《一种石斛组培芽快速增殖的方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《一种石斛组培芽快速增殖的方法.pdf（5页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201510234922.3 (22)申请日 2015.05.11 (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 104823853 A (43)申请公布日 2015.08.12 (73)专利权人 安徽康尔欣生物制药有限公司 地址 235000 安徽省淮北市经济开发区龙 湖工业园云龙路6号 (72)发明人 李德文 梁泽然 (51)Int.Cl. A01H 4/00(2006.01) (56)对比文件 CN 104542270 A,2015.04.29,全文. CN 104429。
2、961 A,2015.03.25,全文. JP 特开平5-23070 A,1993.02.02,全文. 卢文芸等.五种药用石斛快速繁殖的研究. 种子 .2005,第24卷(第5期),第23-28页. 丁玉梅等.植物组织培养电刺激效应研究进 展. 生物学通报 .1998,第33卷(第8期),第2-4 页. Roxas, et alElectrogenic machine and Nitrazyme soil conditioner: their influence on plants. Canopy International .1982,第8卷(第11期),第8-9 页. 审查员 王涛 (54。
3、)发明名称 一种石斛组培芽快速增殖的方法 (57)摘要 本发明公开了一种石斛组培芽快速增殖的 方法， 该方法采用负离子水对石斛组培芽进行短 期浸泡刺激， 接着在无糖培养基中暗培养饥饿处 理， 最后转接到富营养培养基中， 恢复光照条件， 促使石斛组培芽快速增殖， 具体包括以下操作步 骤：（1） 负离子水浸泡预处理；（2） 石斛组培芽的 饥饿暗处理；（3） 石斛组培芽的增殖培养。 本发明 通过短期负离子水结合暗培养饥饿胁迫处理、 后 期富营养培养， 促使石斛组培芽快速增殖。 该方 法简单易行， 成本低廉， 且石斛组培芽增殖效率 高， 适用于工厂化大规模生产。 权利要求书1页 说明书3页 CN 10。
4、4823853 B 2017.06.06 CN 104823853 B 1.一种石斛组培芽快速增殖的方法， 其特征在于按照下述步骤进行： （1） 负离子水浸泡预处理： 将石斛组培芽从培养瓶中取出， 添加入负离子水至浸没， 25 条件下， 浸泡4-8小时； 所述的负离子水中的负离子含量不低于200个/cm3； （2） 石斛组培芽的饥饿暗处理： 将浸泡后的石斛组培芽取出， 转入到去糖培养基中， 25 条件下， 暗培养48-96小时； 所述去糖培养基为去除蔗糖的液体MS培养基； （3） 石斛组培芽的增殖培养: 从去糖培养基中取出石斛组培芽， 转接入增殖培养基中， 在温度252、 每天光照14小时、 。
5、光照强度1500-2000LX的条件下培养30-40天， 该段时间 内石斛组培芽快速增殖； 所述增殖培养基为含30g/L蔗糖： 麦芽糖比例为1:0.51:1.5的双糖固体MS培养基。 2.根据权利要求1所述的一种石斛组培芽快速增殖的方法， 其特征在于所述的石斛为 霍山石斛、 铁皮石斛、 铜皮石斛中的一种。 3.根据权利要求1所述的一种石斛组培芽快速增殖的方法， 其特征在于所述的石斛组 培芽为霍山石斛、 铁皮石斛或铜皮石斛种子在基本MS培养基上萌发的小芽。 权 利 要 求 书 1/1 页 2 CN 104823853 B 2 一种石斛组培芽快速增殖的方法 技术领域 0001 本发明专利涉及植物组。
6、培技术领域， 尤其涉及一种石斛组培芽快速增殖的方法。 背景技术 0002 石斛组培芽是石斛由种胚分化成苗的中间形态， 也是培育形成试管苗的关键环 节。 普通的培养条件下， 石斛组培芽增殖分化速度缓慢， 增殖效率低。 目前常用添加激素的 手段来促使组培芽的增殖分化， 但是外源激素的添加， 会随着植物的生长的进行， 富集到植 物机体内， 对食用的安全性存在隐患。 寻求安全有效的促进石斛组培芽快速增殖分化的方 法对解决现有工厂规模化生产中石斛增殖与分化缓慢、 激素残留等问题具有重要意义。 发明内容 0003 本发明的目的是为了解决现有石斛组培芽增殖生产过程中遇到的生长增殖缓慢、 外源激素使用、 产品。
7、周期长等问题而提供的一种石斛组培芽快速增殖的方法， 操作简单， 成 本较低廉。 0004 实现上述目的的技术解决方案如下： 0005 一种石斛组培芽快速增殖的方法， 其特征在于按照下述步骤进行： 0006 （1） 负离子水浸泡预处理： 将石斛组培芽从培养瓶中取出， 添加入负离子培养液至 浸没， 25条件下， 浸泡4-8小时。 0007 （2） 石斛组培芽的饥饿暗处理： 将浸泡后的石斛组培芽取出， 转入到去糖培养基 中， 25条件下， 暗培养48-96小时。 0008 （3） 石斛组培芽的增殖培养: 从去糖培养基中取出石斛组培芽， 转接入增殖培养 基中， 在温度252、 50 mol (m2s)。
8、、 每天光照14小时、 光照强度1500-2000LX的条件下 培养30-40天， 该段时间内石斛组培芽可获得快速增殖。 0009 所述的石斛为霍山石斛、 铁皮石斛、 铜皮石斛中的一种。 0010 所述的石斛组培芽为霍山石斛、 铁皮石斛或铜皮石斛种子在基本MS培养基上萌发 的小芽。 0011 步骤 （1） 中所述的负离子水中的负离子含量不低于200个/cm3。 0012 步骤 （2） 中所述去糖培养基为去除蔗糖的液体MS培养基。 0013 步骤 （3） 中的增殖培养基， 为含30g/L蔗糖： 麦芽糖比例为1:0.51:1.5的双糖固 体MS培养基。 0014 原理概述： 0015 负离子是指外。
9、界条件下， 原子外层电子摆脱原子核， 从原子中释放出来， 而逸出的 自由电子会附着在某些分子或原子上， 形成新的带负电荷的分子。 通过电离部分水获得的 负离子可以增加离子含量， 促进植物对水分和营养物质的吸收， 增强植物的物质运输功能， 调节植物体的平衡渗透压。 负离子形成过程中会释放部分氧气， 增强根部的吸收作用， 从而 达到促进植物新陈代谢的作用。 说 明 书 1/3 页 3 CN 104823853 B 3 0016 短期的饥饿应激不会对机体产生损伤， 反而会促使植物出现补偿生长现象。 当胁 迫解除后， 植物的光合作用效率以及对营养元素吸收能力得到增加， 生长速率可大幅度提 高。 001。
10、7 与现有技术相比， 本发明的方法具有如下有益效果： 本发明通过短期的负离子处 理产生萌动结合暗培养胁迫以促使石斛组培芽增强其新陈代谢活力， 提高对光合反应的速 率， 达到同步、 快速生长和增殖的目的。 0018 1、 本发明采用短期的负离子萌动结合暗培养胁迫和富营养培养方法取代了传统 使用激素促使石斛组培芽增殖， 避免了外源激素使用对人体健康的危害。 0019 2、 本发明采用短期的负离子萌动结合暗培养胁迫和富营养培养方法， 显著提高了 增殖率， 30-40天石斛组培芽鲜重增殖率高达400%以上， 芽的增殖率达110%以上， 约是未处 理对照组的4倍。 增殖率= （处理后-处理前） /处理前。
11、100%。 0020 3、 本发明采用短期负离子萌动结合暗培养胁迫和富营养培养方法， 操作简单， 成 本较低廉， 为企业工厂化、 规模化生产石斛提供了新的方法。 具体实施方式 0021 下面结合具体的实施方式对本发明作进一步地说明。 本发明的特点和优点将随着 描述而更清楚， 但这些示例性的实施方式仅仅用来说明本发明， 并不对本发明的范围构成 任何限制。 0022 本专利中所涉及霍山石斛组培芽、 铁皮石斛组培芽、 铜皮石斛组培芽均为安徽康 尔欣生物制药有限公司生产； MS培养基药品均为分析纯， 均从普特朗生物科技有限公司购 买； 负离子水机购买于格豪电解水有限公司， 负离子含量不低于200个/c。
12、m3。 0023 （1） 负离子水浸泡预处理： 将石斛组培芽从培养瓶中取出， 添加入负离子培养液至 浸没， 25条件下， 浸泡4-8小时。 0024 （2） 石斛组培芽的饥饿暗处理： 将浸泡后的石斛组培芽取出， 转入到去糖培养基 中， 25条件下， 暗培养48-96小时。 0025 （3） 石斛组培芽的增殖培养: 从暗培养取出的石斛组培芽， 转接入增殖培养基中， 在温度252、 50 mol (m2s)、 每天光照14小时、 光照强度1500-2000LX的条件下培养 30-40天， 该段时间内石斛组培芽可获得快速增殖。 以上涉及的组培芽转接操作均应在超净 工作台内进行。 0026 实施例1 。
13、0027 一种霍山石斛组培芽快速增殖的方法， 包括以下操作步骤： 0028 步骤1： 负离子水浸泡预处理 0029 从培养瓶中取出霍山石斛组培芽20g， 平均芽数32个/g， 放入负离子含量不低于 200个/cm3的负离子水200 mL中浸没， 25条件下， 浸泡处理4小时。 0030 步骤2： 霍山石斛组培芽的饥饿暗处理 0031 将浸泡后的霍山石斛组培芽取出， 转入到去糖MS培养基中， 每瓶转接约4g， 在温度 252下， 暗培养96小时。 0032 步骤3： 霍山石斛组培芽的增殖培养 0033 从暗培养取出的霍山石斛组培芽， 转接入含30g/L （蔗糖： 麦芽糖比例为1:0.5） 的 说。
14、 明 书 2/3 页 4 CN 104823853 B 4 双糖MS固体增殖培养基中， 每瓶转接约4 g， 在温度252、 50 mol (m2s)、 每天光照14 小时、 、 光照强度1500LX的条件下培养35天。 35天后取出增殖的霍山石斛组培芽， 每瓶重量 平均为21.47 g， 增重率为436.75%， 出芽数平均可达77个/g， 出芽率为140%。 0034 实施例2 0035 一种铁皮石斛组培芽快速增殖的方法， 包括以下操作步骤： 0036 步骤1： 负离子水浸泡预处理 0037 从培养瓶中取出铁皮石斛组培芽20g， 平均芽数41个/g， 放入负离子含量不低于 200个/cm3的。
15、负离子水200 mL中浸没， 25条件下， 浸泡处理6 h。 0038 步骤2： 铁皮石斛组培芽的饥饿暗处理 0039 将浸泡后的铁皮石斛组培芽取出， 转入到去除蔗糖的液体MS培养基中， 每瓶转接 约4g， 在温度252下， 暗培养72 h。 0040 步骤3： 铁皮石斛组培芽的增殖培养 0041 从暗培养取出的铁皮石斛组培芽， 转接入含30 g/L （蔗糖： 麦芽糖比例为1:1） 的双 糖MS固体增殖培养基中， 每瓶转接约4g， 在温度252、 50 mol (m2s)、 每天光照14小 时、 光照强度1800LX的条件下培养30天。 30天后取出增殖的铁皮石斛组培芽， 每瓶重量平均 为22。
16、.12 g， 增重率为453.00%， 芽数平均可达87个/g， 出芽率为112.20%。 0042 实施例3 0043 一种铜皮石斛组培芽快速增殖的方法， 包括以下操作步骤： 0044 步骤1： 负离子水浸泡预处理 0045 从培养瓶中取出铜皮石斛组培芽20g， 平均芽数38个/g， 放入负离子含量不低于 200个/cm3的负离子水200 mL中浸没， 25条件下， 浸泡处理4 h。 0046 步骤2： 铜皮石斛组培芽的饥饿暗处理 0047 将浸泡后的铜皮石斛组培芽取出， 转入到去糖MS培养基中， 每瓶转接约4 g， 在温 度252下， 暗培养48 h。 0048 步骤3： 铜皮石斛组培芽的增殖培养 0049 从暗培养取出的铜皮石斛组培芽， 转接入含30g/L （蔗糖： 麦芽糖比例为1:1.5） 的 双糖MS固体增殖培养基中， 每瓶转接约4 g， 在温度252、 50 mol (m2s)、 每天光照14 小时、 光照强度2000LX的条件下培养30天。 30天后取出增殖的铜皮石斛组培芽， 每瓶重量平 均为20.37g, 增重率为409.25%， 芽数平均可达82个/g， 出芽率为115.79%。 说 明 书 3/3 页 5 CN 104823853 B 5 。