多晶硅薄膜的制造方法.pdf

一种多晶硅薄膜的制造方法，其是在基底上形成非晶硅层，再在非晶硅层上形成光学层，其中光学层具有不同厚度的第一厚度区域与第二厚度区域，且第一厚度区域对于准分子激光光的反射率大于第二厚度区域的反射率。然后，进行激光退火制程，在激光退火制程中，第一厚度区域下方的非晶硅层的温度小于第二厚度区域下方的非晶硅层的温度，并使第一厚度区域下方的非晶硅层未完全熔融，由于横向温度梯度的影响，其后以未完全熔融的非晶硅层为晶种进行结晶成长的步骤，以形成多晶硅层。其藉提高非晶硅层之间的横向温度梯度以诱导晶粒横向长晶，而能形成具有较大尺寸的晶粒；另能依据电子组件形状，在适当位置形成具有较大尺寸晶粒，甚至达到单一组件单晶化的功效。

1、  一种多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于该方法至少包括下列步骤：
提供一基底；
在该基底上形成一非晶硅层；
在该非晶硅层上形成一第一光学层，其中该第一光学层是由具有一第一厚度的一第一厚度区域与具有一第二厚度的一第二厚度区域所组成，且该第一厚度区域的反射率大于该第二厚度区域的反射率；
施加一激光能量于该非晶硅层，使得至少一部分该非晶硅层成为一熔融硅层，其中该激光能量至少有一部分是穿透过该第一光学层而到达该非晶硅层；以及
使该熔融硅层结晶化。

2、  根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其中所述的形成具有该第一厚度区域以及该第二厚度区域的该第一光学层的方法更包括下列步骤：
在该非晶硅层上形成一光学材料层，其中该光学材料层具有该第一厚度；
在该光学材料层上形成一图案化罩幕层；以及
以该图案化罩幕层为罩幕，针对未遮蔽区的该光学材料层进行蚀刻，使得未遮蔽区的该光学材料层具有该第二厚度，以形成具有该第一厚度区域与该第二厚度区域的该第一光学层。

3、  根据权利要求2所述的多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其中所述的蚀刻该光学材料层的方法包括非等向性蚀刻法。

4、  根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其中所述的熔融状态的硅层结晶化的步骤是藉由降低温度以形成结晶来完成。

5、  根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其中所述的第一光学层的材质包括选自氮化硅与氧化硅所组的族群的其中之一。

6、  根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其中更包括在该基底与该非晶硅层之间形成一绝缘层。

7、  根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其中所述的第一厚度区域的反射率概略等于该第一光学层所使用材质的最大反射率。

8、  根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其中所述的第二厚度层的反射率概略等于该第一光学层所使用材质的最小反射率。

9、  一种多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤：
提供一基底；
在该基底上形成一非晶硅层；
在该非晶硅层上形成具有一第一厚度的一第一光学层以及具有一第二厚度的一第二光学层，其中该第一光学层的反射率大于该第二光学层的反射率；
施加一激光能量于该非晶硅层，使得至少一部分该非晶硅层成为熔融状态的硅层，其中该激光能量至少有一部分是穿透过该第一光学层及该第二光学层而到达该非晶硅层；以及
使该熔融状态的硅层结晶化。

10、  根据权利要求9所述的多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其中所述的熔融状态的硅层结晶化的步骤是藉由降低温度以形成结晶来完成。

11、  根据权利要求9所述的多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其中所述的第一光学层及该第二光学层的材质包括选自氮化硅与氧化硅所组的族群的其中之一。

12、  根据权利要求9所述的多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其中更包括在该基底与该非晶硅层之间形成一绝缘层。

13、  根据权利要求9所述的多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其中所述的第一光学层的反射率概略等于该第一光学层所使用材质的最大反射率。

14、  根据权利要求9所述的多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其中所述的第二光学层的反射率概略等于该第二光学层所使用材质的最小反射率。

多晶硅薄膜的制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体器件领域多晶硅薄膜的制造方法，特别是涉及一种可用于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)中薄膜晶体管的多晶硅薄膜的制造方法。
背景技术
一般主动式阵列液晶显示器，因材质可以分为多晶硅薄膜晶体管以及非晶硅薄膜晶体管两种，其中多晶硅薄膜晶体管由于可以整合驱动电路，故可以提供较非晶硅薄膜晶体管为高的开口率及降低成本。此外，多晶硅薄膜因为其优于非晶硅薄膜的电气特性，亦可用来在玻璃基板上制造其它的电子组件。然而多晶硅薄膜晶体管技术被大力推崇的另一个原因是多晶硅薄膜晶体管能够大幅缩小组件尺寸，以达到高分辨率，一般要量产多晶硅薄膜晶体管液晶显示器，必须具有低温制造技术(约摄氏450至550度)、高品质的闸极绝缘膜的低温成膜技术以及大面积的离子布植技术三项要件。
基于玻璃基板的价格考量，而采用低温状态下进行薄膜的成长，故先是有固相结晶法(Solid Phase Crystallization，SPC)的引进，但其反应的温度仍偏高，反应温度约为摄氏600度且结晶性差，之后，则发展出将准分子激光(Excimer Laser)应用于上述低温薄膜结晶的准分子激光结晶化(Excimer Laser Crystallization，ELC)或是准分子激光退火(ExcimerLaser Annealing，ELA)制程，藉由使用激光对非晶硅薄膜进行扫描使其熔融，再重新结晶成为多晶硅薄膜。
请参阅图1A至图1B所示，是现有习知的一种多晶硅薄膜的制造流程图。
首先，请参阅图1A所示，提供一基底100，该基底100上依序形成有绝缘层102与非晶硅层104。接着在非晶硅层104上形成一层图案化的氮化硅层以作为抗反射层(Anti-Reflection Layer)106，以将非晶硅层104区隔为被抗反射层106遮蔽的遮蔽区130与非晶硅层104a，以及未被抗反射层106遮蔽的暴露区140与非晶硅层104b。
接着，利用足够能量的准分子激光108进行照射。此时由于抗反射层106能够增强准分子激光108的照射效能，因此遮蔽区130的非晶硅层104a其温度会高于暴露区140的非晶硅层104b，使得遮蔽区130的非晶硅层104a呈现完全熔融状态，而暴露区140的非晶硅层104b则未完全熔融。
接着，请参阅图1B所示，以非晶硅层104b未熔融的部分作为结晶位置(Nucleation Site)/晶种(Discrete Seeds)进行再结晶，因此多晶硅薄膜的结晶是由非晶硅层104b向非晶硅层104a横向成长(亦即是箭头110的方向)，并结晶形成多晶硅层112a与多晶硅层112b。
请参阅图2A至图2B所示，是现有习知的另一种多晶硅薄膜晶体管的制造方法的制造流程图。
首先，请参阅图2A所示，提供一基底200，该基底200上依序形成有绝缘层202与非晶硅层204。接着在非晶硅层204上形成一层图案化的氮化硅层以作为排热层(Heat Sink Layer)206，以将非晶硅层204区隔为被排热层206遮蔽的遮蔽区230与非晶硅层204a，以及未被排热层206遮蔽的暴露区240与非晶硅层204b。
接着，利用足够能量的准分子激光208进行照射。此时由于排热层206能够反射较多的准分子激光108的能量，并且快速吸收遮蔽区203的非晶硅层204a的热量，因此暴露区240的非晶硅层204b其温度会高于遮蔽区230的非晶硅层204a，使得暴露区240的非晶硅层204b呈现完全熔融的状态，而遮蔽区230的非晶硅层204a则未完全熔融。
接着，请参阅图2B所示，以非晶硅层204a未熔融的部分作为结晶位置/晶种进行再结晶，因此多晶硅薄膜的结晶是由非晶硅层204a向非晶硅层204b横向成长(亦即是箭头210的方向)，并结晶形成多晶硅层212a与多晶硅层212b。
上述抗反射层下方的非晶硅层104a-非晶硅层104b或是排热层下方的非晶硅层204a-非晶硅层204b此两种方法皆能使多晶硅薄膜横向成长，然而，此两种方法的非晶硅层之间的温度差异有其极限，使得所长出的晶粒大小受到此因素影响，所形成的晶粒大小亦受到限制。
由此可见，上述现有的多晶硅薄膜的制造方法仍存在有诸多缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决现有的多晶硅薄膜的制造方法的缺陷，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的多晶硅薄膜的制造方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及其专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种新的多晶硅薄膜的制造方法及其电子组件，能够改进一般现有的多晶硅薄膜的制造方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，克服上述现有的多晶硅薄膜的制造方法存在的缺陷，而提供一种新的多晶硅薄膜地制造方法，所要解决的主要技术问题是使其能够藉由提高非晶硅层之间的横向温度梯度以诱导晶粒横向长晶，而能够形成具有较大尺寸的晶粒。
本发明的另一目的在于，提供一种多晶硅薄膜的制造方法，所要解决的技术问题是使其能够藉由提高非晶硅层中特定区域之间的横向温度梯度，以诱导晶粒在适当的位置横向长晶，进而能够依据电子组件的形状，在适当的位置形成具有较大尺寸的晶粒，甚至达到单一组件单晶化的功效。
本发明的目的及解决其主要技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本发明提出的一种多晶硅薄膜的制造方法，该方法至少包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一非晶硅层；在该非晶硅层上形成一第一光学层，其中该第一光学层是由具有一第一厚度的一第一厚度区域与具有一第二厚度的一第二厚度区域所组成，且该第一厚度区域的反射率大于该第二厚度区域的反射率；施加一激光能量于该非晶硅层，使得至少一部分该非晶硅层成为一熔融硅层，其中该激光能量至少有一部分是穿透过该第一光学层而到达该非晶硅层；以及使该熔融硅层结晶化。
本发明的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的多晶硅薄膜的制造方法，其中所述的形成具有该第一厚度区域以及该第二厚度区域的该第一光学层的方法更包括下列步骤：在该非晶硅层上形成一光学材料层，其中该光学材料层具有该第一厚度；在该光学材料层上形成一图案化罩幕层；以及以该图案化罩幕层为罩幕，针对未遮蔽区的该光学材料层进行蚀刻，使得未遮蔽区的该光学材料层具有该第二厚度，以形成具有该第一厚度区域与该第二厚度区域的该第一光学层。
前述的多晶硅薄膜的制造方法，其中所述的蚀刻该光学材料层的方法包括非等向性蚀刻法。
前述的多晶硅薄膜的制造方法，其中所述的熔融状态的硅层结晶化的步骤是藉由降低温度以形成结晶来完成。
前述的多晶硅薄膜的制造方法，其中所述的第一光学层的材质包括选自氮化硅与氧化硅所组的族群的其中之一。
前述的多晶硅薄膜的制造方法，其中更包括在该基底与该非晶硅层之间形成一绝缘层。
前述的多晶硅薄膜的制造方法，其中所述的第一厚度区域的反射率概略等于该第一光学层所使用材质的最大反射率。
前述的多晶硅薄膜的制造方法，其中所述的第二厚度层的反射率概略等于该第一光学层所使用材质的最小反射率。
本发明的目的及解决其主要技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种多晶硅薄膜的制造方法，该方法包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一非晶硅层；在该非晶硅层上形成具有一第一厚度的一第一光学层以及具有一第二厚度的一第二光学层，其中该第一光学层的反射率大于该第二光学层的反射率；施加一激光能量于该非晶硅层，使得至少一部分该非晶硅层成为熔融状态的硅层，其中该激光能量至少有一部分是穿透过该第一光学层及该第二光学层而到达该非晶硅层；以及使该熔融状态的硅层结晶化。
本发明的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的多晶硅薄膜的制造方法，其中所述的熔融状态的硅层结晶化的步骤是藉由降低温度以形成结晶来完成。
前述的多晶硅薄膜的制造方法，其中所述的第一光学层及该第二光学层的材质包括选自氮化硅与氧化硅所组的族群的其中之一。
前述的多晶硅薄膜的制造方法，其中更包括在该基底与该非晶硅层之间形成一绝缘层。
前述的多晶硅薄膜的制造方法，其中所述的第一光学层的反射率概略等于该第一光学层所使用材质的最大反射率。
前述的多晶硅薄膜的制造方法，其中所述的第二光学层的反射率概略等于该第二光学层所使用材质的最小反射率。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下：
本发明提出一种多晶硅薄膜的制造方法，该方法是在基底上形成非晶硅层，再在非晶硅层上形成光学层，其中光学层具有不同厚度的第一厚度区域与第二厚度区域，且第一厚度区域的反射率大于第二厚度区域的反射率。然后，进行激光退火制程，在激光退火制程中，第一厚度区域下方的非晶硅层的温度小于第二厚度区域下方的非晶硅层的温度，并使第一厚度区域下方的非晶硅层未完全熔融。在后续结晶化步骤中，由于横向温度梯度的原因，熔融态的硅层会以未完全熔融的非晶硅层为晶种，进行横向结晶成长，而形成一多晶硅层。
如上所述，由于本发明是在同一非晶硅层上同时形成有排热层与抗反射层，因此在进行准激光退火制程时，能够使抗反射区下方的非晶硅层与排热区排热层下方的非晶硅层具有更大的温度差异，而利于诱导多晶硅薄膜的横向长晶，以使多晶硅薄膜能够长出更大颗粒且颗粒均匀的晶粒，并具备良好的组件特性。
综上所述，本发明特殊的多晶硅薄膜的制造方法，藉由提高非晶硅层之间的横向温度梯度以诱导晶粒横向长晶，而能够形成具有较大尺寸的晶粒；另其能够藉由提高非晶硅层中特定区域之间的横向温度梯度，以诱导晶粒在适当的位置横向长晶，进而能依据电子组件的形状，在适当的位置形成具有较大尺寸的晶粒，甚至达到单一组件单晶化的功效。其具有上述诸多优点，在制造方法上确属创新，在功能上亦有较大改进，较现有的多晶硅薄膜的制造方法具有增进的多项功效，且在技术上有较大进步，而具有产业广泛利用价值，从而更加适于实用，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
图1A至图1B是现有习知的一种多晶硅薄膜晶体管的制造方法的制造流程图。
图2A至图2B是现有习知的另一种多晶硅薄膜晶体管的制造方法的制造流程图。
图3A至图3E是依照本发明一较佳实施例的多晶硅薄膜的制造方法的制造流程图。
图4是氮化硅的厚度对反射率的变化示意图。
图5是排热层下方的非晶硅层的未熔融部分与抗反射层下方的非晶硅层的熔融部分之间的温度梯度分布图。
图6是依照本发明一较佳实施例的多晶硅薄膜的制造方法，用以制造适用于多晶硅薄膜晶体管的通道多晶硅薄膜的示意图。
图7是应用图6所形成的多晶硅薄膜作为通道层的多晶硅薄膜晶体管的示意图。
100、200、300：基底                  102、202、302、328：绝缘层
104、104a、104b：非晶硅层            204、204a、204b：非晶硅层
304、304a、304b：非晶硅层            106、306a、322：抗反射层
108、208：准分子激光(雷射)           110、210：箭头(结晶方向)
310、323：箭头(结晶方向)             112a、112b：多晶硅层
312a、312b、324、326：多晶硅层       130、230：暴露区
140、240：遮蔽区                     206、306b、320：排热层
306：光学层                          314：罩幕层
308：激光(雷射)退火制程              330：闸极导电层
332：介电层                          334：源极/汲极接触窗
430：排热区                          440：抗反射区
D1、D2：厚度
以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的多晶硅薄膜的制造方法及其电子组件其具体制造方法、步骤、结构、特征及其功效，详细说明如后。
请参阅图3A至图3E所示，是依照本发明一较佳实施例的多晶硅薄膜的制造方法的制造流程图。
首先请先参阅图3A所示，本发明多晶硅薄膜的制造方法，是提供一基底300，该基底300例如为硅晶圆、玻璃基板或是塑料基板，在基板300上形成一绝缘层302，该绝缘层302的材质例如是二氧化硅，形成的方式例如是以低压化学气相沈积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)法、电浆增强型化学气相沈积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)法或是溅镀(Sputter)的方式，在基底300上形成一层二氧化硅层，且该绝缘层302的厚度例如是500-4000埃左右。接着，再在绝缘层302上形成一层非晶硅层304，该非晶硅层304例如以低压化学气相沈积法、电浆增强型化学气相沈积法或是以溅镀的方式形成，且该非晶硅层的厚度例如是200-3000埃左右。
接着，请参阅图3B所示，在非晶硅层304上形成一层光学层306，其中该光学层306的材质是能够依照材质的厚度变化，而使光学层306具有不同的反射率，且具有高热传导率的材质，例如是氮化硅。形成该光学层306的方法例如是以硅烷(SiH₄)与氨(NH₃)为反应气体源的化学气相沈积法所形成。并且该光学层306具有一厚度D1，其中该厚度例如是10nm至2μm左右，该厚度D1例如是具有该光学层306所使用材质的最大反射率，适于作为后续激光退火制程的排热层。然后，在光学层306上形成图案化的罩幕层314，其中该罩幕层314的材质例如是光阻，形成该图案化的罩幕层314的方法例如是在光学层306上旋涂一层光阻层，再经曝光显影制程以形成图案化的罩幕层314。
接着，请参阅图3C所示，以罩幕层314为罩幕，去除部分的光学层306至剩下预定的厚度D2为止，其中去除部分光学层306的方法例如是使用非等向性蚀刻法，且厚度为D2的光学层例如是具有该光学层306所使用材质的最小反射率，而适于作为后续激光退火制程的抗反射层。
因此，藉由上述去除部分光学层306的步骤，能够将光学层306分为厚度为D1的排热层306b与厚度为D2的抗反射层306a，并使非晶硅层304区分为排热区430的非晶硅层304b与抗反射区440的非晶硅层304a。
接着，请参阅图3D所示，去除图案化的罩幕层314，并对非晶硅层304进行一激光退火制程308，其中该激光退火制程308例如是利用准分子激光对非晶硅层304a与304b进行照射，以使位于抗反射区440的非晶硅层304a呈现完全熔融状态，而位于排热区430的非晶硅层304b仅部分厚度被熔融。
由于在进行激光退火制程308时，在非晶硅层304上是同时形成有排热层306b与抗反射层306a，因此能够使抗反射区440下方的非晶硅层304a与排热区430下方的非晶硅层304b具有更大的温度差异，而利于诱导多晶硅薄膜的横向长晶。
最后，请参阅图3E所示，进行结晶成长的步骤，其中非晶硅层304b未熔融的部分是用以作为结晶位置/晶种，并以箭头310所示的水平方向横向长晶以形成多晶硅层312a，并在同时使排热区430的非晶硅层304b形成多晶硅层312b。其中抗反射区440的多晶硅层318a将具有较大颗粒的晶粒与具有较佳的组件特性。藉由控制排热层306b与抗反射层306a的位置与图案，即可在特定的位置，制造出特定长晶方向的大颗粒硅晶。
请参阅图4所示，是氮化硅的厚度对反射率的变化示意图。由图4中可知，氮化硅材质对准分子激光的反射率是随着氮化硅层的厚度呈周期性的震荡变化。因此，如图4所示，指定反射率最高的一预定厚度(例如是图4中的D1)形成于非晶硅层上，则能够作为排热层以反射大部分准分子激光的激光光，并吸收位于其下方的非晶硅层的热量。并且，指定反射率最低的一预定厚度(例如是图4中的D2)，并形成于非晶硅层上，则能够作为抗反射层使用，以增强准分子激光的激光光对抗反射层下方的非晶硅层的照射效率。
并且，虽然在本发明较佳实施例中所例举的光学层是使用氮化硅，然而本发明并不限定于此，而能够使用具有如同上述特性的材质例如是四乙基-邻-硅酸酯(Tetraethylorthosilicate，TEOS)的氧化硅，或其它热传导性质良好的材料作为光学层。
尚且，虽然在上述较佳实施例中未绘示，然而本发明亦可以在基底300与绝缘层302之间形成一层与绝缘层302不同材质的绝缘层例如是氮化硅，以作为基底300的缓冲保护层。
请参阅图5所示，是排热层下方的非晶硅层的未熔融部分与抗反射层下方的非晶硅层的熔融部分之间的温度梯度分布图。由于排热层306b下方的非晶硅层304b仅部分厚度被熔融，而剩下未熔融的非晶硅部分相对于抗反射层306a下方的非晶硅层304a的熔融部分，两者之间具有一差距相当大的温度差，由于两者之间的温度差，会出现一温度梯度的分布，如图5所示，该温度梯度的分布以及上述水平方向的长晶步骤，可以结晶出较大的晶粒以及较均匀的颗粒大小，对于薄膜晶体管组件的特性有所增进。并且该温度梯度将会大于现有习知的仅采用抗反射层或仅采用排热层两种方法的温度梯度，因此本发明能够提升多晶硅薄膜横向长晶的能力，以得到更大颗粒尺寸的晶粒。
请参阅图6所示，是依照本发明一较佳实施例的多晶硅薄膜的制造方法，用以制造适用于多晶硅薄膜晶体管的通道多晶硅薄膜的示意图。如图6所示，如将设置于非晶硅层304之上的光学层306经由蚀刻制程以形成两侧为排热层320，中间为抗反射层322的型态，则非晶硅层经由激光退火制程后，会由两侧的排热层320下方的非晶硅层向中央横向长晶(亦即是箭头323的方向)，其结果为形成于抗反射层322下方的多晶硅层324会具有较大的晶粒与较佳的组件特性，而能够作为多晶硅薄膜晶体管的通道层，两侧的多晶硅层326(位于排热层320下方)经掺杂后则能够作为源极/汲极区。此外，藉由安排长晶方向平行于电流传导方向，使得电子组件中多晶硅层的晶粒接口平行于电流传导方向，可以降低晶粒接口对于电气特性的不良影响。
接着，请参阅图7所示，是接续图6所形成的多晶硅薄膜以形成顶闸极式多晶硅薄膜晶体管(Top Gate Poly-Si TFT)的示意图。首先在通道区层(多晶硅层324)上形成绝缘层328，之后再在绝缘层328上形成闸极导电层330，形成闸极导电层330之后再在基底300上形成介电层332以覆盖于整个组件上，最后再形成源极/汲极(亦即是经由掺杂的多晶硅层326)接触窗334(S/D contact)，即完成薄膜晶体管的制作。
如上所述，由于本发明是在同一非晶硅层上同时形成有排热层与抗反射层，因此在进行准非子激光的激光退火制程时，排热层会反射激光光并吸收非晶硅层的能量，且抗反射层能增加激光光照射效率，因此能够使抗反射区下方的非晶硅层与排热区下方的非晶硅层具有更大的温度差异，而利于诱导多晶硅薄膜的横向长晶，以使多晶硅薄膜能够长出更大颗粒且颗粒均匀的晶粒，并具备良好的组件特性。藉由控制排热层与抗反射层的位置与图案，即可在特定的位置，制造出特定长晶方向的大颗粒硅晶。
虽然本发明已以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，例如抗反射层与排热层并不限定于只有一种厚度，藉由多重厚度的抗反射层与排热层，可以更为精确的控制横向温度梯度，进而控制结晶的品质及大小；排热层与抗反射层之间亦可插入一段暴露区，形成3个温度区域。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案范围内。