域的升温速度，第二测温单元监控耦合窗中心区域的实际温度，当实际温度达到设定的耦合窗温度后，通过温控器使耦合窗的温度稳定在设定值。0098为了本领域技术人员更好的理解本发明实施例提供的等离子设备的控制方法的技术方案，下面通过具体的实施例对本发明提供的等离子设备的控制方法进行详细说明。如图7所示，等离子设备的使用时的具体流程包括0099201、抽真空；说明书CN104124184A108/8页110100202、当等离子反应室达到工艺要求的真空度后，通入工作气体；0101203、调节工作气体的压强至工艺要求的压强设定值；0102。
39、204、进行启辉前的检测，主要包括判断辅助加热器是否提升完毕。如果辅助加热器提升完毕，则进行步骤206；若没有则进行步骤205；0103205、关闭辅助加热器，并通过提升装置进行提升；0104206、进行启辉；0105207、通过提升装置将辅助加热器下降，贴近耦合窗，开启辅助加热器开始加热。0106如前所述，等离子设备从冷态启动，在机台抽真空测漏率的过程中，温控装置使得耦合窗的温度稳定在设定温度，在等离子反应室具备工艺条件后包括但不限于耦合窗温度，将辅助加热器提升进行启辉，启辉后通过提升装置将辅助加热器下降贴近耦合窗，开启辅助加热器开始加热，温控装置继续使得耦合窗的温度稳定在设定温度，然后再进。
40、行流片制程，对衬底进行加工。在辅助加热器提升前，要通过计算机给温控器一个命令，温控器的输出端关断对加热器的交流电，辅助加热器停止加热。启辉结束后，辅助加热器降落后，同样的办法，辅助加热器开始加热。0107以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。说明书CN104124184A111/4页12图1图2说明书附图CN104124184A122/4页13图3图4说明书附图CN104124184A133/4页14图5图6说明书附图CN104124184A144/4页15图7说明书附图CN104124184A15。