阵列基板及制作方法、液晶显示面板.pdf

本发明公开了一种阵列基板及制作方法、液晶显示面板，该阵列基板包括：基底；第一钝化层，其设置于基底上；触控信号层，其设置于第一钝化层上；第二钝化层，其设置于触控信号层和裸露的第一钝化层上；第一电极层，其设置于第二钝化层上；第三钝化层，其设置于第一电极层和裸露的第二钝化层上；第二电极层，其设置于第三钝化层上。本发明可以增加阵列基板的像素中的存储电容值。

权利要求书
1.  一种阵列基板，包括：
基底；
第一钝化层，其设置于所述基底上；
触控信号层，其设置于所述第一钝化层上；
第二钝化层，其设置于所述触控信号层和裸露的第一钝化层上；
第一电极层，其设置于所述第二钝化层上；
第三钝化层，其设置于所述第一电极层和裸露的第二钝化层上；
第二电极层，其设置于所述第三钝化层上。

2.  根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层为像素电极层，所述第二电极层为公共电极层。

3.  根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层为公共电极层，所述第二电极层为像素电极层。

4.  根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述触控信号层与所述像素电极层具有重合区域，其通过贯通所述第二钝化层、所述第一电极层和所述第三钝化层的过孔与所述公共电极层连通。

5.  根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述触控信号层与所述像素电极层具有重合区域，其通过贯通所述第二钝化层的过孔与所述公共电极层连通。

6.  根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层中的电极为面状电极，所述第二电极层中的电极为条状电极。

7.  根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述基底包括：
遮光层，其设置于基板上；
第一绝缘层，其设置于所述遮光层和裸露的基板上；
多晶硅主动层，其设置于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，其设置于所述多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上；
栅极层，其设置于所述第二绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的栅极；
第三绝缘层，其设置于所述栅极层和裸露的第二绝缘层上；
信号层，其设置于所述第三绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的源极和漏极及 与所述源极和漏极连接的信号线；
平坦层，其设置于所述信号层和裸露的第三绝缘层上，
其中，所述源极通过贯通所述平坦层、所述第一钝化层、所述触控信号层和所述第二钝化层的过孔与所述像素电极层连通。

8.  根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述基底包括：
遮光层，其设置于基板上；
第一绝缘层，其设置于所述遮光层和裸露的基板上；
多晶硅主动层，其设置于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，其设置于所述多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上；
栅极层，其设置于所述第二绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的栅极；
第三绝缘层，其设置于所述栅极层和裸露的第二绝缘层上；
信号层，其设置于所述第三绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的源极和漏极及与所述源极和漏极连接的信号线；
平坦层，其设置于所述信号层和裸露的第三绝缘层上，
其中，所述源极通过贯通所述平坦层、所述第一钝化层、所述触控信号层、所述第二钝化层、所述第一电极层和所述第三钝化层的过孔与所述像素电极层连通。

9.  一种用于以上权利要求1-8中任一项所述阵列基板的制作方法，包括：
在基板上形成遮光层；
在所述遮光层和裸露的基板上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成多晶硅主动层；
在所述多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成与所述多晶硅主动层对应的栅极层，用以形成薄膜晶体管的栅极；
在所述栅极层和裸露的第二绝缘层上形成第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上形成信号层，用以形成薄膜晶体管的源极和漏极及与所述源极和漏极连接的信号线；
在所述信号层和裸露的第三绝缘层上形成平坦层；
在所述平坦层上形成第一钝化层；
在所述第一钝化层上形成触控信号层；
在所述触控信号层和裸露的第一钝化层上形成第二钝化层；
在所述第二钝化层上形成第一电极层；
在所述第一电极层和裸露的第二钝化层上形成第三钝化层；
在所述第三钝化层上形成第二电极层。

10.  一种采用以上权利要求1-8中任一项所述阵列基板的液晶显示面板。

说明书阵列基板及制作方法、液晶显示面板
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，具体地说，涉及一种阵列基板及制作方法、液晶显示面板。
背景技术
由于低温多晶硅LTPS具有高迁移率的优点，在进行像素设计时，采用LTPS制作的TFT开关的宽长比就可以设计的很小，从而有利于实现更高PPI(PixelsPerInch，每英寸所拥有的像素数目)产品的设计。近些年来，由于采用LTPS的触控面板制程简单、液晶盒整体的厚度减小而受到各家面板厂的青睐。可是当PPI增加时，像素面积就会明显减小。那么对单个像素而言，其对应的存储电容也会随之变小。随着存储电容的减小，像素对电荷的存储能力就会变弱，当TFT发生漏电时，就会严重影响液晶显示面板的显示效果。
发明内容
为解决以上问题，本发明提供了一种阵列基板及制作方法、液晶显示面板，用以增加阵列基板的像素中的存储电容值。
根据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板，包括：
基底；
第一钝化层，其设置于所述基底上；
触控信号层，其设置于所述第一钝化层上；
第二钝化层，其设置于所述触控信号层和裸露的第一钝化层上；
第一电极层，其设置于所述第二钝化层上；
第三钝化层，其设置于所述第一电极层和裸露的第二钝化层上；
第二电极层，其设置于所述第三钝化层上。
根据本发明的一个实施例，所述第一电极层为像素电极层，所述第二电极层为公共电极层。
根据本发明的一个实施例，所述第一电极层为公共电极层，所述第二电极层为像素电极层。
根据本发明的一个实施例，所述触控信号层与所述像素电极层具有重合区域，其通过贯通所述第二钝化层、所述第一电极层和所述第三钝化层的过孔与所述公共电极层连通。
根据本发明的一个实施例，所述触控信号层与所述像素电极层具有重合区域，其通过贯通所述第二钝化层的过孔与所述公共电极层连通。
根据本发明的一个实施例，所述第一电极层中的电极为面状电极，所述第二电极层中的电极为条状电极。
根据本发明的一个实施例，所述基底包括：
遮光层，其设置于基板上；
第一绝缘层，其设置于所述遮光层和裸露的基板上；
多晶硅主动层，其设置于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，其设置于所述多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上；
栅极层，其设置于所述第二绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的栅极；
第三绝缘层，其设置于所述栅极层和裸露的第二绝缘层上；
信号层，其设置于所述第三绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的源极和漏极及与所述源极和漏极连接的信号线；
平坦层，其设置于所述信号层和裸露的第三绝缘层上，
其中，所述源极通过贯通所述平坦层、所述第一钝化层、所述触控信号层和所述第二钝化层的过孔与所述像素电极层连通。
根据本发明的一个实施例，所述基底包括：
遮光层，其设置于基板上；
第一绝缘层，其设置于所述遮光层和裸露的基板上；
多晶硅主动层，其设置于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，其设置于所述多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上；
栅极层，其设置于所述第二绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的栅极；
第三绝缘层，其设置于所述栅极层和裸露的第二绝缘层上；
信号层，其设置于所述第三绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的源极和漏极及与所述源极和漏极连接的信号线；
平坦层，其设置于所述信号层和裸露的第三绝缘层上，
其中，所述源极通过贯通所述平坦层、所述第一钝化层、所述触控信号层、所述第二钝化层、所述第一电极层和所述第三钝化层的过孔与所述像素电极层连通。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于以上任一项所述阵列基板的制作方法，包括：
在基板上形成遮光层；
在所述遮光层和裸露的基板上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成多晶硅主动层；
在所述多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成与所述多晶硅主动层对应的栅极层，用以形成薄膜晶体管的栅极；
在所述栅极层和裸露的第二绝缘层上形成第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上形成信号层，用以形成薄膜晶体管的源极和漏极及与所述源极和漏极连接的信号线；
在所述信号层和裸露的第三绝缘层上形成平坦层；
在所述平坦层上形成第一钝化层；
在所述第一钝化层上形成触控信号层；
在所述触控信号层和裸露的第一钝化层上形成第二钝化层；
在所述第二钝化层上形成第一电极层；
在所述第一电极层和裸露的第二钝化层上形成第三钝化层；
在所述第三钝化层上形成第二电极层。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种采用以上任一项所述阵列基板的液晶显示面板。
本发明的有益效果：
本发明不仅将传统阵列基板中像素电极层和公共电极层之间的绝缘层由原来的两层减少到一层，一定程度上增加了像素的存储电容值。同时，还增加了触控信号层和像素电极层之间形成的存储电容，与传统的LTPS像素内置触控面板相比，本发明中阵列基板的像素中的存储电容值有了大幅度增加。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书 中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍：
图1a是传统的LTPS像素内置触控面板的TFT处截面结构示意图；
图1b是图1a在数据线处对应的截面结构示意图；
图2a是根据本发明的一个实施例的采用本发明的阵列基板的液晶显示面板TFT处截面结构示意图；以及
图2b是图2a在数据线处对应的截面结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
如图1a所示为传统的LTPS像素内置触控面板的TFT处截面结构示意图，如图1b所示为图1a数据线处对应的截面结构示意图。由图1a和图1b可知，该传统LTPS像素内置触控面板的阵列基板侧包括在基板111上形成的遮光层112、在遮光层112和裸露的基板111上形成的第一绝缘层113、在绝缘层113上形成的多晶硅主动层114、在多晶硅主动层114上形成的第二绝缘层115、在第二绝缘层115上形成的与多晶硅主动层114对应的栅极层117、在栅极层117和裸露的第二绝缘层115上形成的第三绝缘层118、在第三绝缘层118上形成的包括源漏极和信号线的信号层116、在信号层116和裸露的第三绝缘层118上形成的平坦层119、在平坦层119上形成的公共电极层120、在公共电极层120和裸露的平坦层119上形成的第一钝化层121、在第一钝化层121上形成的触控信号层122、在触摸信号层122和裸露的第一钝化层121上形成的第二钝化层123、在第二钝化层123形成的像素电极层124，彩膜基板侧包括在基板126上形成的黑色矩阵层127、在黑色矩阵层127和裸露的基板126上形成的红色阻层128和绿色阻层 129、在红色阻层128和绿色阻层129上形成的平坦层130、在平坦层130上形成的主隔垫物131和辅隔垫物132，还包括阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子130。
由图1a和图1b可知，像素电极124和公共电极120之间存在两层钝化层，即第一钝化层121和第二钝化层123，这两个钝化层构成像素电极124和公共电极120之间的存储电容的介电层。当进行高PPI产品设计时，由于两层钝化层增大了像素电极124和公共电极120之间的距离，根据电容公式：C＝εS/d，C为电容容量，ε为极板间介电材料的介电常数，S为极板面积，d为极板间距。极板间距d增大会导致电容容量减少，这就会造成像素单元对应的存储电容无法满足产品的需求。
因此，本发明提供了一种新型的阵列基板，将其上的像素电极和公共电极之间的钝化层数量减少，在进行更高PPI产品设计时，可以有效的增加像素电极和公共电极之间的存储电容，解决由于像素由于存储能力不够而造成显示异常的问题。
如图2a所示为根据本发明的一个实施例的采用本发明的阵列基板的液晶显示面板TFT处截面结构示意图，图2b所示为图2a在数据线处对应的截面结构示意图。以下参考图2a和图2b来对本发明进行详细说明。
该阵列基板包括基底、在基底上形成的第一钝化层220、在第一钝化层220上形成的触控信号层221、在触控信号层221和裸露的第一钝化层220上形成的第二钝化层222、在第二钝化层222上形成的像素电极层223、在像素电极层223和裸露的第二钝化层222上形成的第三钝化层224、在第三钝化层224上形成的公共电极层225。此处，以像素电极层223作为第一电极层、公共电极层225作为第二电极层为例进行说明。
由图2a可知，在像素电极层223和公共电极层225之间只有起绝缘作用的第三钝化层224，该钝化层作为像素电极层223和公共电极层225形成的存储电容的介电层。由于像素电极层223和公共电极层225之间只有一层介电材料，从而使得像素电极层223和公共电极层225之间的间距减少。根据电容公式：C＝εS/d，在极板间距d减小的情况下，电容容量C会增大，从而有效增加像素单元的存储电容。
另外，由图2a和图2b可知，触控信号层与像素电极层具有重合区域，触控 信号层221和像素电极层223之间也会形成一个存储电容，第二钝化层222作为触控信号层221和像素电极层223之间的介电层。由于触控信号层221通过贯通第二钝化层222、像素电极层223和第三钝化层224的过孔与顶层的公共电极层225连通，像素电极层223和公共电极层225形成的电容、触控信号层221和像素电极层223形成的电容呈并联关系，那么触控信号层221和像素电极层223之间的形成的存储电容也会增加单个像素的存储电容值。
因此本发明不仅将原来的像素电极层223和公共电极层225之间的绝缘层(即钝化层)由原来的两层减少到一层，一定程度上增加了像素的存储电容值。同时，还增加了触控信号层221和像素电极层223之间形成的存储电容。与传统的LTPS像素内置触控面板相比，本发明中阵列基板的像素中的存储电容值有了大幅度增加。
如图2a和图2b所示为像素电极层223作为第一电极层，公共电极层225作为第二电极层的液晶显示面板截面结构示意图。但是，公共电极层和像素电极层的位置也可以互换，即公共电极层作为第一电极层，像素电极层作为第二电极层。这种情况下，触控电极通过贯通第二钝化层的过孔与公共电极层连接(需注意的是，此时的公共电极层在像素电极层之下，像素电极层通过贯通第三钝化层、公共电极层、第二钝化层、触控信号层、第一钝化层和平坦层的过孔与信号层连通)。
在公共电极层作为第一电极层、像素电极层作为第二电极层的情况下，公共电极层和像素电极层之间也只有起绝缘作用的第三钝化层，可以有效增加像素单元的存储电容。另外，触控信号层与像素电极层具有重合区域，触控信号层和像素电极层之间也会形成一个存储电容，第二钝化层和第三钝化层作为触控信号层和像素电极层之间的介电层。由于触控信号层通过贯通第二钝化层的过孔与公共电极层连通，像素电极层和公共电极层形成的电容、触控信号层和像素电极层形成的电容呈并联关系，那么触控信号层和像素电极层之间的形成的存储电容也会增加单个像素的存储电容值。
在本发明的一个实施例中，该阵列基板中的基底包括：遮光层212，形成在玻璃基板211上的；第一绝缘层213，设置在遮光层212和裸露的玻璃基板211上；多晶硅主动层214，设置在第一绝缘层213上；第二绝缘层215，设置在多晶硅主动层214和裸露的第一绝缘层213上；栅极层217，设置在第二绝缘层215上，用以形成薄膜晶体管的栅极；第三绝缘层218，设置在栅极层217和裸露的 第二绝缘层215上；信号层216，设置在第三绝缘层218上，用以形成对应薄膜晶体管的源极和漏极及与源漏极连通的信号线；平坦层219，设置在信号层216和裸露的第三绝缘层218上。其中，当像素电极层223作为第一电极层，公共电极层225作为第二电极层时，薄膜晶体管的源极通过贯通平坦层219、第一钝化层220、触控信号层221和第二钝化层222的过孔与像素电极层223连通。当公共电极层作为第一电极层，像素电极层作为第二电极层时，薄膜晶体管的源极通过贯通平坦层219、第一钝化层220、触控信号层221、第二钝化层222、第一电极层(即公共电极层)和第三钝化层224的过孔与第二电极层(即像素电极层)连通。
在本发明的一个实施例中，第一电极层中的电极为面状电极，用以增大电极面积，提高驱动电压；第二电极层中的电极为条状电极，用以与面状的第一电极层中的电极配合实现液晶分子的水平旋转，以增大显示面板的显示视角。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制作以上阵列基板的方法，以图2a为例进行说明，该制作方法包括以下的几个步骤。
首先，在基板上形成遮光层，用以避免背光源发出的光线照射到其后形成的薄膜晶体管。
接着，在遮光层和裸露的基板上形成第一绝缘层。具体的，在该步骤中沉积SiNx/SOx形成氮氧化硅合层，以起绝缘作用。
接着，在第一绝缘层上形成多晶硅主动层。该多晶硅主动层用以形成薄膜晶体管中的导电沟道。
接着，在多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上形成第二绝缘层，可通过沉积SiNx/SOx形成氮氧化硅合层，以起绝缘作用。
接着，在第二绝缘层上形成与多晶硅主动层对应的栅极层，以形成薄膜晶体管的栅极。
接着，在栅极层和裸露的第二绝缘层上形成第三绝缘层，可通过沉积SiNx/SOx形成氮氧化硅合层，以起绝缘作用。
接着，在第三绝缘层上形成信号层。此处的信号层包括薄膜晶体管的源漏极及与源漏极连接的信号线。
接着，在信号层和裸露的第三绝缘层上形成平坦层，用以对其下的各层膜起保护作用。
接着，在平坦层上形成第一钝化层，用以对其下的各层膜起保护及绝缘作用。
接着，在第一钝化层上形成触控信号层，用以形成触控信号。
接着，在触控信号层和裸露的第一钝化层上形成第二钝化层，用以对其下的各层膜起保护及绝缘作用。
接着，在第二钝化层上形成第一电极层。
接着，在第一电极层和裸露的第二钝化层上形成第三钝化层，用以对其下的各层膜起保护及绝缘作用。
最后，在第三钝化层上形成第二电极层。
其中，当像素电极层223作为第一电极层，公共电极层225作为第二电极层时，薄膜晶体管的源极通过贯通平坦层219、第一钝化层220、触控信号层221和第二钝化层222的过孔与像素电极层223连通；触控信号层通过贯通第二钝化层和第三钝化层的过孔与所述公共电极层连通。当公共电极层作为第一电极层，像素电极层作为第二电极层时，薄膜晶体管的源极通过贯通平坦层、第一钝化层、触控信号层、第二钝化层、第一电极层(即公共电极层)和第三钝化层的过孔与第二电极层(即像素电极层)连通；触控信号层通过贯通第二钝化层的过孔与公共电极层连通。
根据本发明的另一方面，还提供了一种采用以上所述的阵列基板的液晶显示面板。如图2a和2b所示，该液晶显示面板还包括与阵列基板对应的彩膜基板，该彩膜基板包括在基板226上形成的黑色矩阵层227、在黑色矩阵层227和裸露的基板226上形成的红色阻层228和绿色阻层229、在红色阻层228和绿色阻层229上形成的平坦层230、在平坦层230上形成的主隔垫物231和辅隔垫物232，还包括阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子230。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。