用于处理玻璃基片或晶片的除灰装置 技术领域
本发明涉及一种用于生产半导体器件的装置，并且特别涉及一种用于处理玻璃基片或晶片的除灰装置。
背景技术
在生产半导体器件的晶片表面上，或生产液晶显示器的玻璃基片表面上，应用了光阻材料(photo-resist)来形成功能性薄膜的图样，其中薄膜的图样通过显影方法形成，然后残留在晶片或玻璃基片表面上的光阻材料通过除灰过程去除。
近年来，使用了等离子体除灰装置，它将等离子体照射到光阻材料的被蚀刻的部分来使它们钙化、并将它们汽化而使气体排放到室外。如果使用这种装置，清洁过程能够不毁坏且污染未处理的部分，清洗过程可以简化，并且利于周边清洁。由此，最近等离子体除灰装置逐渐被引入处理用于有源矩阵显示用的基片的过程中。
图1大致示出了用于液晶显示器的玻璃基片的传统除灰装置，而图2是沿图1中I-I线截取的剖视图。
用于液晶显示器的玻璃基片的传统除灰装置，在其中设置有多个除灰室10和用于在除灰室10之间传输玻璃基片13的传输机构(未示出)。同样，缓冲室(buffer chamber)15设置在除灰室10之间的平面上。下电极17设置在除灰室10中，在下电极17上安装有玻璃基片13，用于与上电极一起形成电场，其中上电极将在下文说明。玻璃基片13由传输机构通过形成在除灰室10一侧上的插入开口安装在下电极17上。
在图1中，箭头的方向表示玻璃基片13通过缓冲室15插入到除灰室10中的插入方向。
下面将说明通过使用传统的除灰装置实现除灰的过程，其中光阻材料11施加到玻璃基片13的表面上。
首先，玻璃基片13插入到除灰室10中，用于通过传输机构(未示出)，如传输臂进行除灰处理，并且安装到下电极17上，其中光阻材料11施加到玻璃基片13地表面上。
然后，当玻璃基片13的安装完成时，传输机构从除灰室中拉出。然后除灰气体从设置在除灰室10外的供气管19a和供气部件19提供，并且通过气体分布盘(gas diffusion plate)21均匀分布到上电极23的整个表面上。
然后，当电源25合闸时，电场形成在上电极23与下电极17之间，并且气体沿电场从上电极23到下电极17的方向上(图2中的虚线方向)流动。结果，施加到玻璃基片13表面上的光阻材料11被汽化，并从排气口27排放到除灰室10外。
在图中，附图标记10a指的是除灰室10的外壁。
然而，存在这样的问题，即上述的传统除灰装置本身复杂、体积庞大并且昂贵。特别地，因为除灰室的配置由于缓冲室而受限制，所以有必要保证相对大的工作空间，并且除灰室的内部结构复杂，而使装置的生产和成本处于劣势。
发明内容
本发明正是为了解决上面的问题，这样，本发明的一个目的是：通过省略传统除灰装置中的设置在除灰室之间的缓冲室，来简化除灰装置的结构。
本发明的另一个目的是：通过垂直地叠置除灰室来提高空间利用率，并且通过连接在除灰过程前后使用的各种设备，而能够实现它们的连续处理。
本发明的又一个目的是：通过使用除灰室的外壁作为除灰室的上电极，并设置具有缝隙或管道形状的供气源，来简化整个结构。
为了实现上述目的，根据本发明的除灰装置包括：下电极，其上安装有玻璃基片或晶片，其中光阻材料施加到玻璃基片或晶片上；上电极，用于与所述下电极一起形成电场；气缝或气管，用于供气到所述除灰室内；安全盖，设置在所述上电极上，用于与所述除灰室的外壁一起形成密封环境；电源，用于在所述上电极与所述下电极之间形成电场；绝缘体，插入所述上电极与所述除灰室的外壁之间，用于防止彼此之间的电接触；和排放口，用于将在所述除灰室中汽化的光阻材料排放到所述除灰室外。
除灰的对象最好是玻璃基片。
同样，除灰的对象最好是晶片。
同样，通过气管装置将除灰气体从供气部件提供到除灰室内。
附图说明
本发明的实施例将参考附图进行说明，其中：
图1示出了用于液晶显示器玻璃基片的传统除灰装置；
图2是沿图1中I-I线截取的剖视图；
图3示出了本发明的用于液晶显示器玻璃基片的除灰装置；并且
图4是本发明的用于液晶显示器玻璃基片的单个除灰装置的纵向剖视图。
具体实施方式
现在将参考附图具体说明本发明。
在下面的说明中，生产半导体器件中的晶片被认为是与生产液晶显示器中的玻璃基片相同的东西，这样，将不再说明用于处理晶片的除灰装置。
图3大致示出了根据本发明的用于液晶显示器玻璃基片的除灰装置。如图3所示，本发明的除灰装置具有垂直叠置的结构。省略传统除灰装置中的缓冲室是可行的。上除灰室100和下除灰室101以这样的状态连续叠置，即它们安装在举升架(lift)300上，用于打开上除灰室与下除灰室。对于在小空间中保证左、右的工作空间，并且在除灰处理前后，通过连接如蚀刻过程、清洗过程及相似的过程中使用的各种设备，而能够连续进行处理，这个结构是非常有利的。
附图标记200与201指的是安全盖，与除灰室的外壁100a和101a一起形成密封环境，而附图标记400指的是支持架。
图4是图3的单元除灰装置的纵向剖视图。如图4所示，本发明的单元除灰装置包括：下电极117，其上安装有玻璃基片113，具有形成图样的光阻材料111施加到玻璃基片上；上电极123，用于与下电极117一起形成电场；气缝或气管220，用于供气到除灰室100内；安全盖200，设置在上电极123上，用于与除灰室的外壁100a一起形成密封环境；电源125，用于在上电极123与下电极117之间形成电场；绝缘体210，插入上电极123与除灰室的外壁100a之间，用于防止彼此之间的电接触；和排放口127，用于将在除灰室中汽化的光阻材料排放到所述除灰室100外。
下面将说明除灰过程，其中施加到玻璃基片113表面上的光阻材料111通过使用根据本发明的除灰装置而去除。
本发明的除灰装置具有这样的形状，其中具有相同结构的多个除灰室垂直叠置，在下文将说明在单元除灰室中进行的除灰过程。
首先，玻璃基片113插入除灰室100中，用于通过传输机构装置(未示出)如传输臂进行除灰过程，并且玻璃基片113安装在下电极117上，其中光阻材料111施加到玻璃基片113的表面上。
接着，当玻璃基片113的安装完成时，传输机构从除灰室100中拉出。然后，除灰气体从设置在除灰室100外的供气部件(未示出)通过气缝220提供，并且均匀分布(图4中的虚线箭头方向)到除灰室100中的整个表面上和上电极123的下部。
此时，气缝220形成在除灰室100的一个外壁上，并且可以被气管代替。这样，与传统结构相比，气缝220具有简单结构，使除灰气体协调地施加到上电极123与下电极117之间的空间，而在传统结构中，气体分布盘设置在上电极23上以均匀分布除灰气体。
然后，当电源125合闸时，电场形成在上电极123与下电极117之间，并且气体沿着电场从上电极123到下电极117的方向上流动。结果，施加到玻璃基片113表面上的光阻材料111被蒸发，并且通过排气口127排放到室外。
在图中，绝缘体210插入到上电极123与除灰室的外壁100a之间，用于防止彼此之间的电接触。因为，在本发明中，上电极123作为除灰室100的上外壁，如果两个室彼此接触，通过电源的合闸而防止了两个电极123与117之间形成电场。绝缘材料不受限制，只要它具有通常的绝缘功能。
同样，如上所述，安全盖200用于与除灰室100的外壁100a一起形成除灰室中的密封环境。安全盖200由与外壁100a相同的材料形成，或具有与外壁100a相似的强度，并且安全盖200具有保护除灰室100免受外部冲击的功能。它不受特殊限制。
与传统技术相比，处理顺序具有下述差异。
(1)省略了缓冲室
传统地，由于缓冲室水平地设置在各自的除灰室之间，在小空间中工作是难于实现的，但根据本发明，省略了缓冲室，从而可以保证相对大的工作空间。
(2)除灰室具有垂直叠置的结构
传统地，多个除灰室水平地设置，但根据本发明，因为省略了缓冲室，并且多个除灰室垂直地叠置，可以保证相对大的工作空间，并且在除灰处理之间或此后的过程中，通过连接处理过程中使用的各种设备，能够连续地进行处理。
(3)多功能电极
传统地，上电极单独设置在除灰室中，但根据本发明，因为上电极构成了除灰室的一个外壁，所以上电极导致了除灰室结构的简化，同时也具有形成电场的必要功能。
(4)省略气体分布盘
传统地，气体分布盘用于均匀分布除灰气体，其中除灰气体从外部供气源进入到除灰室内，但在本发明中，通过设置气缝或气管，而通过除灰室的一侧和上电极的下部直接提供除灰气体，从而简化结构。
如上所述，本发明的优选实施例涉及用于液晶显示器玻璃基片的除灰装置，尽管没有在附图中示出，但本发明可以用作处理半导体晶片的除灰装置。由此，除了除灰对象不同，结构、功能和导致的优点彼此相等同，所以将不再说明用于处理晶片的除灰装置。
根据本发明的除灰装置，省略缓冲室来简化结构，通过垂直地叠置除灰室而提高了空间利用率，并且通过在除灰处理前后，通过连接处理过程中使用的各种设备，能够连续进行处理。
同样，根据本发明，因为除灰室的外侧用作除灰室的上电极，并且设置了缝隙或管道类型的供气源来简化整个结构，可以实现便宜并具有提高处理效率的除灰装置。