半导体器件及其制作方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201310212049.9

申请日:

2013.05.31

公开号:

CN104217967A

公开日:

2014.12.17

当前法律状态:

实审

有效性:

审中

法律详情:

专利申请权的转移IPC(主分类):H01L 21/56登记生效日:20161221变更事项:申请人变更前权利人:宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司变更后权利人:碁鼎科技秦皇岛有限公司变更事项:地址变更前权利人:066000 河北省秦皇岛市经济技术开发区腾飞路18号变更后权利人:066004 河北省秦皇岛市经济技术开发区腾飞路18号变更事项:申请人变更前权利人:臻鼎科技股份有限公司变更后权利人:臻鼎科技股份有限公司|||专利申请权的转移IPC(主分类):H01L 21/56登记生效日:20161202变更事项:申请人变更前权利人:宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司变更后权利人:臻鼎科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:066000 河北省秦皇岛市经济技术开发区腾飞路18号变更后权利人:中国台湾桃园县大园乡三石村三和路28巷6号变更事项:申请人变更前权利人:臻鼎科技股份有限公司变更后权利人:碁鼎科技秦皇岛有限公司|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/56申请日:20130531|||公开

IPC分类号:

H01L21/56; H01L21/50; H01L23/31; H01L23/488

主分类号:

H01L21/56

申请人:

宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司; 臻鼎科技股份有限公司

发明人:

李泰求

地址:

066000 河北省秦皇岛市经济技术开发区腾飞路18号

优先权:

专利代理机构:

深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311

代理人:

哈达

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内容摘要

本发明涉及一种半导体器件,其包括一个中介板、一个芯片及一个保护体。所述中介板具有一个形成有导电线路的玻璃基底。所述玻璃基底具有第一顶面、第一底面及连接所述第一顶面及第一底面的第一环形侧面。所述芯片构装于所述中介板的顶面,且与所述玻璃基底的导电线路电性相连。所述保护体覆盖所述芯片、从所述芯片露出的第一顶面及所述第一环形侧面,并露出所述第一底面。所述保护体具有相对的第二顶面及第二底面,所述第二底面较第二顶面靠近所述第一底面,且所述第二底面与所述第一底面共面。本发明还涉及一种上述半导体器件的制作方法。

权利要求书

1.  一种半导体器件的制作方法,包括步骤:
提供一个承载体,所述承载体具有一个承载面;
提供多个中介板,所述多个中介板中的每个中介板均具有一个形成有导电线路的玻璃基底,所述玻璃基底具有第一顶面、与所述第一顶面相对的第一底面及连接所述第一顶面及第一底面的第一环形侧面,并将多个中介板间隔地设置于所述承载面上,使得每个中介板的玻璃基底的第一底面均较相应的第一顶面靠近所述承载面;
提供多个芯片,并将所述多个芯片中的每个芯片均构装于一个所述中介板上;
在所述承载体的承载面一侧设置一个封装胶体,所述封装胶体覆盖所述多个芯片、所述多个中介板及从所述多个中介板露出的承载面;
移除所述承载体,获得一个封装体;以及
切割所述封装体,以获得多个相互分离的半导体器件,所述多个半导体器件中的每个半导体器件均包括一个所述中介板、一个所述芯片及一个保护体,所述保护体为所述封装胶体的一部分,每个保护体均具有相对的第二顶面及第二底面,所述第二底面较第二顶面靠近所述第一底面,且所述第二底面与所述第一底面共面。

2.
  如权利要求1所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,每个中介板均具有多个第一电性连接垫,所述多个第一电性连接垫暴露于所述玻璃基板的第一顶面一侧,且与所述玻璃基底中的导电线路电性相连,每个芯片均具有一个主动面及设于所述主动面上的多个电极垫,在将所述多个芯片中的每个芯片均构装于一个所述中介板上的步骤中,每个芯片的多个电极垫中的每个电极垫均通过一个导电构件与相应的中介板的一个第一电性连接垫电性相连。

3.
  如权利要求1所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,每个中介板均具有多个第二电性连接垫,所述多个第二电性连接垫暴露于所述玻璃基板的第一底面一侧,且与所述玻璃基底中的导电线路电性相连,在移除所述承载胶板步骤之后及切割所述封装体步骤之前,所述半导体器件的制作方法还包括在所述多个第二电性连接垫中的每个第二电性连接垫上均植一个焊球的步骤。

4.
  如权利要求1所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,每个中介板均具有多个第二电性连接垫,所述多个第二电性连接垫暴露于所述玻璃基板的第一底面一侧,且与所述玻璃基底中的导电线路电性相连,在切割所述封装体步骤之后,所述半导体器件的制作方法还包括在每个半导体器件的多个第二电性连接垫中的每个第二电性连接垫上均植一个焊球的步骤。

5.
  如权利要求1所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述承载体为具有收容凹槽的承载体,所述承载体包括一个承载胶板及一个中空的边框,所述承载胶板具有所述承载面,所述边框设置于所述承载面上,所述边框与所述承载胶板相配合形成所述收容凹槽,在将多个中介板间隔地设置于所述承载面上的步骤中,所述多个中介板中的每个中介板均收容于所述收容凹槽中,在将所述多个芯片中的每个芯片均构装于一个所述中介板上步骤之后,在所述承载体的承载面一侧设置一个封装胶体步骤之前,所述半导体器件的制作方法还包括移除所述边框的步骤。

6.
  一种半导体器件,其包括一个中介板、一个芯片及一个保护体,所述中介板具有一个形成有导电线路的玻璃基底,所述玻璃基底具有第一顶面、第一底面及连接所述第一顶面及第一底面的第一环形侧面,所述芯片构装于所述中介板的顶面,且与所述玻璃基底的导电线路电性相连,所述保护体覆盖所述芯片、从所述芯片露出的第一顶面及所述第一环形侧面,并露出所述第一底面,所述保护体具有相对的第二顶面及第二底面,所述第二底面较第二顶面靠近所述第一底面,且所述第二底面与所述第一底面共面。

7.
  如权利要求6所述的半导体器件,其特征在于,所述中介板还具有多个第一电性连接垫,所述多个第一电性连接垫暴露于所述玻璃基板的第一顶面一侧,且与所述玻璃基底中的导电线路电性相连,所述芯片具有一个主动面及设于所述主动面上的多个电极垫,所述多个电极垫中的每个电极垫均通过一个导电构件与所述中介板的一个第一电性连接垫电性相连。

8.
  如权利要求6所述的半导体器件,其特征在于,所述中介板还具有多个第二电性连接垫,所述多个第二电性连接垫暴露于所述玻璃基板的第一底面一侧,且与所述玻璃基底中的导电线路电性相连,所述半导体器件还包括多个焊球,所述多个焊球中的每个焊球均设置于一个所述第二电性连接垫上。

说明书

半导体器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及半导体器件及其制作方法。
背景技术
目前,具有芯片及中介板(interposer)的半导体器件的制作方法为:先将芯片构装于中介板(interposer)的顶面上,而后在该中介板顶面侧设置一个封装胶体,该封装胶体仅覆盖该芯片及从该芯片露出的顶面,露出该中介板的底面及连接顶面及底面的侧面。然而,上述方法所获得半导体器件的中介板易在制程运输过程中因外力碰撞而造成结构损伤。另外,上述方法所获得的半导体器件的封装胶体与中介板之间的交界面(interface)仅仅为中介板的部分顶面,且芯片工作过程中容易产生热量,从而使得封装胶体与中介板之间因为热量而产生的热剪应力(thermal shear stress)较大,降低了半导体器件的可靠性。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种可解决上述问题的半导体器件及其制作方法,以提高半导体器件的可靠性。
一种半导体器件的制作方法,包括步骤:提供一个承载体,所述承载体具有一个承载面;提供多个中介板,所述多个中介板中的每个中介板均具有一个形成有导电线路的玻璃基底,所述玻璃基底具有第一顶面、与所述第一顶面相对的第一底面及连接所述第一顶面及第一底面的第一环形侧面,并将多个中介板间隔地设置于所述承载面上,使得每个中介板的玻璃基底的第一底面均较相应的第一顶面靠近所述承载面;提供多个芯片,并将所述多个芯片中的每个芯片均构装于一个所述中介板上;在所述承载体的承载面一侧设置一个封装胶体,所述封装胶体覆盖所述多个芯片、所述多个中介板及从所述多个中介板露出的承载面;移除所述承载体,获得一个封装体;以及切割所述封装体,以获得多个相互分离的半导体器件,所述多个半导体器件中的每个半导体器件均包括一个所述中介板、一个所述芯片及一个保护体,所述保护体为所述封装胶体的一部分,每个保护体均具有相对的第二顶面及第二底面,所述第二底面较第二顶面靠近所述第一底面,且所述第二底面与所述第一底面共面。
一种半导体器件包括一个中介板、一个芯片及一个保护体。所述中介板具有一个形成有导电线路的玻璃基底。所述玻璃基底具有第一顶面、第一底面及连接所述第一顶面及第一底面的第一环形侧面。所述芯片构装于所述中介板的顶面,且与所述玻璃基底的导电线路电性相连。所述保护体覆盖所述芯片、从所述芯片露出的第一顶面及所述第一环形侧面,并露出所述第一底面。所述保护体具有相对的第二顶面及第二底面,所述第二底面较第二顶面靠近所述第一底面,且所述第二底面与所述第一底面共面。
本技术方案的中的半导体器件的制作方法所获得的半导体器件中,保护体覆盖所述芯片、从所述芯片露出的第一顶面及所述第一环形侧面,露出所述第一底面,从而使得所述保护体除了可以保护芯片之外,更可以为所述中介板提供更完善且有效的保护,使得所述中介板在制程运输过程中不易因外力碰撞而造成结构损伤。此外,由于所述中介板的第一顶面及第一环形侧面均被所述保护体包覆,从而可以降低了保护体与中介板之间因热而产生的热剪应力,提升了半导体器件的可靠性。再者,多个半导体器件同时形成,再经过切割即可获得多个相互分离的半导体器件,生产效率也较高。
附图说明
图1是本技术方案实施例提供的承载体的俯视图。
图2是图1沿II-II线的剖视图。
图3是在图1所示的承载体上设置多个中介板后的俯视图。
图4是图3沿IV-IV线的剖视图。
图5是图4中的V部分的放大图。
图6是在图3所示的每个中介板上构装一个芯片后的俯视图。
图7是图6沿VII-VII线的剖视图。
图8是图7中的VIII部分的放大图。
图9是从图7中移除所述承载体的边框后所获得的剖视图。
图10是在图9所示的承载体靠近中介板一侧设置封装胶体后的剖视图。
图11是从图10中移除所述承载体的承载胶板后的剖视图。
图12是在图11所示的中介板上形成多个焊球后所获得的封装体的剖视图。
图13是切割图12所示的封装体后获得的多个相互分离的半导体器件的剖视图。
图14是半导体器件的放大图。
主要元件符号说明

承载体10收容凹槽101承载胶板11边框13承载面111中介板20玻璃基底21第一电性连接垫23第二电性连接垫25第一顶面211第一底面212第一环形侧面213芯片30主动面31非主动面33电极垫35导电构件37封装胶体40封装体50焊球60半导体器件70保护体80第二顶面81第二底面82第二环形侧面83

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图及实施例对本技术方案提供的半导体器件的制作方法及半导体器件作进一步的详细说明。
本技术方案实施例提供的半导体器件的制作方法包括以下步骤:
第一步,请参阅图1及图2,提供一个具有收容凹槽101的承载体10。承载体10包括一个承载胶板11及一个中空的边框13。所述承载胶板11具有一个承载面111。所述边框13设置于所述承载面111上。所述边框13与所述承载胶板11相配合形成所述收容凹槽101。
第二步,请参阅图3、图4及图5,提供多个中介板20。每个中介板20均具有一个形成有导电线路的玻璃基底21、多个第一电性连接垫23及多个第二电性连接垫25。所述玻璃基底21具有第一顶面211、第一底面212及连接所述第一顶面211及第一底面212的第一环形侧面213。所述多个第一电性连接垫23暴露于玻璃基底21的第一顶面211一侧,且与所述玻璃基底21中的导电线路电性相连。多个第二电性连接垫25暴露于玻璃基底21的第一底面212一侧,且与所述玻璃基底21中的导电线路电性相连。
然后,将多个中介板20间隔地设置于从所述收容凹槽101露出的所述承载胶板11的承载面111上,使得每个中介板20的第一底面212均较相应的第一顶面211靠近所述承载面111。
第三步,请参阅图6、图7及图8,提供多个芯片30。每个芯片30均具有相对的主动面31及非主动面33。每个芯片30还均包括设于所述主动面31上的多个电极垫35。
然后,将所述多个芯片30中的每个芯片30均构装于一个所述中介板20上。每个芯片30的多个电极垫35中的每个电极垫35均通过一个导电构件37与相应的中介板20的一个第一电性连接垫23电性相连。
第四步,请参阅图9及图10,移除所述边框13,并在所述承载胶板11的承载面111一侧设置一个封装胶体40。所述封装胶体40覆盖所述多个芯片30、所述多个中介板20及从所述中介板20露出的承载胶板11的承载面111。所述封装胶体40的材料为环氧模塑料(epoxy molding compound)。
第五步,移除所述承载胶板11,获得一个如图11所示的封装体50。
第六步,请参阅图12,通过印刷涂布的方法在所述多个第二电性连接垫25中的每个第二电性连接垫25上植一个焊球60。焊球60的材料一般主要包括锡。
第七步,请参阅图13及图14,切割具有焊球60的所述封装体50,以获得多个相互分离的半导体器件70。
每个半导体器件70均包括一个所述中介板20、一个所述芯片30及一个保护体80。所述保护体80为所述封装胶体40的一部分,即,所述多个半导体器件70的多个保护体80共同组成所述封装胶体40。所述保护体80覆盖所述芯片30、从所述芯片30露出的第一顶面211及所述第一环形侧面213,并露出所述第一底面212。每个保护体80均具有一个第二顶面81、一个与所述第二顶面81相对的第二底面82及连接于所述第二顶面81及第二底面82的第二环形侧面83。所述第二底面82较第二顶面81靠近所述第一底面212,且所述第二底面82与所述第一底面212共面。
本技术方案的中的半导体器件70的制作方法所获得的半导体器件70中,保护体80覆盖所述芯片30、从所述芯片30露出的第一顶面211及所述第一环形侧面213,露出所述第一底面212,从而使得所述保护体80除了可以保护芯片30之外,更可以为所述中介板20提供更完善且有效的保护,使得所述中介板20在制程运输过程中不易因外力碰撞而造成结构损伤。此外,由于所述中介板20的第一顶面211及第一环形侧面213均被所述保护体80包覆,从而可以降低了保护体80与中介板20之间因热而产生的热剪应力,提升了半导体器件70的可靠性。再者,多个半导体器件70同时形成,再经过切割即可获得多个相互分离的半导体器件70,生产效率也较高。
其他实施例中,上述的第六步骤可以在切割封装体50获得多个相互分离的半导体器件步骤之后再进行,也就是说,获得封装体50之后,先切割封装体50获得多个相互分离的无焊球60的半导体器件,而后再在每个半导体器件的多个第二电性连接垫25中的每个第二电性连接垫25上植焊球60。
其他实施例中,所述边框13也可以省略不要,此时,移除所述边框13这个步骤也可以省略不要。
可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

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半导体器件及其制作方法.pdf_第3页
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资源描述

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1、10申请公布号CN104217967A43申请公布日20141217CN104217967A21申请号201310212049922申请日20130531H01L21/56200601H01L21/50200601H01L23/31200601H01L23/48820060171申请人宏启胜精密电子秦皇岛有限公司地址066000河北省秦皇岛市经济技术开发区腾飞路18号申请人臻鼎科技股份有限公司72发明人李泰求74专利代理机构深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311代理人哈达54发明名称半导体器件及其制作方法57摘要本发明涉及一种半导体器件,其包括一个中介板、一个芯片及一个保护体。所述中介板具有。

2、一个形成有导电线路的玻璃基底。所述玻璃基底具有第一顶面、第一底面及连接所述第一顶面及第一底面的第一环形侧面。所述芯片构装于所述中介板的顶面,且与所述玻璃基底的导电线路电性相连。所述保护体覆盖所述芯片、从所述芯片露出的第一顶面及所述第一环形侧面,并露出所述第一底面。所述保护体具有相对的第二顶面及第二底面,所述第二底面较第二顶面靠近所述第一底面,且所述第二底面与所述第一底面共面。本发明还涉及一种上述半导体器件的制作方法。51INTCL权利要求书2页说明书4页附图5页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书4页附图5页10申请公布号CN104217967ACN104217。

3、967A1/2页21一种半导体器件的制作方法,包括步骤提供一个承载体,所述承载体具有一个承载面;提供多个中介板,所述多个中介板中的每个中介板均具有一个形成有导电线路的玻璃基底,所述玻璃基底具有第一顶面、与所述第一顶面相对的第一底面及连接所述第一顶面及第一底面的第一环形侧面,并将多个中介板间隔地设置于所述承载面上,使得每个中介板的玻璃基底的第一底面均较相应的第一顶面靠近所述承载面;提供多个芯片,并将所述多个芯片中的每个芯片均构装于一个所述中介板上;在所述承载体的承载面一侧设置一个封装胶体,所述封装胶体覆盖所述多个芯片、所述多个中介板及从所述多个中介板露出的承载面;移除所述承载体,获得一个封装体;。

4、以及切割所述封装体,以获得多个相互分离的半导体器件,所述多个半导体器件中的每个半导体器件均包括一个所述中介板、一个所述芯片及一个保护体,所述保护体为所述封装胶体的一部分,每个保护体均具有相对的第二顶面及第二底面,所述第二底面较第二顶面靠近所述第一底面,且所述第二底面与所述第一底面共面。2如权利要求1所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,每个中介板均具有多个第一电性连接垫,所述多个第一电性连接垫暴露于所述玻璃基板的第一顶面一侧,且与所述玻璃基底中的导电线路电性相连,每个芯片均具有一个主动面及设于所述主动面上的多个电极垫,在将所述多个芯片中的每个芯片均构装于一个所述中介板上的步骤中,每个芯片的多。

5、个电极垫中的每个电极垫均通过一个导电构件与相应的中介板的一个第一电性连接垫电性相连。3如权利要求1所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,每个中介板均具有多个第二电性连接垫,所述多个第二电性连接垫暴露于所述玻璃基板的第一底面一侧,且与所述玻璃基底中的导电线路电性相连,在移除所述承载胶板步骤之后及切割所述封装体步骤之前,所述半导体器件的制作方法还包括在所述多个第二电性连接垫中的每个第二电性连接垫上均植一个焊球的步骤。4如权利要求1所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,每个中介板均具有多个第二电性连接垫,所述多个第二电性连接垫暴露于所述玻璃基板的第一底面一侧,且与所述玻璃基底中的导电线路电性相连。

6、,在切割所述封装体步骤之后,所述半导体器件的制作方法还包括在每个半导体器件的多个第二电性连接垫中的每个第二电性连接垫上均植一个焊球的步骤。5如权利要求1所述的半导体器件的制作方法,其特征在于,所述承载体为具有收容凹槽的承载体,所述承载体包括一个承载胶板及一个中空的边框,所述承载胶板具有所述承载面,所述边框设置于所述承载面上,所述边框与所述承载胶板相配合形成所述收容凹槽,在将多个中介板间隔地设置于所述承载面上的步骤中,所述多个中介板中的每个中介板均收容于所述收容凹槽中,在将所述多个芯片中的每个芯片均构装于一个所述中介板上步骤之后,在所述承载体的承载面一侧设置一个封装胶体步骤之前,所述半导体器件的。

7、制作方法还包括移除所述边框的步骤。6一种半导体器件,其包括一个中介板、一个芯片及一个保护体,所述中介板具有一个形成有导电线路的玻璃基底,所述玻璃基底具有第一顶面、第一底面及连接所述第一顶面权利要求书CN104217967A2/2页3及第一底面的第一环形侧面,所述芯片构装于所述中介板的顶面,且与所述玻璃基底的导电线路电性相连,所述保护体覆盖所述芯片、从所述芯片露出的第一顶面及所述第一环形侧面,并露出所述第一底面,所述保护体具有相对的第二顶面及第二底面,所述第二底面较第二顶面靠近所述第一底面,且所述第二底面与所述第一底面共面。7如权利要求6所述的半导体器件,其特征在于,所述中介板还具有多个第一电性。

8、连接垫,所述多个第一电性连接垫暴露于所述玻璃基板的第一顶面一侧,且与所述玻璃基底中的导电线路电性相连,所述芯片具有一个主动面及设于所述主动面上的多个电极垫,所述多个电极垫中的每个电极垫均通过一个导电构件与所述中介板的一个第一电性连接垫电性相连。8如权利要求6所述的半导体器件,其特征在于,所述中介板还具有多个第二电性连接垫,所述多个第二电性连接垫暴露于所述玻璃基板的第一底面一侧,且与所述玻璃基底中的导电线路电性相连,所述半导体器件还包括多个焊球,所述多个焊球中的每个焊球均设置于一个所述第二电性连接垫上。权利要求书CN104217967A1/4页4半导体器件及其制作方法技术领域0001本发明涉及半。

9、导体器件及其制作方法。背景技术0002目前,具有芯片及中介板(INTERPOSER)的半导体器件的制作方法为先将芯片构装于中介板(INTERPOSER)的顶面上,而后在该中介板顶面侧设置一个封装胶体,该封装胶体仅覆盖该芯片及从该芯片露出的顶面,露出该中介板的底面及连接顶面及底面的侧面。然而,上述方法所获得半导体器件的中介板易在制程运输过程中因外力碰撞而造成结构损伤。另外,上述方法所获得的半导体器件的封装胶体与中介板之间的交界面(INTERFACE)仅仅为中介板的部分顶面,且芯片工作过程中容易产生热量,从而使得封装胶体与中介板之间因为热量而产生的热剪应力(THERMALSHEARSTRESS)较。

10、大,降低了半导体器件的可靠性。发明内容0003有鉴于此,有必要提供一种可解决上述问题的半导体器件及其制作方法,以提高半导体器件的可靠性。0004一种半导体器件的制作方法,包括步骤提供一个承载体,所述承载体具有一个承载面;提供多个中介板,所述多个中介板中的每个中介板均具有一个形成有导电线路的玻璃基底,所述玻璃基底具有第一顶面、与所述第一顶面相对的第一底面及连接所述第一顶面及第一底面的第一环形侧面,并将多个中介板间隔地设置于所述承载面上,使得每个中介板的玻璃基底的第一底面均较相应的第一顶面靠近所述承载面;提供多个芯片,并将所述多个芯片中的每个芯片均构装于一个所述中介板上;在所述承载体的承载面一侧设。

11、置一个封装胶体,所述封装胶体覆盖所述多个芯片、所述多个中介板及从所述多个中介板露出的承载面;移除所述承载体,获得一个封装体;以及切割所述封装体,以获得多个相互分离的半导体器件,所述多个半导体器件中的每个半导体器件均包括一个所述中介板、一个所述芯片及一个保护体,所述保护体为所述封装胶体的一部分,每个保护体均具有相对的第二顶面及第二底面,所述第二底面较第二顶面靠近所述第一底面,且所述第二底面与所述第一底面共面。0005一种半导体器件包括一个中介板、一个芯片及一个保护体。所述中介板具有一个形成有导电线路的玻璃基底。所述玻璃基底具有第一顶面、第一底面及连接所述第一顶面及第一底面的第一环形侧面。所述芯片。

12、构装于所述中介板的顶面,且与所述玻璃基底的导电线路电性相连。所述保护体覆盖所述芯片、从所述芯片露出的第一顶面及所述第一环形侧面,并露出所述第一底面。所述保护体具有相对的第二顶面及第二底面,所述第二底面较第二顶面靠近所述第一底面,且所述第二底面与所述第一底面共面。0006本技术方案的中的半导体器件的制作方法所获得的半导体器件中,保护体覆盖所述芯片、从所述芯片露出的第一顶面及所述第一环形侧面,露出所述第一底面,从而使得所说明书CN104217967A2/4页5述保护体除了可以保护芯片之外,更可以为所述中介板提供更完善且有效的保护,使得所述中介板在制程运输过程中不易因外力碰撞而造成结构损伤。此外,由。

13、于所述中介板的第一顶面及第一环形侧面均被所述保护体包覆,从而可以降低了保护体与中介板之间因热而产生的热剪应力,提升了半导体器件的可靠性。再者,多个半导体器件同时形成,再经过切割即可获得多个相互分离的半导体器件,生产效率也较高。附图说明0007图1是本技术方案实施例提供的承载体的俯视图。0008图2是图1沿IIII线的剖视图。0009图3是在图1所示的承载体上设置多个中介板后的俯视图。0010图4是图3沿IVIV线的剖视图。0011图5是图4中的V部分的放大图。0012图6是在图3所示的每个中介板上构装一个芯片后的俯视图。0013图7是图6沿VIIVII线的剖视图。0014图8是图7中的VIII。

14、部分的放大图。0015图9是从图7中移除所述承载体的边框后所获得的剖视图。0016图10是在图9所示的承载体靠近中介板一侧设置封装胶体后的剖视图。0017图11是从图10中移除所述承载体的承载胶板后的剖视图。0018图12是在图11所示的中介板上形成多个焊球后所获得的封装体的剖视图。0019图13是切割图12所示的封装体后获得的多个相互分离的半导体器件的剖视图。0020图14是半导体器件的放大图。0021主要元件符号说明承载体10收容凹槽101承载胶板11边框13承载面111中介板20玻璃基底21第一电性连接垫23第二电性连接垫25第一顶面211第一底面212第一环形侧面213芯片30主动面3。

15、1非主动面33电极垫35导电构件37封装胶体40封装体50焊球60半导体器件70保护体80第二顶面81说明书CN104217967A3/4页6第二底面82第二环形侧面83如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。具体实施方式0022下面将结合附图及实施例对本技术方案提供的半导体器件的制作方法及半导体器件作进一步的详细说明。0023本技术方案实施例提供的半导体器件的制作方法包括以下步骤第一步,请参阅图1及图2,提供一个具有收容凹槽101的承载体10。承载体10包括一个承载胶板11及一个中空的边框13。所述承载胶板11具有一个承载面111。所述边框13设置于所述承载面111上。所述边框13与。

16、所述承载胶板11相配合形成所述收容凹槽101。0024第二步,请参阅图3、图4及图5,提供多个中介板20。每个中介板20均具有一个形成有导电线路的玻璃基底21、多个第一电性连接垫23及多个第二电性连接垫25。所述玻璃基底21具有第一顶面211、第一底面212及连接所述第一顶面211及第一底面212的第一环形侧面213。所述多个第一电性连接垫23暴露于玻璃基底21的第一顶面211一侧,且与所述玻璃基底21中的导电线路电性相连。多个第二电性连接垫25暴露于玻璃基底21的第一底面212一侧,且与所述玻璃基底21中的导电线路电性相连。0025然后,将多个中介板20间隔地设置于从所述收容凹槽101露出的。

17、所述承载胶板11的承载面111上,使得每个中介板20的第一底面212均较相应的第一顶面211靠近所述承载面111。0026第三步,请参阅图6、图7及图8,提供多个芯片30。每个芯片30均具有相对的主动面31及非主动面33。每个芯片30还均包括设于所述主动面31上的多个电极垫35。0027然后,将所述多个芯片30中的每个芯片30均构装于一个所述中介板20上。每个芯片30的多个电极垫35中的每个电极垫35均通过一个导电构件37与相应的中介板20的一个第一电性连接垫23电性相连。0028第四步,请参阅图9及图10,移除所述边框13,并在所述承载胶板11的承载面111一侧设置一个封装胶体40。所述封装。

18、胶体40覆盖所述多个芯片30、所述多个中介板20及从所述中介板20露出的承载胶板11的承载面111。所述封装胶体40的材料为环氧模塑料(EPOXYMOLDINGCOMPOUND)。0029第五步,移除所述承载胶板11,获得一个如图11所示的封装体50。0030第六步,请参阅图12,通过印刷涂布的方法在所述多个第二电性连接垫25中的每个第二电性连接垫25上植一个焊球60。焊球60的材料一般主要包括锡。0031第七步,请参阅图13及图14,切割具有焊球60的所述封装体50,以获得多个相互分离的半导体器件70。0032每个半导体器件70均包括一个所述中介板20、一个所述芯片30及一个保护体80。所述。

19、保护体80为所述封装胶体40的一部分,即,所述多个半导体器件70的多个保护体80共同组成所述封装胶体40。所述保护体80覆盖所述芯片30、从所述芯片30露出的第一顶面211及所述第一环形侧面213,并露出所述第一底面212。每个保护体80均具有说明书CN104217967A4/4页7一个第二顶面81、一个与所述第二顶面81相对的第二底面82及连接于所述第二顶面81及第二底面82的第二环形侧面83。所述第二底面82较第二顶面81靠近所述第一底面212,且所述第二底面82与所述第一底面212共面。0033本技术方案的中的半导体器件70的制作方法所获得的半导体器件70中,保护体80覆盖所述芯片30、。

20、从所述芯片30露出的第一顶面211及所述第一环形侧面213,露出所述第一底面212,从而使得所述保护体80除了可以保护芯片30之外,更可以为所述中介板20提供更完善且有效的保护,使得所述中介板20在制程运输过程中不易因外力碰撞而造成结构损伤。此外,由于所述中介板20的第一顶面211及第一环形侧面213均被所述保护体80包覆,从而可以降低了保护体80与中介板20之间因热而产生的热剪应力,提升了半导体器件70的可靠性。再者,多个半导体器件70同时形成,再经过切割即可获得多个相互分离的半导体器件70,生产效率也较高。0034其他实施例中,上述的第六步骤可以在切割封装体50获得多个相互分离的半导体器件。

21、步骤之后再进行,也就是说,获得封装体50之后,先切割封装体50获得多个相互分离的无焊球60的半导体器件,而后再在每个半导体器件的多个第二电性连接垫25中的每个第二电性连接垫25上植焊球60。0035其他实施例中,所述边框13也可以省略不要,此时,移除所述边框13这个步骤也可以省略不要。0036可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。说明书CN104217967A1/5页8图1图2说明书附图CN104217967A2/5页9图3图4图5说明书附图CN104217967A3/5页10图6图7图8说明书附图CN104217967A104/5页11图9图10图11图12图13说明书附图CN104217967A115/5页12图14说明书附图CN104217967A12。

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