液晶显示装置.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 103576365 A (43)申请公布日 2014.02.12 CN 103576365 A (21)申请号 201310332841.8 (22)申请日 2013.08.02 2012-173458 2012.08.03 JP G02F 1/1333(2006.01) (71)申请人 株式会社日本显示器 地址 日本东京都 (72)发明人 平塚崇人 伊东理 大谷美晴 石垣利昌 园田大介 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 张劲松 (54) 发明名称 液晶显示装置 (57) 摘要 一种液晶显示装置， 其具有壁结构体， 可以抑 制低温冲击气泡。

2、的发生。 另外， 还可以防止制造时 基板内部的电极等的损伤。 该液晶显示装置具有 ： 第一基板、 与所述第一基板相对设置的第二基板、 设于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层 （6） 、 形成在所述第一基板上的壁结构体 （4） 、 设 置在壁结构体 （4） 的至少侧面的像素电极 （8） 、 以 及形成在所述第一基板上的共通电极 （5） ， 还具 备包含像素电极 （8） 和共通电极 （5） 的多个像素 （10） ， 其中， 在所述第二基板的表面局部地设置有 高度高的部分， 通过使该高度高的部分与壁结构 体 （4） 接触， 使得所述第一基板和所述第二基板 接触。 (30)优先权数据 (51)In。

3、t.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 8 页 附图 8 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书8页 附图8页 (10)申请公布号 CN 103576365 A CN 103576365 A 1/1 页 2 1. 一种液晶显示装置， 其特征在于， 具有 ： 第一基板 ； 与所述第一基板相对设置的第二基板 ； 设于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层 ； 形成在所述第一基板上的壁结构体 ； 设置在所述壁结构体的至少侧面的像素电极 ； 形成在所述第一基板上的共通电极， 还具备包含所述像素电极和所述共通电极的多个像素， 在所述第二基板的表面局部地设置。

4、有高度高的部分， 通过使所述高度高的部分与所述 壁结构体接触， 而使得所述第一基板和所述第二基板接触。 2. 如权利要求 1 所述的液晶显示装置， 其特征在于， 所述高度高的部分为局部地形成 在所述第二基板上的间隔膜。 3. 如权利要求 1 所述的液晶显示装置， 其特征在于， 所述高度高的部分通过将形成在 所述第二基板上的邻接的滤色膜的端部重合而形成。 4. 如权利要求 1 所述的液晶显示装置， 其特征在于， 所述壁结构体具有与所述像素的 开口部不邻接的突出部， 所述高度高的部分在所述突出部与所述壁结构体接触。 5. 如权利要求 4 所述的液晶显示装置， 其特征在于， 在所述突出部的侧面没有形。

5、成所 述像素电极以及所述共通电极。 6. 如权利要求 5 所述的液晶显示装置， 其特征在于， 在所述突出部的侧面没有形成间 隔所述像素电极和所述共通电极的绝缘膜。 7. 如权利要求 1 所述的液晶显示装置， 其特征在于， 所述像素的数量和所述高度高的 部分与所述壁结构体接触部分的数量不同。 8. 如权利要求 4 所述的液晶显示装置， 其特征在于， 所述突出部的宽度方向的中心位 置与所述间隔膜的宽度方向的中心位置错开进行设置。 9. 如权利要求 1 所述的液晶显示装置， 其特征在于， 所述像素为在其长度方向的中央 附近弯曲的形状。 权 利 要 求 书 CN 103576365 A 2 1/8 页。

6、 3 液晶显示装置 技术领域 0001 本发明涉及液晶显示装置， 特别是涉及一种以横电场方式进行驱动的液晶显示装 置。 背景技术 0002 在液晶显示装置中， 在形成有像素电极以及薄膜晶体管 （TFT） 的 TFT 基板和形成 有滤色片等的对向基板之间填充液晶， 通过利用电场对该液晶的分子进行驱动、 控制来形 成图像。其中， 近年大多使用被称为横电场方式 （IPS 方式） 驱动的液晶显示装置。 0003 IPS 方式是将液晶分子在面板面上水平地取向， 并施加与面板面平行的电场 （横电 场） 而使液晶分子在与面板面水平的面内旋转的液晶的驱动方式。该 IPS 方式的液晶显示 装置， 在形成有图像信。

7、号线 （漏极线） 、 扫描信号线 （栅极线） 以及薄膜晶体管、 像素电极等的 第一基板侧还形成有共通电极， 并利用施加在像素电极和共通电极上的电压差产生的第一 基板的面内方向的电场来驱动液晶层。在由该结构形成的 IPS 方式的液晶显示装置中， 例 如构成为， 在由透明导电膜形成的面状的共通电极的上层经由绝缘膜重叠线状的像素电极 而配置。 0004 即使在该 IPS 方式中， 为了进一步提高液晶显示部的开口率， 近年来大多使用如 下的方式， 即、 以跨越液晶显示装置的邻接像素的形式形成有壁结构体， 并在该壁结构体的 侧壁上形成像素电极， 进一步在相对的 TFT 基板和对向基板上分别形成共通电极和。

8、对向电 极， 并在基板面上产生平行的电场来驱动液晶层的方式。 0005 另外， 液晶显示装置中的 TFT 基板与对向基板间的间隔为非常小的数微米程度， 适当地设定 TFT 基板与对向基板间的间隔， 对于控制液晶的光的透射是极其重要的。由此， 提案有使上述壁结构体兼备作为保持 TFT 基板与对向基板间的间隔的间隔体的功能。 0006 但是， 在制造液晶显示装置时， 必须要在基板间填充液晶并进行密封。 从而作为近 年来大多使用的液晶的填充方法有被称为液晶下滴注入法 （ODF 方式） 的方法， 该方法首先 在一基板上滴下所需量的液晶， 然后将另一基板进行密封从而填充液晶。 0007 根据 ODF 方。

9、式， 与现有的液晶注入法相比具有不需要大型的制造设备， 还可缩短 制造所需时间， 并且使液晶的大量生产变得容易等特点， 但是对于液晶的下滴以及上述保 持基板间的间隔则被要求具有非常高的精度。 0008 当将该 ODF 方式适用于上述使壁结构体具备间隔功能的液晶显示装置时， 则会有 低温冲击气泡发生的可能性。低温冲击气泡是指， 在对封入有液晶的液晶面板等通过外力 等施加冲击时， 在液晶层中产生负压， 液晶层中溶入的氮等气体成分溶出而产生的真空气 泡中， 尤其是在 -20左右的低温环境下所产生的气泡。 0009 由于该低温冲击气泡很难再溶解， 且不容易消灭， 因此成为发生显示不均等的最 大原因。低。

10、温冲击气泡易在基板与间隔的接触部发生， 另外， 通过实验可以确认， 抑制发生 低温冲击气泡的性能和间隔与基板的接触面积成反比例。 0010 采用了壁结构体的 IPS 方式的液晶显示装置中成为发生低温冲击气泡问题的理 说 明 书 CN 103576365 A 3 2/8 页 4 由是， 由于壁结构体的高度一定且在像素的长边上全部形成， 即成为仅将主间隔体以高密 度进行了配置的状态， 而没有配置高度比主间隔体稍低的辅助间隔体的空间。 即， 因为与配 置辅助间隔体的情况相比， 基板与间隔体之间的接触面积增加了。 0011 另外， 将壁结构体与间隔体兼用的情况下使用上述 ODF 方式制造液晶显示装置 。

11、时， 由于使壁结构体直接承受贴合基板时的压力， 因此， 可能会对作为电极的 ITO 以及层间 绝缘膜或者壁结构体自身产生损害。 0012 在 JP2005-157224A 中公开了如下的技术， 即、 在 VA 方式的液晶显示装置中， 在 基板间配置壁结构体等支承体并规定液晶层厚度的技术。另外， 在 JP2009-145865A 以及 JP2010-210866A 中也公开了利用间隔体来保持基板间的厚度的技术。但是， 这些技术中的 任意一种技术对于抑制 IPS 方式的低温冲击气泡或者防止壁结构体等的损伤都不充分。 发明内容 0013 本发明鉴于上述问题而研发， 其要解决的课题是对于具有壁结构体的。

12、液晶显示装 置， 可抑制低温冲击气泡的发生。 另外， 进一步追加的课题是对于具有壁结构体的液晶显示 装置， 可防止制造时基板内部的电极等的损伤。 0014 为了解决上述课题， 本发明的液晶显示装置具有下述的技术特征。 0015 （1） 具有 ： 第一基板 ； 与所述第一基板相对设置的第二基板 ； 设于所述第一基板与 所述第二基板之间的液晶层 ； 形成在所述第一基板上的壁结构体 ； 设置在所述壁结构体的 至少侧面的像素电极 ； 形成在所述第一基板上的共通电极， 还具备包含所述像素电极和所 述共通电极的多个像素， 在所述第二基板的表面局部地设置有高度高的部分， 通过使所述 高度高的部分与所述壁结构。

13、体接触， 使得所述第一基板和所述第二基板接触。 0016 （2） 在上述 （1） 中， 所述高度高的部分为局部地形成在所述第二基板上的间隔膜。 0017 （3） 在上述 （1） 中， 所述高度高的部分通过将形成在所述第二基板上的邻接的滤色 膜的端部重合而形成。 0018 （4） 在上述 （1） 至 （3） 的任意一项中， 所述壁结构体具有与所述像素的开口部不邻 接的突出部， 所述高度高的部分在所述突出部与所述壁结构体接触。 0019 （5） 在上述 （4） 中， 在所述突出部的侧面没有形成所述像素电极以及所述共通电 极。 0020 （6） 在上述 （5） 中， 在所述突出部的侧面没有形成间隔所。

14、述像素电极和所述共通电 极的绝缘膜。 0021 （7） 在上述 （1） 至 （6） 的任意一项中， 所述像素的数量和所述高度高的部分与所述 壁结构体接触部分的数量不同。 0022 （8） 在上述 （4） 至 （6） 的任意一项中， 所述突出部的宽度方向的中心位置与所述间 隔膜的宽度方向的中心位置错开进行设置。 0023 （9） 在上述 （1） 至 （8） 的任意一项中， 所述像素为在其长度方向的中央附近弯曲的 形状。 0024 根据本发明的上述各技术特征， 在具有壁结构体的液晶显示装置中， 可以抑制低 温冲击气泡的发生。 另外， 在具有壁结构体的液晶显示装置中， 能够防止制造时基板内部的 电极。

15、等损伤。 说 明 书 CN 103576365 A 4 3/8 页 5 附图说明 0025 图 1 是示意性地表示本发明的第一实施方式的液晶显示装置中的像素构成的剖 面图。 0026 图 2 是示意性地表示本发明的第一实施方式的液晶显示装置中的像素构成的平 面图。 0027 图 3 是表示图 2 的 - 线的剖面图。 0028 图 4 是表示本发明的第一实施方式的液晶显示装置的变形例的剖面图。 0029 图 5 是表示本发明的第一实施方式的液晶显示装置的又一变形例的剖面图。 0030 图 6 是示意性地表示邻接的 3 个像素的构成的平面图。 0031 图 7 是示意性地表示邻接的 3 个像素的。

16、构成的平面图。 0032 图 8 是表示将突出部的宽度方向的中心位置和间隔膜的宽度方向的中心位置错 开的实施例的剖面图。 0033 图 9 是示意性地表示本发明的第二实施方式的液晶显示装置中的像素构成的平 面图。 0034 符号说明 0035 1CF 基板、 2TFT 基板、 3 支承体、 4 壁结构体、 5 共通电极、 6 液晶层、 7 绝缘膜、 8 像素 电极、 10 像素、 11 邻接像素、 12 副壁结构体、 13 绝缘膜、 14 漏极信号线、 15 通孔、 18 开口部、 19 突出部、 20 间隔膜 具体实施方式 0036 下面， 参照图 1 至图 8 对本发明的第一实施方式的液晶。

17、显示装置 100 进行详细地 说明。 0037 图 1 是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置 100 中的像素构成的剖面图， 图 2 是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置中的像素构成的平面图。 0038 如图 1 所示， 液晶显示装置 100 是层叠了作为第一基板的 TFT 基板 2、 与 TFT 基板 2 相对设置的作为第二基板的滤色器 （CF） 基板 1、 以及设于 TFT 基板 2 与 CF 基板 1 之间的 液晶层 6 的结构。在 TFT 基板 2 上形成有壁结构体 4、 高度比壁结构体 4 稍低的副壁结构体 12， 并具有至少设于壁结构体 4 的侧面的作为第一电极的像素电极 8、。

18、 以及形成在 TFT 基板 2 上并至少覆盖副壁结构体 12 的共通电极 5。在本实施方式中， 像素电极 8 以覆盖壁结构 体 4 的侧面以及壁结构体 4 和副壁结构体 12 之间的区域的方式进行设置， 图示的截面构造 为大致 L 字状。因此， 副壁结构体 12 在俯视时没有被像素电极 8 覆盖。在本实施方式中， 共通电极 5 以覆盖 TFT 基板 2 整个面的方式进行设置， 但只要是覆盖副壁结构体 12 的形式 即可。即， 在俯视时， 在配置副壁结构体 12 的区域共通电极 5 没有被像素电极 8 覆盖。像 素电极 8 和共通电极 5 之间由绝缘膜 13 间隔开。另外， 在壁结构体 4 与副。

19、壁结构体 12 之 间的区域以覆盖像素电极 8 的方式来设置绝缘膜 7。绝缘膜 7 也可以覆盖副壁结构体 12。 另外， 该图中省略了取向膜的图示。 0039 CF 基板 1 具有红色滤色器、 绿色滤色器以及蓝色滤色器， 从背面灯 （未图示） 进行 照射， 实现对透过液晶层 6 的光赋予色彩的作用。另外， 如后叙的在 CF 基板上的划分像素 说 明 书 CN 103576365 A 5 4/8 页 6 间的位置上形成有黑色矩阵层 BM， 还包含对向电极 9 和保护层 OC。 0040 如上所述， 液晶显示装置 100 成为， 在相互相对的 CF 基板 1 与 TFT 基板 2 之间设 置规定的。

20、间隙， 并通过在该间隙中填满液晶来形成液晶层 6 的结构。并且， 液晶层 6 通过配 置在像素电极 8 和副壁结构体 12 上的共通电极间产生的电场来驱动。即， 由相邻的壁结构 体 4 夹持， 且通过被赋予共通电位的像素电极 8 和共通电极 5 使液晶驱动的区域成为一个 像素 10。图 1 表示了液晶显示装置 100 的一个像素的截面。 0041 其中， 壁结构体4被配置在由黑色矩阵层BM遮光的遮光区域上， 另外， 在壁结构体 4 的下部配置有漏极信号线 14。另外， 在 TFT 基板 2 上， 除了漏极信号线 14 之外， 还阵列状 地配置有未图示的施加扫描信号的栅极信号线， 由一组栅极信号。

21、线以及漏极信号线 14 形 成矩形的像素 10。在 TFT 基板 2 上， 另外还配置有 TFT 等开关元件等其他电路元件， 但在图 1 所示的界面中没有体现。 0042 作为CF基板1以及TFT基板2的原材料， 例如通常有玻璃基板， 但也可以是具有绝 缘性的透明树脂基板。 另外， 像素电极8以及共通电极5例如使用ITO （Indium-Tin-Oxide） 等透明导电材料并通过溅射法来形成电极膜， 再通过光刻法进行选择蚀刻等的方法形成。 另外， 除了 ITO 之外例如还可以使用 InZnO（Indium-Zinc-Oxide） 等各种金属氧化物材料。 壁结构体 4 以及副壁结构体 12 例如。

22、使用感光性树脂材料并通过已知的光刻法等形成。 0043 另外， 壁结构体 4 形成在划分像素 10 和邻接像素 11 的边界的遮光区域或者形成 在不是液晶显示装置 100 的有效显示区域的显示部的周边电路区域。在此， 遮光区域是指 形成在 CF 基板 1 上且不参与显示而进行遮光的区域， 在本实施方式中， 形成由感光性树脂 等形成的黑色矩阵层 BM 作为遮光区域。除了黑色矩阵层 BM 之外， 例如也可以通过使 TFT 以及栅极信号线、 漏极信号线 14 等具有遮光能力来形成遮光区域。另外， 如上所述为了对 液晶层 6 施加均匀的横电场， 至少在壁结构体 4 的侧面形成有像素电极 8， 但优选不。

23、要形成 在壁结构体 4 的上部。是为了避免发生与邻接像素 11 的显示电极 8 的短路。因此， 在形成 像素电极 8 时， 适当地使用掩模或者可以在壁结构体 4 的上部预先形成剥离用膜并在电极 膜形成之后将其去除。绝缘膜 7 是用于防止在共通电极 5 和像素电极 8 之间、 或者上述电 极与其他电路元件之间产生不必要的短路而设置的， 利用 SiN 等材料并通过公知的 CVD 法 等而形成。 0044 通过上述构成， 在像素电极 8 的尤其是在壁结构体 4 的侧面形成的部分和覆盖副 壁结构体 12 的共通电极 5 的部分之间， 产生对应于施加在像素电极 8 上的电压的强度的并 具有与 CF 基板。

24、 1 以及 TFT 基板 2 平行的方向成分的电场， 通过该电场使液晶层 6 中的液晶 的分子的取向方向在水平面内进行旋转而被驱动。如上所述的液晶显示装置通常被称为 IPS 方式或者横电场方式， 并被公认为是可以进行宽视角显示的装置。另外， 本实施方式的 液晶显示装置 100 进行通常黑色的显示， 即在未对液晶层 6 施加电场时使的光透射率为最 小 （黑色显示） ， 通过施加电场来增加光的透射率。 0045 图2是示意性地表示本发明的第一实施方式的液晶显示装置100中的像素构成的 平面图。如该图所示， 像素 10 为大概矩形， 虽未图示但由栅极信号线和漏极信号线包围的 区域形成。其中， 该图表。

25、示的是形成在 TFT 基板 2 上的构造， 并省略了绝缘膜 7、 13 的图示。 0046 而且， 在本实施方式中， 壁结构体 4 以夹持像素的形式连续地形成在像素的左右 两端侧。 另外， 像素10的开口部18， 即占据像素10的发光部调整来自背光灯的光线的透射 说 明 书 CN 103576365 A 6 5/8 页 7 率而透过的区域， 是被形成在壁结构体 4 的侧面的像素电极 8 夹持并在与覆盖副壁结构体 12 的共通电极之间形成横电场的区域， 如图中虚线所示。为了避免因来自背光灯的光线的 泄漏引起的对比度以及色纯度的下降， 将像素 10 中的开口部 18 以外部分的非开口部作为 上述遮。

26、光区域。壁结构体 4 的一部分成为从与开口部 17 邻接的区域突出的突出部 19。即， 突出部 19 的侧面位于非开口部。另外， 通孔 15 是将像素电极 8 和 TFT 的漏极电极 （或者源 电极） 连接的结构。另外， 之前所示图 1 是表示图 2 的线的剖面图。 0047 图 3 是表示图 2 的 - 线的剖面图。如该图所示， 在壁结构体 4 的突出部 19 的 正上方， 在 CF 基板 1 的保护层 OC 的更上一层形成有间隔膜 20， 正由于间隔膜 20 的厚度的 高度， CF 基板 1 的表面局部变高。另外， 壁结构体 4 在突出部 19 处与形成在 CF 基板 1 上 的间隔膜 2。

27、0 的表面接触， 由此来限定 CF 基板 1 与 TFT 基板 2 之间的间隙的宽度。即， 壁结 构体 4 的突出部 19 以外的大半部分不与 CF 基板 1 接触， 正由于间隔膜 20 的厚度部分， 其 隔开有间隙。 0048 根据该结构， 通过突出部19和间隔膜20在俯视时重合的微小范围的接触， 来限定 CF 基板 1 和 TFT 基板 2 间的距离， 剩余下的大半范围则允许有向表面的法线方向的挠曲。 由此， 即使在由于低温而使液晶层 6 的体积产生收缩的情况下， 也可以利用 CF 基板 1 的挠 曲将该体积变化吸收， 从而使液晶层 6 不会成为明显的减压环境， 从而， 可以防止低温冲击 。

28、气泡的发生。 0049 间隔膜 20 的原材料， 在本实施方式中采用的是聚酰亚胺等的有机树脂膜。对于相 关原材料， 由于间隔膜 20 产生微小弹性变形， 因此， 在利用 ODF 方式的液晶显示装置 100 的 制造中粘合 CF 基板 1 和 TFT 基板 2 时， 具有防止壁结构体 4 因局部作用大的应力而产生破 损的效果。但是， 间隔膜 20 的原材料并不局限于有机树脂膜。另外， 代替间隔膜 20， 也可以 将相互邻接的色彩不同的滤色层 CF( 因此， 通过其他工艺制造 ) 的端部进行重合来在 CF 基 板 1 的表面上局部地形成高度高的部分。该情况下， 具有不需要单独再制造间隔膜 20 的。

29、工 艺的优点。 0050 图 4 是表示本实施方式的液晶显示装置 100 的变形例的剖面图。其中， 该图是对 应图 3 的附图， 与图 3 同样是表示图 2 的 - 线的剖面图。本变形例中， 在突出部 19 的 侧面以及顶面没有形成像素电极 8 以及共通电极 5。其理由如下。即， 当使用 ODF 方式制造 液晶显示装置 100 时， 粘合 CF 基板 1 和 TFT 基板 2 时的压力集中到与 CF 基板 1 和 TFT 基 板 2 接触的壁结构体 4 的突出部 19 处， 该压力作为将壁结构体 4 向垂直方向压缩的力而作 用。此时， 对形成在壁结构体 4 侧面的膜也作用有朝向膜的面内方向的压。

30、缩力， 因此， 当该 膜是与壁结构体 4 的粘合力较弱， 或者是不易产生弹性变形而表现出脆性等抗变形弱的膜 时， 则可能存在该膜发生破损而从壁结构体 4 剥离， 并作为异物混入液晶层6 中的问题。另 外， 在本实施方式中， 如之前说明的像素电极 8 以及共通电极 5 是 ITO 等的金属氧化物， 由 于抗变形弱， 因此， 没有预先在突出部 19 的侧面形成。 0051 图 5 是表示本实施方式的液晶显示装置 100 的又一变形例的剖面图。该图也是对 应图 3 的附图， 与图 3 同样是表示图 2 的 - 线的剖面图。本变形例中， 像素电极 8、 共通 电极 5、 再加上作为 SiN 等无机膜的。

31、绝缘膜 13 都没有形成在突出部 19 的侧面， 在利用 ODF 方式制造时， 防止上述这些膜的破损以及剥离。 0052 但是， 在上述的说明中， 对按照每一个像素一个位置的比例来设置突出部 19 与间 说 明 书 CN 103576365 A 7 6/8 页 8 隔膜 20 接触部分的结构进行了说明。但是并不局限于此， 也可以按照对多个像素一个位置 的比例等， 突出部19与间隔膜20接触部分的数量和配置不必与像素形成一对一的关系， 例 如也可以相对于多个像素设置一个壁结构体 4 的局部的高度高的部分。 0053 图 6 以及图 7 是示意性地表示连接的 3 个像素的构成的平面图。图 6 所示。

32、的示例 中， 对邻接的 3 个像素分别以一个的比例来设置突出部 19。另外一方面， 设于 CF 基板 1 的 间隔膜 20 仅设置在图中阴影线所示的部分， 因此， 成为相对 3 个像素以一个位置的比例使 突出部 19 和间隔膜 20 接触。另一方面， 在图 7 所示的示例中， 相邻的 3 个像素中仅在 1 个 像素上设置了突出部 19， 因此， 成为相对 3 个像素以一个位置的比例使突出部 19 和间隔膜 20 接触。其中， 图 7 中所示的间隔膜 20 为向像素的短边方向延伸的带状的平面形状， 但只 要是形成在与突出部 19 对应的位置任何形状都可以， 例如图 6 所示的形状也没有问题。 0。

33、054 突出部 19 和间隔膜 20 接触部分的个数以及配置是任意的， 但是该部分配置的个 数越多、 越密集则CF基板1和TFT基板2之间的间隙就不会产生变动， 则发生低温冲击气泡 的可能性就变大。另一方面， 如果该部分的个数越少、 越稀疏地进行配置， 则 CF 基板 1（或 者 TFT 基板 2） 就容易挠曲， 液晶层 6 的厚度就容易发生变化， 因此， 所显示的图像发生不均 匀的可能性就变大。因此， 突出部 19 和间隔膜 20 接触部分的个数以及配置应对应所要制 造的产品选择最适宜的方案。另外， 关于配置而言， 突出部 19 和间隔膜 20 接触部分可以规 则地进行配置 （例如， 格子状。

34、配置） ， 也可以不规则地进行配置。 0055 但是， 以上对根据突出部19和间隔膜20接触部分的个数以及配置密度， 低温冲击 气泡的发生可能性以及图像不均匀的发生可能性会产生变化进行了描述。更准确地说， 如 果突出部 19 和间隔膜 20 接触部分 （无论规则还是不规则） 在图像显示区域 （图像形成的区 域） 内均等地进行配置， 则根据图像显示区域内的 CF 基板 1 和 TFT 基板 2 接触部分 （其相当 于突出部 19 和间隔膜 20 接触部分） 的面积的大小， 低温冲击气泡的发生可能性以及图像不 均匀的发生可能性会产生变化。 0056 另外， 本实施方式中， 突出部 19 以及间隔膜。

35、 20 的形成方法没有特别的限定， 但通 常使用光刻法来形成上述部分比较合理。 另外， 当通过光刻法作成微细构造时， 根据其分解 能力， 可形成的微细构造存在最少限度。因此， 如图 3 所示在将间隔膜 20 配置在突出部 19 的正上方的结构中， 突出部 19 和间隔膜 20 的接触面积存在无法再小的最低值。 0057 于是， 如图 8 所示， 通过将突出部 19 的宽度方向的中心位置 B 与间隔膜 20 的宽度 方向的中心位置 C 错开， 使突出部 19 的顶面和间隔膜 20 在偏离的位置接触， 由此， 可以将 突出部 19 和间隔膜 20 的接触面积调整到比图 3 所示的结构更小。 005。

36、8 接着， 说明本发明的第二实施方式。图 9 是示意性地表示本发明的第二实施方式 的液晶显示装置200的像素构成的平面图。 该图与之前的第一实施方式100的图2相对应。 另外， 液晶显示装置 200 中除了像素 10 整体为平面形状该点不同之外， 其他均与第一实施 方式的液晶显示装置 100 相同， 因此， 对共通的部分赋予相同的符号， 并省略重复的说明。 0059 如该图所示， 液晶显示装置 200 中的像素 10 在其长度方向的中央附近弯曲， 并以 相对于像素 10 的长度方向的配置方向 （图中上下方向） 使壁结构体 4 以及副壁结构体 12 所 成角度为互相相反的方式而具有区域D1以及区。

37、域D2。 因此， 形成在壁结构体4的侧面的像 素电极 8 以及覆盖副壁结构体 12 的共通电极 5 的部分， 也是在区域 D1 以及区域 D2 以相互 相反的角度进行配置。另外， 虚线所示的开口部 18 的形状也和像素 10 整体的形状相同， 为 说 明 书 CN 103576365 A 8 7/8 页 9 在其长度方向的中央附近弯曲的形状。 0060 图示的结构作为所谓的多畴构造而被人们熟知， 通过将在区域 D1 和区域 D2 上产 生的电场设为反向对称， 来用于将各个区域的液晶的旋转角度变成互相反向对称的结构。 由此， 将从特定方向观察液晶显示装置 100 时发生的非意图着色在区域 D1 。

38、和区域 D2 中相 互抵消， 则可进行宽视角的高品质的图像显示。 0061 （实施例） 0062 上述第一实施方式中， 使用图 7 以及图 8 所示的结构试做了各种各样的液晶显示 装置 100。此时， 在将 CF 基板 1 和 TFT 基板 2 之间的接触面积率， 以 CF 基板 1 和 TFT 基板 2 接触部分的面积 （即， 突出部 19 和间隔膜 20 接触部分的面积） 相对于图像显示区域的面 积的比例进行定义时， 使接触面积率在 0.005% 0.76% 范围内变化， 另外， 使间隔膜 20 的 厚度在 0.2m 0.7m 间变化。另外， 对上述试做的各个液晶显示装置 100， 为了评。

39、价其 相对于低温冲击气泡发生的耐性， 而实施了下面的低温冲击气泡试验。另外， 为了评价 CF 基板 1 和 TFT 基板 2 的间隙的大小的维持性能， 而实施了下面的反复按压试验。 0063 （低温冲击气泡试验） 0064 将液晶显示装置 100 在 -20下保持 24 小时之后， 在 -20的环境下将直径 11mm 的钢球从 10cm 的距离自由落下冲击液晶显示装置 100， 通过目视来评价低温冲击气泡发生 的有无。 0065 （反复按压试验） 0066 对液晶显示装置 100 的表面的直径 10mm 的范围， 将 105N 的负荷以 200N/s 的速度 反复施加负荷 5 次， 通过目视来。

40、评价卸载 1 分钟后的压痕产生的有无。 0067 表 1 表示了上述试做的各个液晶显示装置 100 的接触面积率和间隔膜的膜厚、 低 温冲击气泡试验以及反复按压试验的结果。各个结果中， OK 表示没有观察到低温冲击气泡 或者压痕的发生， NG 表示观察到低温冲击气泡或者压痕的发生。其中， 序号 10 所示的试做 例是没有形成间隔膜 20 的结构， 其壁结构体 4 的顶面整体与 CF 基板 1 接触。 0068 表 1 0069 0070 说 明 书 CN 103576365 A 9 8/8 页 10 0071 从上述结果可以看出， 接触面积率为 0.076% 时会发生低温冲击气泡， 然而接触面。

41、 积率为0.411%时则没有发生 （试做序号8和9比较） 。 另外， 当接触面积率低于0.050%时则 会发生压痕 （试做序号3和4比较） 。 进一步， 当间隔膜20的膜厚高于0.7m以上时则会发 生压痕 （根据试做序号 2 和 3） 。另外， 本试做中， 将间隔膜 20 的膜厚的最小值设为 0.2m， 也并没有发现有问题 （根据试做序号 6 以及 8） 。 0072 根据上述结果得知， 大致接触面积率优选在 0.05% 以上且 0.41% 以下， 另外， 间隔 膜 20 的膜厚优选在 0.2m 且以上 0.6m 以下。 0073 以上， 对本发明的各种实施方式进行了叙述， 但是， 本发明并不。

42、限于上述实施方 式， 在不超出本发明请求的技术范围的精神的前提下， 可以对本发明进行各种各样的修改。 说 明 书 CN 103576365 A 10 1/8 页 11 图 1 说 明 书 附 图 CN 103576365 A 11 2/8 页 12 图 2 说 明 书 附 图 CN 103576365 A 12 3/8 页 13 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 103576365 A 13 4/8 页 14 图 5 说 明 书 附 图 CN 103576365 A 14 5/8 页 15 图 6 说 明 书 附 图 CN 103576365 A 15 6/8 页 16 图 7 说 明 书 附 图 CN 103576365 A 16 7/8 页 17 图 8 说 明 书 附 图 CN 103576365 A 17 8/8 页 18 图 9 说 明 书 附 图 CN 103576365 A 18 。