净化室及半导体装置的制造方法 【技术领域】
本发明涉及净化室的结构及半导体装置的制造方法。背景技术
在净化室中处理半导体晶片制造半导体装置的区域中，由于存在的浮动粒子一附着在半导体晶片上，就使次品数增加，因此，在半导体装置的制造方法中，减少浮动粒子就成为重要的课题。
为此，在净化室中，从外部供给的空气要通过过滤器后再被导入，同时，导入空气的气流都设定为从上到下的流向。
但是，随着制作更复杂的集成电路半导体装置越来越小型化，这就要求在净化室中除去更微细的浮动粒子、更进一步减少浮动粒子的数目。
为此，就要求(1)增加净化室中去除粒子过滤器的数目。(2)使用更高性能的粒子过滤器、以便能够去除更微细的浮动粒子。
但是，采用(1)及(2)的方法，都需要建设新净化室，或者将设有净化室的建筑物进行改造，需要投入巨大资金，这是一个大问题。
再则，随着净化室内去除粒子过滤器数目的增加，气流的压损就增加，在气流压损增加地状态下，为得到规定的气流速度，必须采用容量更大的高性能鼓风机，这样就产生了净化室运转费用增加的问题。发明内容
有鉴于前述问题，本发明的目的是减少在放置半导体衬底的区域内存在的浮动粒子，提高半导体制造工程中工程间的成品率。
本申请专利的发明人，着眼于净化室内的气流，就减少浮动粒子数的方法进行检讨的结果，发现气流的速度与方向影响浮动粒子的增减，并与工程间的成品率密切相关。
本发明就是基于上述见解，具体内容如下：
本发明的净化室，它具有第1净化区域和第2净化区域、第1净化区域和第2净化区域相邻设置，第1净化区域放置投入制造装置的半导体衬底，第2净化区域配备有操作人员，其特征是，第1净化区域导入从上到下的第1气流，第2净化区域导入从上到下的第2气流，而且第1气流的速度大于第2气流的速度。
采用本发明的净化室，由于导入到放置了半导体衬底的第1净化区域的第1气流的速度比导入配备有操作人员的第2净化区域的第2气流的速度大，因此，存在于放置半导体衬底区域的浮动粒子移动到净化室地板附近后，被排除到净化室的外部，这样就减少了附着在半导体衬底表面的粒子数。
在本发明的净化室中，第1气流的速度最好为第2气流速度的1.3倍以上。
这样做的结果使放置半导体衬底的区域内存在的浮动粒子数目明显减少。
本发明的净化室最好具备设在第1净化区域和第2净化区域之间、将第1气流与第2气流隔开的隔离物。
这样做的结果，第1气流很难受到第2气流的影响、第1气流的速度比第2气流的速度进一步加大，在放置了半导体衬底区域内存在的浮动粒子数进一步减少，由此，附着在半导体衬底表面上的浮动粒子数也进一步减少。
在具备本发明的净化室间隔物的情况下，最好，送入第1气流的第1气流送气口对第1净化区域的面积比大于送入第2气流的第2气流送气口对第2净化区域的面积比。
这样一来，即使将外部空气供给第1气流送气口的鼓风机的送风能力与将外部空气供给第2气流送气口的鼓风机的送风能力相等、第1气流的速度也能够大于第2气流的速度。也就是说，不用更换导管、鼓风机等供给净化室外部空气的设备，第1气流的速度也可以比第2气流的速度大，这样，净化室不用太大改造也可以减少浮动粒子的数目。
采用本发明的净化室具有间隔物的情况下，该间隔物是具有上部开口部及下部开口部的四面结构物，上部开口部的面积最好比下部开口部的面积大。
这样作的结果，由于第1气流更难受到第2气流的影响，第1气流的速度比第2气流的速度进一步加大，在放置半导体衬底的区域内存在的浮动粒子数进一步减少。
采用本发明的净化室具备间隔物的情况下，该间隔物的下端最好位于地板上1.2～1.8m的位置。
这样作的结果，丝毫无损减少浮动粒子数的效果，但可确保操作人员操作制造装置或半导体衬底时的作业性。
采用本发明的净化室具备间隔物的情况下，该间隔物最好由透明材料构成。
这样以来，可以确保操作人员操作制造装置或半导体衬底的作业性。
本发明的半导体装置制造方法是，净化室具有第1净化区域和第2净化区域，第1净化区域放置投入制造装置的半导体衬底，第2净化区域配备有操作人员，第2净化区域与第1净化区域相邻设置，其特征是，该方法以具备由操作人员操作将半导体衬底投入制造装置工程的半导体装置制造方法为对象，在第1净化区域第1气流从上到下导入，在第2净化区域第2气流从上到下导入，第1气流的速度大于第2气流的速度。
采用本发明的半导体装置的制造方法，由于导入放置着半导体衬底的第1净化区的第1气流的速度大于导入配备有操作人员的第2净化区的第2气流的速度，存在于放置半导体衬底的区域的浮动粒子移动到净化室地板附近后，被排出到净化室外面，这样附着在半导体衬底表面的粒子数大大减少，半导体装置工程间的成品率就大大提高。
在本发明的半导体装置制造方法中，第1气流的速度最好是第2气流速度的1.3倍以上。
这样作的结果，因为存在于放置了半导体衬底区域的浮动粒子数目大大减少，半导体装置工程间的成品率大大提高。附图说明
图1(a)～(c)示出与实施方式1相关的净化室，(a)是左侧视图，(b)是主视图，(c)是俯视图。
图2是说明在与各实施方式相关的净化室中第1气流速度大于第2气流速度的图。
图3是与实施方式1的变形例1相关的净化室的俯视图。
图4是与实施方式1的变形例2相关的净化室的俯视图。
图5是与实施方式1的变形例3相关的净化室的主视图。
图6(a)及(b)示出与实施方式2相关的净化室，(a)是左侧视图，(b)是主视图。
图7(a)～(c)出示与实施方式3相关的净化室，(a)是左侧视图，(b)是主视图，(c)是俯视图。
图8(a)～(c)示出与实施方式4相关的净化室，(a)是左侧视图，(b)是主视图，(c)是俯视图。
图9(a)及(b)示出与比较例相关的净化室，(a)是左侧视图，(b)是主视图。
图10示出为评价与第1～实施方式4相关的净化室及半导体装置制造方法进行实验的结果。具体实施方式实施方式1
以下，参照图1(a)、(b)及(c)说明本发明实施方式1的净化室及半导体装置制造方法。图1(a)是净化室10的左侧视图，图1(b)是净化室10的主视图，图1(c)是净化室10的俯视图。
如图1(a)～图1(c)所示，净化室由第1净化区10a和第2净化区10b构成，在第1净化区10a和第2净化区10b之间设有板状的隔板11，第1净化区配置着收纳有投入半导体制造装置13的(例如：干法刻蚀装置)半导体衬底的片盒14，操作人员16在第1净化区外侧的第2净化区站着或坐着进行操作。
在第1净化区10a内配置着半导体制造装置13的一部和与该半导体制造装置13连接的桌子15，在桌子15上放置收纳有半导体衬底的片盒14。
在第2净化区10b内进行操作的操作人员16将收纳在片盒14中的半导体衬底从片盒14中取出送入半导体制造装置13内，或者将收纳了半导体衬底的片盒14放置到半导体装置13上，在后一种情况下，半导体装置13将收纳在片盒14中的半导体衬底送入到半导体制造装置13的内部。
这种情况下，操作人员16的手腕从隔板11的下方插入第1净化区，并以这种状态将半导体衬底从片盒14移送到半导体制造装置13内或者将片盒14放置到半导体制造装置13上。
在第1净化区10a的天花板上设有第1气流送气口12a，与此同时，在第2净化区10b的天花板上设有第2气流送气口12b，净化室10的外部空气从第1气流送气口12a导入第1净化区10a，与此同时，净化室10的外部空气从第2气流送气口12b导入第2净化区10b。
在实施方式1中，将外部空气供给第1送气口12a的鼓风机和供给第2气流送气口的鼓风机是同一个或具有相同的能力。
此外，一方面第1净化区10a的面积比第2净化区10b的面积小，另一方面，第1气流送气口12a的面积比第2气流送气口12b的面积大。因此，第1气流送气口12a对第1净化区10a的面积比例大于第2气流送气口12b与第2净化区域10b的面积比例。
因此，在第1净化区10a内从上到下的第1气流的速度比第2净化区10b内从上到下的第2气流的速度大。就是说，在第1气流送气口12a的气流速度与第2气流送气口12b的气流速度大体相同，如图2所示，在第1净化区10a内从上向下气流的扩散程度比第2净化区10b的小，因而，在第1净化区10a内从上方到下方的第1气流A的速度比在第2净化区10b内从上方到下方的第2气流B的速度大。
作为第1气流送气口12a及第2气流送气口12b的开口部面积，只要第1气流送气口12a对第1净化区10a的面积比大于第2气流送气口12b对第2净化区10b的面积比，就没有太大问题。如果第1气流送气口12a及第2气流送气口12b的送气口面积小，可以减少在第1及第2气流送气口12a、12b上设置的粒子过滤器的数目，与此同时，导入外部空气的鼓风机容量也可减少，有利于降低成本。另一方面，如果第1气流送气口12a及第2气流送气口12b的开口部面积大，则有提高去除导入净化室10内的空气中的浮动粒子的能力的优点。
在实施方式1中，由于在第1净化区10a及第2净化区10b之间设置有将第1气流与第2气流隔置开来的隔板11，第1气流及第2气流分别几乎垂直的从天花板吹向地板。这样，第1气流难于受到第2气流的影响，促使第1气流的速度更处于大于第2气流速度的状态。
因此，在第1净化区10a放置片盒14的场所附近，因为第1气流以较第2气流大的速度从天花板几乎垂直的流向地板，存在于放置片盒14场所附近的浮动粒子快速移动到净化室10地板附近后，被排出到净化室10的外部。这样，由于收纳在片盒14、将装入半导体制造装置13内的半导体衬底表面上付着的粒子数大大减少，提高半导体装置工程间的成品率。
隔板11只要具有将第1气流和第2气流隔开的功能，其形状、材质及结构都没关系，最好使用透明、硬质的材料，例如丙烯树脂。由于隔板11是透明的，操作人员16在操作半导体制造装置13或片盒14时，可以用眼来确认，提高了作业性。由于隔板11由硬质材料构成，即使第1净化区10a的第1气流的速度大，隔板11也很难贴身。
此外，隔板11最好考虑防止带电对策，例如：最好采用具有能在1秒内将5KV电压衰减到0KV的带电压衰减时间的材料。这样做由于可以防止因高速气流产生的粒子粘附在隔板11上，可以抑制因拌随粒子落下产生的工程间成品率下降。
此外，隔板11最好要考虑有机物污染对策，最好采用室温下1g材料的气体逸出量小于1ng的材料。这样做可以抑制因隔板11产生的有机物质向净化室10内扩散、因而产生半导体装置的图形缺陷或漏泄缺陷。
此外，隔板11的下端部从地板起的位置最好在1.2～1.8m，其理由如下：如果隔板11下端部从地板起的位置超过1.8m，第1气流就容易受第2气流的影响，降低了减少浮动粒子的效果，提高工程间成品率的效果不理想。另一方面，如果隔板11下端部从地板起的位置小于1.2m，操作人员16的手腕很容易与隔板11的下端接触，由于二者接触就产生粒子，造成工程间成品率提高不理想，同时操作人员的作业性也下降。如果隔板11下端部处在从地板起1.2～1.8m的位置，既无损于减少浮动粒子的效果，对于标准身高(1.5～2.0m)的操作人员16无论是站立或是坐着处理半导体制造装置13或片盒14时的作业性几乎与不设隔板11时没有变化。
此外，隔板11虽然也可以用粘接等方法固定在净化室10的天花板上，但是，最好用钩子从天花板上吊下，这样做，由于容易进行隔板11的拆卸及替换作业，当半导体制造装置13更换时，容易将隔板11暂时拆卸。
图3是与实施方式1变形例1相关的净化室10的俯视图，与图1(c)相对应。在变形例1中隔板11具有三面结构，即位于第1净化区10a与第2净化区10b之间的三个面。即：位于操作人员16与桌子14之间的第1面、位于桌子14两侧部外侧的两个面。
这样，由于隔板11具有三面结构，导入第1净化区10a的从上到下的第1气流更难受到导入第2净化区从上到下的第2气流的影响，进一步促进第1气流的速度比第2气流的速度更大。
图4是与实施方式1的变形例2相关的净化室10的俯视图，它与图1(c)相对应。在变形例2中，隔板11具有四面结构(框状结构)即由位于第1净化区10a和第2净化区10b之间由四个面组成的结构。
这样，由于隔板11具有四面结构，从上到下导入第1净化区10a的第1气流更加难于受到从上到下导入第2净化区10b的第2气流的影响，更进一步促进第1气流的速度大于第2气流的速度。
图5是与实施方式1变形例3相关的净化室10的主视图，与图1(b)相对应，在变形例3中，隔板11由设于上部的透明硬质材(例如，聚丙稀树脂板)11a和设于下部的透明软质材(例如乙烯树脂软片)11b组成。
这样做，由于上部是硬质材料11a可以防止第1气流受到第2气流的影响，由于下部是软质材料11b，操作人员16即使与隔板11接触也不会造成操作人员受伤，也能防止隔板11的破损。同时，一般的软质材料比硬质材料要轻，也容易进行隔板11的安装、拆卸。
此外，在实施方式1及变形例1～变形例3中，将外部空气供给第1气流送气口12a的鼓风机与供给第2气流送气口12b的鼓风机是同一鼓风机或具有同样的能力，而第1气流送气口12a对第1净化区10a的面积比大于第2气流送气口12b对第2净化区10b的面积比，代替这种方法，也可以采用将外部空气供给第1气流送气口12a的鼓风机的送风能力大于将外部空气供给第2气流送气口12b的鼓风机的送风能力。实施方式2
以下，参照图6(a)及(b)说明与本发明实施方式2相关的净化室及半导体装置制造方法。
图6(a)是净化室20的左侧视图、图6(b)是净化室20的主视图。
实施方式2除没有设置实施方式1具有的隔板11外，其他结构与实施方式1基本相同。
如图6(a)及(b)所示，净化室20由第1净化区20a及第2净化区20b构成，第1净化区20a配置收纳了投入半导体装置23的半导体衬底的片盒24，操作人员26在第1净化区20a外侧的第2净化区20b内进行操作。
在第1净化区20a内放置着半导体制造装置23的一部和与该半导体制造装置23连接的桌子25，在桌子25上放置收纳了半导体衬底的片盒24。
在第1净化区20a的天花板上设有第1气流送气口22a，与此同时，在第2净化区20b的天花板上设有第2气流送气口22b，净化室20的外部空气从第1气流送气口22a导入到第1净化区20a，与此同时，从第2气流送气口22b导入第2净化区20b内。
在实施方式2中，将外部空气供给第1气流送气口22a的鼓风机和供给第2气流送气口22b的鼓风机可以是同一个或具有相同的能力。
一方面，第1净化区20a的面积比第2净化区20b的面积小，另一方面，第1气流送气口22a的面积比第2气流送气口22b的面积大。因此，第1气流送气口22a对第1净化区20a的面积比大于第2气流送气口22b对第2净化区20b的面积比。
因此，在第1净化区20a内，从上到下的第1气流的速度大于第2净化区20b内从上到下的第2气流的速度。实施方式3
以下，参照图7(a)～(c)说明与本发明有关的实施方式3的净化室及半导体装置制造方法。
图7(a)是净化室30的左侧视图，图7(b)是净化室30的主视图，图7(c)是净化室30的俯视图。
与实施方式1相比，实施方式3隔板31的结构不同，其它的结构与实施方式1基本相同。
如图7(a)～(c)所示，洁净室30由第1净化区30a和第2净化区30b构成，在第1净化区30a内放置着片盒34，片盒34收纳投入到半导体制造装置33内的半导体衬底，操作人员36在第1净化区30a外侧的第2净化区30b内进行操作。
在第1净化区30a内配置半导体制造装置33的一部及与半导体制造装置33连接的桌子35，桌子35上放置着片盒34，片盒34内收纳半导体衬底。
实施方式3的特征是：在第1净化区30a及第2净化区30b的天花板上，设有共通的气流送气口32，净化室30的外部空气从气流送气口32导入到第1净化区30a及第2净化区30b。
将导入第1净化区30a的第1气流与导入第2净化区30b的第2气流隔开的隔板31具有四面结构(框结构)，它的上部开口部31a的面积大于下部开口部31b的面积，从上部开口部31a开始到中间部31b开口部面积渐渐减少，从中间部31b到下部开口部31c的开口部面积一定。而且，隔板31的下部开口部31c的开口部区域与第1净化区30a一致，与此同时，隔板31的上部开口部31a的开口部区域跨过第1净化区域30a全区和第2净化区30b。
因此，从气流送气口32供给给隔板31的上部开口部31a的第1气流，从上部开口部31a到中间部31b渐渐收束，从中间部31b保持这种状态直到下部开口部31C，从下部开口部31c放出到第1净化区30a。
因为隔板31的开口部面积随着向下渐渐变小，从气流送气口32供给第2净化区30b的第2气流渐渐扩散开。
因此，在第1净化区30a从上到下的第1气流的速度大于在第2净化区30b内从上到下的第2气流的速度。
这样，在第1净化区放置片盒34场所附近，由于有流速大于第2气流且几乎垂直的从天花板向地板流动的第1气流，存在于放置片盒34场所附近的浮动粒子快速流向净化室30的地板附近后，排出到净化室30外部。因此，收纳在片盒34内，放入半导体制造装置33内的半导体衬底表面上附着的粒子数大大减少，提高了半导体装置工程间的成品率。
与实施方式1相同，只要隔板31具有将第1气流和第2气流隔开的功能，不论其形状，材质，结构如何都可，最好采用透明、硬质材料，例如，聚丙烯树脂板。其理由与实施方式1相同。
此外，隔板31最好考虑防止带电对策，例如，最好使用从5KV到0KV的带电压衰减时间小于1秒的材料。其理由与实施方式1相同。
此外，隔板31最好考虑有机物质污染对策，最好使用室温中1g材料中逸出气体量小于1ng的材料，其理由也与实施方式1相同。
此外，隔板31下端部的位置最好在从地板起1.2～1.8m处，其理由也与实施方式1相同。实施方式4
以下，参照图8(a)～(c)说明与本发明实施方式4相关的净化室及半导体装置制造方法。
图8(a)是净化室40的左侧视图，图8(b)是净化室40的主视图，图8(c)是净化室40的俯视图。
与实施方式3相比，虽然实施方式4隔板41的结构不同，除此之外其他的构成与实施方式3基本相同。
如图8(a)～(c)所示，净化室40由第1净化区40a和第2净化区40b构成，第1净化区40a放置片盒44，片盒44收纳投入半导体制造装置43的半导体衬底，操作人员46在第1净化区40a外侧的第2净化区40b内进行操作。
在第1净化区40a内配置半导体制造装置43的一部和与该半导体制造装置连接的桌子45，桌子45上放置片盒44，片盒44收纳半导体衬底。
与实施方式3相同，在实施方式4中在第1净化区40a和第2净化区40b的天花板上设有共通的气流送气口42，净化室40的外部空气从气流送气口42导向第1净化区40a及第2净化区40b。
将导入第1净化区40a的第1气流与导入第2净化区40b的第2气流分割开来的隔板41具有四面结构(框结构)，其上部开口部41a的面积大于下部开口部41b的面积，从上部开口部41a开始到中间部41b开口部面积渐渐减少，从中间部41b开始到下部开口部41c为止开口部面积一定。
此外，隔板41的下部开口部41c的开口部区域与第1净化区30a一致，与此同时，隔板41的上部开口部41a的开口部区域跨过第1净化区40a全区域和第2净化区40b，这一点与实施方式3相同。
实施方式4的特征是：隔板41的下部开口部41c位于净化室40的地板附近(从地板起0.2m左右高度)，在与隔板41的操作人员46相对的面内，片盒44的近旁部处设有侧方开口部41d。
这样，操作人员46可以将手腕从侧方开口部41d插入到第1净化区40a，并以这种状态将半导体衬底从片盒44移送到半导体制造装置43，或者将片盒44放置在半导体制造装置43上。
从气流送气口32向隔板41的上部开口部41a供给的第1气流，从上部开口部41a起到中间部41b渐渐收束，然后以这种状态从中间部41b起直到地板附近的下部开口部41c。
因此，在第1净化区40a的从上方吹向下方的第1气流的速度大于第2净化区40b的从上方吹向下方的第2气流的速度，与实施方式3相比在实施方式4中，由于其下部开口部41c的位置较低，第1气流更难受到第2气流的影响，第1气流的速度更大。
因此，在第1净化区40a的放置片盒44的场所附近，因为第1气流以较第2气流大的流速，且从天花板到地板几乎垂直的流动着，存在于放置片盒44的场所附近的浮动粒子，快速移动到净化室40地板附近后，排出到净化室40的外部，因此，收纳在片盒44中的被送入半导体制造装置43的半导体衬底表面附着的粒子数大大减少，进一步提高半导体装置的工程间成品率。
与实施方式1相同，隔板41只要具有将第1气流和第2气流隔开的功能，不管其形状、材质、结构，最好采用透明、硬质材料，例如采用聚丙烯树脂板。其理由与实施方式1相同。
此外，隔板41最好考虑防止带电对策，最好采用从5KV到0KV带电压衰减时间小于1秒的材料。其理由与实施方式1相同。
此外，隔板41最好考虑有机物质污染对策，最好采用室温下1g材料中气体逸出量小于1ng的材料，其理由与实施方式1相同。
以下，说明为评价实施方式1～实施方式4净化室及半导体装置制造方法进行实验的结果，作为前提，参照图9(a)及(b)就与比较例相关的净化室50的结构作一说明。
图9(a)是净化室50的左侧视图，图9(b)是净化室50的主视图。
如图9(a)及(b)所示，净化室50由第1净化区50a及第2净化区50b构成，第1净化区放置片盒54，片盒54收纳将投入半导体制造装置53的半导体衬底，操作者56在第1净化区50a外侧的第2净化区50b内进行操作。
在第1净化区50a内放置着半导体制造装置53的一部及与该半导体制造装置53连接的桌子55，在桌子55上放置片盒54，片盒54内收纳半导体衬底。
在第1净化区50a及第2净化区50b的天花板上，设置有共通的气流送气口52，净化室50的外部空气从气流送气口52导入第1净化区50a及第2净化区50b。
在比较例中没有设置隔板，因此，在第1净化区50a从上方流向下方的第1气流的速度与第2净化区50b从上方流向下方的第2气流的速度相等。
在比较例中，第1气流及第2气流的速度都是0.28m/s，在第1净化区50a及第2净化区50b存在的尺寸大于0.07μm的浮动粒子数为15个/28.3L(升，以下同)。
在比较例的净化室中进行半导体装置制作的结果，工程间的成品率是合格品率为60.0％。
在实施方式1中，在第1净化区10a第1气流的速度是0.36m/s，尺寸大于0.07μm的浮动粒子数是2个/28.3L，在第2净化区10b内，第2气流的速度是0.28m/s，尺寸大于0.07μm的浮动粒子数是15个/28.3L。在实施方式1中，第1气流的速度约是第2气流速度的1.3倍。
此外，在与实施方式1相关的净化室中制造半导体装置的结果，工程间的成品率达到合格品率99.7％，这是很好的结果。
在实施方式2中，在第1净化区20a内第1气流的速度是0.31m/s，尺寸大于0.07μm的浮动粒子数是14个/28.3L，在第2净化区20b内第2气流的速度是0.28m/s，尺寸大于0.07μm的浮动粒子数是15个/28.3L，在实施方式2中，第1气流的速度约是第2气流速度的1.1倍。
在与实施方式2相关的净化室中制作半导体装置的结果，工程间的成品率达到合格率65.0％，与比较例相比，合格率有所提高。
在实施方式3中，在第1净化区30a内，第1气流的速度是0.65m/s，尺寸大于0.07μm的浮动粒子数是0个/28.3L，在第2净化室30b内，第2气流的速度是0.28m/s，尺寸大于0.07μm的浮动粒子数是15个/28.3L，在实施方式3中第1气流的速度约是第2气流速度的2.3倍。
在与实施方式3相关的净化室中制造半导体装置的结果，工程间的成品率达到合格品率99.9％的极好的结果。
在实施方式4中，第1净化区40a内第1气流的速度是0.68m/s，尺寸大于0.07μm的浮动粒子数是0个/28.3L，在第2净化区40b内，第2气流的速度是0.28m/s，尺寸大于0.07μm的浮动粒子数是15个/28.3L，在实施方式4中，第1气流的速度约是第2气流速度的2.4倍。
在与实施方式4相关的净化室中进行半导体装置制造的结果，工程间的成品率达到合格品率99.9％的极好的结果。
图10是用与实施方式1～实施方式4及比较例相关的净化室的第1净化区内第1气流的速度与浮动粒子数标绘的图表。
从图10可以明白，实施方式1、3及实施方式4中浮动粒子数与比较例相比明显减少。
此外，从实施方式1(第1气流流速/第2气流流速＝约1.3)和实施方式2(第1气流流速/第2气流流速＝约1.1)的对比可以明白，当第1气流的速度大于第2气流速度的1.3倍时，浮动粒子数目就明显的减少。由此可知，使第1气流的速度大于第2气流速度的1.3倍对减少浮动粒子数十分有效。
采用与本发明相关的净化室及半导体装置制造方法，可以大大减少配置半导体衬底的区域内存在的浮动粒子数目，由此，可以提高半导体装置的工程间成品率。