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1、(10)申请公布号 CN 103699491 A (43)申请公布日 2014.04.02 CN 103699491 A (21)申请号 201210368020.5 (22)申请日 2012.09.28 G06F 12/02(2006.01) G06F 12/06(2006.01) (71)申请人 群联电子股份有限公司 地址 中国台湾苗栗县 (72)发明人 叶志刚 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 史新宏 (54) 发明名称 数据储存方法、 存储器控制器与存储器储存 装置 (57) 摘要 一种数据储存方法， 用于具有闪存模块的存 储器储存装置。本方法包括通过温度。
2、感测器检测 存储器储存装置的运作温度， 并且判断存储器储 存装置的运作温度是否大于预设温度。本方法还 包括， 倘若存储器储存装置的运作温度非大于预 设温度时， 采用第一数据储存模式来存取闪存模 块， 并且倘若存储器储存装置的运作温度大于预 设温度时， 采用第二数据储存模式来存取闪存模 块， 其中第一数据储存模式不同于第二数据储存 模式。基此， 本方法可确保数据的正确储存。 (51)Int.Cl. 权利要求书 6 页 说明书 19 页 附图 15 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书6页 说明书19页 附图15页 (10)申请公布号 CN 103699491。
3、 A CN 103699491 A 1/6 页 2 1. 一种数据储存方法， 用于具有一闪存模块的一存储器储存装置， 该闪存模块具有多 个物理抹除单元， 每一所述多个物理抹除单元具有多个物理编程单元， 该数据储存方法包 括 ： 通过一温度感测器检测该存储器储存装置的一运作温度 ； 判断该闪存储存装置的运作温度是否大于一预设温度 ； 倘若该闪存储存装置的运作温度非大于该预设温度时， 采用一第一数据储存模式来存 取该闪存模块 ； 以及 倘若该闪存储存装置的运作温度大于该预设温度时， 采用一第二数据储存模式来存取 该闪存模块， 其中该第一数据储存模式不同于该第二数据储存模式。 2. 根据权利要求 1。
4、 所述的数据储存方法， 还包括 ： 将一第一数据写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第一 物理编程单元 ； 从该第一物理编程单元中读取该第一数据并校正所读取的该第一数据 ； 以及 识别发生在从该第一物理编程单元中所读取的该第一数据中的错误位的数目， 其中采用该第二数据处理模式来存取该闪存模块的步骤包括 ： 判断从该第一物理编程单元中读取的该第一数据中的错误位的数目是否超过一第二 数目且小于一第一数目 ； 倘若从该第一物理编程单元中读取的该第一数据中的错误位的数目超过该第二数目 且小于该第一数目时， 将校正后的该第一数据写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物 理编程单元之中的。
5、一第二物理编程单元并且将映射该第一物理编程单元的一逻辑地址重 新映射至该第二物理编程单元， 其中采用该第一数据储存模式来存取该闪存模块的步骤包括 ： 判断从该第一物理编程单元中读取的该第一数据中的错误位的数目是否超过该第一 数目 ； 倘若从该第一物理编程单元中读取的该第一数据中的错误位的数目超过该第一数目 时， 将校正后的该第一数据写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的 一第三物理编程单元并且将映射该第一物理编程单元的逻辑地址重新映射至该第三物理 编程单元， 其中该第二数目小于该第一数目。 3. 根据权利要求 1 所述的数据储存方法， 其中每一所述多个物理抹除单元的物理编程 单。
6、元包括多个下物理编程单元与多个上物理编程单元并且将数据写入至所述多个下物理 编程单元的速度大于将数据写入至所述多个上物理编程单元的速度， 其中采用该第一数据储存模式来存取该闪存模块的步骤包括 ： 从一主机系统接收一第 二数据并且将该第二数据写入至所述物理抹除单元之中的一第一物理抹除单元中， 其中在 该第一数据储存模式中该第一物理抹除单元的下物理编程单元与上物理编程单元会被用 来写入数据， 其中采用该第二数据储存模式来存取该闪存模块的步骤包括 ： 从该主机系统接收该第 二数据并且将该第二数据写入至所述物理抹除单元之中的一第二物理抹除单元中， 其中在 该第二数据储存模式中所述第二物理抹除单元的下物。
7、理编程单元会被使用来写入数据且 权 利 要 求 书 CN 103699491 A 2 2/6 页 3 所述第二物理抹除单元的上物理编程单元不会被用来写入数据。 4. 根据权利要求 1 所述的数据储存方法， 其中采用该第一数据储存模式来存取该闪存模块的步骤包括 ： 依据一第一频率来执行 一平均磨损运作， 并且采用该第二数据储存模式来存取该闪存模块的步骤包括 ： 依据一第 二频率来执行该平均磨损运作， 其中该平均磨损运作包括 ： 从所述物理抹除单元之中选择一第三物理抹除单元， 其中该第三物理抹除单元已被写 入数据并且多个逻辑地址分别地映射至该第三物理抹除单元的物理编程单元 ； 从所述物理抹除单元之。
8、中选择一第四物理抹除单元， 其中该第四物理抹除单元未被写 入数据 ； 以及 将储存在该第三物理抹除单元中的数据搬移至该第四物理抹除单元， 并且将该些逻辑 地址重新映射至该第四物理抹除单元的物理编程单元， 其中该第四物理抹除单元的一抹除 次数大于该第三物理抹除单元的一抹除次数。 5. 根据权利要求 4 所述的数据储存方法， 其中该第一频率大于该第二频率。 6. 根据权利要求 4 所述的数据储存方法， 其中该第二频率大于该第一频率。 7. 根据权利要求 1 所述的数据储存方法， 其中采用该第一数据储存模式来存取该闪存模块的步骤包括 ： 依据一第三频率来执行 一第一预防读取干扰运作， 其中采用该第二。
9、数据储存模式来存取该闪存模块的步骤包括 ： 依据一第四频率来执行 一第二预防读取干扰运作， 其中该第四频率大于该第三频率， 其中该第一预防读取干扰运作包括 ： 从所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第三物理编程单元中读 取一第二数据并且校正该第二数据 ； 判断从该第三物理编程单元中所读取的该第二数据中的错误位的数目是否超过一第 三数目 ； 以及 倘若从该第三物理编程单元中所读取的该第二数据中的错误位的数目超过该第三数 目时， 将校正后的该第二数据写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中 的一第四物理编程单元并且将映射该第三物理编程单元的逻辑地址重新映射至该第四物 理编。
10、程单元， 其中该第二预防读取干扰运作包括 ： 从所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第五物理编程单元中读 取一第三数据并且校正该第三数据 ； 判断从该第五物理编程单元中所读取的该第三数据中的错误位的数目是否超过一第 四数目 ； 以及 倘若从该第五物理编程单元中所读取的该第三数据中的错误位的数目超过该第四数 目时， 将校正后的该第三数据写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中 的一第六物理编程单元并且将映射该第五物理编程单元的逻辑地址重新映射至该第六物 理编程单元。 权 利 要 求 书 CN 103699491 A 3 3/6 页 4 8. 一种存储器控制器， 用于控制。
11、一存储器储存装置， 该存储器储存装置包括一闪存模 块， 该闪存模块具有多个物理抹除单元， 每一物理抹除单元具有多个物理编程单元， 该存储 器控制器包括 ： 一主机接口， 用以电性连接至一主机系统 ； 一存储器接口， 用以电性连接至该闪存模块 ； 一错误检查与校正电路 ； 以及 一存储器管理电路， 电性连接至该主机接口、 该存储器接口与该错误检查与校正电路， 其中该存储器管理电路用以通过一温度感测器检测该存储器储存装置的一运作温度， 并且判断该闪存储存装置的运作温度是否大于一预设温度， 其中倘若该闪存储存装置的运作温度非大于该预设温度时， 该存储器管理电路还用以 采用一第一数据储存模式来存取该闪。
12、存模块， 其中倘若该闪存储存装置的运作温度大于该预设温度时， 该存储器管理电路还用以采 用一第二数据储存模式来存取该闪存模块， 其中该第一数据处理模式不同于该第二数据处 理模式。 9. 根据权利要求 8 所述的存储器控制器， 其中该存储器管理电路还用以将一第一数据 写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第一物理编程单元， 其中该存储器管理电路还用以从该第一物理编程单元中读取该第一数据并该错误检 查与校正电路校正所读取的该第一数据， 其中该存储器管理电路还用以识别发生在从该第一物理编程单元中所读取的该第一 数据中的错误位的数目， 其中在该第二数据处理模式中， 该存储器管理电路判。
13、断从该第一物理编程单元中读取 的该第一数据中的错误位的数目是否超过一第二数目且小于一第一数目， 并且倘若从该第 一物理编程单元中读取的该第一数据中的错误位的数目超过该第二数目且小于该第一数 目时， 将校正后的该第一数据写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中 的一第二物理编程单元并且将映射该第一物理编程单元的一逻辑地址重新映射至该第二 物理编程单元， 在该第一数据储存模式中， 该存储器管理电路判断从该第一物理编程单元中读取的该 第一数据中的错误位的数目是否超过该第一数目， 并且倘若从该第一物理编程单元中读取 的该第一数据中的错误位的数目超过该第一数目时， 将校正后的该第一数据写入至。
14、所述多 个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第三物理编程单元并且将映射该第一 物理编程单元的逻辑地址重新映射至该第三物理编程单元， 其中该第二数目小于该第一数目。 10. 根据权利要求 8 所述的存储器控制器， 其中每一所述多个物理抹除单元的物理编 程单元包括多个下物理编程单元与多个上物理编程单元并且将数据写入至所述多个下物 理编程单元的速度大于将数据写入至所述多个上物理编程单元的速度， 其中在该第一数据储存模式中， 该存储器管理电路还用以从一主机系统中接收一第二 数据， 并且将该第二数据写入至所述物理抹除单元之中的一第一物理抹除单元中， 其中在 该第一数据储存模式中该第一物理抹除单元。
15、的下物理编程单元与上物理编程单元会被用 来写入数据， 权 利 要 求 书 CN 103699491 A 4 4/6 页 5 其中在该第二数据储存模式中， 该存储器管理电路从该主机系统接收该第二数据并且 将该第二数据写入至所述物理抹除单元之中的一第二物理抹除单元中， 其中在该第二数据 储存模式中所述第二物理抹除单元的下物理编程单元会被使用来写入数据且所述第二物 理抹除单元的上物理编程单元不会被用来写入数据。 11. 根据权利要求 8 所述的存储器控制器， 其中在该第一数据储存模式中， 该存储器管 理电路依据一第一频率来执行一平均磨损运作， 其中在该第二数据储存模式中， 该存储器管理电路依据一第二。
16、频率来执行该平均磨损 运作， 其中在该平均磨损运作中， 该存储器管理电路从所述物理抹除单元之中选择一第三物 理抹除单元， 其中该第三物理抹除单元已被写入数据并且多个逻辑地址分别地映射至该第 三物理抹除单元的物理编程单元， 其中在该平均磨损运作中， 该存储器管理电路从所述物理抹除单元之中选择一第四物 理抹除单元， 其中该第四物理抹除单元未被写入数据， 其中在该平均磨损运作中， 该存储器管理电路将储存在该第三物理抹除单元中的数据 搬移至该第四物理抹除单元， 其中该第四物理抹除单元的一抹除次数大于该第三物理抹除 单元的一抹除次数， 其中在该平均磨损运作中， 该存储器管理电路将该些逻辑地址重新映射至该。
17、第四物理 抹除单元的物理编程单元。 12. 根据权利要求 11 所述的存储器控制器， 其中该第一频率大于该第二频率。 13. 根据权利要求 11 所述的存储器控制器， 其中该第二频率大于该第一频率。 14. 根据权利要求 8 所述的存储器控制器， 其中在该第一数据储存模式中， 该存储器管 理电路依据一第三频率来执行一预防读取干扰运作， 其中在该第二数据储存模式中， 该存储器管理电路依据一第四频率来执行该预防读取 干扰运作， 其中该第四频率大于该第三频率， 其中在该第一预防读取干扰运作中， 该存储器管理电路从所述多个物理抹除单元的所 述多个物理编程单元之中的一第三物理编程单元中读取一第二数据， 。
18、校正所读取的该第二 数据并且判断从该第三物理编程单元中所读取的该第二数据中的错误位的数目是否超过 一第三数目， 其中在该第一预防读取干扰运作中， 倘若从该第三物理编程单元中所读取的该第二数 据中的错误位的数目超过该第三数目时， 该存储器管理电路将校正后的该第二数据写入至 所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第四物理编程单元并且将映射 该第三物理编程单元的逻辑地址重新映射至该第四物理编程单元， 其中在该第二预防读取干扰运作中， 该存储器管理电路从所述多个物理抹除单元的所 述多个物理编程单元之中的一第五物理编程单元中读取一第三数据， 校正所读取的该第三 数据， 并且判断从该第五物理编。
19、程单元中所读取的该第三数据中的错误位的数目是否超过 一第四数目， 其中在该第二预防读取干扰运作中， 倘若从该第五物理编程单元中所读取的该第三数 据中的错误位的数目超过该第四数目时， 该存储器管理电路将校正后的该第三数据写入至 所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第六物理编程单元并且将映射 权 利 要 求 书 CN 103699491 A 5 5/6 页 6 该第五物理编程单元的逻辑地址重新映射至该第六物理编程单元。 15. 一种存储器储存装置， 包括 ： 一连接器， 用以电性连接至一主机系统 ； 一闪存模块， 具有多个物理抹除单元， 且每一物理抹除单元具有多个物理编程单元 ； 一。
20、存储器控制器， 电性连接至该连接器与该闪存模块 ； 以及 一温度感测器， 电性连接至该存储器控制器， 且用以感测一运作温度， 其中该存储器控制器用以判断该运作温度是否大于一预设温度， 其中倘若该运作温度大于该预设温度时， 该存储器控制器采用一第一数据储存模式来 存取该闪存模块， 其中倘若该闪存储存装置的运作温度大于该预设温度时， 该存储器控制器还用以采用 一第二数据储存模式来存取该闪存模块， 其中该第一数据处理模式不同于该第二数据处理 模式。 16. 根据权利要求 15 所述的存储器储存装置， 其中该存储器控制器还用以将一第一数 据写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第一物。
21、理编程单元， 其中该存储器控制器还用以从该第一物理编程单元中读取该第一数据并该错误检查 与校正电路校正所读取的该第一数据， 其中该存储器控制器还用以识别发生在从该第一物理编程单元中所读取的该第一数 据中的错误位的数目， 其中在该第二数据处理模式中， 该存储器控制器判断从该第一物理编程单元中读取的 该第一数据中的错误位的数目是否超过一第二数目且小于一第一数目， 并且倘若从该第一 物理编程单元中读取的该第一数据中的错误位的数目超过该第二数目且小于该第一数目 时， 将校正后的该第一数据写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的 一第二物理编程单元并且将映射该第一物理编程单元的一逻辑地址重。
22、新映射至该第二物 理编程单元， 其中在该第一数据处理模式中， 该存储器控制器判断从该第一物理编程单元中读取的 该第一数据中的错误位的数目是否超过该第一数目， 并且倘若从该第一物理编程单元中读 取的该第一数据中的错误位的数目超过该第一数目时， 将校正后的该第一数据写入至所述 多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第三物理编程单元并且将映射该第 一物理编程单元的逻辑地址重新映射至该第三物理编程单元， 其中该第二数目小于该第一数目。 17. 根据权利要求 15 所述的存储器储存装置， 其中每一所述多个物理抹除单元的物理 编程单元包括多个下物理编程单元与多个上物理编程单元并且将数据写入至所述多。
23、个下 物理编程单元的速度大于将数据写入至所述多个上物理编程单元的速度， 其中在该第一数据储存模式中， 该存储器控制器还用以从一主机系统中接收一第二数 据， 并且将该第二数据写入至所述物理抹除单元之中的一第一物理抹除单元中， 其中在该 第一数据储存模式中该第一物理抹除单元的下物理编程单元与上物理编程单元会被用来 写入数据， 其中在该第二数据储存模式中， 该存储器控制器从该主机系统接收该第二数据并且将 该第二数据写入至所述物理抹除单元之中的一第二物理抹除单元中， 其中在该第二数据储 权 利 要 求 书 CN 103699491 A 6 6/6 页 7 存模式中所述第二物理抹除单元的下物理编程单元会。
24、被使用来写入数据且所述第二物理 抹除单元的上物理编程单元不会被用来写入数据。 18. 根据权利要求 15 所述的存储器储存装置， 其中在该第一数据储存模式中， 该存储 器控制器依据一第一频率来执行一平均磨损运作， 其中在该第二数据储存模式中， 该存储器控制器依据一第二频率来执行该平均磨损运 作， 其中在该平均磨损运作中， 该存储器控制器从所述物理抹除单元之中选择一第三物理 抹除单元， 其中该第三物理抹除单元已被写入数据并且多个逻辑地址分别地映射至该第三 物理抹除单元的物理编程单元， 其中在该平均磨损运作中， 该存储器控制器从所述物理抹除单元之中选择一第四物理 抹除单元， 其中该第四物理抹除单元。
25、未被写入数据， 其中在该平均磨损运作中， 该存储器控制器将储存在该第三物理抹除单元中的数据搬 移至该第四物理抹除单元， 其中该第四物理抹除单元的一抹除次数大于该第三物理抹除单 元的一抹除次数， 其中在该平均磨损运作中， 该存储器控制器将该些逻辑地址重新映射至该第四物理抹 除单元的物理编程单元。 19. 根据权利要求 18 所述的存储器储存装置， 其中该第一频率大于该第二频率。 20. 根据权利要求 18 所述的存储器储存装置， 其中该第二频率大于该第一频率。 21. 根据权利要求 15 所述的存储器储存装置， 其中在该第一数据储存模式中， 该存储 器控制器还用以依据一第三频率来执行一预防读取干。
26、扰运作， 其中在该第二数据储存模式中， 该存储器控制器还用以依据一第四频率来执行该预防 读取干扰运作， 其中该第四频率大于该第三频率， 其中在该第一预防读取干扰运作中， 该存储器控制器从所述多个物理抹除单元的所述 多个物理编程单元之中的一第三物理编程单元中读取一第二数据并且判断从该第三物理 编程单元中所读取的该第二数据中的错误位的数目是否超过一第三数目， 其中在该第一预防读取干扰运作中， 倘若从该第三物理编程单元中所读取的该第二数 据中的错误位的数目超过该第三数目时， 该存储器控制器将校正后的该第二数据写入至所 述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第四物理编程单元并且将映射该 第三。
27、物理编程单元的逻辑地址重新映射至该第四物理编程单元， 其中在该第二预防读取干扰运作中， 该存储器控制器从所述多个物理抹除单元的所述 多个物理编程单元之中的一第五物理编程单元中读取一第三数据， 校正所读取的该第三数 据， 并且判断从该第五物理编程单元中所读取的该第三数据中的错误位的数目是否超过一 第四数目， 其中在该第二预防读取干扰运作中， 倘若从该第五物理编程单元中所读取的该第三数 据中的错误位的数目超过该第四数目时， 该存储器控制器将校正后的该第三数据写入至所 述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第六物理编程单元并且将映射该 第五物理编程单元的逻辑地址重新映射至该第六物理编程单元。
28、。 权 利 要 求 书 CN 103699491 A 7 1/19 页 8 数据储存方法、 存储器控制器与存储器储存装置 技术领域 0001 本发明是有关于一种用于闪存模块的数据储存方法以及使用此方法的存储器控 制器与存储器储存装置。 背景技术 0002 数字相机、 手机与 MP3 在这几年来的成长十分迅速， 使得消费者对储存媒体的需 求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器 (rewritable non-volatile memory) 具有 数据非易失性、 省电、 体积小、 无机械结构、 读写速度快等特性， 最适于可携式电子产品， 例 如笔记本型计算机。固态硬盘就是一种以闪存作为储存媒体。
29、的储存装置。因此， 近年闪存 产业成为电子产业中相当热门的一环。 0003 依据每个存储单元可储存的位数， 与非 (NAND) 型闪存可区分为单阶储存单元 (Single Level Cell,SLC)NAND 型闪存、 多阶储存单元 (Multi Level Cell,MLC)NAND 型闪 存与多阶储存单元 (Trinary Level Cell,TLC)NAND 型闪存， 其中 SLC NAND 型闪存的每个 存储单元可储存 1 个位的数据 ( 即，“1” 与 “0” )， MLC NAND 型闪存的每个存储单元可储存 2 个位的数据并且 TLC NAND 型闪存的每个存储单元可储存 3。
30、 个位的数据。 0004 在 NAND 型闪存中， 物理页面是由排列在同一条字线上的数个存储单元所组成。由 于 SLC NAND 型闪存的每个存储单元可储存 1 个位的数据， 因此， 在 SLC NAND 型闪存中， 排 列在同一条字线上的数个存储单元是对应一个物理页面。 0005 相对于SLC NAND型闪存来说， MLC NAND型闪存的每个存储单元的浮动门储存层可 储存 2 个位的数据， 其中每一个储存状态 ( 即，“11” 、“10” 、“01” 与 “00” ) 包括最低有效位 (Least Significant Bit,LSB) 以及最高有效位 (Most Significant。
31、 Bit,MSB)。例如， 储 存状态中从左侧算起的第 1 个位的值为 LSB， 而从左侧算起的第 2 个位的值为 MSB。因此， 排列在同一条字线上的数个存储单元可组成 2 个物理页面， 其中由此些存储单元的 LSB 所 组成的物理页面称为下物理页面(low physical page)， 并且由此些存储单元的MSB所组成 的物理页面称为上物理页面(upper physical page)。 特别是， 下物理页面的写入速度会快 于上物理页面的写入速度， 并且当编程上物理页面发生错误时， 下物理页面所储存的数据 亦可能因此遗失。 0006 类似地， 在 TLC NAND 型闪存中， 的每个存储。
32、单元可储存 3 个位的数据， 其中每一 个储存状态 ( 即，“111” 、“110” 、“101” 、“100” 、“011” 、“010” 、“001” 与 “000” ) 包括每一个 储存状态包括左侧算起的第 1 个位的 LSB、 从左侧算起的第 2 个位的中间有效位 (Center Significant Bit,CSB) 以及从左侧算起的第 3 个位的 MSB。因此， 排列在同一条字线上的 数个存储单元可组成 3 个物理页面， 其中由此些存储单元的 LSB 所组成的物理页面称为下 物理页面， 由此些存储单元的 CSB 所组成的物理页面称为中物理页面， 并且由此些存储单 元的 MSB 所。
33、组成的物理页面称为上物理页面。特别是， 对排列在同一条字线上的数个存储 单元进行编程时， 仅能选择仅编程下物理页面或者同时编程下物理页面、 中物理页面与上 物理页面， 否则所储存的数据可能会遗失。 说 明 书 CN 103699491 A 8 2/19 页 9 0007 然而， 无论是那种存储单元闪存模块， 在对同一个物理区块所储存的数据进行多 次读取时， 例如十万至百万次间的读取次数， 很有可能会发生所读取的数据是错误的状况， 甚至此被多次读取区块内所储存的数据会发生异常或遗失。 而此类现象以本领域技术人员 惯称为 读取干扰 (read-disturb)。特别是， 闪存模块中会储存闪存储存系。
34、统的系统数据 ( 例如固件码 (Firmware Code)、 文件配置表 (File Allocat ion Table,FAT)， 且此系统数 据会在闪存储存系统运作期间高频率地被读取。也亦因有着这样的现象存在着， 无不驱使 着各家厂商必须发展出能确保正确储存数据的机制。 发明内容 0008 本发明提供一种数据储存方法、 存储器控制器与存储器储存装置， 其能够可靠地 储存数据， 避免数据遗失。 0009 本发明范例实施例提出一种数据储存方法， 用于具有闪存模块的存储器储存装 置。此闪存模块具有多个物理抹除单元， 且每一所述多个物理抹除单元具有多个物理编程 单元。本数据储存方法包括通过温度感。
35、测器检测存储器储存装置的运作温度， 并且判断存 储器储存装置的运作温度是否大于预设温度。本数据储存方法还包括， 倘若存储器储存装 置的运作温度非大于预设温度时， 采用第一数据储存模式来存取闪存模块， 并且倘若存储 器储存装置的运作温度大于预设温度时， 采用第二数据储存模式来存取闪存模块， 其中第 一数据储存模式不同于第二数据储存模式。 0010 在本发明的一范例实施例中， 上述的数据储存方法还包括将第一数据写入至第一 物理编程单元 ； 从该第一物理编程单元中读取第一数据并校正所读取的第一数据 ； 并且识 别发生在从该第一物理编程单元中所读取的该第一数据中的错误位的数目。 上述采用第二 数据处理。
36、模式来存取闪存模块的步骤包括 ： 判断从第一物理编程单元中读取的第一数据中 的错误位的数目是否超过第二数目且小于第一数目 ； 倘若从第一物理编程单元中读取的第 一数据中的错误位的数目超过第二数目且小于第一数目时， 将校正后的第一数据写入至第 二物理编程单元并且将映射第一物理编程单元的逻辑地址重新映射至第二物理编程单元。 上述采用第一数据储存模式来存取闪存模块的步骤包括 ： 判断从第一物理编程单元中读取 的第一数据中的错误位的数目是否超过第一数目 ； 倘若从第一物理编程单元中读取的第一 数据中的错误位的数目超过第一数目时， 将校正后的第一数据写入至第三物理编程单元， 其中该第二数目小于该第一数目。
37、。 0011 在本发明的一范例实施例中， 上述的每一多个物理抹除单元的物理编程单元包括 多个下物理编程单元与多个上物理编程单元并且将数据写入至下物理编程单元的速度大 于将数据写入至上物理编程单元的速度。 上述采用第一数据储存模式来存取闪存模块的步 骤包括 ： 从主机系统接收第二数据并且将第二数据写入至第一物理抹除单元中， 其中在第 一数据储存写入模式中， 第一物理抹除单元的下物理编程单元与上物理编程单元会被用来 写入数据。上述采用第二数据储存模式来存取闪存模块的步骤包括 ： 从该主机系统接收该 第二数据并且将第二数据写入至第二物理抹除单元中， 其中在第二数据储存模式中， 第二 物理抹除单元的下。
38、物理编程单元会被使用来写入数据且第二物理抹除单元的上物理编程 单元不会被用来写入数据。 0012 在本发明的一范例实施例中， 上述的采用第一数据储存模式来存取闪存模块的步 说 明 书 CN 103699491 A 9 3/19 页 10 骤包括 ： 依据第一频率来执行平均磨损运作并且采用第二数据储存模式来存取闪存模块的 步骤包括 ： 依据第二频率来执行平均磨损运作。其中， 平均磨损运作包括 ： 从上述物理抹除 单元之中选择第三物理抹除单元， 其中第三物理抹除单元已被写入数据并且多个逻辑地址 分别地映射至第三物理抹除单元的物理编程单元。 此外， 平均磨损运作还包括 ； 从上述物理 抹除单元之中选。
39、择第四物理抹除单元， 其中第四物理抹除单元未被写入数据。 再者， 平均磨 损运作还包括 ： 将储存在第三物理抹除单元中的数据搬移至第四物理抹除单元， 并且将原 先映射至第三物理抹除单元的逻辑地址重新映射至第四物理抹除单元的物理编程单元， 其 中第四物理抹除单元的抹除次数大于第三物理抹除单元的抹除次数。 0013 在本发明的一范例实施例中， 上述的第一频率大于第二频率。 0014 在本发明的一范例实施例中， 上述的第二频率大于第一频率。 0015 在本发明的一范例实施例中， 上述采用第一数据储存模式来存取闪存模块的步骤 包括 ： 依据第三频率来执行第一预防读取干扰运作， 并且上述其中采用第二数据。
40、储存模式 来存取闪存模块的步骤包括 ： 依据第四频率来执行第二预防读取干扰运作， 其中第四频率 大于第三频率。上述第一预防读取干扰运作包括 ： 从第三物理编程单元中读取第二数据并 且校正此第二数据 ； 判断该第三物理编程单元中所读取的第二数据中的错误位的数目是否 超过第三数目 ； 以及倘若从第三物理编程单元中所读取的第二数据中的错误位的数目超过 第三数目时， 将校正后的第二数据写入至第四物理编程单元并且将映射第三物理编程单元 的逻辑地址重新映射至第四物理编程单元。上述第二预防读取干扰运作包括 ： 从第五物理 编程单元中读取第三数据并且校正此第三数据 ； 判断从第五物理编程单元中所读取的第三 数。
41、据中的错误位的数目是否超过第四数目 ； 以及倘若从第五物理编程单元中所读取的第三 数据中的错误位的数目超过第四数目时， 将校正后的第三数据写入至第六物理编程单元并 且将映射第五物理编程单元的逻辑地址重新映射至第六物理编程单元。 0016 本发明范例实施例提出一种存储器控制器， 用于控制存储器储存装置， 此存储器 储存装置包括闪存模块， 闪存模块具有多个物理抹除单元， 每一物理抹除单元具有多个物 理编程单元。 此存储器控制器包括主机接口、 存储器接口、 错误检查与校正电路与存储器管 理电路。主机接口用以电性连接至主机系统。存储器接口， 用以电性连接至闪存模块。存 储器管理电路电性连接至主机接口、。
42、 存储器接口与错误检查与校正电路。存储器管理电路 用以通过温度感测器检测存储器储存装置的运作温度， 并且判断存储器储存装置的运作温 度是否大于预设温度。其中倘若存储器储存装置的运作温度非大于预设温度时， 存储器管 理电路还用以采用一第一数据储存模式来存取闪存模块， 并且倘若存储器储存装置的运作 温度大于预设温度时， 存储器管理电路还用以采用第二数据储存模式来存取闪存模块， 其 中第一数据处理模式不同于第二数据处理模式。 0017 在本发明的一范例实施例中， 上述的存储器管理电路还用以将第一数据写入至第 一物理编程单元。另外， 存储器管理电路还用以从第一物理编程单元中读取第一数据并错 误检查与校。
43、正电路校正所读取的第一数据。此外， 存储器管理电路还用以识别发生在从第 一物理编程单元中所读取的第一数据中的错误位的数目。在第二数据处理模式中， 存储器 管理电路判断从第一物理编程单元中读取的第一数据中的错误位的数目是否超过第二数 目且小于第一数目， 并且倘若从第一物理编程单元中读取的第一数据中的错误位的数目超 过第二数目且小于第一数目时， 将校正后的第一数据写入至第二物理编程单元并且将映射 说 明 书 CN 103699491 A 10 4/19 页 11 第一物理编程单元的逻辑地址重新映射至第二物理编程单元。在第一数据储存模式中， 存 储器管理电路判断从第一物理编程单元中读取的第一数据中的。
44、错误位的数目是否超过第 一数目， 并且倘若从第一物理编程单元中读取的第一数据中的错误位的数目超过第一数目 时， 将校正后的第一数据写入至第三物理编程单元并且将映射第一物理编程单元的逻辑地 址重新映射至第三物理编程单元， 其中第二数目小于第一数目。 0018 在本发明的一范例实施例中， 上述的每一多个物理抹除单元的物理编程单元包括 多个下物理编程单元与多个上物理编程单元并且将数据写入至下物理编程单元的速度大 于将数据写入至上物理编程单元的速度。 此外， 在该第一数据储存模式中， 上述存储器管理 电路从主机系统中接收第二数据并且将第二数据写入至第一物理抹除单元中， 其中在第一 数据储存模式中第一物。
45、理抹除单元的下物理编程单元与上物理编程单元会被用来写入数 据。 再者， 在第二数据储存模式中， 存储器管理电路从主机系统中接收第二数据并且将第二 数据写入至第二物理抹除单元中， 其中在第二数据储存模式中第二物理抹除单元的下物理 编程单元会被使用来写入数据且第二物理抹除单元的上物理编程单元不会被用来写入数 据。 0019 在本发明的一范例实施例中， 在该第一数据储存模式中， 上述存储器管理电路会 依据第一频率来执行平均磨损运作 ； 并且在该第二数据储存模式中， 存储器管理电路会依 据第二频率来执行平均磨损运作。 其中， 在此平均磨损运作中， 存储器管理电路会从上述物 理抹除单元之中选择第三物理抹。
46、除单元， 其中第三物理抹除单元已被写入数据并且多个逻 辑地址分别地映射至第三物理抹除单元的物理编程单元。 此外， 在此平均磨损运作中， 存储 器管理电路会从所述物理抹除单元之中选择第四物理抹除单元， 其中第四物理抹除单元未 被写入数据。 再者， 在此平均磨损运作中， 存储器管理电路会将储存在第三物理抹除单元中 的数据搬移至第四物理抹除单元并且将映射至第三物理抹除单元的物理编程单元的逻辑 地址重新映射至该第四物理抹除单元的物理编程单元。 0020 在本发明的一范例实施例中， 在该第一数据储存模式中， 存储器管理电路依据第 三频率来执行第一预防读取干扰运作 ； 并且在该第二数据储存模式中， 存储器。
47、管理电路依 据第四频率来执行第二预防读取干扰运作， 其中第四频率大于第三频率。 其中， 在第一预防 读取干扰运作中， 存储器管理电路从所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中 的第三物理编程单元中读取第二数据， 校正所读取的第二数据并且判断从第三物理编程单 元中所读取的第二数据中的错误位的数目是否超过第三数目。 倘若从第三物理编程单元中 所读取的第二数据中的错误位的数目超过第三数目时， 存储器管理电路将校正后的第二数 据写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的第四物理编程单元并且 将映射第三物理编程单元的逻辑地址重新映射至第四物理编程单元。 在第二预防读取干扰 运作中， 存。
48、储器管理电路从所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的第五物 理编程单元中读取第三数据， 校正第三数据， 并且判断从第五物理编程单元中所读取的第 三数据中的错误位的数目是否超过第四数目。 倘若从第五物理编程单元中所读取的第三数 据中的错误位的数目超过第四数目时， 存储器管理电路将校正后的第三数据写入至所述多 个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的第六物理编程单元并且将映射第五物理 编程单元的逻辑地址重新映射至第六物理编程单元。 0021 本发明范例实施例提出一种存储器储存装置， 其包括连接器、 闪存模块、 温度感测 说 明 书 CN 103699491 A 11 5/19 页 12。
49、 器与存储器控制器。 连接器用以电性连接至主机系统。 闪存模块具有多个物理抹除单元， 每 一物理抹除单元具有多个物理编程单元。存储器控制器电性连接至连接器与闪存模块。温 度感测器电性连接至存储器控制器并且用以感测一运作温度。在此， 存储器控制器用以判 断存储器储存装置的运作温度是否大于预设温度。其中倘若运作温度非大于预设温度时， 存储器管理电路还用以采用一第一数据储存模式来存取闪存模块， 并且倘若闪存储存装置 的运作温度大于预设温度时， 存储器管理电路还用以采用第二数据储存模式来存取闪存模 块， 其中第一数据处理模式不同于第二数据处理模式。 0022 在本发明的一范例实施例中， 上述的存储器控制器还用以将第一数据写入至第一 物理编程单元。另外， 存储器控制器还用以从第一物理编程单元中读取第一数据并错误检 查与校正电路校正所读取的第一数据。此外， 存储器控制器还用以识别发生在从第一物理 编程单元中所读取的第一数据中的错误位的数目。在第二数据处理模式中， 存储器控制器 判断从第一物理编程单元中读取的第一数据中的错误位的数目是否超过第二数目且小于 第一数目， 并且倘若从第一物理编程单元中读取的第一数据中的错误位的数目超过第二数 目且小于第一数目时， 将校正后的第一数据写入至第二物理编程单元并且将映。