一种TFT阵列基板、液晶显示面板.pdf

本发明公开一种TFT阵列基板，该基板包括：形成于该基板的像素阵列，每一像素设有像素电极层和公共电极层，所述像素电极层上设置有像素电极，所述公共电极层上设置有第一公共电极和与第一公共电极相连接的第二公共电极；其中，第一公共电极位于像素区内，而第二公共电极位于相邻两像素之间，且第二公共电极在所述像素电极层上的投影，分别与该相邻的两像素电极部分重叠。所述像素还包括数据线，该数据线位于所述像素区内，数据线在所述的公共电极层上的投影与第二公共电极无重叠。通过本发明的技术方案，将相邻两像素电极之间设有第二公共电极，以保证在第二公共电极的电场线控制范围内的液晶分子不发生随意的偏转，从而避免漏光。

权利要求书
1.  一种TFT阵列基板，该基板包括：形成于该基板的像素阵列，每一像素设有像素电极层和公共电极层，所述像素电极层上设置有像素电极，所述公共电极层上设置有第一公共电极和与第一公共电极相连接的第二公共电极；其中，第一公共电极位于像素区内，而第二公共电极位于相邻两像素之间，且第二公共电极在所述像素电极层上的投影，分别与该相邻的两像素电极部分重叠。

2.  根据权利要求1所述的一种TFT阵列基板，其特征在于：所述像素还包括数据线，该数据线位于所述像素区内，数据线在所述的公共电极层上的投影与第二公共电极无重叠。

3.  一种液晶面板，包括：相对设置的彩膜基板和TFT阵列基板，以及设置于彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶层；所述彩膜基板包括形成于该基板的黑色矩阵；所述TFT阵列基板包括形成于该基板的像素阵列，每一像素设有像素电极层和公共电极层，所述像素电极层上设置有像素电极，所述公共电极层上设置有第一公共电极和与第一公共电极相连接的第二公共电极；其中，第一公共电极位于像素区内，而第二公共电极位于相邻两像素之间，且第二公共电极在所述像素电极层上的投影，分别与该相邻的两像素电极部分重叠；且所述的彩膜基板上的黑色矩阵在所述的公共电极层上的投影与第二公共电极完全重合或落入第二公共电极范围内。

4.  根据权利要求3所述的一种液晶面板，其特征在于：所述像素还包括数据线，该数据线位于所述像素区内，数据线在所述的公共电极层上的投影与第二公共电极无重叠。

说明书一种TFT阵列基板、液晶显示面板
技术领域
本发明涉及一种TFT阵列基板和一种包含该TFT阵列基板的液晶显示面板。
背景技术
近年来，平板显示器深受人们的青睐，对显示质量要求不断提高，液晶显示器的开口率是影响显示装置显示质量的重要因素之一，较低的开口率不仅影响画面的质量，也影响了显示装置的功耗。影响液晶显示装置开口率的因素有很多，其中原因之一就是Beating Mura(挤压色差)。当面板受到挤压的时候，就会发生彩膜基板(CF)和TFT基板的相对位移，错位后无法被彩膜基板的黑色矩阵(BM)遮挡的位置就会发生漏光，这种现象就是所谓的Beating Mura。
目前解决这种问题的做法是将彩膜基板的黑色矩阵(BM)延长，如图1所示，液晶显示面板包括对置的TFT基板10和彩膜基板20以及设于TFT基板和彩膜基板之间的液晶层30，所述彩膜基板包括多个色阻以及多个设置于所述色阻之间的黑色矩阵21，为保证上下基板在挤压错位的情况下，偏移的位置仍然处于BM的遮挡之，将黑色矩阵21延长，延长的黑色矩阵可以遮挡因彩膜基板(CF)和TFT基板的相对位移，错位位置处的漏光，来避免因挤压而发生的Beating Mura问题。但是，黑色矩阵的延长，将会导致BM与TFT基板的像素单元重叠部分增大，从而大幅降低像素开口率，从而影响显示画面的质量。
发明内容
为了解决Beating Mura的问题，同时确保液晶面板的高开口率，本发明提供一种TFT阵列基板，该基板包括：形成于该基板的像素阵列，每一像素设有像素电极层和公共电极层，所述像素电极层上设置有像素电极，所述公共电极层上设置有第一公共电极和与第一公共电极相连接的第二公共电极；其中，第一公共电极位于像素区内，而第二公共电极位于相邻两像素之间，且第二公共电极在所述像素电极层上的投影，分别与该相邻的两像素电极部分重叠。
进一步，所述像素还包括数据线，该数据线位于所述像素区内，数据线在所述的公共电极层上的投影与第二公共电极无重叠。
本发明还给出了一种液晶面板，包括：相对设置的彩膜基板和TFT阵列基板，以及设置于彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶层；所述彩膜基板包括形成于该基板的黑色矩阵；所述TFT阵列基板包括形成于该基板的像素阵列，每一像素设有像素电极层和公共电极层，所述像素电极层上设置有像素电极，所述公共电极层上设置有第一公共电极和与第一公共电极相连接的第二公共电极；其中，第一公共电极位于像素区内，而第二公共电极位于相邻两像素之间，且第二公共电极在所述像素电极层上的投影，分别与该相邻的两像素电极部分重叠；且所述的彩膜基板上的黑色矩阵在所述的公共电极层上的投影与第二公共电极完全重合或落入第二公共电极范围内。
进一步，所述像素还包括数据线，该数据线位于所述像素区内，数据线在所述的公共电极层上的投影与第二公共电极无重叠。
有益效果：通过本发明的技术方案，将相邻两像素电极之间设有第二公共电极，以保证在第二公共电极的电场线控制范围内的液晶分子不发生随意的偏转，从而避免漏光。同时，与彩膜基板上的黑色矩阵同时起到遮光作用，确保高开口率的情况下，有效地解决了Beating Mura问题。
附图说明
图1现有技术的液晶显示面板的示意图；
图2为本发明的液晶显示面板的示意图；
图3为本发明的TFT阵列基板公共电极层的剖面示意图；
图4为本发明的TFT阵列基板像素阵列的局部剖面示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
为了解决现有技术的问题，本发明给出一种液晶显示面板，如图2至4所示， 该面板包括：相对设置的上基板20和下基板10，以及设置于上基板和下基板之间的液晶层30。下基板10为TFT基板，上基板20为彩膜基板。所述彩膜基板包括多个色阻22、多个设置于所述色阻之间的黑色矩阵21，以及ITO电极层23。所述TFT基板包括：形成于该基板的像素阵列，每一像素包括依次形成于所述下基板的玻璃基板11上的公共电极层、栅极、栅极绝缘层13、TFT元件、源漏电极层14、钝化层15以及像素电极层16。
其中，所述像素电极层上设置有像素电极161，与该像素的TFT的漏极连接；公共电极层上设有第一公共电极121、第二公共电极122以及TFT的栅极123，该栅极线与像素阵列的扫描线相连接，第一公共电极和第二公共电极相连接；第一公共电极位于像素区内，而第二公共电极122位于相邻两像素之间，且第二公共电极在所述像素电极层上的投影，分别与相邻的两像素电极部分重叠，彩膜基板上的黑色矩阵21在所述的公共电极层上的投影与第二公共电极122完全重合或落入第二公共电极范围内。
在所述液晶面板中，由于在沿着光入射方向，相邻两像素电极之间设有公共电极，以保证在第二公共电极的电场线控制范围内的液晶分子不发生随意的偏转，从而避免漏光。同时，与彩膜基板上的黑色矩阵同时起到遮光作用，确保高开口率的情况下，有效地解决了Beating Mura问题。
TFT阵列基板还包括形成于源漏电极层14上的数据线141，该数据线位于像素区内，数据线在所述的公共电极层上的投影与第二公共电极无重叠，避免了数据线和第二公共电极两金属层之间的串扰问题；数据线与该像素的TFT的源极相连接；同时，设置在像素区内的数据线结构对比设置在像素之间的数据线结构，节省了空间，扩大了像素区。