基板加热装置和基板加热方法技术领域
本发明涉及对载置于加热板的基板进行加热的基板加热装置、基
板加热方法和存储计算机程序的存储介质。
背景技术
在半导体器件的制造步骤中，包括利用加热装置对在表面涂敷有
药液的作为基板的半导体晶片(以下记为“晶片”)进行加热处理的步
骤。该加热处理为了除去从药液产生的升华物，有时一边将晶片载置
于在处理容器内设置的加热板上一边对该处理容器内进行排气。例如
在具有分层结构的半导体制造装置中，有时按各层设置那样的加热装
置，在各层设置有各自包括上述处理容器的多个加热模块。而且，例
如设置于相同的层的各处理容器经由具有风挡(damper)的排气管分
别与共同的排气管道连接，该排气管道内以规定的排气量排气。
在上述加热模块中，为了实现提高晶片的面内的膜厚的均匀性和
将升华物从处理容器内可靠地除去这两者，研究在一个晶片的处理中
改变处理容器内的排气量。但是，在上述的加热装置中，当改变一个
处理容器的排气量时，有时与该处理容器共有排气管道的其它的处理
容器的排气量发生变动，在该其它的处理容器内上述的升华物的除去
能力降低，膜厚的均匀性降低。
关于上述的处理容器的排气量的变动，说明排气管道与三个处理
容器连接的情况的一个例子。在排气管道内以30L/分钟进行排气，各
处理容器在与各处理容器连接的排气管的风挡打开的状态下例如以
10L/分钟进行排气。从该状态开始与一个处理容器连接的排气管的风
挡关闭，而该处理容器的排气量成为0L/分钟时，由于排气管道内以
30L进行排气，所以在其它的两个处理容器中排气量上升至30/2＝15L/
分钟。
在专利文献1中记载有在晶片的处理中改变对处理容器内供给的
清洁气体的供给量的加热装置。另外，专利文献2中记载有液处理装
置，其中，多个杯部经由具有风挡的排气管与共同的排气管道连接，
各杯部的排气量分别被单独控制的。但是，这些装置并不能够解决上
述的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-184682号公报
专利文献2：日本特开2010-45185号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明是基于上述这样的情况而完成的，其目的在于提供一种包
括具有对基板进行处理的处理容器的多个加热模块和与各加热模块共
通的排气路径的基板加热装置，其高精度地控制各加热模块中的排气
量。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的基板加热装置，其特征在于，包括：
多个加热模块，其各自包括在内部配置有用于载置基板并对该基
板进行加热处理的加热板的处理容器、用于对该处理容器内的处理氛
围取入清洁用的气体的供气口、和对上述处理氛围进行排气的排气口；
单独排气路径，其与上述多个加热模块各自的排气口连接；
共用排气路径，其与上述多个加热模块的各单独排气路径的下游
端共同连接；
分支路径，其分支地设置于上述各单独排气路径，在上述处理容
器的外部开口；和
排气量调节部，其用于调节从上述排气口侧排出至上述共用排气
路径的排气量和从上述处理容器的外部经由上述分支路径取入到上述
共用排气路径的取入量的流量比。
本发明的基板加热方法，其使用一种基板加热装置，该基板加热
装置包括：
多个加热模块，其各自包括在内部配置有用于载置基板并对该基
板进行加热处理的加热板的处理容器、用于对该处理容器内的处理氛
围取入清洁用的气体的供气口、和对上述处理氛围进行排气的排气
口；
单独排气路径，其与上述多个加热模块各自的排气口连接；
共用排气路径，其与上述多个加热模块的各单独排气路径的下游
端共同连接；和
分支路径，其分支地设置于上述各单独排气路径，在上述处理容
器的外部开口，
所述基板加热方法的特征在于，包括：
在所述加热板上载置基板的步骤；
利用排气量调节部调节从上述排气口侧排出至上述共用排气路径
的排气量与从上述处理容器的外部经由上述分支路径取入到上述共用
排气路径的取入量的流量比，使得成为低排气状态的步骤，所述低排
气状态是以低的排气量对上述处理氛围内进行排气的状态；和
在该步骤后，利用排气量调节部调节流量比，使得成为高排气状
态的步骤，所述高排气状态是以比上述低的排气量多的排气量对上述
处理氛围内进行排气的状态。
本发明的存储介质是存储有对载置于加热板的基板进行加热处理
的基板加热装置中所用的计算机程序的存储介质，其特征在于，上述
程序为了实施上述基板加热方法而组成步骤。
发明的效果
根据本发明，包括：与多个加热模块的各单独排气路径连接的共
用排气路径；分支路径，其分支地设置于上述各单独排气路径，在上
述处理容器的外部开口；和排气量调节部，其用于调节从对处理容器
内进行排气的排气口排到共用排气路径的排气量与从上述处理容器的
外部经由上述分支路径取入到上述共用排气路径的取入量的流量比。
由此，来自各加热模块的上述排气口的排气量能够改变，且能够抑制
因该改变而导致的从单独排气路径向共用排气路径的排气量的变动。
因而，能够高精度地控制各加热模块的处理容器内的排气量。结果是，
能够抑制通过加热处理而形成于基板的涂敷膜的面内均匀性降低，且
能够防止处理容器内被从上述涂敷膜产生的升华物污染。
附图说明
图1是本发明的实施方式的加热装置的整体构成图。
图2是构成上述加热装置的加热模块的纵截面侧视图。
图3是表示上述加热模块的风挡的状态的示意图。
图4是表示上述风挡的状态的示意图。
图5是表示加热模块中切换上述风挡的时刻和晶片的温度的关系
的图表。
图6是表示加热装置中切换上述风挡的时刻和晶片的温度的关系
的图表。
图7是表示上述晶片的处理中的规定的时刻中的风挡的状态的示
意图。
图8是表示加热模块中切换上述风挡的时刻和晶片的温度的关系
的图表。
图9是表示加热模块的其它构成例的纵截面侧视图。
图10是表示风挡的其它构成的说明图。
图11是表示风挡的其它构成的说明图。
图12是表示评价试验的结果的图表。
附图标记说明
1加热装置
11排气管道
12控制部
2A～2C加热模块
20处理容器
21加热板
30排气管
32排气口
33供气口
34分支管
35风挡
具体实施方式
参照图1的概略构成图，对本发明的实施方式的晶片W的加热装
置1进行说明。该加热装置1对在该加热装置1的外部在表面涂敷有
药液的晶片W进行加热。在该例中，晶片W的直径为300mm。另外，
作为上述药液包含分子量比较低的聚合物(低分子聚合物)和交联剂，
例如通过加热至250℃而产生上述聚合物的交联反应，形成以碳为主要
成分的被称为SOC膜的有机膜。该有机膜中的碳的含有率例如为90％
以上。另外，在该有机膜上在由加热装置1进行的加热处理后，在加
热装置1的外部依次叠层包含被称为SOG膜的氧化硅的膜、抗蚀剂膜。
通过干式蚀刻形成于上述抗蚀剂膜的图案依次被转印到下层的膜。即，
该有机膜构成为以碳为主要成分，成为用于对该有机膜的下层的膜进
行蚀刻的图案掩模。
返回到加热装置1的说明，该加热装置1包括分别对上述晶片W
加热的加热模块2A～2C、排气管道11和控制部12。排气管道11设置
成在横向上延伸，其下游侧与设置有加热装置1的工厂的排气路径连
接。在该排气管道11的延伸方向的相互不同的部位连接有成为各个构
成加热模块2A～2C的单独排气路径的排气管30的下游端。即，排气
管道11构成对加热模块2A～2C的共用排气路径。排气管道11内以规
定的排气量总进行排气，为了防止从加热模块2A～2C流入的升华物
的凝结，而利用加热器(不图示)进行加热。
加热模块2A～2C相互同样地构成，能够各自独立地对晶片W进
行加热处理。作为加热模块2A～2C中的代表，对图2表示其纵截侧
面的加热模块2A进行说明。图中21是水平的圆形的加热板，具有加
热器22，将载置于加热板21的表面的晶片W加热。图中23是包围并
支承加热板21的底面和侧面的底板(base)，形成为有底的筒状。图中
24是成为底板23的上端的凸缘。图中25是在上下方向上贯通加热板
21和底板23的升降销，在未图示的搬运机构与加热板21之间进行晶
片W的交接。
在该凸缘24的外周设置有立起的圆筒状的阻隔件26，阻隔件26
的上端在底板23和加热板21的上方向外侧扩展形成凸缘27。阻隔件
26的下端向内侧形成环28。环28与底板23的凸缘24重叠，防止在
阻隔件26与底板23之间气体泄露。图中29是升降机构，使阻隔件26
相对于加热板21升降。阻隔件26在晶片W的处理时位于图2所示的
位置，在晶片W对于加热板21的交接时从图2所示的位置下降，以
不妨碍该交接。
在阻隔件26的上方，以覆盖该阻隔件26和加热板21的方式与该
加热板21相对地设置有圆形的盖体31，由该盖体31、底板23、阻隔
件26构成处理晶片W的处理容器20，处理容器20内构成为晶片W
的处理氛围。在盖体31的顶壁部，以与载置于加热板21上的晶片W
的中心部相对的方式形成排气口32。这样在晶片W的上方形成排气口
32是因为能够在对处理容器20内进行排气时抑制压力损失，能够以大
的流量进行上述排气。对于上述有机膜，由于升华物的产生量较多，
因此如上述方式采用能够增大排气量的构成是有利的。另外，盖体31
与阻隔件26的凸缘27之间的间隙构成沿着加热板21的周向设置的排
气口33，该排气口33形成在晶片W的整周。图中用H1表示的供气
口33的上下的宽度例如为0.5mm～1mm。另外，图中用H2表示的从
加热板21的表面至盖体31的背面的高度例如为30mm。
盖体31与上述排气管30的一端连接，以使得能够经由上述排气
口32对处理容器20内进行排气。排气管30的另一端如上述方式与排
气管道11连接，如已述的那样排气管道11内被排气，所以处理容器
20内的处理氛围向该排气管道11排气。这样，通过将处理容器20内
排气，经由供气口33以与处理容器20内的排气量相应的流量，从该
处理容器20的外侧向处理容器20内取入气体例如空气。而且，该空
气从晶片W的周缘部向中心部沿晶片W的径向流动，对处理氛围进
行清洁，并流入排气口32而被排气。
另外，排气管30分支而形成成为分支路径径的分支管34，该分支
管34的另一端在处理容器20的外部的大气氛围(空气氛围)开口。
而且，在分支管34设置有成为排气量调节部的、可自由开闭的风挡35
(参照图1)。图3表示加热模块2A的上表面，示意地表示对上述风
挡35打开的状态，用箭头表示该状态的加热模块2A的气体的流动。
对该气体的流动具体进行说明时，通过排气管道11内的排气，空气从
上述大气氛围经由分支管34和排气管30流入该排气管道11内。因而，
从分支管34向排气管30流动的空气的流量和从处理容器20内排气的
空气的流量的总和，成为从排气管30向排气管道11流动的空气的流
量。因此，例如空气从排气管30向排气管道11内以10L/分钟流入，
设分支管34的空气的流量为aL/分钟时，处理容器20内的排气量为
(10-a)L/分钟，由于a>0，所以处理容器20内的排气量比10L/分钟
低。
从图3所示的状态起风挡35的开度降低时，从分支管34向排气
管30流动的空气的流量a降低，但是以对该a的降低量进行补偿的方
式从处理容器20的外部经由供气口33向处理容器20内供给，向排气
管30流入的空气的流量变多。即，处理容器20内的排气量增大。这
样，风挡35调节从处理容器20的排气口32排到排气管道11的排气
量与从分支管34取入到排气管道11的取入量的流量比。图4与图3
同样示意地表示将风挡35关闭的状态，在风挡35关闭时分支管34的
空气的流量a＝0，所以处理容器20内的排气量为(10-0)＝10L/分钟。
从该图4所示的状态再次打开风挡35时，由于a的值上升，所以处理
容器20内的排气量再次降低。
通过以上述方式开闭风挡35，来切换处理容器20内的排气量。之
后，有时将如图3所示风挡35打开而处理容器20内的排气量变低的
状态记为低排气或者低排气状态，将如图4所示风挡35关闭而处理容
器20内的排气量变高的状态记为高排气或者高排气状态。如上所述在
加热模块2A中，采用从分支管34的端部和处理容器20的供气口33
分别向排气管道11供给空气的结构，因此即使通过分支管34的风挡
35的开闭来切换处理容器20的高排气和低排气，也能够抑制从排气管
30向排气管道11的空气的流量变动。这样，由于能够抑制向排气管道
11的空气流量的变动，所以能够抑制从加热模块2B、2C的各排气管
30向排气管道11的排气量的变动，因而能够抑制这些加热模块2B、
2C的各处理容器20内的排气量的变动。同样，即使在加热模块2B、
2C中分别切换高排气和低排气，也能够抑制其它的加热模块的处理容
器20内的排气量的变动。
但是，根据后述的评价试验，当处理容器20内为低排气时优选处
理容器20内的排气量在0.16L/分钟以下。由于使排气量为如上所述十
分低的值，所以构成为抑制分支管34的压力损失，来自该分支管34
的空气的流量变多。配管的压力损失与配管的内径的大小成反比，且
与配管的管道的长度成正比，所以分支管34中的配管的管道的长度/
配管的内径(＝A)的值，与排气管30中的配管的管道的长度/配管的
内径的值(＝B)相比充分小，例如A/B为1/25以下。
接着，对作为图1所示的计算机的控制部12进行说明。控制部12
中安装有例如存储于软盘、光盘、硬盘、MO(光磁盘)和存储卡等存
储介质中的程序。安装的程序编入有命令(各步骤)，以使得对加热装
置1的各部发送控制信号来控制其动作。具体而言，利用上述程序控
制对于各加热模块2A～2C的风挡35的开闭、对加热器22的供电的
控制、阻隔件26和升降销25的升降等的各动作。
在加热模块2A～2C中，在晶片W的加热处理中切换已述的处理
容器20内的低排气状态和高排气状态，说明进行该切换的理由。以在
背景技术的项目中说明的方式加热晶片W时，从晶片W表面的药液
的涂敷膜产生升华物。该升华物附着于晶片W、处理容器20内凝结成
为颗粒。从将该升华物从处理容器20内除去，防止因上述颗粒而导致
的污染的观点出发，优选以高排气进行排气。
但是，从晶片W的处理开始至处理结束为止，以高排气进行处理
时，排气口32的下方即晶片W的中心部的膜厚大于周缘部的膜厚。
这是因为，在上述的交联反应发生前的涂敷膜具有粘性低、因暴露于
处理容器20内的气流中而其膜厚降低的性质，在高排气状态下从晶片
W的周缘部向中心部流动的空气，在到达晶片W的中心部前向排气口
32即上方被吸引。即，是因为晶片W的中心部难以暴露于气流中而发
生的。
产生上述交联反应而涂敷膜的粘性变高，该涂敷膜固化，由此，
涂敷膜的膜厚不易受到上述气流的影响。另外，晶片W的温度变高，
所以剩余的低分子聚合物、交联剂升华，容易从涂敷膜产生升华物，
但当晶片W的温度低时不产生升华物。因而，从晶片W的处理开始
规定的时间使得成为低排气来抑制晶片W的面内的膜厚分布的均匀性
的降低，在经过了上述规定的时间后使得成为高排气来除去升华物是
有效的。
图5的图表表示在对晶片W进行加热处理中如上述方式切换排气
时的风挡35的开闭的时刻，图表的纵轴表示晶片W的温度(单位：℃)，
图表的横轴表示处理时间。加热模块2A～2C均按照该时序图进行处
理。作为代表对加热模块2A的处理进行说明时，首先，例如在将形成
有上述涂敷膜的晶片W搬入处理容器20前，如图3所示，打开风挡
35对处理容器20内进行低排气，以0.16L/分钟以下的排气量进行排气。
而且，上述晶片W例如在被加热至450℃的加热板21上被交接至升降
销25，该升降销25下降而晶片W被载置于加热板21上(时刻T0)。
由于处理容器20内为低排气，所以从处理容器20的外部流到处理容
器20内的气流从晶片W的周缘部流向中心部，从该中心部向上方的
排气口32流动而被排气。即，晶片W的中心部和周缘部都暴露于气
流中，并且晶片W升温。
而且，晶片W的温度达到在上述涂敷膜开始交联反应的温度(交
联温度)即250度，涂敷膜开始固化。晶片W的温度进一步上升而进
行上述交联反应，涂敷膜的固化进行，并且来自涂敷膜的升华物的产
生量增大。而且，成为从时刻T0经过了规定时间的时刻T1时，如图
4所示，将风挡35关闭，处理容器20内成为高排气。时刻T0～时刻
T1间例如为10秒。因成为高排气而从涂敷膜产生的升华物，快速从排
气口32排气而被从处理容器20内除去，晶片W进一步升温达到450℃。
然后，利用升降销25将晶片W从加热板21举起，而该晶片W的温
度下降，并且打开风挡35(时刻T2)，处理容器20内成为低排气。然
后，晶片W由搬运机构从处理容器20搬出。
接着，对加热装置1整体的动作的一个例子进行说明。例如以加
热模块2A、2B、2C的顺序反复将晶片W搬运到该加热装置1。而且，
从搬运有晶片W的加热模块开始加热处理，在该加热处理中如图5的
图表中说明的方式切换风挡35的开闭。对于2A～2C之中晶片W的加
热处理结束了的加热模块，在处理结束的晶片W的搬出后，搬运后续
的晶片W。图6是与图5同样表示在如上述方式进行处理时的各加热
模块2A～2C的风挡35的开闭的切换时刻和各加热模块2A～2C的晶
片W的温度的图表。在图6的图表中，为了按模块区别装置的动作，
对于加热模块2A、2B、2C将从图5中作为T1所示的风挡35打开的
状态切换为关闭的状态的时刻各自表示为时刻TA1、TB1、TC1，对于
加热模块2A、2B、2C将从图5中作为T2所示的风挡35打开的状态
切换为关闭的状态的时刻各自表示为时刻TA2、TB2、TC2。
如上所述，以加热模块2A、2B、2C的顺序搬运晶片W(第一个
晶片W)开始处理，因此以时刻TA1、TB1、TC1的顺序经过时间，
在这些各时刻对加热模块2A、2B、2C进行从低排气向高排气的切换。
在图7中，与图3、图4同样示意地表示在经过上述时刻TB1后，至
时刻TC1为止的各加热模块2A～2C的风挡35的状态，在加热模块
2A、2B中风挡35被关闭，而处理容器20内成为高排气，在加热模块
2C中风挡35被打开，而处理容器20内成为低排气。
在经过上述时刻TC1将加热模块2C切换为高排气后，以加热模
块2A、2B、2C的顺序结束第一个晶片W的加热处理，该晶片W被
从处理容器20搬出，所以以TA2、TB2、TC2的顺序经过时间，在这
些各时刻将加热模块2A～2C的风挡35打开，进行从高排气向低排气
的切换。在各加热模块2A、2B、2C中，在第一个晶片W被搬出之后，
马上将第二个晶片W搬入，在对该第二个晶片W进行处理中将风挡
35关闭。即，经过第二次的时刻TA1、TB1、TC1，在这些各时刻对加
热模块2A、2B、2C进行从低排气向高排气的切换。在该例子中，第
二次的时刻TA1例如设定在上述时刻TB2与时刻TC2之间。
搬运至各加热模块2A～2C的第二个晶片W也在与第一个晶片W
相同地处理结束之后，从处理容器20搬出，在各加热模块中当处理结
束时从高排气向低排气进行切换。即，虽然在图6中未图示，但是依
次经过第二次的时刻TA2、TB2、TC2。对于后续的晶片W也以加热
模块2A、2B、2C的顺序搬运而接受加热处理，在加热处理结束之后
从处理容器20搬出。
如上所述对加热模块2A～2C分别搬运晶片W，在各加热模块
2A～2C中分别进行加热处理，因此能够以分别单独地进行低排气和高
排气的切换的方式进行各风挡35的开闭的切换。而且，在2A～2C之
中的一个加热模块中切换风挡35的开闭时，如在图3、图4中说明的
那样，由于将从该一个加热模块的排气管30向排气管道11内的空气
的流量保持为一定，所以能够抑制从其它的加热模块的排气管30向排
气管道11内的空气的流量产生变动，结果是能够防止其它的加热模块
中处理容器20内的排气量产生变动。
根据上述的加热装置1，共有排气管道11的加热模块2A、2B、2C
各自包括：一边利用从周围取入的空气对晶片W的处理氛围进行清洁，
一边对该晶片W进行加热处理的处理容器20；将排气管道11和各处
理容器20连接的排气管30；从排气管30分支且其一端向大气开放的
分支管34；和开闭分支管34的管路的风挡35。在这样的构成中，开
闭上述风挡35，控制从分支管34向排气管道11的空气的取入量，由
此能够控制处理容器20的排气量且能够抑制从排气管30向排气管道
11的空气流量的变动。因而，即使改变2A～2C之中的一个加热模块
中的处理容器20的排气量，也能够防止因该改变而其它的加热模块的
处理容器20的排气量发生变动。其结果是，当使处理容器20内各自
为低排气状态、高排气状态时，能够高精度地控制各状态下的排气量。
因而，能够抑制在晶片W的面内膜厚分布降低，和抑制升华物残留在
处理容器20内而从该升华物产生的颗粒附着在晶片W、处理容器20
上。另外，对于设置有风挡35的分支管34，不需要为了防止升华物的
凝结而成为高温，所以能够防止该风挡35的因热导致的劣化。
在上述的处理例中，将晶片W载置在加热板21，当经过预先设定
的时间时关闭风挡35，进行从低排气向高排气的切换。这样，替代基
于时间控制风挡35，例如采用在处理容器20设置辐射温度计而能够测
定晶片W的温度的结构，控制风挡35以使得在所测定的晶片W的温
度达到预先设定的温度之后关闭风挡35。
但是，在上述的处理例中，低排气和高排气瞬时切换，但是，该
切换也可以逐渐进行。图8的图表与图5同样表示风挡35的开闭时刻
和晶片W的温度的关系，表示控制风挡35以使得逐渐进行从低排气
向高排气的切换的例子。对于图9的图表所示的处理，以与图5的图
表中所说明的处理的不同点为中心进行说明时，使处理容器20为低排
气而在时刻T0将晶片W载置在加热板21后，例如在晶片W的温度
成为作为上述的交联温度的250℃的时刻T11，开始风挡35的开度的
改变，逐渐减小其开度。然后，逐渐减小从分支管34向排气管30的
空气的流入量，并且逐渐增大处理容器20的排气量。而且，在时刻T12
将风挡35关闭，而分支管34的空气的流量成为0并且处理容器20成
为高排气。时刻T11、T12之间优选为5秒以上，在该例子中为10秒。
时刻T0、T11之间例如为5秒。
如上所述逐渐关闭风挡35是因为存在如下问题：当急剧关闭风挡
35时空气不从大气气氛急剧地流向分支管34的风挡35的下游侧，由
此该下游侧的压力变低，因该压力降低导致从处理容器20流到排气管
30的升华物不流向排气管道11而流入该分支管34内发生凝结。即，
通过逐渐关闭风挡35，防止这样的分支管34中的升华物的凝结，能够
防止再次打开风挡35而空气在分支管34流通时，从这样凝结的升华
物产生的颗粒向处理容器20飞散。
图9表示加热模块2A的变形例。在该图9的加热模块2A的盖体
31的下表面以在载置于加热板21的晶片W的外侧开口的方式设置有
供气口41。供气口41例如沿着上述晶片W的周向设置有多个，经由
管道42与作为清洁用的气体的空气的供给源43连接。另外，在管道
42设置有加热部44，对流过管道42的空气进行加热。通过加热部44
的加热从供气口41供给的空气的温度例如在40℃以上。
在图9的加热模块2A中，以图5的图表所示的方式进行处理的情
况下，例如在时刻T1关闭风挡35，使处理容器20内为高排气并且对
各供气口41开始供给由加热部44加热的空气。通过该空气的供给，
能够可靠地使来自排气口32的排气量为高的状态，因而能够有效并更
可靠地除去升华物。然后，例如在时刻T2打开风挡35而使处理容器
20内为低排气，并停止上述空气的供给。
由于在利用上述加热部44加热的状态下从供气口41供给空气，
能够利用该空气防止升华物冷却而凝结。但是，在晶片W的处理中处
理容器20的温度因加热板21而上升，因此可以采用如下结构：以从
供给源43供给到盖体31的空气在从供气口41排出至处理氛围为止被
上述加热板21的热加热的方式，在该盖体31形成空气的流路，而没
有设置加热部44。另外，供气口41不限于设置于盖体21，例如也可
以设置在加热板21的晶片W的载置区域的外侧。另外，作为处理容
器20的外气，不限于对处理容器20内供给空气，可以供给氮气等惰
性气体。该处理容器20的外气包含从供给口43取入的气体和从供给
源43供给的气体。
图10、图11表示风挡35的其它的构成例。在该例子中，风挡35
设置在排气管30中与分支管34连接的连接部。而且，利用风挡35在
该连接部处，将处理容器20内相互切换为低排气状态和高排气状态，
代替相互切换空气能够从分支管34的下游端向该排气管30流通的状
态和流通被阻挡的状态。即，风挡35不设置在分支管34，可以如上述
方式设置在排气管30。
作为上述的加热装置1，例如也能够用于对涂敷有用于形成抗蚀剂
膜的下层的反射防止膜的药液的晶片W进行加热的情况。形成该反射
防止膜的药液也包含低分子的聚合物和交联剂，在比交联温度低的温
度下膜厚容易受到气流的影响，所以如上述方式切换低排气和高排气
来进行加热处理是有效的。另外，加热装置1不限于用于涂敷有产生
了这样的交联反应的药液的晶片W的处理。例如也能够用于对涂敷有
不进行上述交联反应的抗蚀剂液的晶片W进行加热处理。由于上述抗
蚀剂液的温度低、包含较多溶剂，所以该抗蚀剂液的粘性低时，由抗
蚀剂液形成的抗蚀剂膜容易因气流而受到膜厚的影响。因此，与上述
的有机膜、反射防止膜的处理同样，至膜发生固化并且升华物的产生
量变得比较多的温度为止以低排气进行加热处理，之后以高排气进行
加热处理是有效的。另外，在上述的各加热模块2A～2C的处理中，
在低排气时晶片W的膜厚分布的均匀性不降低即可，因此处理容器20
内的排气量可以为0L/分钟。即，在低排气时可以不进行排气。
(评价试验)
接着，对与本发明关联地进行的评价试验进行说明。在该评价试
验中，使用在上述的实施方式中说明的加热模块，对涂敷有已述的用
于形成有机膜的药液的直径300mm的晶片W进行了加热处理。该加
热处理对各晶片W改变处理容器20内的排气量而进行。作为评价试
验1-1～1-5，与上述实施方式的处理不同，从晶片W的处理开始至处
理结束为止使处理容器20的排气量为一定来进行加热处理，在评价试
验1-1、1-2、1-3、1-4、1-5中，分别使上述排气量为15L/分钟、0L/
分钟、0.3L/分钟、0.5L/分钟、1L/分钟。另外，作为评价试验1-6，如
实施方式中说明的那样在晶片W的处理中进行了从低排气向高排气的
切换。
对于在评价试验1-1～1-6中处理过的晶片W，测定面内的多个部
位的膜厚，测定膜厚的平均值、3西格玛区间(sigma)、范围(range)、
中心部范围、改善率。上述范围是在晶片W取得的膜厚的最大值与最
小值的差，中心部范围是从晶片W的中心的膜厚与从中心离开规定的
距离的一个膜厚的差。改善率是以评价试验1-1的中心部范围为基准时
的其它的评价试验中所取得的中心部范围的改善率，(评价试验1-1的
中心部范围-其它的评价试验中所取得的中心部范围)/(评价试验1-1
的中心部范围)×100(单位：％)。
下述的表1表示评价试验1-1～1-6的测定结果。另外，图表表示
从评价试验1-1～1-5得到的中心部范围和改善率。图表的横轴表示处
理容器20的排气量，纵轴表示中心部范围和改善率。将测定结果绘图
于图表中，并且基于该测定结果得到的近似曲线表示于图表中。如表1
所示在评价试验1-1～1-6中平均膜厚大致相等。而且，评价试验1-6
与评价试验1-1～1-5相比3西格玛区间、范围、中心部范围均低，改
善率高。因而，如上述的实施方式所示，确认了通过切换低排气和高
排气来进行处理，对于晶片W的膜厚的面内分布能够提高均匀性。另
外，作为上述的改善率设为50％以下在实际应用上有效。从图12的图
表的近似曲线可知，改善率在50％时，排气量为0.16L/分钟，排气量
越降低改善率越变高。因而，在上述的实施方式中，使处理容器20内
为低排气时的排气量设为0.16L/分钟以下是有效的。
表1