阵列基板母板及其制作方法、掩膜板技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板母板及其制作方法、
掩膜板。
背景技术
TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具
有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越
多地被应用于高性能显示领域当中。
TFT-LCD主要由阵列基板、彩膜基板以及两基板之间的液晶层构
成，其中，阵列基板作为TFT-LCD的重要组成部分，其性能好坏能够
直接影响到TFT-LCD的显示效果，目前，在设计TFT-LCD各类产品的
过程中，需要对阵列基板母板上的每个阵列基板进行打码标识，以便
后续追溯产品状态，现有产线的打码工艺是在阵列基板母板上的TFT
图形制作完成后进行的，具体地，首先需要将阵列基板母板运送到打
码设备上，而后对其上的每个阵列基板逐次进行激光打码，然而，当
阵列基板母板上的阵列基板数量较多时，若采用上述的打码工艺，则
必然会导致生产时间的增加，从而降低生产效率。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是：如何解决现有的阵列基板母板制作
工艺中由于打码工艺造成生产效率不高的问题。
(二)技术方案
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种掩膜板，其
上设置有至少一个第一曝光区，每一个所述第一曝光区对应于阵列基
板母板上的一个阵列基板，所述掩膜板上还设置有第二曝光区，所述
第二曝光区用于在所述阵列基板母板上形成所述阵列基板的标识码。
优选地，所述掩膜板上设置有呈矩阵排布的多个所述第一曝光区，
每一个所述第一曝光区均设有与自身一一对应的第二曝光区。
优选地，每一个所述第二曝光区上设置有多个呈点状的透光区，
且所述多个呈点状的透光区呈矩阵排布。
优选地，每一个所述第二曝光区设置在对应的第一曝光区的周边
位置。
优选地，所述第一曝光区用于制作所述阵列基板的栅极的图形或
者源漏极的图形。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种阵列基板母板的制作
方法，包括：
在衬底基板上依次形成不透明薄膜和光刻胶层；
采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，所述掩膜板上设置有第一
曝光区和第二曝光区，其中，每一个所述第一曝光区对应于阵列基板
母板上的一个阵列基板，所述第二曝光区用于在所述阵列基板母板上
形成所述阵列基板的标识码；
进行显影和刻蚀工艺，从而在所述衬底基板上对应所述第一曝光
区的位置上形成所述阵列基板中的一种结构图形，在所述衬底基板对
应所述第二曝光区的位置上形成所述阵列基板的标识码。
优选地，所述掩膜板上设置有呈矩阵排布的多个所述第一曝光区，
每一个所述第一曝光区均设有与自身一一对应的第二曝光区，每一个
第二曝光区上设置有多个点状的透光区，且所述多个点状的透光区均
呈阵列排布，所述对所述光刻胶层进行曝光包括：
对于每一个第二曝光区对应的光刻胶区域，对所述第二曝光区中
的一部分数量的透光区对应的光刻胶曝光，而所述第二曝光区中的剩
余部分的透光区对应的光刻胶不曝光。
优选地，采用曝光装置对所述光刻胶层进行曝光，所述曝光装置
包括与所述掩膜板上第二曝光区一一对应的曝光探头，每一个曝光探
头包括与对应的第二曝光区中透光区一一对应的点光源，当所述曝光
探头位于其对应的第二曝光区上方时，通过控制其中每一个点光源的
开启或关闭从而使对应的第二曝光区中一部分数量的透光区对光刻胶
曝光，而剩余部分的透光区不对光刻胶曝光。
优选地，每一个所述第二曝光区设置在对应的第一曝光区的周边
位置。
优选地，所述结构图形为栅极的图形或者源漏极的图形。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种阵列基板母板，采用
上述的阵列基板母板的制作方法形成。
(三)有益效果
本发明提供的掩膜板，通过在其上增设用于制作标识码的第二曝
光区，使得在阵列基板母板上制作标识码的工艺可以与阵列基板的制
作工艺同时进行，从而能够大大减少阵列基板母板的制作时间，提高
生产效率。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的一种掩膜板的示意图；
图2是图1中的掩膜板上一个第二曝光区的示意图；
图3是本发明实施方式提供的一种制作标识码的示意图；
图4采用本发明提供的掩膜板进行曝光的示意图；
图5采用本发明提供的掩膜板得到的阵列基板母板的示意图；
图6图5中的阵列基板母板上一个标识码的放大示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细
描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明实施方式提供了一种掩膜板，其上设置有至少一个第一曝
光区，每一个所述第一曝光区对应于阵列基板母板上的一个阵列基板，
所述掩膜板上还设置有第二曝光区，所述第二曝光区用于在所述阵列
基板母板上形成所述阵列基板的标识码。
本发明实施方式提供的掩膜板，通过在其上增设用于制作标识码
的第二曝光区，使得在阵列基板母板上制作标识码的工艺可以与阵列
基板的制作工艺同时进行，从而能够大大减少阵列基板母板的制作时
间，提高生产效率。
参见图1，图1是本发明实施方式提供的一种掩膜板的示意图，该
掩膜板100上设置有呈矩阵排布的多个所述第一曝光区110，每一个第
一曝光区110用于形成阵列基板母板上一个阵列基板的一种结构图形，
在每一个所述第一曝光区110的周边位置还设有与自身一一对应的第
二曝光区120；
其中，掩膜板上的第一曝光区可以用于制作阵列基板中不透明的
结构图形，例如，该结构图形可以为由铜材料形成的栅极的图形或者
源漏极的图形，也可以为其他非透明的膜层图形，通过在掩膜板上增
设第二曝光区，在采用该掩膜板制作阵列基板母板时，不仅能够在衬
底基板上与第一曝光区对应的位置上形成每一个阵列基板的结构图
形，还可以同时在第二曝光区对应的位置上制作每一个阵列基板的标
识码；
具体地，可以通过在掩膜板上每一个第二曝光区中设置透光区，
通过该透光区，能够在上述阵列基板的结构图形制作完成后同时保留
衬底基板对应位置处的不透明薄膜，从而形成与透光区相同形状的图
案，因此，可以通过在掩膜板上第二曝光区中设置预设形状的透光区，
从而可以形成对应形状的图案作为标识码；
优选地，为了能够形成不同形状的标识码，如图2所示，每一个
所述第二曝光区120上设置有不透光区121以及多个呈点状的透光区
122，且所述多个呈点状的透光区122呈矩阵排布，在制作标识码的过
程中，对于每一个第二曝光区对应的所述光刻胶区域，对所述第二曝
光区中的一部分数量的透光区对应的光刻胶曝光，而所述第二曝光区
中的剩余部分的透光区对应的光刻胶不曝光，因此，可以选择一部分
数量的透光区进行曝光，而剩余部分的透光区不曝光，通过选择曝光
的透光区以构成所需的形状，从而可以制作对应形状的标识码，例如，
通过一个第二曝光区能够实现一个字符的打码。
本发明实施方式还提供了一种阵列基板母板的制作方法，该方法
包括：
S1：在衬底基板上依次形成不透明薄膜和光刻胶层；其中，该不
透明薄膜用于形成阵列基板中不透明的结构图形，例如，该结构图形
可以为由铜材料形成的栅极的图形或者源漏极的图形；
S2：采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，所述掩膜板上设置有
第一曝光区和第二曝光区，其中，每一个所述第一曝光区对应于阵列
基板母板上的一个阵列基板，所述第二曝光区用于在所述阵列基板母
板上形成所述阵列基板的标识码；
S3：进行显影和刻蚀工艺，从而在所述衬底基板上对应所述第一
曝光区的位置上形成所述阵列基板中的一种结构图形，在所述衬底基
板对应所述第二曝光区的位置上形成所述阵列基板的标识码。
优选地，本发明的阵列基板母板的制作方法可以采用上述图1中
的掩膜板，即掩膜板上设置有呈矩阵排布的多个所述第一曝光区，每
一个所述第一曝光区的周边位置均设有与自身一一对应的第二曝光
区，每一个第二曝光区上设置有多个点状的透光区，且所述多个点状
的透光区均呈阵列排布，其中，所述对所述光刻胶层进行曝光包括：
对于每一个第二曝光区对应的光刻胶区域，对所述第二曝光区中
的一部分数量的透光区对应的光刻胶曝光，而所述第二曝光区中的剩
余部分的透光区对应的光刻胶不曝光。
具体地，参见图3，首先在衬底基板200上依次形成不透明薄膜
210和光刻胶层220，并采用上述的掩膜板100及曝光装置300对光刻
胶层220进行曝光，其中，所述曝光装置300包括与所述掩膜板100
上第二曝光区120一一对应的曝光探头310，每一个曝光探头310包括
与对应的第二曝光区中透光区一一对应的点光源，当所述曝光探头位
于其对应的第二曝光区上方时，通过控制其中每一个点光源的开启或
关闭从而使对应的第二曝光区中一部分数量的透光区对光刻胶进行曝
光，而剩余部分的透光区不对光刻胶进行曝光；
具体地，在上述的曝光装置300中，每个探头对应一个第二曝光
区，用于形成阵列基板母板上一个阵列基板的标识码，每个探头的位
置可以根据不同的设计尺寸和坐标位置进行设置，光源通过光纤320
导入到该曝光装置中，通过控制每一个点光源的开关从而控制对应的
透光区的曝光，在每个探头到达掩膜板上对应的第二曝光区的正上方
后，根据程序设计可以在其正上方进行相应的阵列点照射，从而对相
应的位置进行准确曝光，形成相应的曝光图案；
其中，在采用上述掩膜板对上述的光刻胶层220进行曝光时，可
以对掩膜板上的第一曝光区和第二曝光区同时进行曝光，例如，可以
如图4所示，采用曝光扫描装置400对第一曝光区进行曝光，采用曝
光装置300对第二曝光区进行曝光，两者可以同步运动，也可以在不
同的控制下分别进行运动，例如，曝光装置300可以在曝光扫描装置
400前面同步进行运动，这样可以先于曝光扫描装置400到达掩膜板的
第二曝光区的正上方，根据程序设计控制每个点光源的开关，从而能
够构成所需的曝光图案，以得到对应形状的标识码；
通过上述方式，从而在光刻胶层220上形成相应的曝光点来组成
不同的字符，并使曝光扫描装置400同步运行，以完成第一曝光区的
曝光工艺，而后进行显影工序，再对不透明薄膜210进行刻蚀并将剩
余的光刻胶剥离，从而如图5所示在衬底基板210对应所述第一曝光
区的位置上形成阵列基板中的一种结构图形211，在衬底基板对应第二
曝光区的位置上形成阵列基板的标识码212，具体地，参见图6，图6
是图5中一个标识码212的放大示意图；
采用本发明中的掩膜板，通过一步操作就能实现阵列基板的TFT
图形曝光和产品标识码曝光，进而能够同时得到阵列基板的结构图形
和标识码，相比现有技术，能够大大减少产品制作时间，提高产品生
产效率。
此外，本发明实施方式还提供了一种阵列基板母板，其采用上述
的阵列基板母板的制作方法形成。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关
技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，
还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明
的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。