光掩模及图案形成方法.pdf

上传人:e2 文档编号:639244 上传时间:2018-02-28 格式:PDF 页数:23 大小:1.07MB
返回 下载 相关 举报
摘要
申请专利号:

CN200410084972.X

申请日:

2004.10.08

公开号:

CN1605936A

公开日:

2005.04.13

当前法律状态:

终止

有效性:

无权

法律详情:

未缴年费专利权终止IPC(主分类):G03F 1/08申请日:20041008授权公告日:20080716终止日期:20131008|||授权|||实质审查的生效|||公开

IPC分类号:

G03F1/08; G03F7/20

主分类号:

G03F1/08; G03F7/20

申请人:

松下电器产业株式会社;

发明人:

野田研二; 桥本伸

地址:

日本大阪府

优先权:

2003.10.06 JP 346832/2003

专利代理机构:

中科专利商标代理有限责任公司

代理人:

汪惠民

PDF下载: PDF下载
内容摘要

本发明公开了一种光掩模、及图案形成方法。本发明的目的在于:提供一种光掩模,该光掩模能够形成较好再现的相互交叉或者合流的多个狭缝图案。光掩模,在透过性衬底上,包括:彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状第1遮光部分110a、与第1遮光部分110a邻接形成的第3遮光部分110c、以及被第1遮光部分110a和第3遮光部分110c包围形成的狭缝状第1透光部分。第3遮光部分110c,以包含距3个以上的所述第1遮光部分110a的距离相同的点的形式形成。通过使用本光掩模,能够用同一个工序形成连接孔图案、和蜂窝状连接孔图案。

权利要求书

1、  一种图案形成方法,其特征在于:
包括:中间通过光掩模对一抗蚀膜照射曝光的光的工序、以及通过将照射了所述曝光的光的所述抗蚀膜显像来形成抗蚀图案的工序,其中,该抗蚀图案具有以相互交叉或者合流的形式形成的多个狭缝图案;
所述照射曝光的光的工序,为中间通过所述光掩模照射所述曝光的光的工序,其中,所述光掩模在透光性衬底上,包括:对所述曝光的光具有透光性的、与平面设置中的所述多个狭缝图案的形状相同的第1透光部分,对所述曝光的光具有遮光性的、被所述第1透光部分包围形成的第1遮光部分,以及以包含所述第1透光部分相互交叉或者合流的点的形式形成在所述第1透光部分的第2遮光部分。

2、
  根据权利要求1所述的图案形成方法,其特征在于:
在所述光掩模上,形成拥有第1开口率的第1区域、及拥有比所述第1开口率高的第2开口率的第2区域;
所述照射曝光的光的工序,包含对所述第1区域、及所述第2区域同时照射所述曝光的光的工序。

3、
  根据权利要求2所述的图案形成方法,其特征在于:
在所述第1区域上,形成被第3遮光部分包围的孔状第2透光部分,其中,第3遮光部分对所述曝光的光具有遮光性;
在所述第2区域上,形成所述第1透光部分、所述第1遮光部分及所述第2遮光部分。

4、
  一种光掩模,其特征在于:
在透光性衬底上,包括:对曝光的光具有遮光性的、彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状第1遮光部分,对所述曝光的光具有遮光性的、与所述第1遮光部分邻接形成的第2遮光部分,以及对所述曝光的光具有透光性的、被所述第1遮光部分和所述第2遮光部分包围形成的狭缝状第1透光部分;
所述第2遮光部分,以包含距所述3个以上的所述第1遮光部分的距离相同的点的形式形成。

5、
  根据权利要求4所述的光掩模,其特征在于:
所述第1遮光部分的形状,为正多角形。

6、
  根据权利要求4所述的光掩模,其特征在于:
所述透光性衬底,具有:拥有第1开口率的第1区域、及拥有比所述第1开口率高的第2开口率的第2区域。

7、
  根据权利要求4所述的光掩模,其特征在于:
在所述第1区域上,形成被第3遮光部分包围的孔状第2透光部分,其中,第3遮光部分对所述曝光的光具有遮光性;
在所述第2区域上,形成所述第1透光部分、所述第1遮光部分及所述第2遮光部分。

8、
  一种图案形成方法,其特征在于:
包括:中间通过光掩模对一抗蚀膜照射曝光的光的工序、以及通过将照射了所述曝光的光的所述抗蚀膜显像,来形成具有彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状图案的抗蚀图案的工序;
所述照射曝光的光的工序,为中间通过所述光掩模照射所述曝光的光的工序,其中,所述光掩模在透光性衬底上,包括:对所述曝光的光具有遮光性的、与平面设置中的所述3个以上的叠片状图案的形状相同的第1遮光部分,对所述曝光的光具有遮光性的、与所述第1遮光部分邻接形成的第2遮光部分,以及对所述曝光的光具有透光性的、被所述第1遮光部分和所述第2遮光部分包围形成的狭缝状第1透光部分;
所述第2遮光部分,以包含距所述3个以上的所述第1遮光部分的距离相同的点的形式形成。

9、
  根据权利要求8所述的图案形成方法,其特征在于:
所述第1遮光部分的形状,为正多角形。

10、
  根据权利要求8所述的图案形成方法,其特征在于:
所述透光性衬底,具有:拥有第1开口率的第1区域、及拥有比所述第1开口率高的第2开口率的第2区域;
所述照射曝光的光的工序,包含对所述第1区域、和所述第2区域同时照射所述曝光的光的工序。

11、
  根据权利要求10所述的图案形成方法,其特征在于:
在所述第1区域上,形成被第3遮光部分包围的孔状第2透光部分,其中,第3遮光部分对所述曝光的光具有遮光性;
在所述第2区域上,形成所述第1透光部分、所述第1遮光部分及所述第2遮光部分。

说明书

光掩模及图案形成方法
技术领域
本发明涉及一种光掩模(photomask)、及使用该光掩模的图案形成方法,特别涉及一种用同一个工序形成连接孔图案、和相互交叉或者合流的多个狭缝图案的方法。
背景技术
在半导体衬底上形成的线图案或者狭缝图案,必须忠实于半导体电路的设计图案来形成。因此,在半导体衬底上,当形成具有难以忠实于设计图案形成的弯曲形状的抗蚀图案时,通常使用具备辅助遮光部分或者辅助透光部分的光掩模。
作为这种技术,例如,提出了专利文献1所示的以往的图案形成方法。
以下,参照图7(a)及图7(b)、图8(a)及图8(b)、以及图9(a)及图9(b),对使用具备辅助遮光部分或者辅助透光部分的光掩模的以往的图案形成方法加以说明。
图7(a)及图7(b)为表示设计图案的一个例子的平面图;图8(a)及图8(b)为表示以往的光抗蚀图案的平面图;图9(a)及图9(b)为表示以往使用辅助图案的中间掩模(reticule)图案的平面图。
如图7(a)及图7(b)所示,例如,在半导体装置的设计中,为了形成电路,在设计上使用图7(a)所示的线图案1a或者图7(b)所示的狭缝图案2a。当形成图7(a)所示的线图案1a时,使用将线图案1a占有的区域作为曝光时的遮光部分,同时将包围线图案1a的区域1b作为曝光时的透光部分的曝光掩模。并且,当形成图7(b)所示的狭缝图案2a时,使用将狭缝图案2a占有的区域作为曝光时的透光部分,同时将包围线图案2a的区域2b作为遮光部分的曝光掩模。
作为根据图7(a)或者图7(b)所示的设计图案,在半导体衬底上形成线图案或者狭缝图案的方法,有对光抗蚀膜进行制图的方法。
例如,当对正型光抗蚀膜进行制图时,如果分别使用转移了所述图7(a)所示的线图案1a的光掩模、及转移了所述图7(b)所示的狭缝图案2a的光掩模的话,则分别形成图8(a)所示的线图案5a、及图8(b)所示的狭缝图案6a。
具体地说,如图8(a)所示,如果对被除去了光抗蚀膜的区域5b围绕的为光抗蚀膜的残存部分的线图案5a,和表示图7(a)的线图案1a的轮廓的点线5c进行比较的话,很明显,在线图案5a中弯曲的部分周围,存在:在被点线5c围绕的区域内没有形成光抗蚀膜的区域、或者在被点线5c围绕的区域外形成光抗蚀膜的区域。
同样,如图8(b)所示,如果对被光抗蚀膜的残存部分6b围绕的为除去了光抗蚀膜的区域的狭缝图案6a、和表示图7(b)的狭缝图案2a的轮廓的点线6c进行比较的话,很明显,在狭缝图案6a中弯曲的部分周围,存在:在被点线6c围绕的区域内形成光抗蚀膜的区域、或者在被点线6c围绕的区域外没有形成光抗蚀膜的区域。
最好图8(a)及图8(b)所示的线图案5a、及狭缝图案6a,形成为与原来用点线5c及点线6c分别表示的线图案1a(参照图7(a))及狭缝图案2a(参照图7(b))的形状相同的形状。但是,如上所述,实际上线图案5a、及狭缝图案6a中弯曲的部分不能照线图案1a(参照图7(a))及狭缝图案2a(参照图7(b))的形状形成。
因此,随着图案的微小化,设计图案的形状、与根据设计图案形成的光抗蚀图案地形状不同的问题成为很大的问题。
所以,为了使设计图案的形状、与根据设计图案形成的光抗蚀图案的形状相同,在以往的图案形成方法中,使用在图案的角落部分追加辅助图案7c、7d、8c及8d的光掩模,如图9(a)及图9(b)所示。
具体地说,当为图9(a)所示的中间掩模图案时,在曝光时的透光部分7b形成的遮光部分7a的角落部分,设置有由曝光时的遮光部分构成的辅助图案7c、由曝光时的透光部分构成的辅助图案7d。同样,当为图9(b)所示的中间掩模图案时,在曝光时的遮光部分8b形成的透光部分8a的角落部分,设置有由曝光时的透光部分构成的辅助图案8c、由曝光时的遮光部分构成的辅助图案8d。这样一来,通过在图案的角落部分设置辅助图案7c、7d、8c、及8d,由于缓和了在图案的角落部分,曝光时光的迂回或者不进入的现象,故能够形成具有与设计图案的形状几乎相同的形状的光抗蚀图案。
但是,在形成连接孔图案的工序中,当在形成图10(a)所示的那样的连接孔图案的同时,形成图10(b)所示的那样的相互交叉或者合流且具有不超过所规定的宽度的多个狭缝图案时,为了形成连接孔图案,不得不使形成图案所需的光强度在整体上非常大。因此,如果使用由形成连接孔图案用的透光部分12a及遮光部分12b构成的光掩模,如图10(a)所示;和由形成相互交叉或者合流的多个狭缝图案用的透光部分12c及遮光部分12d构成的光掩模,如图10(b)所示,在同一个工序中进行图案形成的话,那么即使图10(a)所示的透光部分12a的一个边长、与图10(b)所示的透光部分12c的宽度大小相同,在图11(b)所示的光抗蚀13d形成的狭缝图案13c的宽度也大于在图11(a)所示的光抗蚀13b形成的连接孔图案13a的宽度。并且,在图11(b)所示的狭缝图案13c中的交叉或者合流的点附近的区域,大于图10(b)所示的透光部分12c的交叉或者合流的点附近的区域的原因,是因为在狭缝图案13c的交叉或者合流的点附近光的迂回变强之故。因此,很难用同一个工序形成连接孔图案、和相互交叉或者合流且具有在规定的范围内的宽度的多个狭缝图案。
发明内容
如上所鉴,本发明的目的在于:提供一种能够形成再现较好的相互交叉或者合流的多个狭缝图案的光掩模、及图案形成方法。并且,提供一种能够用同一个工序,形成连接孔图案和所述狭缝图案的光掩模、及图案形成方法。
为了解决所述课题,本发明所涉及的第1图案形成方法,包括:中间通过光掩模对一抗蚀膜照射曝光的光的工序;以及通过将照射了曝光的光的抗蚀膜显像,来形成具有以相互交叉或者合流形式形成的多个狭缝图案的抗蚀图案的工序。照射曝光的光的工序,为中间通过光掩模照射曝光的光的工序,其中,该光掩模在透光性衬底上,包括:对曝光的光具有透光性的、与平面设置中的多个狭缝图案的形状相同的第1透光部分;对曝光的光具有遮光性的、被第1透光部分包围形成的第1遮光部分;以及以包含第1透光部分相互交叉或者合流的点的形式形成在第1透光部分的第2遮光部分。
根据本发明的第1图案形成方法,由于使用在第1透光部分中的包含该第1透光部分交叉或者合流的点的区域、形成第2遮光部分的光掩模进行曝光,因此能够抑制所述交叉或者合流的点附近的曝光的光的光强度,所以能够形成照原样再现相互交叉或者合流的多个狭缝图案的抗蚀图案。具体地说,例如,如果使用没有设置第2遮光部分的光掩模的话,则由于在与距第1遮光部分的距离相互相等的点相对应的抗蚀膜上的区域附近所照射的曝光的光的光强度变强,因此例如在角落部分形成了带有圆形的狭缝图案,但根据本发明,由于在与抗蚀膜中照射了很强的光强度的曝光的光的区域相对应的光掩模上的区域,也就是,在包含第1透光部分相互交叉或者合流的点的区域,使用设置有第2遮光部分的光掩模,故如上所述,能够形成具有照原样再现的狭缝图案的抗蚀图案。另外,最好此时的第2遮光部分的宽度,具有在掩模图案检查中不被判定为不良掩模图案的宽度。
在本发明的第1图案形成方法中,最好在光掩模上,形成拥有第1开口率的第1区域、及拥有比第1开口率高的第2开口率的第2区域,照射曝光的光的工序,为对第1区域、和第2区域同时照射曝光的光的工序。
这样一来,即使将光掩模中开口率互不相同的区域同时曝光时,也能够用同一个工序忠实地形成拥有狭缝图案的抗蚀图案、以及拥有与该抗蚀图案的开口率不同的开口率的抗蚀图案。
在本发明的第1图案形成方法中,最好在第1区域上,形成被第3遮光部分包围的孔状第2透光部分,其中,第3遮光部分对曝光的光具有遮光性,在第2区域上,形成第1透光部分、第1遮光部分及第2遮光部分。
这样一来,能够在同一个工序中忠实地形成拥有狭缝图案的抗蚀图案、和拥有孔状图案的抗蚀图案。
本发明所涉及的光掩模的特征在于,在透光性衬底上,包括:对曝光的光具有遮光性的、彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状第1遮光部分;对曝光的光具有遮光性的、与第1遮光部分邻接形成的第2遮光部分;以及对曝光的光具有透光性的、被第1遮光部分和第2遮光部分包围形成的狭缝状第1透光部分。第2遮光部分,以包含距3个以上的第1遮光部分的距离相同的点的形式形成。
根据本发明所涉及的光掩模,由于设置有与第1遮光部分邻接且以包含距第1遮光部分的距离相同的点的形式形成的第2遮光部分,因此能够抑制在所述彼此相同的点附近的曝光的光的光强度,所以通过使用本光掩模进行曝光,能够形成照原样再现彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状图案的抗蚀图案。具体地说,例如,如果使用没有设置第2遮光部分的光掩模的话,则在与距第1遮光部分的距离彼此相等的点相对应的抗蚀膜上的区域附近所照射的曝光的光的光强度变强,因此难以照原样再现叠片状图案,但根据本发明,由于在与抗蚀膜中被照射了很强的光强度的曝光的光的区域相对应的光掩模上的区域,也就是,在包含距第1遮光部分的距离彼此相同的点的区域附近,设置有第2遮光部分,故如果使用本光掩模的话,如上所述,能够形成具有照原样再现的叠片状图案的抗蚀图案。另外,若为本光掩模的话,则在掩模图案检查中没有被判定为不良掩模图案的情况。
在本发明所涉及的光掩模中,最好第1遮光部分的形状为正多角形。
这样一来,能够照原样再现具有正多角形的叠片状图案的抗蚀图案。
在本发明所涉及的光掩模中,最好透光性衬底,具有:拥有第1开口率的第1区域、及拥有比第1开口率高的第2开口率的第2区域。
因此,即使使用拥有开口率互不相同的区域的光掩模,将开口率互不相同的区域同时曝光时,也能够用同一个工序忠实地形成拥有彼此间隔相同分开配置的3个以上的叠片状图案的抗蚀图案、和拥有与该抗蚀图案的开口率不同的开口率的抗蚀图案。
在本发明所涉及的光掩模中,最好在第1区域上,形成被第3遮光部分包围的孔状第2透光部分,其中,第3遮光部分对曝光的光具有遮光性,在第2区域上,形成第1透光部分、第1遮光部分及第2遮光部分。
这样一来,能够用同一个工序忠实地形成拥有彼此间隔相同分开配置的3个以上的叠片状图案的抗蚀图案、和拥有孔状图案的抗蚀图案。
本发明所涉及的第2图案形成方法的特征在于,包括:中间通过光掩模对一抗蚀膜照射曝光的光的工序;以及通过将照射了曝光的光的抗蚀膜显像,来形成拥有彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状图案的抗蚀图案的工序。照射曝光的光的工序,为中间通过所述光掩模照射所述曝光的光的工序,其中,所述光掩模在透光性衬底上,包括:对曝光的光具有遮光性的、与平面设置的3个以上的叠片状图案的形状相同的第1遮光部分;对曝光的光具有遮光性的、与第1遮光部分邻接形成的第2遮光部分;以及对曝光的光具有透光性的、被第1遮光部分和第2遮光部分包围形成的狭缝状第1透光部分。第2遮光部分,以包含距3个以上的第1遮光部分的距离相同的点的形式形成。
根据本发明所涉及的第2图案形成方法,由于使用设置有与第1遮光部分邻接且以包含距第1遮光部分的距离相同的点的形式形成的第2遮光部分的光掩模进行曝光,因此能够抑制在所述彼此相同的点附近的曝光的光的光强度,所以能够形成照原样再现彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状图案的抗蚀图案。具体地说,例如,如果使用没有设置第2遮光部分的光掩模的话,则在与距第1遮光部分的距离彼此相等的点相对应的抗蚀膜上的区域附近所照射的曝光的光的光强度变强,因此难以照原样再现叠片状图案,但根据本发明,由于在与抗蚀膜中被照射了很强的光强度的曝光的光的区域相对应的光掩模上的区域,也就是,在包含距第1遮光部分的距离彼此相同的点的区域附近,使用设置有第2遮光部分的光掩模,故如上所述,能够形成具有照原样再现的叠片状图案的抗蚀图案。
在本发明所涉及的第2图案形成方法中,最好第1遮光部分的形状为正多角形。
这样一来,能够照原样再现拥有正多角形的叠片状图案的抗蚀图案。
在本发明所涉及的第2图案形成方法中,最好透光性衬底,具有:拥有第1开口率的第1区域、及拥有比第1开口率高的第2开口率的第2区域。照射曝光的光的工序,为对第1区域、和第2区域同时照射曝光的光的工序。
这样一来,即使将光掩模中开口率互不相同的区域同时曝光时,也能够用同一个工序忠实地形成拥有彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状图案的抗蚀图案、以及拥有与该抗蚀图案的开口率不同的开口率的抗蚀
在本发明所涉及的第2图案形成方法中,最好在第1区域上,形成被第3遮光部分包围的孔状第2透光部分,其中,第3遮光部分对曝光的光具有遮光性,在第2区域上,形成第1透光部分、第1遮光部分及第2遮光部分。
这样一来,能够用同一个工序忠实地形成拥有彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状图案的抗蚀图案、以及拥有孔状图案的抗蚀图案。
(发明的效果)
根据本发明的第1图案形成方法,由于使用在第1透光部分中的包含该第1透光部分交叉或者合流的点的区域、形成第2遮光部分的光掩模进行曝光,因此能够抑制所述交叉或者合流的点附近的曝光的光的光强度,所以能够形成照原样再现相互交叉或者合流的多个狭缝图案的抗蚀图案。
根据本发明所涉及的光掩模,由于设置有与第1遮光部分邻接且以包含距第1遮光部分的距离彼此相同的点的形式形成的第2遮光部分,因此能够抑制在所述彼此相同的点附近的曝光的光的光强度,所以通过使用本光掩模进行曝光,能够形成照原样再现彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状图案的抗蚀图案。另外,若为本光掩模的话,则在掩模图案的检查中没有被判定为不良掩模图案的情况。
根据本发明所涉及的第2图案形成方法,由于使用设置有与第1遮光部分邻接且以包含距第1遮光部分的距离彼此相同的点的形式形成的第2遮光部分的光掩模进行曝光,因此能够抑制在所述彼此相同的点附近的曝光的光的光强度,所以能够形成照原样再现彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状图案的抗蚀图案。
附图的简单说明
图1为表示本发明的一实施例所涉及的抗蚀图案的形状的平面图。
图2为表示将本发明的一实施例所涉及的抗蚀图案中具有蜂窝状结构的图案的一部分放大的平面图。
图3为表示在本发明的一实施例中,使用具有与平面设置中图2所示的抗蚀图案的形状相同的形状的光掩模,形成的抗蚀图案的形状的平面图。
图4为表示在本发明的一实施例中,在平面设置中图2所示的抗蚀图
图4为表示在本发明的一实施例中,在平面设置中图2所示的抗蚀图案的形状上追加辅助图案的掩模图案的平面图。
图5为表示在本发明的一实施例中,用来形成图2所示的抗蚀图案的掩模图案的平面图。
图6为表示用来形成图1所示的抗蚀图案的光掩模的掩模图案的平面图。
图7(a)及图7(b)为表示以往例所涉及的设计图案的平面图,图7(a)表示以往例所涉及的线图案,图7(b)表示以往例所涉及的狭缝图案。
图8(a)及图8(b)为表示以往例所涉及的抗蚀图案的平面图,图8(a)表示以往例所涉及的线图案,图8(b)表示以往例所涉及的狭缝图案。
图9(a)及图9(b)为表示以往例所涉及的使用辅助图案的中间掩模图案的平面图,图9(a)表示以往例所涉及的追加了辅助图案的线图案,图9(b)表示以往例所涉及的追加了辅助图案的狭缝图案。
图10(a)及图10(b)为表示以往例所涉及的光掩模的平面图,图10(a)表示以往例所涉及的连接孔图案,图10(b)表示以往例所涉及的狭缝图案。
图11(a)及图11(b)表示分别使用图10(a)及图10(b)所示的光掩模而形成的以往例所涉及的抗蚀图案的平面图。
(符号的说明)
1a-线图案;1b-区域;2a-狭缝图案;2b-区域;5a-线图案;5b-除去了光抗蚀的区域;5c-设计上的线图案;6a-狭缝图案;6b-残存有光抗蚀的区域;6c-设计上的狭缝图案;7a-遮光部分;7b-透光部分;7c-辅助图案;7d-辅助图案;8a-透光部分;8b-遮光部分;8c-辅助图案;8d-辅助图案;12a-连接孔图案;12b-遮光部分;12c-透光部分;12d-遮光部分;13a-连接孔图案;13b-光抗蚀;13c-狭缝图案;13d-光抗蚀;100A-连接孔图案形成区域;100B-蜂窝状连接孔图案形成区域;101-抗蚀膜;102-第1开口部分;103a-第2开口部分;103b-叠片状图案;P1-顶点;C1-交点;N1-中心线;L1-交点C1距顶点P1的距离;L2-中心线N1距叠片状图案的距离;L3-辅助图案间的距离;110a-第1遮光部分;110b-第2遮光部分;110c-第3遮光部分;120-遮光部分;120a-第2透光部分;120b-第1透光部分。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的一实施例所涉及的图案形成方法加以说明。
图1为表示本发明的一实施例所涉及的抗蚀图案的结构的平面图。
如图1所示,在本发明的一实施例所涉及的抗蚀图案上,设置有连接孔图案形成区域100A、和具有蜂窝状结构的蜂窝状连接孔图案形成区域100B。也就是说,在没有图示的半导体衬底上形成的抗蚀膜101中的连接孔图案形成区域100A上,形成由在抗蚀膜101上开口而成的孔状第1开口部分102构成的连接孔图案;在抗蚀膜101中的蜂窝状连接孔图案形成区域100B上,形成由在抗蚀膜101上开口而成的蜂窝状第2开口部分103a构成的蜂窝状连接孔图案。另外,在蜂窝状连接孔图案上,存在多个六角形的叠片状图案103b。
在形成连接孔图案的连接孔图案形成区域100A中,使用的光掩模的掩模开口率大约为0%~5%,当构成连接孔图案的孔的一个边长低于0.30μm时,在曝光时需要很强的光强度。
而由于在形成蜂窝状连接孔图案的蜂窝状连接孔图案形成区域100B中,使用的光掩模的掩模开口率很高,大约为30%~70%,因此在曝光时不需要很强的光强度。
但是,当形成需要很强的光强度的连接孔图案的同时,也形成蜂窝状连接孔图案时,由于在蜂窝状连接孔图案形成区域100B中过度曝光,因此不能形成具有所希望的形状的蜂窝状连接孔图案。以下,参照图2对该点加以具体地说明。
图2为将图1所示的蜂窝状连接孔图案形成区域100B中的抗蚀图案的一部分放大的平面图。另外,在图2中,为了便于说明,在示出了邻接的六角形的叠片状图案103b间的中心线N1的同时,并且示出了中心线N1的交点C1距六角形的叠片状图案103b的顶点P1的距离L1、以及中心线N1距六角形的叠片状图案103b的距离L2。
图2表明,蜂窝状连接孔图案中拥有交点C1的部分附近的开口率大于蜂窝状连接孔图案中拥有距离L2的部分附近的开口率。并且,由于在强度非常高。所以,如果使用转移了与平面设置的图2所示的蜂窝状连接孔图案的形状相同的图案的掩模图案,来形成抗蚀图案的话,则形成拥有图3所示的平面形状的抗蚀图案。也就是说,图2所示的叠片状图案103b的顶点P1,如图3所示的那样变成了圆形,如图3所示,由于中心线N1的交点C1距叠片状图案103b的距离L1、和中心线N1距叠片状图案103b的距离L2的差变大,因此成为在光刻后的工序中产生不良现象的主要原因。
因此,尝试了使用具有图4所示的平面形状的掩模图案,来形成图2所示的抗蚀图案的方法。
图4所示的掩模图案,包括:形成在例如玻璃衬底等透光性衬底上的、形成六角形的叠片状图案103b(参照图2)用的第1遮光部分110a。为了缓和中心线的交点C1附近的光强度的、为辅助图案的第2遮光部分110b,被附加在第1遮光部分110a的六角形的顶点上。如果使用具有这种形状的掩模图案形成抗蚀图案的话,由于交点C1附近的光强度被缓和,因此能够抑制如图3所示的叠片状图案103b的六角形的顶点成为圆形的现象。
象这样,通过设置第2遮光部分110b,来缓和在交点C1附近的光的集中。
但是,由于在图4所示的掩模图案上附加了第2遮光部分110b,因此第2遮光部分110b间的距离L3与设计规格相比小了很多。所以,图4所示的掩模图案,在用来形成抗蚀图案的光掩模的掩模图案检查中,被判定为不良掩模图案
因此,进行了种种的研究的结果,表明:在本发明的一实施例所涉及的抗蚀图案的形成方法中,鉴于在中心线N1的交点C1附近集中有来自3个方向的曝光的光,如图5所示,所以通过将交点C1存在的区域遮光,同时使用具有用遮光部分将叠片状图案之间连接的掩模图案的光掩模,由于能够使交点C1附近的光强度缓和,因此能够形成图2所示的抗蚀图案。
图5为表示为了形成图2所示的蜂窝状连接孔图案103而使用的掩模图案的形状的平面图。
图5所示的掩模图案,包括:在形成六角形的叠片状图案103b(参照图2)时使用的六角形的第1遮光部分110a,还包括:包含中心线N1的交点C1的、同时向存在六角形的第1遮光部分110a的3个方向延伸且与六角形的第1遮光部分110a连接形成的叠片状第3遮光部分110c。
第3遮光部分110c;具有在掩模图案检查中不会被判定为不良掩模图案的宽度L4。并且,如图5所示,当为具有以120°角度相对的狭缝的蜂窝连接孔图案时,狭缝宽度L5为第3遮光部分110c的宽度L4的1.5倍~2.5倍。所以,由于图2中的交点C1附近的光强度被缓和,因此能够防止如图3所示的抗蚀图案的六角形的顶点成为圆形的现象,并且能够制作在用来形成抗蚀图案的掩模图案检查中不会被判定为不良掩模图案的掩模图案。
图6为表示为了形成图1所示的抗蚀图案所用的光掩模的图案形状的平面图。
图6所示的光掩模,在连接孔图案形成区域100A中,在遮光部分120形成为连接孔图案的第2透光部分120a,在蜂窝状连接孔图案形成区域100B上附加在图5中也表示过的第1遮光部分110a、及第3遮光部分110c,形成为第1透光部分120b的狭缝图案。通过使用该图6所示的光掩模,能够形成图1所示的抗蚀图案。
以上,以形成连接孔图案、同时形成具有蜂窝状结构的图案的情况,作为本发明的一实施例所涉及的图案形成方法的一个例子加以了说明,本发明并不限于形成具有蜂窝状结构的图案,对例如形成格子状排列的叠片状图案的情况也有效。
(产业上的利用可能性)
如上所述,本发明对在连接孔图案形成工序中,在形成连接孔图案的同时,形成具有交叉部分且具有在规定的范围内的宽度的狭缝图案的方法等有用。

光掩模及图案形成方法.pdf_第1页
第1页 / 共23页
光掩模及图案形成方法.pdf_第2页
第2页 / 共23页
光掩模及图案形成方法.pdf_第3页
第3页 / 共23页
点击查看更多>>
资源描述

《光掩模及图案形成方法.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《光掩模及图案形成方法.pdf(23页珍藏版)》请在专利查询网上搜索。

本发明公开了一种光掩模、及图案形成方法。本发明的目的在于:提供一种光掩模,该光掩模能够形成较好再现的相互交叉或者合流的多个狭缝图案。光掩模,在透过性衬底上,包括:彼此间隔相同分开设置的3个以上的叠片状第1遮光部分110a、与第1遮光部分110a邻接形成的第3遮光部分110c、以及被第1遮光部分110a和第3遮光部分110c包围形成的狭缝状第1透光部分。第3遮光部分110c,以包含距3个以上的所述第。

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 物理 > 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕


copyright@ 2017-2020 zhuanlichaxun.net网站版权所有
经营许可证编号:粤ICP备2021068784号-1