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1、10申请公布号CN104124236A43申请公布日20141029CN104124236A21申请号201310144907022申请日20130424H01L25/07200601H01L23/482200601H01L21/6020060171申请人敦南科技股份有限公司地址中国台湾新北市72发明人曾清秋74专利代理机构北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290代理人姚垚张荣彦54发明名称桥式整流器以及其制造方法57摘要一种桥式整流器，包括一共P型二极管晶粒、一共N型二极管晶粒、两第一金属层、两对第二金属层、一对交流输入部以及一对直流输出部；共P型二极管晶粒包括一共P型掺杂区、一对第一。
2、N型基底区以及一对N型掺杂区；而共N型二极管晶粒包括一共N型掺杂区、一对第二N型基底区以及一对P型掺杂区；第一金属层分别连接共N型掺杂区以及共P型掺杂区；第二金属层分别连接P型掺杂区以及N型掺杂区；交流输入部分别连接共P型二极管晶粒的其中一第二金属层以及共N型二极管晶粒的其中一第二金属层；直流输出部连接第一金属层。本发明包括一共P型二极管晶粒以及一共N型二极管晶粒，减少晶粒的使用，进而简化了制造过程。51INTCL权利要求书2页说明书8页附图10页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书8页附图10页10申请公布号CN104124236ACN104124236A1/。
3、2页21一种桥式整流器，其特征在于，该桥式整流器包括一共P型二极管晶粒，包括一共P型掺杂区、一对第一N型基底区以及一对N型掺杂区，而该对第一N型基底区位于该共P型掺杂区以及该对N型掺杂区之间；一共N型二极管晶粒，包括一共N型掺杂区、一对第二N型基底区以及一对P型掺杂区，而该对第二N型基底区位于该共N型掺杂区以及该对P型掺杂区之间；两第一金属层，分别连接该共N型掺杂区以及该共P型掺杂区；两对第二金属层，分别形成于该对N型掺杂区以及该对P型掺杂区上；一对交流输入部，分别连接于位于该共N型二极管晶粒的其中一第二金属层以及位于该共P型二极管晶粒的其中一第二金属层；以及一对直流输出部，分别连接该些第一金。
4、属层。2如权利要求1所述的桥式整流器，其特征在于，该共P型二极管晶粒以及该共N型二极管晶粒还分别具有一沟槽，该共P型二极管晶粒的该沟槽位于该对N型掺杂区以及该对第一N型基底区之间；该共N型二极管晶粒的该沟槽位于该对P型掺杂区以及该对第二N型基底区之间。3如权利要求2所述的桥式整流器，其特征在于，该桥式整流器还包括两绝缘层，该些绝缘层分别覆盖在该共P型二极管晶粒以及该共N型二极管晶粒上；覆盖于该共P型二极管晶粒的其中一该绝缘层覆盖在该共P型二极管晶粒的该沟槽之上，且暴露出该对N型掺杂区；覆盖于该共N型二极管晶粒的另一该绝缘层覆盖在该共N型二极管晶粒的该沟槽之上，且暴露出该对P型掺杂区。4如权利要。
5、求1所述的桥式整流器，其特征在于，该共P型二极管晶粒还包括一P型延伸部，该P型延伸部位于该共P型二极管晶粒的该对N型掺杂区以及该对第一N型基底区之间，而该共N型二极管晶粒的N型延伸部，该N型延伸部位于该共N型二极管晶粒的该对P型掺杂区以及该对第二N型基底区之间。5如权利要求4所述的桥式整流器，其特征在于，该桥式整流器更包括两绝缘层，该些绝缘层分别覆盖在该共P型二极管晶粒以及该共N型二极管晶粒上；覆盖于该共P型二极管晶粒的其中一该绝缘层暴露出该对N型参杂区；覆盖于该共N型二极管晶粒的另一该绝缘层暴露出该对P型掺杂区。6一种桥式整流器的制造方法，其特征在于，该桥式整流器的制造方法包括提供两N型基板。
6、；对各该N型基板进行双面掺杂，以在其中一面形成N型重掺杂，另一面形成P型掺杂；形成一沟槽于其中一该N型基板的N型重掺杂一侧，以形成一共P型二极管晶粒，该共P型二极管晶粒包括一共P型掺杂区、一对N型掺杂区以及一对第一N型基底区；形成另一沟槽于另一该N型基板的P型掺杂一侧，以形成一共N型二极管晶粒，该共N型二极管晶粒包括一共N型掺杂区、一对P型掺杂区以及一对第二N型基底区；分别形成一第一金属层于该共P型掺杂区以及该共N型掺杂区上；分别形成一对第二金属层于该对N型掺杂区以及该对P型掺杂区上；形成一对交流输入部，该些交流输入部分别连接于该共N型二极管晶粒的其中一第二金属层以及该共P型二极管晶粒的其中一。
7、第二金属层；以及形成一对直流输出部，该些直流输出部分别连接该些第一金属层。权利要求书CN104124236A2/2页37如权利要求6所述的桥式整流器的制造方法，其特征在于，分别形成该沟槽于该共P型二极管晶粒以及该共N型二极管晶粒之后，还包括分别形成一绝缘层于该共P型二极管晶粒以及该共N型二极管晶粒上；位于该共P型二极管晶粒的该绝缘层会覆盖于该共P型二极管晶粒的该沟槽，并暴露出该对N型掺杂区，而位于该共N型二极管晶粒的该绝缘层会覆盖于该共N型二极管晶粒的该沟槽，并暴露出该对P型掺杂区。8如权利要求6所述的桥式整流器的制造方法，其特征在于，对各该N型基板进行双面掺杂的方法包括热趋入以及离子植入。9。
8、一种桥式整流器的的制造方法，其特征在于，该桥式整流器的制造方法包括提供两N型基板；对其中一该N型基板的其中一面进行P型掺杂，另一面进行部分P型掺杂，以形成一共P型掺杂区以及一P型延伸部；对另一该N型基板的其中一面进行N型重掺杂，另一面进行部分N型重掺杂，以形成一共N型掺杂区以及一N型延伸部；对具有该P型延伸部的该N型基板中，部分进行P型掺杂的一面进行N型重掺杂，以形成一共P型二极管晶粒，该共P型二极管晶粒包括该P型延伸部、一对第一N型基底区、一对N型掺杂区以及该共P型掺杂区，而该P型延伸部位于该对第一N型基底区以及该对N型掺杂区之间；对具有该N型延伸部的该N型基板中，部分进行N型重掺杂的一面进。
9、行P型掺杂，以形成一共N型二极管晶粒，该共N型二极管晶粒包括该N型延伸部、一对第二N型基底区、一对P型掺杂区以及该共N型掺杂区，而该N型延伸部位于该对第二N型基底区以及该对P型掺杂区之间；分别形成一第一金属层于该共P型掺杂区以及该共N型掺杂区上；分别形成一对第二金属层于该P型掺杂区以及该N型掺杂区上；形成一对交流输入部，该些交流输入部连接于该共N型二极管晶粒的其中一第二金属层以及该共P型二极管晶粒的其中一第二金属层；形成一对直流输出部，该些直流输出部分别连接该些第一金属层。10如权利要求9所述的桥式整流器的制造方法，其特征在于，形成该共P型二极管晶粒以及该共N型二极管晶粒之后，还包括分别形成一。
10、绝缘层于该共P型二极管晶粒以及该共N型二极管晶粒上，位于该共P型二极管晶粒的该绝缘层会暴露出该对N型掺杂区；位于该共N型二极管晶粒的该绝缘层会暴露出该对P型掺杂区。11如权利要求9所述的桥式整流器的制造方法，其特征在于，对各该N型基板进行掺杂的方法包括热趋入以及离子植入。权利要求书CN104124236A1/8页4桥式整流器以及其制造方法技术领域0001本发明涉及一种整流器及其制造方法，且特别涉及一种桥式整流器及其制造方法。背景技术0002桥式整流器是一种普遍应用于将交流电流（ALTERNATINGCURRENT，AC）转换成直流电源（DIRECTCURRENT，DC）的整流器。一般来说，现有。
11、的桥式整流器是由四颗独立的二极管晶粒（DIODEDIE）所组成。每个二极管晶粒皆会制作两个电极接点，且这些二极管会经由导线（LEAD）或导线架（LEADFRAME），且通常会以焊接的方式连接而成。所以，在现有桥式整流器的制造过程中，需要将上述四颗二极管晶粒组装才能形成桥式整流器。发明内容0003本发明提供了一种桥式整流器，其所包括的晶粒具有二个二极管，而利用此晶粒，可以简化桥式整流器的制造方法。0004本发明提供了一种桥式整流器的制造方法，其可制造出上述桥式整流器。0005本发明提供一种桥式整流器，其包括一共P型二极管晶粒、一共N型二极管晶粒、两第一金属层、两对第二金属层、一对交流输入部以及一。
12、对直流输出部。共P型二极管晶粒包括一共P型掺杂区、一对第一N型基底区以及一对N型掺杂区，而第一N型基底区位于共P型掺杂区以及N型掺杂区之间。共N型二极管晶粒包括一共N型掺杂区、一对第二N型基底区以及一对P型掺杂区，第二N型基底区位在共N型掺杂区以及P型掺杂区之间。第一金属层分别连接共N型掺杂区以及共P型掺杂区。第二金属层分别连接P型掺杂区以及N型掺杂区。交流输入部分别连接位于共N型二极管晶粒的其中一第二金属层以及位于共P型二极管晶粒的其中一第二金属层。直流输出部连接第一金属层。0006换句话说，本发明提供了一种桥式整流器，该桥式整流器包括0007一共P型二极管晶粒，包括一共P型掺杂区、一对第一。
13、N型基底区以及一对N型掺杂区，而该对第一N型基底区位于该共P型掺杂区以及该对N型掺杂区之间；0008一共N型二极管晶粒，包括一共N型掺杂区、一对第二N型基底区以及一对P型掺杂区，而该对第二N型基底区位于该共N型掺杂区以及该对P型掺杂区之间；0009两第一金属层，分别连接该共N型掺杂区以及该共P型掺杂区；0010两对第二金属层，分别形成于该对N型掺杂区以及该对P型掺杂区上；0011一对交流输入部，分别连接于位于该共N型二极管晶粒的其中一第二金属层以及位于该共P型二极管晶粒的其中一第二金属层；以及0012一对直流输出部，分别连接该些第一金属层。0013本发明提供了一种桥式整流器的制造方法，包括提供。
14、两个N型基板。之后，对各该N型基板进行双面掺杂，以在其中一面形成N型重掺杂，另一形成P型掺杂。形成一沟槽于其中一N型基板的一侧以形成一共P型二极管晶粒，且此共P型二极管晶粒包括一共P型说明书CN104124236A2/8页5掺杂区、一对N型掺杂区以及一对第一N型掺杂区。形成另一沟槽于另一N型基板包括P型掺杂的一侧，以形成一共N型二极管晶粒，且此共N型二极管晶粒包括一共N型掺杂区、一对P型掺杂区以及一对第二N型掺杂区。分别形成一第一金属层于共P型掺杂区以及共N型掺杂区上。分别形成一对第二金属层于N型掺杂区以及P型掺杂区上。形成一对交流输入部，各该交流输入部分别连接于位于共N型二极管晶粒的其中一第。
15、二金属层以及位于共P型二极管晶粒的其中一第二金属层。形成一对直流输出部，分别连接第一金属层。0014本发明还提供了一种桥式整流器的制造方法，包括提供两N型基板。对其中一N型基板的其中一面进行P型掺杂，以形成一共P型掺杂区以及一P型延伸部。对另一N行基板的其中一面进行N型掺杂，以形成一共N型掺杂区以及一N型延伸部。对具有P型延伸部的基板的另一面进行N型重掺杂，以形成一共P型二极管晶粒。对具有N型延伸部的基板的另外一面进行P型掺杂以形成一共N型二极管晶粒。分别形成一第一金属层于共P型掺杂区以及共N型掺杂区上。分别形成一对第二金属层于P型掺杂区以及N型掺杂区上。形成一对交流输入部，各交流输入部分别连。
16、接于位于共N型二极管晶粒的其中一第二金属层以及位于共P型二极管晶粒的其中一第二金属层。形成一对直流输出部，分别连接第一金属层。0015综上所述，本发明提供一种桥式整流器及其制造方法。此桥式整流器包括一共P型二极管晶粒以及一共N型二极管晶粒。共P型二极管晶粒具有两个分开的N型电极，且此两个分开的N型电极共享一个共P型掺杂区。共N型二极管晶粒具有两个分开的P型电极，且此两个分开的P型电极共享一个共N型掺杂区。与现有的桥式整流器相比较而言，采用此种共P/N型二极管晶粒可以减少晶粒的使用，进而达到简化制造过程的目的。0016为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图。
17、，但是此等说明与所附附图仅用来说明本发明，而非对本发明的作任何的限制。附图说明0017图1为本发明实施例一的桥式整流器立体示意图；0018图1A至1E为本发明实施例一的共P型二极管晶粒制造方法示意图；0019图2A至2E为本发明实施例一的共N型二极管晶粒制造方法示意图；0020图3为本发明实施例一的桥式整流器的电路示意图；0021图4为本发明第实施例二的桥式整流器立体示意图；0022图5A至5E为本发明第实施例二的共P型二极管晶粒制造方法示意图；0023图6A至6E为本发明第实施例二的共N型二极管晶粒制造方法示意图。0024【主要元件附图标记说明】00251、2桥式整流器002611、21共P。
18、型二极管晶粒002712、22共N型二极管晶粒002813、23第一金属层002914、24第二金属层003015、25绝缘层003116A、16B、26A、26B交流输入部说明书CN104124236A3/8页6003217A、17B、27A、27B直流输出部0033110、110、120、120、210、220N型基板0034110”、210、210”第一N型基底区0035112、212共P型掺杂区0036114、214N型掺杂区0037116、126凹槽0038216P型延伸部0039226N型延伸部0040120”、220、220”第二N型基底区0041122、222共N型掺杂区004。
19、2124、224P型掺杂区具体实施方式0043图1为本发明实施例一的桥式整流器1立体示意图。请参阅图1，桥式整流器1包括一共P型二极管晶粒11、一共N型二极管晶粒12、两第一金属层13、两对第二金属层14、两绝缘层15、一对交流输入部16A/16B以及一对直流输出部17A/17B。图1A为本实施例中共P型二极管晶粒11的剖面示意图，图1B为本实施例中共N型二极管晶粒12的剖面示意图。图1A的剖面示意图是根据图1的剖面线AA进行剖面而得，图2A的剖面示意图是根据图1的剖面线BB进行剖面而得。0044请参阅图1A以及图2A，详细而言，共P型二极管晶粒11包括一共P型掺杂区112、一对第一N型基底区。
20、110”、一对N型掺杂区114以及一凹槽116。一对第一N型基底区110”位于共P型掺杂区112上，而N型掺杂区114位于一对第一N型基底区110”上。也就是说，第一N型基底区110”位在共P型掺杂区112以及N型掺杂区114之间。而共P型掺杂区112、第一N型基底区110”以及N型掺杂区114的掺杂浓度大小为N型掺杂区114大于共P型掺杂区112大于第一N型基底区110”。然而，本发明不以此为限。0045另外，凹槽116则位于一对第一N型基底区110”以及一对N型掺杂区114之间。也就是说，凹槽116会将第一N型基底区110”的两个部分以及N型掺杂区114的两个部分间隔开来，而共P型掺杂区1。
21、12则并未被凹槽116分成两部分。因此，位于凹槽116其中一侧的第一N型基底区110”、对应在其上方的N型掺杂区114以及下方的共P型掺杂区112会形成一NNP的三层二极管结构。而位在凹槽126另一侧的第一N型基底区110”、对应在其上方的N型掺杂区114以及下方的共P型掺杂区112会形成另一NNP的三层二极管结构。且上述两个二极管结构会共享一个共P掺杂区，因此称作共P型二极管晶粒结构，其实际上为一个二极管晶粒结构，但具有两个二极管的功用。0046共N型二极管晶粒12则包括一共N型掺杂区122、一对第二N型基底区120”、一对P型掺杂区124以及一凹槽126。第二N型基底区120”位于共N型掺。
22、杂区122上，而P型掺杂区124位于第二N型基底区120”上。也就是说，第二N型基底区120”位在共N型掺杂区122以及P型掺杂区124之间。另外，共N型掺杂区122、第二N型基底区120”以及P型掺杂区124的掺杂浓度大小为共N型掺杂区122大于P型掺杂区124大于第二N型基底区120”。然而，本发明不以此为限。说明书CN104124236A4/8页70047而凹槽126则位于第二N型基底区120”以及P型掺杂区124之间。也就是说，凹槽126会将第二N型基底区120”的两个部分以及P型掺杂区124的两个部分间隔开来，而共N型掺杂区122则并未被凹槽126分隔开来。因此，位在凹槽126其中一。
23、侧的第二N型基底区120”、对应在其上方的P型掺杂区124以及下方的共N型掺杂区122会形成一PNN的三层二极管结构。而位在凹槽126另一侧的第二N型基底区120”、对应在其上方的P型掺杂区124以及下方的共N型掺杂区122则会形成另一PNN的三层二极管结构。且上述两个二极管结构会共享一个共N型掺杂区122。因此称作共N型二极管晶粒结构，其实际上为一个二极管晶粒结构，但具有两个二极管的功用。0048请同时参阅图1、图1A以及图2A，绝缘层15分别位在共P型二极管晶粒11以及共N型二极管晶粒12之上，并覆盖凹槽116以及凹槽126的侧壁。此外，绝缘层15会暴露出位在共P型二极管晶粒11上层的N型。
24、掺杂区114以及位在共N型二极管晶粒12上层的P型掺杂区124。需说明的是，绝缘层15是作为共P型二极管晶粒11以及共N型二极管晶粒12的保护层。另外，绝缘层15的材质可以是氧化硅（SILICONOXIDE，SIOX），半绝缘多晶硅（SEMIINSULATINGPOLYCRYSTALLINESILICON，SIPOS），玻璃（PASSIVATIONGLASS）或者是氮化硅（SILICONNITRIDE，SINX）或是以上材料多层的组合，然而本发明不以此为限。0049另外，两个第一金属层13分别位于共P型二极管晶粒11以及共N型二极管晶粒12的底部，并贴附且连接共P型掺杂区112以及共N型掺杂区。
25、122。两对第二金属层14则分别形成于共P型二极管晶粒11的顶部以及共N型二极管晶粒12的顶部。详细而言，其中一对第二金属层14贴附于共P型二极管晶粒11中，绝缘层15所暴露出的N型掺杂区114之上，而另一对第二金属层14则贴附于共N型二极管晶粒12中，绝缘层15所暴露出的P型掺杂区124之上。0050请参阅图1，桥式整流器1的共P型二极管晶粒11以及共N型二极管晶粒12会相互并排。此外，桥式整流器1还包括一对交流输入部16A/16B以及一对直流输出部17A/17B。如图1所示，交流输入部16A/16B位于共P型二极管晶粒11以及共N型二极管晶粒12的上方，一交流输入部16A连接位于共P型二极。
26、管晶粒11的其中一第二金属层14以及位于共N型二极管晶粒12的其中一第二金属层14，且此两个第二金属层14彼此会电性连接。而另一交流输入部16B则连接位于共P型二极管晶粒11的另一第二金属层14以及位于共N型二极管晶粒12的另一第二金属层14，且此两个第二金属层14彼此会电性连接。0051需说明的是，交流输入部16A/16B可以是利用导线架或者是打线（BONDINGWIRE）的方式电性连接位于共P型二极管晶粒11以及共N型二极管晶粒12上的第二金属层14。交流输入部16A/16B会再连接到交流电电源端以供交流电输入。0052而直流输出部17A/17B则位于共P型二极管晶粒11以及共N型二极管晶。
27、粒12的下方，直流输出部17A位于共P型二极管晶粒11的下方，并电性连接共P型二极管晶粒11的第一金属层13。直流输出部17B则位于共N型二极管晶粒12的下方，并电性连接共N型二极管晶粒12的第一金属层13。另外，直流输出部17A/17B还会再连接到直流电电源端，以供直流电输出。另外，桥式整流器1还可以包括一底座（图未示），以提供共P型二极管晶粒11、共N型二极管晶粒12、交流输入部16A/16B以及直流电输出部17A/17B的放置。0053图3为本发明实施例一的桥式整流器1的电路示意图，从图3的电路图可知，本实施例的桥式整流器1具有整流的功能。当交流电从交流电输入部16A/16B输入共P型二。
28、极说明书CN104124236A5/8页8管晶粒11以及共N型二极管晶粒12之后，会达到整流的效果而得到直流电，并从直流电输出部17A/17B输出桥式整流器1。0054以上所述为本发明实施例一的桥式整流器1的结构。接下来，将针对此桥式整流器1的制造方法来进行说明。图1A至图1E为本发明实施例一共P型二极管晶粒11制造方法示意图，图2A至图2E为本发明实施例一共N型二极管晶粒12制造方法示意图。请先参阅图1B以及图2B，首先提供两个N型基板110、120，此两个N型基板为具有N型掺杂的基板。接下来请参阅图1C以及图2C，对两个N型基板110、120进行双面掺杂以形成N型基板110、120，而其中。
29、一面掺杂为N型重掺杂，另一面为P型掺杂。0055另外，需说明的是，对N型基板110、120进行掺杂的方法包括热趋入（DRIVEIN）或者是离子植入（IMPLANT）。而N型重掺杂的浓度会高过P型掺杂的浓度，而P型掺杂的浓度会高于原来N型基板110、120的掺杂浓度。然而本发明不以此为限。0056接着，请参阅图1D以及图2D，形成一沟槽116于N型基板110上，以形成一共P型二极管晶粒11。此沟槽116会穿过N型基板110上经重掺杂的区域以及N型掺杂区110，以形成一对N型掺杂区114以及一对第一N型基底区110”。沟槽116并不会穿过N型基板110上经P型掺杂的区域，因此会形成一共P型掺杂区1。
30、12。而位于沟槽116一侧的第一N型基底区110”以及N型掺杂区114和另外一侧的第一N型基底区110”以及N型掺杂区114会共享下方的共P型掺杂区112。0057之后，还会形成一沟槽126于N型基板120上，以形成一共N型二极管晶粒12。此沟槽126会穿过N型基板120上经P型掺杂的区域以及N型掺杂区120，以形成一对P型掺杂区124以及一对第二N型基底区120”。沟槽126不会穿过N型基板120上经N型掺杂的区域，因此会形成一共N型掺杂区122。而位于沟槽126一侧的第二N型基底区120”以及P型掺杂区124和另外一侧的第二N型基底区120”以及P型掺杂区124会共享下方的共N型掺杂区12。
31、2。另外，形成沟槽126、126的方法例如是利用湿式蚀刻或干式蚀刻。0058需要说明的是，共P型掺杂区112、第一N型基底区110”以及N型掺杂区114的掺杂浓度大小为N型掺杂区114大于共P型掺杂区112大于第一N型基底区110”。而共N型掺杂区122、第二N型基底区120”以及P型掺杂区124的掺杂浓度大小为共N型掺杂区122大于P型掺杂区124大于第二N型基底区120”。然而，本发明不以此为限。另外，在此选用N型基板110、120的原因是由于N型掺杂的基板具有较多的电子载体。相较于具有较多电洞载体的P型基板，使用N型基板110、120作为二极管的基底，可以具有较低的阻抗以及较快的电流传导。
32、速度。0059之后，请参阅图1E以及图2E，形成一绝缘层15于共P型二极管晶粒11以及共N型二极管晶粒12上。形成于共P型二极管晶粒11的绝缘层15会覆盖沟槽116，并且暴露出位于共P型二极管晶粒11上的N型掺杂区114。而形成于共N型二极管晶粒12上的绝缘层15会覆盖沟槽126，并且暴露出位于共N型二极管晶粒12上的P型掺杂区124。绝缘层15的材质可以是氧化硅（SILICONOXIDE，SIOX）或者是氮化硅（SILICONNITRIDE，SINX），然而本发明不以此为限。0060请再次参阅图1A以及图2A，接着形成第一金属层13于共P型二极管晶粒11的共P型掺杂区112，并贴附于共P型掺。
33、杂区112。以及形成共N型二极管晶粒12的共N型掺杂区122，并贴附于共N型掺杂区122。之后，形成第二金属层14于共P型二极管晶粒11上，说明书CN104124236A6/8页9被绝缘层15暴露出来的N型掺杂区114。并形成一第二金属层14于共N型二极管晶粒12上，被绝缘层15暴露出来的P型掺杂区124。另外，须说明的是，形成第一金属层13于共P型掺杂区112、共N型掺杂区122以及形成第二金属层14于N型掺杂区114、P型掺杂区124的方法包括溅镀（SPUTTERING）、印刷（PRINTING）或喷涂（SPRAYING）或是电镀（ELECTROPLATING）及无电镀（ELECTROLE。
34、SSPLATING）的方式。0061再来，请再次参阅图1，形成一对交流输入部16A/16B电性连接第二金属层14。详细而言，交流输入部16A会电性连接位于共P型二极管晶粒11上其中一第二金属层14以及位于共N型二极管晶粒12上其中一第二金属层14，所述两第二金属层14彼此会电性连接。而交流输入部16B则会电性连接位于共P型二极管晶粒11上另外一第二金属层14以及位于共N型二极管晶粒12上另一第二金属层14，且所述两第二金属层14彼此会电性连接。而交流输入部16A/16B可以是利用导线架或者是打线的方式电性连接位于共P型二极管晶粒11以及共N型二极管晶粒12上的第二金属层14。交流输入部16A/。
35、16B会再连接到交流电电源端以供交流电输入。0062接下来，再形成一对直流输出部17A/17B以贴附于共P型二极管晶粒11以及共N型二极管晶粒12下方的第一金属层13，直流输出部17A位于共P型二极管晶粒11的下方，并电性连接共P型二极管晶粒11的第一金属层13。直流输出部17B则位于共N型二极管晶粒12的下方，并电性连接共N型二极管晶粒12的第一金属层13。另外，直流输出部17A/17B还会再连接到直流电电源端，以供直流电输出。0063图4为本发明第实施例二的桥式整流器2的立体示意图，请参阅图4，桥式整流器2也包括一共P型二极管晶粒21、一共N行二极管晶粒22、两第一金属层23、两对第二金属。
36、层24、两绝缘层25、一对交流输入部26A/26B以及一对直流输出部27A/27B。图5A为本实施例中共P型二极管晶粒21的剖面示意图，图6A为本实施例中共N型二极管晶粒22的剖面示意图。图5A的剖面示意图是根据图4的剖面线AA进行剖面而得，而图6A的剖面示意图是根据图4的剖面线BB进行剖面而得。0064请参阅图5A以及图6A，详细而言，在本实施例中，共P型二极管晶粒21也包括一共P型掺杂区212、一对第一N型基底区210”、一对N型掺杂区214。然而，本实施例和前一实施例不同的地方在于，共P型二极管晶粒21还具有一P型延伸部216。P型延伸部216连接于共P型掺杂区212并向上延伸，且位于一。
37、对第一N型基底区210”以及一对N型掺杂区214之间。也就是说，P型延伸部216取代前一实施例的凹槽结构，会将第一N型基底区210”的两个部分以及N型掺杂区214的两个部分间隔开来，而共P型掺杂区212则并未被P型延伸部216分成两部分。0065因此，位在P型延伸部216两侧的第一N型基底区210”、对应在其上方的N型掺杂区214以及下方的共P型掺杂区212会形成两个NNP的三层二极管结构。且上述两个二极管结构会共享一个共P掺杂区212，因此称作共P型二极管晶粒结构。0066另外，共N型二极管晶粒22包括一共N型掺杂区222、一对第二N型基底区220”、一对P型掺杂区224。另外，和共P型二极。
38、管晶粒21相同，在本实施例中，共N型二极管晶粒22也是利用一N型延伸部226取代沟槽。N型延伸部226连接于共N型掺杂区222并向上延伸，且将一对第二N型基底区220”以及一对P型掺杂区224区隔开来。位在N型延伸部226两侧的第二N型基底区220”、对应在其上方的P型掺杂区224以及下方的共N型掺说明书CN104124236A7/8页10杂区222会形成两个NNP的三层二极管结构。且上述两个二极管结构会共享一个共N掺杂区222，因此称作共N型二极管晶粒结构22。0067请同时参阅图4、图5A以及图6A，绝缘层25分别位在共N型二极管晶粒22以及共N型二极管晶粒22之上，并暴露出位在共P型二极。
39、管晶粒21上层的N型掺杂区214以及位在共N型二极管晶粒22上的P型掺杂区224。需要说明的是，绝缘层25为共P型二极管晶粒21以及共N型二极管晶粒22的保护层。而绝缘层25的材质可以是氧化硅（SILICONOXIDE，SIOX），半绝缘多晶硅（SEMIINSULATINGPOLYCRYSTALLINESILICON，SIPOS），玻璃（PASSIVATIONGLASS）或者是氮化硅（SILICONNITRIDE，SINX）或是以上材料多层的组合，然而本发明不以此为限。0068而两个第一金属层23、两对第二金属层24、一对交流输入部26A/26B以及一对直流输出部27A/27B对于共P型二极管。
40、晶粒21以及共N型二极管晶粒22的相对位置关系则和前一实施例相同。另外，本实施例的整流效果也和前一实施例相同，在此不多做赘述。接下来将针对本实施例的桥式整流器2的制造方法进行介绍。图5A至图5E为第实施例二共P型二极管晶粒21的制造方法示意图，图6A至图6E为第实施例二共N型二极管晶粒22的制造方法示意图。0069请先参阅图5B以及图6B，首先提供两个N型基板210、220，此两个N型基板210、220为具有N型掺杂的基板。接下来请参阅图5C以及图6C，对N型基板210的其中一面进行P型掺杂，另一面进行部分P型掺杂，以形成一共P型掺杂区212、一P型延伸部216以及一对第一N型基底区210。P。
41、型延伸部216连接共P型掺杂区212，并将第一N型基底区210隔开。另外，对N型基板220的其中一面进行N型重掺杂，另一面进行部分N型重掺杂，以形成一共N型掺杂区222、一N型延伸部226以及一对第二N型基底区220。N型延伸部226连接共N型掺杂区222，并将第二N型基底区220隔开。在此步骤中，本实施例利用P型延伸部216以及N型延伸部226取代沟槽116、126，不需要进行蚀刻的步骤，因此共P型二极管晶粒21以及共N型二极管晶粒22的表面是平整的。0070之后，请参阅图5D以及图6D，再来对N型基板210中，具有部分P型掺杂的一面，进行N型重掺杂，以形成一对N型掺杂区214于第一N型基底。
42、区210”上方。此时第一N型基底区210”会位在N型掺杂区214以及共P型掺杂区212之间。而位于P型延伸部216一侧的第一N型基底区210”以及N型掺杂区214和另一侧的第一N型基底区210”以及N型掺杂区214会共享一个共P型掺杂区212。因此称作共P型二极管晶粒21，其实际上为一个二极管晶粒结构，但具有两个二极管的功用。0071另外，对N型基板220”中，具有部分N型掺杂的一面，进行P型掺杂，以形成一对P型掺杂区224于第二N型基底区220”上方。此时第二N型基底区220”会位在P型掺杂区224以及共N型掺杂区222之间。而位于N型延伸部226一测的第二N行基底区220”以及P型掺杂区2。
43、24和另一侧的第二N行基底区220”以及P型掺杂区224会共享一个共N型掺杂区222。因此称作共N型二极管晶粒22，其实际上为一个二极管晶粒结构，但两个二极管的功用。0072需要说明的是，共P型掺杂区212、第一N型基底区210”以及N型掺杂区214的掺杂浓度大小为N型掺杂区214大于共P型掺杂区212大于第一N型基底区210”。而共N型掺杂区222、第二N型基底区220”以及P型掺杂区224的掺杂浓度大小为共N型掺杂区说明书CN104124236A108/8页11222大于P型掺杂区224大于第二N型基底区220”。然而，本发明不以此为限。另外，在此选用N型基板210、220的原因是由于N型。
44、掺杂的基板具有较多的电子载体。相较于具有较多电洞载体的P型基板，使用N型基板210、220作为二极管的基底，可以具有较低的阻抗以及较快的电流传导速度。0073之后，请参阅图5E以及图6E，形成一绝缘层25于共P型二极管晶粒21以及共N型二极管晶粒22上。形成于共P型二极管晶粒21的绝缘层25会暴露出位于共P型二极管晶粒21上的N型掺杂区214。而形成于共N型二极管晶粒22上的绝缘层25会暴露出位于共N型二极管晶粒22上的P型掺杂区224。绝缘层25的材质可以是氧化硅（SILICONOXIDE，SIOX），半绝缘多晶硅（SEMIINSULATINGPOLYCRYSTALLINESILICON，S。
45、IPOS），玻璃（PASSIVATIONGLASS）或者是氮化硅（SILICONNITRIDE，SINX）或是以上材料多层之组合，然而本发明不以此为限。0074之后，如图5A、图4以及图6A所示，还会形成两第一金属层23以及两对第二金属层24、两对交流输入部26A/26B以及两对直流输出部27A/27B。其方法及位置大致上和实施例一相同，在此不多做赘述。0075综上所述，本发明提供一种桥式整流器及其制造方法。此桥式整流器包括一个共P型二极管晶粒以及一共N型二极管晶粒。共P型二极管晶粒具有两个分开的N型电极，且此两个分开的N型电极共享一个共P型掺杂区。共N型二极管晶粒则具有两个分开的P型电极，而。
46、此两个分开的P型电极共享一个共N型掺杂区。用此种共P/N型二极管晶粒可以减少晶粒的使用，进而达到简化制造流程的效果。此外，本发明的共P/N型二极管晶粒是使用N型基板作为二极管的基底，所以上述所揭露的桥式整流器可以具有较低的阻抗以及较快的电流传导速度。0076以上所述仅为本发明的实施例，其并非用以限定本发明的保护范围。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神与范围内，所作的修改及润饰的等效替换，仍为本发明的保护范围内。说明书CN104124236A111/10页12图1说明书附图CN104124236A122/10页13图1A图1B图1C说明书附图CN104124236A133/10页14图1D图1E图2A说明书附图CN104124236A144/10页15图2B图2C图2D说明书附图CN104124236A155/10页16图2E图3说明书附图CN104124236A166/10页17图4说明书附图CN104124236A177/10页18图5A图5B图5C说明书附图CN104124236A188/10页19图5D图5E图6A说明书附图CN104124236A199/10页20图6B图6C图6D说明书附图CN104124236A2010/10页21图6E说明书附图CN104124236A21。