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1、10申请公布号CN104122684A43申请公布日20141029CN104122684A21申请号201310208904922申请日20130530G02F1/13200601G02F1/133320060171申请人深超光电深圳有限公司地址518109广东省深圳市宝安区龙华街道办民清路深超光电科技园A栋72发明人江冠贤曹志李宏远74专利代理机构深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311代理人孔丽霞54发明名称显示面板及制造该显示面板的方法57摘要本发明提供一种显示面板，其包括相互平行的扫描线及与所述扫描线垂直相交且相互绝缘的数据线。所述扫描线与数据线围成的多个像素。每个像素内设置有至少一。
2、与数据线重叠的修补线。所述至少一修补线与数据线之间相互绝缘。所述至少一修补线由锌氧化物制成且掺杂有氢离子。本发明还提供了一种制造所述显示面板的方法。51INTCL权利要求书1页说明书5页附图4页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书5页附图4页10申请公布号CN104122684ACN104122684A1/1页21一种显示面板，其包括基板、设置在基板上的扫描线及与所述扫描线相互绝缘的数据线，所述扫描线与数据线定义多个像素单元，每个像素单元具有至少一与该数据线至少部分重叠设置的修补线，所述修补线与数据线之间设置有绝缘层，所述修补线的材质为锌氧化物且掺杂有氢离子。2。
3、如权利要求1所述的显示面板，其特征在于所述锌氧化物为铟镓氧化锌。3如权利要求1所述的显示面板，其特征在于所述显示面板进一步包括与所述扫描线与数据线相交处相邻设置且分别与所述扫描线及数据线相连的薄膜晶体管，所述修补线与连接该像素单元的薄膜晶体管的数据线重叠。4如权利要求1所述的显示面板，其特征在于所述薄膜晶体管为底闸型薄膜晶体管或顶闸型薄膜晶体管。5如权利要求4所述的显示面板，其特征在于,所述修补线的材质与所述薄膜晶体管的沟道层材质相同且由同一道制程形成。6如权利要求4或5所述的显示面板，其特征在于所述基板上设置有延伸至修补线所在区域的绝缘层，所述修补线设置在该绝缘层上，所述修补线上覆盖有一保护。
4、层，所述数据线设置在所述保护层与修补线相对应的位置处。7一种显示面板制造方法，其包括如下步骤提供一基板；在所述基板上形成一绝缘层；在所述绝缘层上形成一薄膜晶体管的沟道层，同时在绝缘层上形成一沿第二方向延伸的修补线；在所述沟道层上对应沟道层的中间部分形成一第一保护层以定义出由第一保护层所覆盖的薄膜晶体管沟道及位于沟道两侧未被第一保护层所覆盖的源极区域及漏极区域；在所述第一保护层上形成一第二保护层；向修补线、源极区域及漏极区域内掺杂氢离子；在第二保护层上对应修补线的位置形成沿所述第二方向延伸的数据线。8如权利要求7所述的显示面板制造方法，其特征在于所述沟道层及修补线的材料均为锌氧化物半导体。9如权。
5、利要求8所述的显示面板制造方法，其特征在于所述锌氧化物半导体为铟镓氧化锌。10如权利要求9所述的显示面板制造方法，其特征在于所述沟道层及修补线采用射频溅射方法形成在栅极绝缘层上，所述沟道层包括第一副层及第二副层，形成第一副层时射频溅射的功率为150W，形成第二副层时射频溅射的功率为50W。11如权利要求10所述的显示面板的制造方法，其特征在于所述修补线对应沟道层也包括分别由150W的溅射功率及50W的溅射功率所形成的双层结构。12如权利要求9所述的显示面板制造方法，其特征在于掺杂氢离子的方法为在进行射频溅射时注入硅烷、氨气及氮气的混合气体并控制气体流量比例为12525，压强为150PA，所述射。
6、频溅射的功率密度为09W/CM2。13如权利要求7所述的显示面板制造方法，其特征在于在所述第一保护层上形成一第二保护层及向修补线、源极区域及漏极区域内掺杂氢离子的步骤在同一道光罩制程中完成。权利要求书CN104122684A1/5页3显示面板及制造该显示面板的方法技术领域0001本发明涉及一种显示面板及制造该显示面板的方法。背景技术0002现有显示面板上的修补线通常是在形成栅极层的同时一并制成的。然而，由于该修补线一般为透光性较差的金属材质，会使得整个显示区域的开口率下降，影响产品质量。然而，若采用透明的非金属材质来做修补线则会影响修补线的导电性，无法实现代替数据线传输显示信号的功能。发明内容。
7、0003鉴于此，有必要提供一种开口率高的显示面板及制造该显示面板的方法。0004一种显示面板，其包括相互平行的扫描线及与所述扫描线垂直相交且相互绝缘的数据线。所述扫描线与数据线围成的多个像素。每个像素内设置有至少一与数据线重叠的修补线。所述至少一修补线与数据线之间相互绝缘。所述至少一修补线由锌氧化物制成且掺杂有氢离子。0005一种显示面板的制造方法，其包括如下步骤提供一基板；在所述基板上形成一薄膜晶体管的栅极及沿第一方向延伸的扫描线；在栅极上形成一覆盖所述栅极的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上对应栅极所在的位置形成沟道层，同时在栅极绝缘层上形成一沿第二方向延伸的修补线；在所述沟道层上对应所述栅极。
8、形成一第一保护层以覆盖沟道层与栅极相对应的中间部分；在所述第一保护层上形成一第二保护层并同时向修补线及沟道层为被第一保护层覆盖的部分掺杂氢离子；在所述第二保护层上对应沟道层未被覆盖的部分开设接触通孔，在对应接触通孔内分别形成源极及漏极，并在第二保护层上对应修补线的位置形成沿所述第二方向延伸的数据线。0006相对于现有技术，本发明所提供显示面板采用掺杂氢离子的锌氧化物作为修补线，因锌氧化物为透明材料可有效地提高整个像素的开口率而掺杂的氢离子提高锌氧化物的载流子浓度以满足其作为导线的导电性。而且，所述掺杂步骤与形成第二保护层的步骤同时进行不需要添加额外的制程。附图说明0007图1为本发明第一实施方。
9、式所提供的显示面板的局部结构示意图。0008图2为图1所示的显示面板沿IIII方向的局部剖视图。说明书CN104122684A2/5页40009图3为本发明第一实施方式所提供的显示面板的制造方法流程图。0010图4为本发明第二实施方式所提供的显示面板沿IIII方向的局部剖视图。0011图5为本发明第二实施方式所提供的显示面板的制造方法流程图。0012主要元件符号说明显示面板1、2扫描线10基板11、21数据线12、22像素单元14修补线16、26薄膜晶体管13、23栅极130、230栅极绝缘层132源极134漏极136沟道层137、237第一副层1370、2370第二副层1372、2372源极。
10、区域1373、2373漏极区域1374、2374第一保护层138、238第二保护层139、239接触通孔135、235像素电极15修补区域161缓冲层232如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。具体实施方式0013如图1及图2所示，本发明第一实施方式所提供的显示面板1包括基板11、相互平行的扫描线10、与所述扫描线10垂直绝缘相交的数据线12、薄膜晶体管13及像素电极15。所述扫描线10与数据线12定义多个像素单元14。每个像素单元14具有至少一与该单元对应的数据线12至少部分重叠的修补线16。所述修补线16与数据线12之间相互绝缘。所述修补线16由锌氧化物制成且掺杂有氢离子。001。
11、4所述薄膜晶体管13设置在所述扫描线10与数据线12相交处且分别与所述扫描线10及数据线12相连。所述扫描线10、薄膜晶体管13、数据线12及像素电极15层叠地设置在所述基板11上。所述扫描线10直接设置在基板11上。所述像素电极15设置在薄膜晶体管13上方并通过薄膜晶体管13与数据线12相连。在本实施方式中，所述修补线16设置在像素单元14内，且由远离所述薄膜晶体管13的一侧沿着数据线12朝向薄膜晶体管13延伸。0015所述薄膜晶体管13包括栅极130、栅极绝缘层132、源极134、漏极136、连接所述源极134与漏极136的沟道层137、第一保护层138及第二保护层139。在本实施方式中，。
12、所述薄膜晶体管13为底闸型薄膜晶体管。所述栅极130直接设置在基板11上并与所述扫描线10相连接。所述栅极绝缘层132覆盖栅极130并延伸至修补线16所在的修补区域161。所述沟道层137设置在栅极绝缘层132上。所述第一保护层138设置在沟道层137上与栅说明书CN104122684A3/5页5极130相对应的位置。所述第二保护层139覆盖沟道层137及第一保护层138并延伸至所述修补线16所在的修补区域161。所述第二保护层139上对应沟道层137的相对两端分别开设有延伸至沟道层137的接触通孔135。所述源极134设置在靠近数据线12一侧的接触通孔135内以连接数据线12与沟道层137。。
13、所述漏极136设置在靠近像素电极15一侧的接触通孔135内以连接像素电极15与沟道层137。由数据线12传输而来的显示信号经由源极134、沟道层137及漏极136传输至像素电极15以驱动液晶分子。0016所述修补线16设置在栅极绝缘层132位于修补区域161的位置处。所述第二保护层139覆盖所述修补线16。所述数据线12设置在所述第二保护层139上与修补线16相对应的位置处。因此，当数据线12上的某点因故障断开时，只需要在断线点的相对两侧向下打通第二保护层139与修补线16连接即可以绕开断开点重新接通数据线12。在本实施方式中，所述修补线16的材料为锌氧化物，比如铟镓氧化锌INDIUMGALL。
14、IUMZINCOXIDE,IGZO。所述锌氧化物内掺杂有氢离子以提高其导电性。因所采用的锌氧化物为透明材料可有效地提高整个像素单元14的开口率。0017如图2及图3所示，图3为本发明所提供的一种制造第一实施方式所提供的显示面板1的方法流程图，该制造方法包括如下步骤步骤S801，提供一基板11。所述基板11由透明材料制成。在本实施方式中，所述基板11为玻璃基板11。0018步骤S802，在所述基板11上形成一薄膜晶体管13的栅极130及沿第一方向延伸的扫描线10。0019步骤S803，在栅极130上形成一覆盖所述栅极130的栅极绝缘层132。0020步骤S804，在所述栅极绝缘层132上对应栅极。
15、130所在的位置形成所述薄膜晶体管13的沟道层137，同时在栅极绝缘层132上形成一沿第二方向延伸的修补线16。所述沟道层137及修补线16的材料均为锌氧化物半导体，比如铟镓氧化锌，并采用射频溅射方法形成在栅极绝缘层132上。所述沟道层137包括第一副层1370及第二副层1372，形成第一副层1370时射频溅射的功率为150W，形成第二副层1372时射频溅射的功率为50W。同样地，所述修补线26也包括由不同溅射功率形成的双层结构。0021步骤S805，在所述沟道层137上对应所述栅极130形成一第一保护层138作为所述薄膜晶体管13沟道的保护层。所述沟道层137被所述第一保护层138覆盖的部分。
16、作为薄膜晶体管13的沟道。所述沟道层137未被所述第一保护层138覆盖的相对两端分别作为薄膜晶体管13的源极区域1373或漏极区域1374。0022步骤S806，在所述第一保护层138上形成一第二保护层139。0023步骤S807，向修补线16、沟道层137的源极区域1373及漏极区域1374内掺杂氢离子，以增加修补线16、源极区域1373及漏极区域1374内的载流子浓度，进而提高所述修补线16、源极区域1373及漏极区域1374的导电性使其导体化。掺杂氢离子的方法为在进行射频溅射时注入硅烷、氨气及氮气的混合气体并控制气体流量比例为12525，压强为150PA。所述射频溅射的功率密度为09W/。
17、CM2。所述步骤S806及步骤S807在同一道光罩中完成。0024步骤S808，在所述第二保护层139上形成延伸至所述源极区域1373及漏极区域1374的接触通孔135。在对应源极区域1373的接触通孔135内形成源极134。在对应漏极说明书CN104122684A4/5页6区域1374的接触通孔135内形成漏极136。0025步骤S809，在第二保护层139上对应修补线16的位置形成沿所述第二方向延伸的数据线12。在本实施方式中，所述第二方向与第一方向垂直。0026如图4所示，本发明第二实施方式所提供的显示面板2的结构与第一实施方式所提供的显示面板1的结构基本相同，其区别在于所述薄膜晶体管2。
18、3为顶闸型薄膜晶体管。所述基板21上设置有延伸至修补线所在区域的缓冲层232。所述缓冲层232由绝缘材料制成。所述沟道层237设置在缓冲层232上。所述第一保护层238设置在沟道层237的中间部分。所述沟道层237被第一保护层238覆盖的中间部分作为薄膜晶体管23的沟道。所述沟道层237未被第一保护层238覆盖的相对两端分别作为薄膜晶体管23的源极区域2373及漏极区域2374。所述栅极230设置在第一保护层238上。所述第二保护层239覆盖沟道层237、栅极230、第一保护层238及缓冲层232并延伸至修补线所在区域。所述第二保护层239上对应沟道层237的源极区域2373及漏极区域2374。
19、分别开设有延伸至沟道层237的接触通孔235。所述源极234及漏极236分别设置与源极区域2373及漏极区域2374对应的接触通孔235内。0027所述修补线26设置在缓冲层232上。所述第二保护层239覆盖所述修补线26。所述数据线22设置在所述第二保护层239上与修补线26相对应的位置处。补充修补线26与沟道层237材料相同，优选地，通过同一道制程获得。0028如图4及5所示，图5为本发明所提供的一种制造第二实施方式所提供的显示面板2的方法流程图，该制造方法包括如下步骤步骤S901，提供一基板21。所述基板21由透明材料制成。在本实施方式中，所述基板21为玻璃基板。0029步骤S902，在。
20、所述基板21上形成一缓冲层232。0030步骤S903，在所述缓冲层232上形成所述薄膜晶体管23的沟道层237，同时在缓冲层232上形成一沿第一方向延伸的修补线26。所述沟道层237及修补线26的材料均为锌氧化物半导体，比如铟镓氧化锌，并采用射频溅射方法形成在缓冲层232上。所述沟道层237包括第一副层2370及第二副层2372，形成第一副层2370时射频溅射的功率为150W，形成第二副层2372时射频溅射的功率为50W。同样地，所述修补线26也包括由不同溅射功率形成的双层结构。0031步骤S904，在所述沟道层237的中间部分设置一第一保护层238作为所述薄膜晶体管23沟道的保护层。003。
21、2步骤S905，在第一保护层238上对应沟道层237的沟道设置一薄膜晶体管23的栅极230及沿第二方向延伸的扫描线图未示。0033步骤S906，在所述栅极230上形成一第二保护层239。所述第二保护层239覆盖所述栅极230、第一保护层238、沟道层237、缓冲层232及修补线26。0034步骤S907，在形成第二保护层239的同时向修补线26、沟道层237的源极区域2373及漏极区域2374内掺杂氢离子，以增加修补线26、源极区域2373及漏极区域2374内的载流子浓度，进而提高所述修补线26、源极区域2373及漏极区域2374的导电性使其导体化。掺杂氢离子的方法为在进行射频溅射时注入硅烷、。
22、氨气及氮气的混合气体并控制气体流量比例为12525，压强为150PA。所述射频溅射的功率密度为09W/CM2。所述步骤说明书CN104122684A5/5页7S907与步骤S906在同一道光罩中完成。0035步骤S908，在所述第二保护层239上形成延伸至所述源极区域2373及漏极区域2374的接触通孔235。在对应源极区域2373的接触通孔235内形成源极134。在对应漏极区域2374的接触通孔235内形成漏极236。0036步骤S909，在第二保护层239上对应修补线26的位置形成沿所述第一方向延伸的数据线22。在本实施方式中，所述第二方向与第一方向垂直。0037本发明所提供的显示面板1制。
23、作方法在形成第二保护层139的同时对由锌氧化物制成的沟道层137及修补线16进行氢掺杂，可以在不增加额外制程步骤的前提下提高沟道层137及修补线16的以半导体为材料的修补线16的导电性。0038本技术领域的普通技术人员应当认识到，以上的实施方式仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围之内，对以上实施例所作的适当改变和变化都落在本发明要求保护的范围之内。说明书CN104122684A1/4页8图1图2说明书附图CN104122684A2/4页9图3说明书附图CN104122684A3/4页10图4说明书附图CN104122684A104/4页11图5说明书附图CN104122684A11。