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1、10申请公布号CN104216217A43申请公布日20141217CN104216217A21申请号201410388945522申请日20140808G03F1/8220120171申请人湖南普照信息材料有限公司地址410205湖南省长沙市岳麓区麓枫路40号申请人湖南电子信息产业集团有限公司72发明人徐根周志刚陈社城74专利代理机构深圳华奇信诺专利代理事务所普通合伙44328代理人黄鸿华54发明名称光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法57摘要本发明提供一种光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法。所述光掩膜基板胶膜层的返工方法包括将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为410的氢氧化钠溶液中浸泡多次，。
2、去除所述光掩膜基板的胶膜层；用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；用异丙醇胺溶液漂洗经纯水漂洗后的光掩膜基板；采用异丙醇胺蒸汽进行干燥，所述异丙醇胺蒸汽温度控制在4570。所述光掩膜基板铬膜层的返工方法包括将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为410的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；将所述光掩膜基板放入设定配比的硝酸铈铵和纯水的混合溶液中浸泡，去除所述光掩膜基板的铬膜层。51INTCL权利要求书2页说明书5页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书5页10申请公布号CN104216217ACN104216217A1。
3、/2页21一种光掩膜基板胶膜层的返工方法，其中，所述光掩膜基板包括玻璃基板和依次叠置在所述玻璃基板上的铬膜层、胶膜层，其特征在于，所述光掩膜基板胶膜层的返工方法包括步骤11将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为410的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；步骤12用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；步骤13用异丙醇胺溶液漂洗经纯水漂洗后的光掩膜基板；步骤14采用异丙醇胺蒸汽进行干燥，所述异丙醇胺蒸汽温度控制在4570。2根据权利要求1所述的光掩膜基板胶膜层的返工方法，其特征在于，在步骤11中，待返工的所述光掩膜基板用氢氧化钠溶液浸泡两次，其中，第一次用质量百分比为810的氢氧化钠溶。
4、液浸泡10分钟以上，第二次用质量百分比为45的氢氧化钠溶液浸泡510分钟。3根据权利要求1所述的光掩膜基板胶膜层的返工方法，其特征在于，所述光掩膜基板胶膜层的返工方法还包括步骤15在强光灯下检查所述铬膜层上的胶膜层是否清除干净，若是，则在所述铬膜层上进行匀胶，若否，则重新执行步骤11至步骤14。4根据权利要求3所述的光掩膜基板胶膜层的返工方法，其特征在于，在步骤15中，所述强光灯的强度为1015万勒克斯。5一种光掩膜基板铬膜层的返工方法，其中，所述光掩膜基板包括玻璃基板和依次叠置在所述玻璃基板上的铬膜层、胶膜层，其特征在于，所述光掩膜基板铬膜层的返工方法包括步骤21将待返工的光掩膜基板置于质量。
5、百分比为410的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；步骤22用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；步骤23将所述光掩膜基板放入设定配比的硝酸铈铵和纯水的混合溶液中浸泡，去除所述光掩膜基板的铬膜层，剩下玻璃基板；步骤24将所述玻璃基板置于纯水中浸泡；步骤25将所述玻璃基板置于温水中采用温水慢抽拉的方式进行清洗，并干燥。6根据权利要求5所述的光掩膜基板铬膜层的返工方法，其特征在于，所述光掩膜基板铬膜层的返工方法还包括步骤26在强光灯下检查所述玻璃基板上的铬膜层是否清除干净，若是，则在所述玻璃基板上进行镀铬和匀胶，若否，则重新执行步骤23至步骤25。7根据权利要求5所述的光掩膜基板铬膜。
6、层的返工方法，其特征在于，在步骤21中，待返工的所述光掩膜基板用氢氧化钠溶液浸泡两次，其中，第一次用质量百分比为810的氢氧化钠溶液浸泡10分钟以上，第二次用质量百分比为45的氢氧化钠溶液浸泡510分钟。8根据权利要求5所述的光掩膜基板铬膜层的返工方法，其特征在于，在步骤23中，所述混合液中硝酸铈铵、纯水的质量比为136。9根据权利要求5所述的光掩膜基板铬膜层的返工方法，其特征在于，在步骤25中，所权利要求书CN104216217A2/2页3述温水的温度控制在6070。10根据权利要求6所述的光掩膜基板铬膜层的返工方法，其特征在于，在步骤26中，所述强光灯的强度为1015万勒克斯。权利要求书C。
7、N104216217A1/5页4光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法技术领域0001本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法。背景技术0002光掩膜基板是集成电路及芯片制造过程中一种非常重要的基础性材料，其制备过程为首先通过反应磁控溅射或真空蒸发等方式在玻璃基片表面镀铬形成铬膜层，然后在铬膜层上涂上相应的光刻胶形成胶膜层，再经过显影、曝光等一系列的光刻处理即制得成品光掩膜基板。0003由于光掩膜基板对生产过程中的洁净度、铬膜层、胶膜层等要求极其严格，导致光掩膜基板一次成型良率低，因此需要对胶膜层或者铬膜层存在缺陷的光掩膜基板进行返工处理，以减少资源的浪费，降低生。
8、产成本。但是，目前工业上尚未形成光掩膜基板的返工方法，所以，只能重新对胶膜层或者铬膜层存在缺陷的光掩膜基板的玻璃基板进行抛光，或者对整个存在缺陷的光掩膜基板进行报废，导致企业生产成本高。发明内容0004基于上述问题，本发明提供一种操作简单、返工效果明显的光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法。0005一种光掩膜基板胶膜层的返工方法，其中，所述光掩膜基板包括玻璃基板和依次叠置在所述玻璃基板上的铬膜层、胶膜层，所述光掩膜基板胶膜层的返工方法包括0006步骤11将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为410的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；0007步骤12用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基。
9、板；0008步骤13用异丙醇胺溶液漂洗经纯水漂洗后的光掩膜基板；0009步骤14采用异丙醇胺蒸汽进行干燥，所述异丙醇胺蒸汽温度控制在4570。0010作为上述实施方式的进一步改进，在步骤11中，待返工的所述光掩膜基板用氢氧化钠溶液浸泡两次，其中，第一次用质量百分比为810的氢氧化钠溶液浸泡10分钟以上，第二次用质量百分比为45的氢氧化钠溶液浸泡510分钟。0011作为上述实施方式的进一步改进，所述光掩膜基板胶膜层的返工方法还包括步骤15在强光灯下检查所述铬膜层上的胶膜层是否清除干净，若是，则在所述铬膜层上进行匀胶，若否，则重新执行步骤11至步骤14。0012作为上述实施方式的进一步改进，在步骤。
10、15中，所述强光灯的强度为1015万勒克斯。0013一种光掩膜基板铬膜层的返工方法，其中，所述光掩膜基板包括玻璃基板和依次叠置在所述玻璃基板上的铬膜层、胶膜层，所述光掩膜基板铬膜层的返工方法包括0014步骤21将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为410的氢氧化钠溶液中说明书CN104216217A2/5页5浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；0015步骤22用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；0016步骤23将所述光掩膜基板放入设定配比的硝酸铈铵和纯水的混合溶液中浸泡，去除所述光掩膜基板的铬膜层，剩下玻璃基板；0017步骤24将所述玻璃基板置于纯水中浸泡；0018步骤25将所述玻璃基板置于温。
11、水中采用温水慢抽拉的方式进行清洗，并干燥。0019作为上述实施方式的进一步改进，所述光掩膜基板铬膜层的返工方法还包括步骤26在强光灯下检查所述玻璃基板上的铬膜层是否清除干净，若是，则在所述玻璃基板上进行镀铬和匀胶，若否，则重新执行步骤23至步骤25。0020作为上述实施方式的进一步改进，在步骤21中，待返工的所述光掩膜基板用氢氧化钠溶液浸泡两次，其中，第一次用质量百分比为810的氢氧化钠溶液浸泡10分钟以上，第二次用质量百分比为45的氢氧化钠溶液浸泡510分钟。0021作为上述实施方式的进一步改进，在步骤23中，所述混合液中硝酸铈铵、纯水的质量比为136。0022作为上述实施方式的进一步改进，。
12、在步骤25中，所述温水的温度控制在6070。0023作为上述实施方式的进一步改进，在步骤26中，所述强光灯的强度为1015万勒克斯。0024相较于现有技术，本发明提供的光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法操作简单、返工效果明显，能够对胶膜层或铬膜层存在缺陷的光掩膜基板进行去胶、退铬返工处理，通过化学反应的方式既可以充分去掉胶膜层或铬膜层，又不会对玻璃基板或铬膜层造成损伤，同时该方法又能很好的处理去胶、退铬后的颗粒问题，确保后续重新镀膜及重新匀胶的良率，有效的节约了成本。具体实施方式0025下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部。
13、的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。0026所述光掩膜基板包括玻璃基板和依次叠置在所述玻璃基板上的铬膜层、胶膜层。其中，所述玻璃基板为钠钙玻璃基片、石英玻璃基片、硼硅玻璃基片或白冕玻璃基片中的任意一种。所述铬膜层是铬膜、铬的氮化物、铬的碳化物、铬的氮化物、铬与碳、氮、氧元素以任意比例组合的化合物中的一种或多种组合。所述胶膜层可以是负性胶，也可以是正性胶，其主要成分为树脂、感光剂、溶剂和添加剂。0027当所述光掩膜基板的胶膜层存在缺陷时，则需要对其进行去除胶膜层的返工处理，其中，所述光掩膜基板的胶膜层存在的缺。
14、陷包括00281厚度异常，如胶厚偏高等；00292外观结构、美观性等不合要求，如色差等；00303颗粒或印记异常，如胶班等；说明书CN104216217A3/5页600314其它需返工的缺陷。0032本发明提供的一种去除光掩膜基板胶膜层的返工方法，包括0033步骤11将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为410的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；0034具体地，将待返工的光掩膜基板置于氢氧化钠溶液中浸泡两次，其中，第一次用质量百分比为810的氢氧化钠溶液浸泡10分钟以上，第二次用质量百分比为45的氢氧化钠溶液浸泡510分钟。0035步骤12用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板，所。
15、述漂洗时间在10分钟以上；0036步骤13用异丙醇胺溶液漂洗经纯水漂洗后的光掩膜基板，所述漂洗时间控制在510分钟；0037步骤14采用异丙醇胺蒸汽进行干燥，以去除所述铬膜层表面的水分，所述异丙醇胺蒸汽温度控制在4570；0038步骤15在强光灯下检查所述铬膜层上的胶膜层是否清除干净，若是，则在所述铬膜层上进行匀胶，若否，则重新执行步骤11至步骤14，其中，所述强光灯的强度为1015万勒克斯，所述匀胶的流程按现有的匀胶流程进行操作即可，在此不再赘述。0039本实施方式中，选择活性相对较弱的氢氧化钠溶液作为去胶液，所述胶膜层的各成分能够溶解于氢氧化钠溶液中，以达到去除所述胶膜层的目的，而所述铬膜。
16、层的各成分不溶于氢氧化钠溶液，能够保证所述铬膜层的完好无损。0040当所述光掩膜基板的铬膜层存在缺陷时，则需要对其进行去除铬膜层的返工处理，其中，所述光掩膜基板的铬膜层存在的缺陷包括00411元素成分、均匀性或厚度异常，如蚀刻时间、光密度异常等；00422外观结构、美观性不合要求，如铬膜层缺角等；00433颗粒或印记异常，如镀膜过程中的灰尘及污渍污染；00444针孔漏光或划伤；00455其它需返工的缺陷，如粘附性差、接触角异常等。0046由于所述铬膜层上叠置有胶膜层，因此首先要去除所述光掩膜基板的胶膜层，再去除铬膜层。0047相应地，本发明提供的一种去除光掩膜基板铬膜层的返工方法，包括0048。
17、步骤21将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为410的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；0049具体地，将待返工的光掩膜基板置于氢氧化钠溶液中浸泡两次，其中，第一次用质量百分比为810的氢氧化钠溶液浸泡10分钟以上，第二次用质量百分比为45的氢氧化钠溶液浸泡510分钟。0050步骤22用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板，所述漂洗时间在10分钟以上；0051步骤23将所述光掩膜基板放入设定配比的硝酸铈铵和纯水的混合溶液中浸泡，去除所述光掩膜基板的铬膜层，剩下玻璃基板，其中，所述混合液中硝酸铈铵、纯水的质量比优选为136。0052步骤24将所述玻璃基板置于纯水中浸泡，浸泡时间约为5。
18、15分钟；0053步骤25将所述玻璃基板置于温水中采用温水慢抽拉的方式对所述玻璃基板进说明书CN104216217A4/5页7行清洗，并干燥，其中，所述温水的温度控制在6070。0054步骤26在强光灯下检查所述玻璃基板上的铬膜层是否清除干净，若是，则在所述玻璃基板上进行镀铬和匀胶，若否，则重新执行步骤23至步骤25，其中，所述强光灯的强度为1015万勒克斯，所述镀铬和匀胶的流程按现有的镀铬和匀胶流程进行操作即可，在此不再赘述。0055本实施方式中，首先选用活性相对较弱的氢氧化钠溶液作为去胶液去除所述胶膜层，再选用具有较强氧化性的硝酸铈铵溶液作为退铬液去除所述铬膜层，所述硝酸铈铵溶液可以与所述。
19、铬膜层发生化学反应，该反应在常温下即可进行，反应过程剧烈程度适中，放热较为轻微，便于操作，而且所述硝酸铈铵溶液只与所述铬膜层发生化学反应生成新化合物，不与所述玻璃基板发生化学反应，能够保证所述玻璃基板完好无损，此外，所述硝酸铈铵溶液和所述新化合物均溶解于水，使得后续所述玻璃基板的漂洗过程更为简便。0056当然，对于存在缺陷的半成品光掩膜基板，即所述玻璃基板上只镀有铬膜层，也可以按照上述返工方法中的步骤23至步骤26进行返工处理。0057实施例10058待返工的光掩膜基板的胶膜层存在以下缺陷胶厚偏高、表层多处胶斑。按照如下方法进行返工0059步骤11首先将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为9的氢。
20、氧化钠溶液中浸泡20分钟，再置于质量百分比为4的氢氧化钠溶液浸泡8分钟，经过两次浸泡后，所述光掩膜基板的胶膜层被氢氧化钠溶液溶解掉；0060步骤12用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板15分钟；0061步骤13再用异丙醇胺溶液漂洗8分钟；0062步骤14采用60的异丙醇胺蒸汽进行干燥，去除水分；0063步骤15干燥后在12万勒克斯的钠灯下进行目视检查所述铬膜层上的胶膜层是否清除干净，检查结果表明，去胶效果良好，所述铬膜层表面无残胶吸附，所述铬膜层结构完整、无损伤及破裂，然后在分辨率为1微米的针孔检测仪上检测所述铬膜层针孔的漏光情况，检测结果表明，针孔漏光正常，符合匀胶条件；0064步骤16按照常。
21、规流程在所述铬膜层上进行匀胶，并对匀胶后的光掩膜基板进行检测，在12万勒克斯的黄灯下目视检查胶层情况，检查结果表明，返工后胶厚正常、无胶斑、无其它返工前的缺陷。0065实施例20066待返工的光掩膜基板的铬膜层存在以下缺陷针孔漏光异常、偏多，表层多处污渍。按照如下方法进行返工0067步骤21首先将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为10的氢氧化钠溶液中浸泡15分钟，再置于质量百分比为5的氢氧化钠溶液浸泡10分钟，经过两次浸泡后，所述光掩膜基板的胶膜层被氢氧化钠溶液溶解掉；0068步骤22用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板15分钟；0069步骤23将去除胶膜层的光掩膜基板完全放入硝酸铈铵与纯水按照。
22、14的质量比配制而成的混合溶液中浸泡6分钟，所述铬膜层逐渐被溶解掉，剩下玻璃基板；0070步骤24将所述玻璃基板置于纯水中浸泡10分钟；说明书CN104216217A5/5页80071步骤25将所述玻璃基板置于60温水中采用温水慢抽拉的方式进行清洗，清洗后并干燥；0072步骤26在12万勒克斯的钠灯下目视检查所述玻璃基板上的铬膜层是否清除干净，检查结果表明，去铬效果良好，所述玻璃基板表面无残铬吸附；0073步骤27按照常规流程在所述玻璃基板上进行镀铬膜，并对镀铬膜后的铬膜层进行检测，在12万勒克斯的钠灯下目视检查铬膜层情况，检查结果表明，返工后的铬膜层结构完整、无损伤及破裂，然后在分辨率为1微。
23、米的针孔检测仪上检测所述铬膜层针孔的漏光情况，检测结果表明，针孔漏光正常，符合匀胶条件；0074步骤28按照常规流程在所述铬膜层上进行匀胶，并对匀胶后的光掩膜基板进行检测，在12万勒克斯的黄灯下目视检查胶层情况，检查结果表明，所述胶膜层结构完整、无缺陷。0075相较于现有技术，本发明提供的光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法操作简单、返工效果明显，能够对胶膜层或铬膜层存在缺陷的光掩膜基板进行去胶、退铬返工处理，通过化学反应的方式既可以充分去掉胶膜层或铬膜层，又不会对玻璃基板或铬膜层造成损伤，同时该方法又能很好的处理去胶、退铬后的颗粒问题，确保后续重新镀膜及重新匀胶的良率，有效的节约了成本。0076以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。说明书CN104216217A。