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1、10申请公布号CN104111895A43申请公布日20141022CN104111895A21申请号201410361135022申请日20140725G06F12/0220060171申请人记忆科技（深圳）有限公司地址518057广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D22/F、D13/F、D23/F、D14/F、D24/F、D15/F72发明人黄运新74专利代理机构广东广和律师事务所44298代理人董红海54发明名称一种利用DRAM不良品的方法57摘要本发明公开了一种利用DRAM不良品的方法，通过在工厂生产、系统自检和使用过程中动态检测DRAM中的错误CELL，记录记录缺陷地址信息和查。
2、找CELL的替代CELL的替代地址信息，并更新缺陷表格，系统访问时根据缺陷表格中记录的信息正确的访问无错误的CELL，通过动态增加缺陷列表来存储DRAM芯片的缺陷地址信息和替换地址信息，可实现将80以上的DRAM废品颗粒变为可用颗粒，随着DRAM制程向纳米级发展，经济效益将会更加明显，且能够解决在DRAM颗粒在出厂后、使用中逐渐出现的错误，将使用过程中发现变坏的CELL的地址信息可以被动态地加入到缺陷表格中，从而延长系统的使用寿命。51INTCL权利要求书1页说明书3页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图1页10申请公布号CN104111895A。
3、CN104111895A1/1页21一种利用DRAM不良品的方法，其特征在于步骤11，系统自检或自动测试机测试DRAM，查找DRAM中出现错误的CELL，并记录缺陷地址信息；步骤12，确定可替代步骤11查找到的CELL的替代CELL的替代地址信息；步骤13，将步骤12和步骤11获取到的缺陷地址信息和替代地址信息创建缺陷表格，所述缺陷表格至少存储了DRAM不良品的所有缺陷地址信息和替代地址信息；步骤14，系统访问DRAM，系统总线通过地址映射单元相访问DRAM，地址映射单元接收到系统总线请求的地址信息，查询缺陷表格，根据缺陷表格中的信息，判断当前访问的地址信息是否需要地址重映射，如果需要则通过地。
4、址映射单元将替代地址替代缺陷地址实现系统总线所要访问的地址转换成实际无缺陷的地址，保证系统总线访问地址的连续性和正确性。2根据权利要求1所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于还包括计算DRAM的有效地址范围，将DRAM原始物理CELL总数减去出现错误的CELL得到有效的CELL总数，实现计算DRAM的有效地址范围，并将该信息反馈给系统，系统根据该信息计算有效地址范围。3根据权利要求2所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于在DRAM内部设置一个微处理器，微处理器设置有DRAM自检程序，系统上电后，微处理器自动执行DRAM自检程序，更新缺陷表格的信息，同时实现计算DRAM的有效地址范围，并。
5、将该信息反馈给系统。4根据权利要求3所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于所述的微处理器上还设有校验程序，校验在读/写DRAM过程中是否出现CELL错误，如果出现CELL错误，则记录缺陷地址信息并确定可替代CELL的替代地址信息，更新缺陷表格信息。权利要求书CN104111895A1/3页3一种利用DRAM不良品的方法技术领域0001本发明涉及信息存储领域，尤其涉及一种生产过程中带有坏块的DRAM不良品的方法。背景技术0002DRAM是传统的PC、服务器中不可缺少的主存储设备，同时也是当今如日中天的移动智能设备的必备。然而，随着DRAM制造的工艺节点不断的向下演进，其制造过程中出现的缺陷越。
6、来越多，造成良率的不断下降。业界通常在DRAM内部设计冗余的ROW行和COLUMN列来替代有缺陷的行和列。0003例如，在4X4的CELL存储单元阵列中，WL4和BL8分别为冗余的行、列，假设有两个CELLWL1，BL2WL3，BL4出现了缺陷，表现为读或者写功能不正常，通常的做法是用行、列替换的办法采用BL8替代BL2，WL4替代WL3。这个替代动作由地址译码电路来完成列地址译码器将对BL2的访问被映射到BL8；行地址译码器将对WL3的访问映射到WL4。0004这个传统的办法可以解决当前的大部分状况错误CELL比较集中数量可能很多，但主要分布在少量的行或者列上面，且在使用过程中基本不会动态增。
7、加。从这个行列替代的方法可以看出，冗余的行、列的CELL使用效率很低，分别只有1/9和1/5。如果CELLWL2，BL3再出错，则只能依靠增加更多的冗余的行、列来替代了。DRAM厂商出于成本的考虑，不会无限增加冗余的行、列的数量。因此，仍然会有一定比例的DRAM芯片因为错误的CELL个数或者分布超过了冗余的行、列的替换能力而被作为不良品废弃。这个问题随着制造工艺节点进一步变小而变得更加严重，所以需要一种能够提高DRAM利用率的方法。0005另外，这个传统的办法只能在DRAM厂商测试DRAM颗粒的时候进行，在卖到系统厂商之后不能做任何修改。也就是说，DRAM颗粒在系统上使用过程中出现的一些CEL。
8、L慢慢变坏的这类错误传统的行、列替代法无能为力。这类错误一旦出现，一般只能返修，更换出现问题的颗粒，且可能造成整个产品或设备报废，成本很高。发明内容0006针对DRAM芯片在工厂生产时错误的CELL个数或者分布超过了冗余的行、列的替换能力和DRAM芯片在使用过程中动态产生错误的CELL造成整个DRAM报废，无法正常使用的缺陷，本发明通过增加可动态更新的缺陷表格来实现可继续使用上述需要报废的不良品的目的。0007为了实现上述目的，本发明目的在于提出了一种利用DRAM不良品的方法，其特征在于0008步骤11，系统自检或自动测试机测试DRAM，查找DRAM中出现错误的CELL，并记录缺陷地址信息；0。
9、009步骤12，确定可替代步骤11查找到的CELL的替代CELL的替代地址信息；0010步骤13，将步骤12和步骤11获取到的缺陷地址信息和替代地址信息创建缺陷说明书CN104111895A2/3页4表格，所述缺陷表格至少存储了DRAM不良品的所有缺陷地址信息和替代地址信息；0011步骤14，系统访问DRAM，系统总线通过地址映射单元相访问DRAM，地址映射单元接收到系统总线请求的地址信息，查询缺陷表格，根据缺陷表格中的信息，判断当前访问的地址信息是否需要地址重映射，如果需要则通过地址映射单元将替代地址替代缺陷地址实现系统总线所要访问的地址转换成实际无缺陷的地址，保证系统总线访问地址的连续性和。
10、正确性。0012所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于还包括计算DRAM的有效地址范围，将DRAM原始物理CELL总数减去出现错误的CELL得到有效的CELL总数，实现计算DRAM的有效地址范围，并将该信息反馈给系统，系统根据该信息计算有效地址范围。0013所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于在DRAM内部设置一个微处理器，微处理器设置有DRAM自检程序，系统上电后，微处理器自动执行DRAM自检程序，更新缺陷表格的信息，同时实现计算DRAM的有效地址范围，并将该信息反馈给系统。0014所述的微处理器上还设有校验程序，校验在读/写DRAM过程中是否出现CELL错误，如果出现CELL错误。
11、，则记录缺陷地址信息并确定可替代CELL的替代地址信息，更新缺陷表格信息。0015本发明通过动态增加缺陷列表来存储DRAM芯片的缺陷地址信息和替换地址信息，可实现将80以上的DRAM废品颗粒变为可用颗粒，随着DRAM制程向纳米级发展，经济效益将会更加明显，且能够解决在DRAM颗粒在出厂后、使用中逐渐出现的错误，将使用过程中发现变坏的CELL的地址信息可以被动态地加入到缺陷表格中，从而延长系统的使用寿命。附图说明0016图1是利用DRAM不良品的方法的系统框图；0017图2是本发明一种具体实施例地址转换示意图。具体实施方式0018下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚。
12、、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。0019图1是利用DRAM不良品的方法的系统框图，外部系统总线由地址总线ADDRESSBUS和数据总线DATABUSG构成，地址总线ADDRESSBUS与地址映射单元ADDRESS_REMAP_UNIT相连接，地址映射单元ADDRESS_REMAP_UNIT将地址总线ADDRESSBUS输入的外部系统请求访问地址查询缺陷表格DEFECT_TABLE，缺陷表格DEFECT_TABLE存储了系统中所有DRA。
13、M芯片的所有缺陷地址及其替代地址信息，地址映射单元ADDRESS_REMAP_UNIT根据缺陷表格DEFECT_TABLE中的信息将系统总线请求的访问地址转换成为实际的DRAM无缺陷的重定位地址ADDRESS_REMAP，有缺陷的地址被跳过，从而保证从系统总线上看到的DRAM地址空间仍然是连续的，虽然总长度减小了。减小的地址空间数量就取决于DRAM的缺陷地址个数和分布。最终，经过ADDRESS_REMAP_UNIT转换后的重定位地址ADDRESS_REMAP通过说明书CN104111895A3/3页5DRAM控制器DRAM_CTRL在DRAMCHIPS中都寻址到的都是没有缺陷CELL，最终实现。
14、DRAM的访问。0020图2是本发明一种具体实施例地址转换示意图，DRAM的实际物理空间为256BYTE，缺陷列表包括如下信息和有效DRAM大小DRAM_SIZE信息0021缺陷起始地址长度替代地址00220023DRAM刚生产出来，该表格默认为空，DRAM_SIZE256。0024当DRAM经过测试环节，发现地址0X040X07存在缺陷，更新缺陷列表和有效DRAM大小DRAM_SIZE信息0025缺陷起始地址长度替代地址0X040X040XFC0026同时更新DRAM_SIZE2564252。为了保证灵活性，替代地址默认有高端地址开始替换。外部系统读取到DRAM_SIZE，可知道DRAM的有。
15、效地址范围为0X00XFB；当外部系统访问到0X040X07地址时，通过查询缺陷列表信息，将地址重映射到0XFC0XFF。0027当DRAM在实际使用过程中或系统自检中又检测到地址0X100X17存在缺陷，更新缺陷列表和有效DRAM大小DRAM_SIZE信息0028缺陷起始地址长度替代地址0X040X040XFC0X100X080XF40029同时更新DRAM_SIZE2528244。为了保证灵活性，替代地址默认有高端地址开始替换。外部系统读取到DRAM_SIZE，可知道DRAM的有效地址范围为0X00XF3；当外部系统访问到0X040X07地址时，通过查询缺陷列表信息，将地址重映射到0XFC0XFF；当外部系统访问到0X100X17地址时，通过查询缺陷列表信息，将地址重映射到0XF40XFB。对于外部系统还是按照连续的地址访问，只是有效地址范围变小了。0030以上所揭露的仅为本发明一种实施例而已，当然不能以此来限定本之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于本发明所涵盖的范围。说明书CN104111895A1/1页6图1图2说明书附图CN104111895A。