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1、(10)申请公布号 CN 103760729 A (43)申请公布日 2014.04.30 CN 103760729 A (21)申请号 201310642345.2 (22)申请日 2004.06.16 170896/2003 2003.06.16 JP 200410059303.7 2004.06.16 G02F 1/139(2006.01) G02F 1/133(2006.01) (71)申请人 NLT 科技股份有限公司 地址 日本神奈川县川崎市 (72)发明人 高取宪一 斯维特拉娜A克什克哈娜 (74)专利代理机构 中原信达知识产权代理有限 责任公司 11219 代理人 张焕生 谢丽娜。
2、 (54) 发明名称 液晶面板、 液晶显示器以及电子设备 (57) 摘要 本发明涉及一种液晶面板、 液晶显示器、 以及 电子设备。将扭曲排列的向列液晶的扭距 p 与液 晶层的厚度d之间的关系设置为p/d8, 并且执行 聚合物稳定。按照这种方法, 可提高这样的扭矩, 该扭矩用于将施加电压时的排列恢复为未施加电 压时的排列, 并且因此可提高液晶在衰减时间时 的响应速度。 即使当使用扭曲排列的向列液晶时, 也可通过将现有技术应用到其由复位操作、 过驱 动操作、 或者共用调制所驱动的液晶显示器上而 获得很高的响应速度。其结果是, 液晶显示器可 对其要求更高响应速度的场序制显示模式进行处 理。 (30)。
3、优先权数据 (62)分案原申请数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 17 页 附图 15 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书17页 附图15页 (10)申请公布号 CN 103760729 A CN 103760729 A 1/1 页 2 1. 一种液晶板, 包括 : 一晶体管阵列衬底, 该晶体管阵列衬底具有像素电极以及用于驱动所述像素电极的薄 膜晶体管, 所述像素电极和所述薄膜晶体管形成于所述衬底的表面上 ; 一相对衬底, 该相对衬底与所述晶体管阵列衬底的所述表面相对并且具有一共用电 极, 该共用电极形成于相对衬底的与所。
4、述晶体管阵列衬底相对的表面上 ; 一液晶层, 该液晶层位于所述晶体管阵列衬底与所述相对衬底之间, 并且其形成为扭 曲的向列液晶排列, 其中, 所述液晶层由液晶材料构成, 该液晶材料的特征在于其液晶分子 是扭曲态的, 并且适用被定义为p/d8的关系, 其中p是在所述液晶层中所用的所述液晶材 料的扭距, 并且所述液晶层的厚度为 d ; 以及 一用于驱动所述液晶层的驱动电路, 其中与至少一个所述衬底相接触的所述液晶层表面上的所述扭曲的向列液晶的前倾 角方向上的锚定强度等于或者大于 10-5J/m2。 2. 根据权利要求 1 的液晶板, 其中所述驱动电路形成于所述晶体管阵列衬底之上。 3. 根据权利要。
5、求 2 的液晶板, 其中所述驱动电路是过驱动电路。 4. 根据权利要求 1 的液晶板, 其中所述驱动电路是用于对共用电压进行调制的电路。 5. 根据权利要求 1 的液晶板, 其中相对于衬底表面而言的所述扭曲的向列液晶的前倾 角等于或者小于 16 度。 6. 根据权利要求 5 的液晶板, 其中所述前倾角等于或者小于 5 度。 权 利 要 求 书 CN 103760729 A 2 1/17 页 3 液晶面板、 液晶显示器以及电子设备 0001 本申请是申请人于 2011 年 8 月 31 日提交的申请号为 201110262958.4, 题为 “液 晶面板、 液晶显示器、 以及电子设备” 专利申请。
6、的分案申请。 技术领域 0002 本发明涉及一种液晶面板、 利用该液晶面板的液晶显示器、 以及采用该液晶显示 器的电子设备。 背景技术 0003 随着多媒体时代的发展, 其范围从投影器、 蜂窝式电话等等中所使用的小型设备 到膝上型个人计算机、 监控器、 电视等等中所使用的大型设备这样的液晶显示器快速的推 广。同时中型的液晶显示器是诸如电视机或者个人数字助理 (PDAs) 这样的电子设备以及 诸如便携式游戏机和弹子游戏机 (日本的弹球机) 这样的娱乐设备所不可缺少的。另外, 液 晶显示器可用在其包括有诸如电冰箱、 微波炉等等这样的家用电器的许多其他设备中。 0004 现在, 大多数液晶显示元件采。
7、用扭曲排列的向列型 (TN) 显示模式。TN 显示模式的 液晶显示元件使用向列液晶组成物, 并且液晶的驱动方法被大致分成两个方法。一个方法 是简单的矩阵驱动法。另一个方法是有源矩阵法, 在该方法中每一个像素具有诸如薄膜晶 体管 (TFT) 这样的开关元件。目前, 通常使用例如 TNTFT 模式, 该模式兼备有 TN 显示模 式以及其利用 TFT 的有源矩阵法。 0005 除了 TN 显示模式之外, 液晶显示元件的另一个模式被称作超扭曲排列的向列型 (STN) 模式。尽管与利用 TN 模式的传统简单矩阵法相比该 STN 模式提高了对比度及视角相 关性, 但是STN模式不适于运动图像显示, 这是由。
8、于较慢的响应速度所造成的。 另外, STN模 式具有另一个缺点, 即与利用TFT的有源矩阵方法相比其显示质量很低。 因此, 其采用TN TFT 模式的液晶显示器目前在市场上很流行。 0006 同时, 为了满足对较高图像质量的需要, 已开发了用于改善视角的各种方法并且 已投入到实际用途。其结果是, 采用下列三个模式中任何一个的 TFT 有源矩阵液晶显示器 现在变成高性能液晶显示器的主流, 这三个模式即就是将补偿薄膜应用到 TN 模式的一模 式、 面上开关 (IPS) 模式、 以及多域垂直定位 (MVA) 模式。 0007 这些有源矩阵液晶显示器通常采用以 30Hz 的周期来正负的写入一图像信号。。
9、因 此, 以 60Hz 的周期来重写图像并且一个场的时间大约为 16.7ms (毫秒) 。在这种情况下, 两 个正负场的总时间被称作一个帧, 其大约为33.3ms。 于此, 当前液晶的响应速度差不多等于 最短的帧时间。 0008 对液晶显示器存在两个主要的需求, 即较高的图像清晰度以及提高图像的响应速 度。 对提高响应速度的需求反映出液晶显示屏幕的机会增加了以不但要显示传统的静止图 像而且要显示运动图像。在那些运动图像当中, 尤其与高速图像变化有关的诸如运动视频 以及游戏中的计算机图形这样的图像需要比当前帧时间更高的响应速度。 0009 同时, 就更高的清晰度而言, 100ppi(每英寸像素数。
10、) 是当前主流清晰度。存在两 说 明 书 CN 103760729 A 3 2/17 页 4 种用于实现更高清晰度的方法。一个方法是提高处理精度并且降低像素元件的大小, 另一 个方法是使用于照亮显示器的背光时分的在红、 绿、 蓝当中转换, 并且通过每个像素元件而 实现了多色显示。后一个方法被称为场序制的 (时分) 方法并且目前在研究将其应用到彩色 液晶显示器之中。在这个方法中, 不必将像素分成三组并且不必与彩色过滤器相对应的空 间排列。因此, 认为该方法可实现比传统显示器要高三倍的清晰度而且由于数值孔径增加 了而可提高光的使用率。另一方面, 要求场序制的液晶显示器在一个场的三分之一时间之 内显。
11、示单色, 其大约为 5ms。因此, 适用于其的液晶必须具有小于 5ms 的响应速度。总之, 对 实现更高的图像清晰度来说提高响应速度也是必要的。 0010 已在研究各种技术以满足其可对上述高速图像作出响应的液晶显示器的需要, 并 且迄今为止已经开发了与高速液晶显示器模式有关的技术。 将与高速液晶显示器模式有关 的这些技术分成两个主要趋势。 一个趋势是用于提高扭曲排列的向列液晶的响应速度的一 技术。另一个趋势是使用不同的其可提供高速响应的液晶的一技术。 0011 通常, 由下列两个公式给出了液晶的响应时间 (参见由信息科学有机材料第 142 委员会、 日本科学促进会社、 Baifukan 有限公。
12、司这些液晶部门所编的 “液晶词典” 第 2425 页) 。具体地说, 当使用比门限电压要高的一电压来建立接通状态时, 下列公式 1 适用于上 升时间的响应。同时, 当其比门限电压要高的外加电压突然减为 0 时, 下列公式 2 适用于衰 减时间的响应。在这种情况下, d 表示液晶层的厚度, 表示转动粘滞度, 表示介电各 向异性, V 表示外加电压, Vc 表示门限电压, 并且 K 表示弗兰克弹性常数。 0012 (公式 1) 0013 0014 (公式 2) 0015 0016 同时, 下列公式 3 适用于 TN 模式。在这种情况下, K11表示倾斜弹性常数, k22表示 扭曲弹性常数, 并且 。
13、K33表示弯曲弹性常数。 0017 (公式 3) 0018 0019 从公式 1 可知, 就上升时间的响应而言, 液晶的响应时间与外加电压的平方倒数 成正比。 换句话说, 液晶的响应时间取决于与这样的电压值相对应的平方倒数, 该电压值在 一个色调电平到另一个色调电平之间变化。为此, 响应时间主要根据色调电平而变化。例 如, 10倍的电压差动可造成响应时间100倍的差动。 相反的, 尽管其取决于色调电平的响应 时间的差动仍存在于衰减时间的响应之中, 但是差动落在了大约 2 倍这个范围内。 0020 根据这些方面, 通过施加非常高的电压而获得的过驱动效果可提高上升时间的响 应速度。同时, 实际图象。
14、显示所使用的响应总是与衰减时间的响应相对应。因此, 对色调电 平的依从性非常的小。其结果是, 在所有的色调上都获得了基本相等的响应时间。 0021 根据公式 1 至 3, 可以想到用于提高向列液晶响应速度的方法, 该方法是首要的技 术趋势, 其主要包括 : 说 明 书 CN 103760729 A 4 3/17 页 5 0022 (1) 降低光电管间隙并且提高电场强度, 同时保持恒压 ; 0023 (2) 通过将一高电压施加到液晶上来提高电场强度以加速液晶的状态变化 (过驱 动方法) ; 0024 (3) 提高电介质各向异性以使响应对电场敏感 ; 0025 (4) 降低粘滞度 ; 以及 002。
15、6 (5) 降低弹性常数当中的倾斜弹性常数 (K11) 以及弯曲弹性常数 (K33) , 同时提高扭 曲弹性常数 (K22) 以提高衰减时间时的响应速度。 0027 一般来说, 当只是扭曲排列的向列液晶的驱动速度增加时, 出现了下列问题。 当提 高了向列液晶的驱动速度时, 液晶的容量主要根据介电各向异性以及液晶排列方向的差别 而变化。例如, 在为大家所熟知的其产品名称为 DLC43002 的液晶的情况下, 平行方向上 的介电常数等于 11.8 并且垂直方向上的介电常数等于 3.7。因此, 当驱动速度增加时容量 的变化很大并且从而降低了写入到液晶层中的且由液晶层所保持的保持电压。因为存在 不适当。
16、的写入并且液晶未移动到所要求的位置上, 因此保持电压的降低或者有效外加电压 的降低相反会造成性能降低。 此外, 当如同在静止图像中重复相同的信号时, 亮度不断的波 动, 直到保持电压停止降低并且需要若干帧以获得稳定的亮度。 0028 为了避免其需要若干帧的响应, 因此必需使所施加的信号电压与所获得的透光度 建立一对一的相关性。在有源矩阵驱动中, 所施加的信号电压不能确定液晶响应之后的透 光度, 但是可由在其响应之后而聚集在液晶电容器中的电荷来确定。这是因为有源矩阵驱 动采用了其基于恒定电荷的一驱动模式, 在该模式中液晶通过利用所聚集的电荷而产生一 响应。 0029 有源元件所提供的电荷是由在写。
17、入给定信号之前所聚集的电荷以及重新写入的 电荷来确定的, 同时忽略不计少量的漏损等等。 此外, 液晶响应之后所聚集的电荷还根据诸 如液晶的物理常数、 电气参数、 或者存储电容这样的像素设计值而变化。 0030 为此, 要建立信号电压与透光度之间固有的相关性需要下列条件, 即 : 0031 (1) 信号电压与所写入的电荷之间的相关性 ; 0032 (2) 写入之前所聚集的电荷 ; 以及 0033 (3) 为计算响应之后所聚集的电荷而所需的信息, 以及根据该信息而定的实际计 算等等。 0034 其结果是, 必需设置一帧存储器和一计算单元。该帧存储器根据整个屏幕来存储 与 (2) 有关的值。该计算单。
18、元执行与 (1) 和 (3) 有关的计算。这种设置造成了系统中部件 数目的增加, 并且因此是不合要求的。 0035 作为解决该问题的方法, 经常应用这样一种复位脉冲方法, 该方法在写入新数据 之前而施加了一复位电压以将液晶复位到预定状态。作为一示例, 下面将对国际显示研究 会议 (IDRC) 1997、 第 L66 至 L99 页所公开的技术进行描述。 0036 在这文献中使用了这样一种光学补偿双折射 (OCB) 模式, 该模式将向列液晶排列 成馅饼形并且增添了一补偿薄膜。OCB 模式是宽视角模式中的一个。该 OCB 模式采用了 这样一种光电管结构, 在该结构中为其具有前倾角的反向平行光电管提。
19、供了相位补偿薄膜 (双轴延迟薄膜) 。将一偏压施加到均匀排列上以形成弯曲排列, 并且通过施加另一个电压 而执行转换。OCB 模式的优点在于很宽的视角以及很短的响应时间。该液晶模式的响应速 说 明 书 CN 103760729 A 5 4/17 页 6 度在大约 2ms 至 5ms 这个范围内, 与传统的 TNTFT 模式相比该响应速度显著的变短了。 因此, 该响应应该是在一个帧内结束。 然而, 如上所述, 由于液晶的响应, 因此通过介电常数 的变化可显著的降低保持电压, 并且与传统的模式相类似为获得稳定的透光度而需要若干 帧。因此, 提出了这样一种方法, 即每次在将一白色显示写入一帧内之后写入。
20、一黑色显示。 0037 图 1 给出了根据复位脉冲方法的亮度变化的曲线图, 其中横轴表示时间并且纵轴 表示亮度。在图 1 中, 虚线表示正常驱动情况下的亮度变化并且实线表示当使用复位脉冲 方法时的亮度变化。如图 1 所示, 根据正常驱动方法, 在最初两帧时亮度很低并且其在第三 帧达到稳定水平。 相反的, 根据复位脉冲方法, 在写入新数据之前总是将亮度复位到给定状 态并且从中观察到某一写入信号电压与某一透光度的一对一的相关性。 由于一对一的相关 性, 因此驱动信号的产生显著的简单化了并且其不需要诸如帧存储器这样的用于对先前写 入的消息进行存储的装置。 0038 接下来, 对有效矩阵液晶显示器中的。
21、像素结构进行描述。图 2 给出了与传统有源 矩阵液晶显示器中的一个像素相等效的像素电路一示例的电路图。如图 2 所示, 有源矩阵 液晶显示器中的像素包括 : 一 N 型金属氧化硅 (MOS) 晶体管 (在下文中被简称为 N 型晶体管 (Qn) ) 904, 该晶体管的栅极与扫描线 901 相连, 其另一个电极与信号线 902 相连, 并且又一 个电极与像素电极 903 相连 ; 一存储电容器 906, 该存储电容器形成于像素电极 903 与存储 电容器电极905之间 ; 以及液晶908, 该液晶插入到像素电极903与计数电极Vcom907之间。 0039 目前, 其形成了液晶显示器大规模应用市。
22、场的膝上型 PCs 和蜂窝式电话的液晶显 示器通常使用非晶硅薄膜晶体管 (在下文中被简称为aSiTFT) 或者多晶硅薄膜晶体管 (在 下文中被简称为 pSiTFT) 以作为晶体管 (Qn) 904。此外, 扭曲排列的向列液晶 (在下文中 被简称为 TN 液晶) 用作其中的液晶材料。 0040 图 3 给出了 TN 液晶的等效电路的电路图。如图 3 所示, 由这样的一电路来表示 TN 液晶的等效电路, 在该电路中液晶的电容组件 C3(其电容为 Cpix) 与阻值为 Rr 的电阻 Rl 及电容器 Cl(其电容为 Cr) 并联。在这种情况下, 阻值 Rr 和电容 Cr 是用于确定液晶响应 时间常数的。
23、组件。 0041 图 4 给出了当由如图 2 所示的像素电路来驱动如图 3 所示的 TN 液晶时栅极扫描 电压 Vg、 数据信号电压 Vd、 以及像素电极 903 的电压 (在下文中简称为像素电压) Vpix 的变 化的时间图, 其中横轴表示时间并且纵轴表示电压和透光率。如图 4 所示, 当选择了水平扫 描的像素时, 将栅极扫描电压Vg设置为一周期中的高电平VgH, 由此将N型MOS晶体管 (Qn) 904 设置为接通状态并且通过 n 型晶体管 (Qn) 904 而将输入到信号线 902 的数据信号电压 Vd 传送到像素电极 903。当未向其处施加电压时, TN 液晶通常在其可使光透射的模式下。
24、操 作或者在所谓的共用白色模式下操作。 0042 此时, 在若干场的周期施加了这样的一电压以作为数据信号电压 Vd, 该电压可提 高通过 TN 液晶所传送的光的透光率。当水平扫描周期结束并且将栅极扫描电压 Vg 设置为 低电平时, 将 N 型晶体管 (Qn) 904 设置为断开状态并且存储电容器 906 及液晶的电容 Cpix 保持其被传送到像素电极903的数据信号电压Vd。 在这种情况下, 当将N型晶体管 (Qn) 904 设置为断开状态时, 像素电压 Vpix 造成了由通过 N 型晶体管 (Qn) 904 的源栅电容的称为馈 通电压的电压漂移。该电压漂移由图 4 中的 Vfl、 Vf2、 。
25、及 Vf3 来表示, 并且通过将存储电容 器 906 设计成很大的值而降低了电压漂移 Vfl 至 Vf3 的量。 说 明 书 CN 103760729 A 6 5/17 页 7 0043 在随后的场周期中保持像素电压 Vpix, 直到将栅极扫描电压 Vg 再次设置为高电 平并且选择晶体管 (Qn) 904。为响应因此所保持的像素电压 Vpix, TN 液晶执行转换并且通 过液晶所传送的光从黑暗状态转换为如透光率 Tl 所示的明亮状态。此时, 如图 4 所示, 在 保持期间各个场中的像素电压 Vpix 仅漂移了 V1、 V2、 以及 V3。这方面归因于所存在 的液晶电容根据液晶响应的变化。为了减。
26、少这种变化, 通常将存储电容器 906 的大小设计 成比像素电容 Cpix 要大至少两倍或三倍。按照这种方法, 可通过利用如图 2 所示的像素电 路来驱动 TN 液晶。 0044 同时, 作为其具有过驱动方法和复位方法的综合效果的一技术, 公开号为 No.2001506376 的日本专利申请公开了对这样的共用电压进行调制的一技术, 该共用电 压即就是与像素电极相对的共用电极 (诸如计数电极) 处的电压。参考图 5 对该技术进行描 述。图 5 给出了对共用电压进行调制的技术的操作曲线图, 其中横轴表示时间并且纵轴表 示电压和电流。 0045 传统的在一帧周期 (图 5 中的从 t0 至 t2 的。
27、时段或者从 t2 至 t4 的时段被定义为 一个帧周期) 中的恒定值时驱动该共用电压, 或者该共用电压受到了共用的反向驱动, 其中 将一帧周期进一步分成两个子周期并且使这两个子周期之间的电压值反向。相反的, 在用 于对共用电压进行调制的技术中, 如图 5 所示对这样的共用电压进行调制, 该共用电压即 就是与像素电极相对的共用电极处的电压。图 5 的上半部给出了共用电压随时间的变化, 并且其下半部给出了由液晶的响应所造成的透光率 (I) 随时间的变化。具体的说, 电压波 形 151 表示施加到共用电极上的电压波形, 光强波形 152 表示按照与波形 151 相对应的时 标的光强波形, 并且线 1。
28、53 至 156 表示像素光强曲线。 0046 将一个帧周期分成两个子周期并且在从t1至t2的子周期中 (或者从t2至t4的子 周期中) 施加其振幅与传统的共用反向驱动中的振幅大致相同的一电压。 相反的, 在从t0至 t1的子周期中 (或者从t2至t3的子周期中) 施加其振幅比共用反向驱动中的振幅更高的一 电压 (诸如其振幅比共用反向驱动中的振幅要高等于执行黑色显示这样一数量的电压) 。根 据该技术, 当将高电压施加到共用电极上时, 通过在从t0至t1的子周期中使像素电极与共 用电极之间的差动电压增加这样的效果可以很高的速度将整个显示区改变为黑色显示。 换 句话说, 发生与复位驱动相对应的驱动。
29、操作。另外, 因为与共用电极的电势差十分的大 (例 如用于黑色显示的电压量) , 因此即使当在从 t0 至 t1 的子周期中将图像数据写入到像素电 极中时, 也不会观察到这种数据作为显示图像。 在结束将图像数据写入整个显示区之后, 在 时间 t1 将共用电极的电压设置回共用反向的幅度。因此, 液晶层根据存储在像素电极中的 电压而启动与这样的透光度相等效的响应, 该透光度与每个色调电平相对应。 换句话说, 当 启动该响应时, 电压差动总是从高电平变为与其表示每个色调的电压值相对应的电平。于 此, 在从 t0 至 t1 这个子周期中发生一种过驱动操作。 0047 作为其用于提高 TN 液晶响应速度。
30、的方法, 还存在这样一种方法, 该方法通过利用 向列液晶而应用不同的显示模式来提高速度。 该方法例如包括其通过运用双折射来利用电 控双折射 (ECB) 模式的一方法以及其利用上述光补偿双折射 (OCB) 模式的一方法。 0048 此外, 作为第二趋势, 即可实现高速响应的其利用除扭曲排列的向列液晶之外的 液晶的方法, 存在其使用自发极化型近晶液晶的一技术。 0049 然而, 上述的传统技术具有以下问题。首先, 如先前所描述的, 可以想到的其可提 说 明 书 CN 103760729 A 7 6/17 页 8 高扭曲排列的向列液晶的响应速度的措施包括 (1) 降低光电管间隙的措施 ;(2) 将高。
31、电压 施加到液晶上的措施 ;(3) 提高介电各向异性的措施,(4) 降低粘滞度的措施, 以及 (5) 降低 斜面及弯曲弹性常数并且提高扭曲弹性常数的措施。 0050 就这些措施而言, 措施 (1) 中的光电管间隙 (液晶层的厚度) 只是在与折射指数各 向异性 n 的某种关系之内变化以便获得充分的光学效果。同时, 措施 (2) 中的粘滞度、 措 施 (3) 中的介电各向异性、 以及措施 (5) 中的弹性常数都是物理值。因此, 该值主要依赖于 材料的特性, 并且因此只改变每个材料的物理值这是非常难的。 因此, 很难实现根据公式所 估算的高速效果。例如, 尽管 K11、 K12、 以及 K13是互相。
32、独立的弹性常数, 但是在很多情况下根 据实际材料的测量结果 (Merck 所口头告知的) 可满足其被定义为 K11: K22: K33=10 : 5 : 14 的 相关性。因此将这些恒量视为独立的恒量这并不总是适当的。例如, 通过利用上述相关性 及公式 3 可得到公式 K=11K22/5。在这种情况下, 只有 K22被认为是独立的。 0051 同时, 因为电压的增加造成了功耗的增加以及驱动电路的成本增加, 因此要对措 施 (4) 中的外加电压进行限制。此外, 当显示器中提供有诸如薄膜晶体管这样的有源元件 并且对其进行驱动时, 由该元件的耐压来限制外加电压。 因此, 传统的提高响应速度的效果 几。
33、乎是最微小的。 0052 同时, 上述 IDRC1997 第 L66 至 L69 页所公开的复位脉冲方法可使 TN 型显示 器的响应速度提高到某一程度上。然而, 如图 1 所示, 复位脉冲方法只能实现这样的显示屏 幕, 该显示屏幕几乎不能实现为该设备所设计的原始的亮度级。 其结果是, 仍然存在光使用 率很低的问题并且不能获得充足的透光率。 0053 这就是典型的向列液晶的响应速度很慢并且最广泛使用的 TN 液晶的响应速度尤 其很慢这个事实的原因。由于很低的响应速度, 因此该显示器不能在所要求的周期之内从 处于复位状态的黑色显示充分的达到图像显示模式, 并且因此不能获得所需的透光率。也 就是说,。
34、 当从黑色显示转换到白色显示时, 显示器不能实现完全的白色显示并且终止于灰 色显示。 另一方面, 当从白色显示转换到黑色显示时, 该显示器不能实现完全的黑色显示并 且类似的终止于灰色显示。此外, 在色调显示过程中, 如先前所描述的响应速度甚至更慢。 因此, 当显示运动图像等等时, 该设备不能实现所期望的色调电平。 0054 此外, 在复位方法中很低的响应速度还可造成以下问题。例如, 存在这样一种情 况, 即当复位时液晶不能充分的响应以实现完全的黑色显示。 在这种情况下, 通过几次写入 相同的数据段未必可获得相同的透光度。因为复位操作不完美, 因此这个方面归因于未能 建立完备的预定状态的液晶排列。
35、。 在这种情况下, 液晶使透光度呈现为复位之后的响应, 其 反映出先前帧的滞后。因此, 外加电压与透光度之间不再满足一对一的相关性。 0055 此外, 存在这样的问题, 即在复位之后液晶的光响应的起动很慢并且观察到起动 正常光响应之前的光响应不正常。 这是由于当液晶从通过复位到正常响应所实现的排列的 预定状态进行转变时, 未限定液晶的作用方向, 并且液晶反而执行不均匀的或者不稳定的 响应。 0056 人们认为 TN 液晶的响应时间等于几十毫秒, 这几十毫秒即就是上升的响应时间 与衰减的响应时间之和, 并且作为色调显示期间的响应, 响应时间更长并且达到一百毫秒 或者之上。如上述公式 1 所示, 。
36、上升的响应时间通常与厚度的平方值成正比。因此, 透射式 显示器需要比反光式显示器多 4 倍的响应时间。其结果是, 透射式显示器中的光利用率显 说 明 书 CN 103760729 A 8 7/17 页 9 著的降低了。 0057 同时, 对处于 OCB 模式等等中的 TN 液晶进行驱动的方法具有这样的问题, 即对制 造精度和均匀度的要求很严格, 并且最终产量下降了。这是因为液晶层的厚度需要更高的 精度, 或者因为必需使用诸如补偿薄膜或者延滞薄膜这样的其可满足高度均匀性的光学元 件。 0058 例如, 在其利用双折射的电控双折射 (ECB) 模式的情况下, 要求液晶层厚度的精度 大约是液晶层厚度。
37、的 3% 以便实现其为 100 的对比度。在这种情况下, 当厚度等于或者小于 3m 时, 不均匀的厚度必须等于或者小于 90nm。当需要诸如对比度这样的更高的显示条件 时, 要求厚度的精度更加精确。 0059 同样, OCB 模式也具有这样的问题, 即难以获得均匀的且稳定的弯曲排列, 并且此 外, 因为光电管间隙 (液晶的厚度) 及补偿薄膜的特性必须非常均匀, 因此在制造的过程中 需要高度的稳定性。 0060 在任一种情况下, 要求液晶层厚度的精度大约是液晶层厚度的 3% 以便实现其为 100的对比度。 在这种情况下, 当厚度等于或者小于3m时, 不均匀的厚度必须等于或者小 于 90nm。当需。
38、要更高的诸如对比度这样的显示条件时, 要求厚度的精度更加精确。 0061 此外, 利用自发极化型近晶液晶的其可实现高速响应的技术还具有下列问题。具 体地说, 自发极化型近晶液晶还与对制造精度及均匀度的严格要求有关, 并且最终的产量 下降了。这是因为当使用近晶液晶模式以代替 TN 模式以便提高响应速度时, 液晶层的厚度 需要更高的精度。 另一个原因就是必需使用诸如补偿薄膜或者延滞薄膜这样的其可满足高 度均匀性的光学元件。同时, 与 TN 型的向列液晶等等相比, 自发极化型近晶液晶要求衬底 表面的平坦性具有非常高的级别。在这种情况下, 即使其即就是透明电极的铟化锡电极的 表面稍微有点不均匀, 这也。
39、是成问题的。 0062 按照这种方法, 上述所有的传统方法很难在保持实际产量的同时又可进一步提高 响应速度。 发明内容 0063 本发明的一个目的就是提供一种其具有充足响应速度的液晶板、 利用该液晶板的 液晶显示器、 以及采用该液晶显示器的电子设备。 0064 根据本发明的液晶板包括 : 一晶体管阵列衬底, 该晶体管阵列衬底具有像素电极 及用于驱动像素电极的薄膜晶体管, 该像素电极和薄膜晶体管形成于衬底的表面上 ; 一相 对衬底, 该相对衬底与晶体管阵列衬底的表面相对并且具有一共用电极, 该共用电极形成 于其与晶体管阵列衬底相对的表面上 ; 以及一液晶层, 该液晶层位于晶体管阵列衬底与相 对衬。
40、底之间, 并且其是由扭曲排列的向列液晶形成的。 在这种情况下, 假定扭曲排列的向列 液晶的扭距是 p 并且液晶层的厚度为 d, 那么适用其被定义为 p/d20 的关系。 0065 最好是扭曲排列的向列液晶的扭距 p(m) 与液晶层的厚度 d(m) 满足其被定 义为 p/d8 的关系。 0066 最好是扭曲排列的向列液晶层受到过聚合物稳定。 通过将可光固化的单体添加到 扭曲排列的向列液晶中并且使混合物暴露于光下即可实现该聚合物稳定。 0067 在这种情况下, 最好是可光固化的单体是其具有液晶结构的液晶单体, 并且在这 说 明 书 CN 103760729 A 9 8/17 页 10 里双丙烯酸酯。
41、用作液晶单体。 0068 或者, 最好是液晶单体是单丙烯酸酯, 在该单丙烯酸酯中将可聚合官能团邦定到 液晶结构上而无需插入亚甲基间隔物。 0069 此外, 液晶板包括一驱动电路以驱动扭曲排列的向列液晶, 并且该驱动电路形成 于晶体管阵列的衬底之上。 0070 在这种情况下, 最好是驱动电路是这样的过驱动电路, 该过驱动电路通过对共用 电压进行调制而将一高电压施加到液晶上, 但不会使电源电压升高。 0071 最好是通过将存在于液晶层内部的除位于像素电极与共用电极之间的电场之外 的所有电场当中最大电场的方向投射到衬底表面上所获得的方向与这样的一方向相平行, 该方向是当液晶层上未施加电压时通过将位于。
42、液晶层中心的液晶的排列方向投射到衬底 表面上而获得的。 0072 当相对于衬底表面而言的扭曲排列的向列液晶的前倾角等于或者小于其可使反 向扭曲排列稳定的一角度时, 在液晶的衰减时间产生了用于恢复正常扭曲排列的扭矩。在 这种情况下, 最好是前倾角等于或者小于 16 度。 0073 更好的是前倾角等于或者小于 5 度。按照这种方法, 施加电场时的能量与未施加 电场时的能量之间的差值增加了。 0074 最好是扭曲排列的向列液晶的前倾角方向上的邦定强度是其不能使正常扭曲排 列稳定的邦定强度。在这种情况下, 最好是邦定强度等于或者大于 10 5J/m2。 0075 根据本发明的液晶显示器包括液晶板。 此。
43、外, 在该液晶显示器中, 液晶板是由场序 制的方法来驱动的。在这种情况下, 液晶显示器包括一光源、 一分割器、 以及一同步器。该 光源位于液晶板的背部以连续的发射出多种颜色的光。 该分割器将一块图像数据分隔成多 块与多个颜色相对应的彩色图像数据。 该同步器使光源发射出多种颜色的光的时间与将多 块彩色图像数据输出到液晶板的时间相同步。在这种情况下, 液晶板连续的显示多块彩色 图像。 0076 根据本发明的电子设备包括该液晶显示器。 0077 本发明旨在通过在扭距 p 与扭曲排列的向列液晶层的厚度 (衬底之间的间隙) d 之 间建立其被定义为 p/d20 的关系来提高扭曲排列的向列液晶在衰减时间的。
44、响应速度。 0078 通过提高液晶在衰减时间的响应速度可防止出现诸如跳动这样的不稳定的排列 状态。因此, 可实现一个帧内的稳定图像并且从而可获得很好的显示图象而没有由于迟滞 所造成的图象质量的下降 (诸如不均匀的色调或者抖动) 。此外还可获得很好的显示图象而 没有模糊运动的情况, 并且可在很低的温度下执行很好的图像显示而与环境温度的变化无 关, 这是传统方法所具有的另一个问题。 0079 另外, 液晶在衰减时间的响应速度增加了并且液晶更快的获得了稳定的透光度。 按照这种方法, 光使用率提高了。因此, 可获得低功耗的液晶显示器。 附图说明 0080 图 1 给出了根据复位脉冲方法的亮度变化的曲线。
45、图, 其中横轴表示时间并且纵轴 表示亮度 ; 0081 图 2 给出了与传统有源矩阵液晶显示器中的一个像素相等效的像素电路一示例 说 明 书 CN 103760729 A 10 9/17 页 11 的电路图 ; 0082 图 3 给出了 TN 液晶的等效电路的电路图 ; 0083 图 4 给出了当图 3 所示的 TN 液晶由图 2 所示的像素电路来驱动时栅极扫描电压 Vg、 数据信号电压 Vd、 以及像素电压 Vpix 的时间图, 其中横轴表示时间并且纵轴表示电压 和透光率 ; 0084 图 5 给出了其用于对共用电压进行调制的一技术的操作曲线图, 其中横轴表示时 间并且纵轴表示电压和电流 ;。
46、 0085 图 6 给出了根据本发明第一实施例的液晶板中 TFT 阵列的单元结构的剖视图 ; 0086 图 7A 至 7H 连续的给出了根据其步骤来制造 (板状构造的) 多晶硅 TFT 阵列的一方 法的横剖面图 ; 0087 图 8 给出了液晶在上升时间的响应速度的曲线图, 其中横轴表示 (p(扭距) /d(液 晶层的厚度) ) 值并且纵轴表示当透光度大约为 50% 时的透光度的倾斜变化 ; 0088 图 9 给出了根据本发明第二实施例的可光固化的双丙烯酸酯液晶单体的结构式 ; 0089 图 10 给出了可光固化的单丙烯酸酯液晶单体的结构式, 在该结构中将可聚合官 能团邦定到液晶结构上而无需插。
47、入亚甲基间隔 ; 0090 图 11 给出了根据本发明第三实施例的液晶显示器的方框图 ; 0091 图 12 给出了透光度随时间变化的测量结果的曲线图, 其中横轴表示时间并且纵 轴表示透光度 ; 0092 图 13 给出了透光度的响应速度的曲线图, 其中横轴表示 (p/d) 值并且纵轴表示使 透光率达到 50% 以及达到 90% 所花费的时间的曲线图, 0093 图 14 给出了液晶的上升速度的曲线图, 其中横轴表示 (p/d) 值并且纵轴表示从复 位操作至光响应开始上升所逝去的时间 ; 0094 图 15 给出了值 (p/d) 对跳动的影响的曲线图, 其中横轴表示 (p/d) 值并且纵轴表 。
48、示跳动期间的平均透光率 ; 0095 图 16 给出了温度对液晶透光率的影响的曲线图, 其中横轴表示温度并且纵轴表 示透光率 ; 以及 0096 图 17 给出了就前倾角对能量差的影响而言的模拟结果的曲线图, 其中横轴表示 液晶的前倾角并且纵轴表示相反扭曲排列与正常扭曲排列之间的能量差。 具体实施方式 0097 参考附图对本发明的实施例进行详细的描述。 现在, 对本发明的第一实施例描述。 图 6 给出了根据本发明实施例的液晶板中的 TFT 阵列的单元结构的剖视图。图 6 所示的 TFT 阵列是多晶硅 TFT 阵列, 该阵列是通过将非晶硅转化为多晶硅而形成的。 0098 如图 6 所示, 多晶硅。
49、 TFT 具有这样的结构, 即氧化硅薄膜 28 形成于玻璃衬底 29 上 并且多晶硅层局部的形成于其上。通过使非晶硅淀积在氧化硅层 28 上、 此后通过利用准 分子激光器来退火而将非晶硅转化为多晶硅、 并且此后对多晶硅进行构图而形成了多晶硅 层。在该多晶硅层表面上的 10nm 厚度处形成了栅氧化薄膜。在图 6 中, 栅氧化薄膜与氧化 硅层 31 的较低部分 (低于栅电极 30 的部分) 相对应。 0099 在该多晶硅层上形成了相互独立的一对漏极区 25 和源极区 26。此外, 在漏极区 说 明 书 CN 103760729 A 11 10/17 页 12 25 与源极区 26 之间的多晶硅层之上的一区域中, 在与漏极区 25 相接触的区域上形成了低 掺杂漏极 (LDD) 区 23, 并且在与源极区 26 相接触的区域上形成了另。