改善移动终端性能的电路.pdf

本发明提供一种改善移动终端性能的电路，涉及移动终端技术领域，通过在非线性器件的非线性输出端并联长度为射频载波四分之一波长的(2N+1)倍的微带线，以使得该微带线对于射频基波呈现开路特性，而对于非线性器件产生的二次谐波则呈现短路特性，进而抑制射频电路中的二次谐波；而通过利用隔直电容将微带线接地，又能有效避免射频电路中的直流直接接地；另外，当本申请中的电路用于功放时，则还可利用上述大容量的隔直电容来有效的降低记忆效应，进而有效提高移动终端的性能。

权利要求书
1.  一种改善移动终端性能的电路，其特征在于，应用于包含直流成分的射频电路中，所述电路包括：
射频模块，具有非线性器件；
微带线，一端与所述非线性器件的非线性输出端连接，另一端通过隔直电容接地；以及
所述微带线的电长度L＝N×λ/2+λ/4，所述N为自然数，所述λ为所述射频电路的载波波长。

2.  如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述非线性器件为功放，所述微带线与所述功放的漏极连接。

3.  如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述功放的漏极还连接有漏极输出隔直电容，且所述漏极输出隔直电容与所述微带线并联。

4.  如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述隔直电容的容量大于所述漏极输出隔直电容的容量。

5.  如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述隔直电容的容值级别大于或等于μF级别。

6.  如权利要求1所述的电容，其特征在于，所述微带线的阻抗线宽为40～60Ω。

7.  如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述非线性器件为低噪声放大器，所述微带线与所述低噪声放大器的非线性输出端连接。

8.  如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述隔直电容为可变 电容。

说明书改善移动终端性能的电路
技术领域
本发明涉及移动终端技术领域，尤其涉及一种改善移动终端性能的电路。
背景技术
随着科技的进步和社会的发展，如手机等移动终端设备已经成为人们日常生活中的必需品，相应的对于移动终端设备的要求也越来越高。
但是，由于当前移动终端设备的射频模块中均需要设置有诸如功放、低噪声放大器等非线性器件，而这些非线性器件在工作中均会产生诸如二次谐波、或高次谐波等对系统工作产生不利影响的干扰信号，即当电流流经非线性器件时会与该非线性器件上所施加的电压呈现非线性的关系，就会形成非正弦电流，进而产生谐波，而谐波会对临近的信道产生干扰，从而会对系统产生诸如通信质量降低等不利影响，甚至过强的干扰导致信号无法被正常的解调。
另外，移动终端的通信设备中所使用的调制信号一般是具有峰均比的包络信号，其会给上述的功放(尤其是大功率功放)带来严重的记忆效应(在时域上可理解为过去特性对现在特性产生的影响)，且记忆效应会严重影响诸如功放等具有记忆特性的器件的运行指标。
对于当前移动终端设备上由于谐波及记忆效应等诸多因素造成的不利影响，业界主要是通过增加低通滤波器或者带通滤波器来对移动终端设备中产生的诸如二次谐波等干扰信号进行抑制，但这样会增加移动终端设备射频输出端的传输损耗，即对移动终端设备的功率和效率的要求均比较高，即对于谐波的抑制，尤其是针对包含直流成分模块中产生的二次谐波及记忆效应的抑制已经成为当前业界的难点。
发明内容
鉴于上述问题，本申请记载了一种改善移动终端谐波的电路，可应用于移动终端模块中包含直流成分的模块中，以用于抑制谐波及记忆效应，本申请的技术方案具体为：
一种改善移动终端性能的电路，可应用于包含直流成分的射频电路中，所述电路包括：
射频模块，具有非线性器件；
微带线，一端与所述非线性器件的非线性输出端连接，另一端通过隔直电容接地；以及
所述微带线的电长度L为N×λ/2+λ/4，所述N为自然数，所述λ为所述射频电路的载波波长。
作为一个优选的实施例，上述改善移动终端性能的电路中：
所述非线性器件为功放，所述微带线与所述功放的漏极连接。
作为一个优选的实施例，上述改善移动终端性能的电路中：
所述功放的漏极还连接有漏极输出隔直电容，且所述漏极输出隔 直电容与所述微带线并联。
作为一个优选的实施例，上述改善移动终端性能的电路中：
所述隔直电容的容量大于所述漏极输出隔直电容的容量。
作为一个优选的实施例，上述改善移动终端性能的电路中：
所述隔直电容的容值级别大于或等于μF级别。
作为一个优选的实施例，上述改善移动终端性能的电路中：
所述微带线的阻抗线宽为40～60Ω。
作为一个优选的实施例，上述改善移动终端性能的电路中：
所述非线性器件为低噪声放大器，所述微带线与所述低噪声放大器的非线性输出端连接。
作为一个优选的实施例，上述改善移动终端性能的电路中：
所述隔直电容为可变电容。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：
本申请中记载的改善移动终端性能的电路，通过在非线性器件的非线性输出端并联长度为射频载波四分之一波长的(2N+1)倍的微带线，以使得该微带线对于射频基波呈现开路特性，而对于非线性器件产生的二次谐波则呈现短路特性，进而抑制射频电路中的二次谐波；而通过利用隔直电容将微带线接地，又能有效避免射频电路中的直流直接接地；另外，当本申请中的电路用于功放时，则还可利用上述大容量的隔直电容来有效的降低记忆效应。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1为本申请实施例一中抑制低噪声放大器二次谐波电路的示意图；
图2为本申请实施例二中抑制功放记忆效应电路的示意图。
具体实施方式
本发明实施例中提供的改善移动终端性能的电路，可应用于移动终端射频模块中包含直流成分的电路中，以用于抑制非线性器件所产生的二次谐波及记忆效应，即通过利用一个大容值的对地电容串联用于抑制谐波信号的微带线连接至非线性器件的输出端，以实现对移动终端设备中的非线性器件进行二次谐波和/或记忆效应的抑制。
下面结合附图和具体实施例对本发明的像素阵列及包括该像素阵列的显示器件的制备方法进行详细说明。
实施例一
图1为本申请实施例一中抑制低噪声放大器二次谐波电路的示意图；如图1所示，本实施例中是利用改善移动终端性能的电路对低噪声放大器的二次谐波进行抑制，包括：
设置在移动终端设备的射频模块中的低噪声放大器LNA(需要注意的是，本实施例仅是以低噪声放大器为例进行说明，即该低噪声 放大器可置换为其他的非线性器件)。
微带线L1，该微带线L1的一端通过隔直电容C1(该隔直电容C1的容值可为μF级别及其以上的级别的电容，如该隔直电容C1可选为μF级别电容、mF级别电容或F级别电容等，具体可选该隔直电容C1的电容容值可大于1μF，但隔直电容具体的容值可根据实际电路的需求而设定，只要其能够起到对于微带线L1上流经的直流电起到隔离接地的效果即可)接地(GND)，而该微带线L1的另一端则与其他的设备D(如移动终端设备的射频模块中用于与上述的低噪声放大器连接以正常工作的设备)并联至低噪声放大器LNA的非线性输出端O。
进一步的，上述的微带线L1的电长度L可为N×λ/2+λ/4，N为自然数(该N的值可取0或正整数，优选的可通过将N取0来，即L＝λ/4来减小电路的尺寸)，λ为移动设备射频电路的载波波长，以用于抑制上述的低噪声放大器LNA在工作时所产生的二次谐波。
优选的，上述的微带线L1的阻抗线宽进而为40～60Ω(40Ω、45Ω、50Ω、55Ω或60Ω等)。
具体的，移动终端设备中的信号在经过上述的低噪声放大器LNA等非线性器件时，该低噪声放大器LNA会产生影响系统性能的二次谐波等非线性失真，而将串联接地的微带线L1及隔直电容C1连接至低噪声放大器LNA的非线性输出端时，由于微带线L1的电长度L为射频载波四分之一波长的(2N+1)倍，进而能够对射频模块中的基波呈现出阻抗无穷大的特性(即相当于开路)，而对二次谐波呈现 出阻抗为零的特性(即相当于短路)，所以上述的微带线L1及隔直电容C1在不对射频基波产生影响的前提下，能够有效的抑制非线性器件产生的二次谐波。
另外，由于微带线L1是通过隔直电容C1接地，当微带线L1上有直流电(即非线性器件所处的电路中包含有直流成分)时，流经微带线L1上的直流电会由于隔直电容C1的存在无法连通至地端GND，即隔直电容C1能够有效地阻隔射频电路中的直流成分经微带线L1接地，所以本实施例中的改善移动终端性能的电路可适用于对包含有直流成分的模块中进行二次谐波的抑制。
实施例二
图2为本申请实施例二中抑制功放记忆效应电路的示意图，如图2所示，本实施例中主要利用改善移动终端性能的电路对移动终端射频模块中的功放进行抑制，基于上述的实施例一的基础上(需要注意的是，实施例二中所记载的技术特征也可相应的适用于上述实施例一中)，本实施例二中的电路包括：
设置在移动终端设备的射频模块中的功放P，具有栅极端G和漏极端D(需要注意的是，本实施例仅是以功放为例进行说明，即该功放P也可置换为其他的具有记忆特性的非线性器件)。
微带线L1，该微带线L1的一端通过隔直电容C1(该隔直电容C1的容值可为μF级别及其以上的级别的电容，如该隔直电容C1可选为μF级别电容、mF级别电容或F级别电容等，具体可选该隔直 电容C1的电容容值可大于1μF，但隔直电容C1具体的容值可根据实际电路的需求而设定，只要其能够起到对于微带线L1上流经的直流电起到隔离接地且能够有效的对功放P产生的记忆效应进行抑制的效果即可)接地(GND)，而该微带线L1的另一端则与漏极输出隔直电容C2(即漏极输出隔直电容C2用于将功放P的漏极D输出的直流电进行隔离)并联至功放P的漏极D。
优选的，上述的微带线L1可临近功放P的漏极D输出根部设置(具体可根据实际电路需求而设定)，以提高其对记忆效效应的抑制效果。
进一步的，上述的微带线L1的电长度L可为N×λ/2+λ/4，N为自然数(该N的值可取0或正整数(如1、3、6、8等值))，λ为移动设备射频电路的载波波长，以用于抑制上述的低噪声放大器LNA在工作时所产生的二次谐波。
优选的，上述的微带线L1的阻抗线宽进而为40～60Ω(40Ω、46Ω、52Ω、58Ω或60Ω等)。
具体的，移动终端设备中的信号在经过上述的功放P等非线性器件时，该功放P会产生影响系统性能的二次谐波等非线性失真，而将串联接地的微带线L1及隔直电容C1连接至低噪声放大器LNA的非线性输出端时，由于微带线L1的电长度L为射频载波四分之一波长的(2N+1)倍，进而能够对射频模块中的基波呈现出阻抗无穷大的特性(即相当于开路)，而对二次谐波呈现出阻抗为零的特性(即相当于短路)，所以上述的微带线L1及隔直电容C1在不对射频基波产 生影响的前提下，能够有效的抑制非线性器件产生的二次谐波。
同时，由于微带线L1是通过隔直电容C1接地(GND)的，当微带线L1上有直流电(即非线性器件所处的电路中包含有直流成分)时，流经微带线L1上的直流电会由于隔直电容C1的存在无法连通至地端GND，即隔直电容C1能够有效地阻隔射频电路中的直流成分经微带线L1接地，所以本实施例中的改善移动终端性能的电路也可适用于对包含有直流成分的模块中进行二次谐波的抑制。
另外，微带线L1所连接的隔直电容C1具有较大容值(如容值级别大于或等于μF级别的电容)，能够有效的避免功放P在载波切换时由于电流变化大而导致供电电流不足所产生记忆效应(具体可通过改变隔直电容C1(如可变电容等)的大小来调整电路中的补偿电流，以实现对电路中记忆效应进行最佳的抑制效果)，即上述隔直电容C1能够存储大量的电荷，进而有效的消减在载波切换时电路中的电流变化，进而能够有效的改善功放P的记忆效应。
综上所述，本发明的上述实施例中，当本申请的改善移动终端性能的电路用于诸如低功率放大器或功放等非线性器件上时，其均能有效的抑制非线性器件所产生的二次谐波，同时也能对非线性器件中所流经的直流电有效的隔离，以使得其适用于包含有直流部分的电路模块中；同时，采用的大容值的隔直电容还能有效抑制的对具有记忆特性的非线性器件所产生的记忆效应，进而大大提高移动终端设备的性能。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正 无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。