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1、(10)申请公布号 CN 103901715 A (43)申请公布日 2014.07.02 CN 103901715 A (21)申请号 201210568152.2 (22)申请日 2012.12.24 G03F 1/62(2012.01) G03F 1/48(2012.01) (71)申请人 中芯国际集成电路制造 （上海） 有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区张江路 18 号 (72)发明人 胡华勇 (74)专利代理机构 北京市磐华律师事务所 11336 代理人 董巍 高伟 (54) 发明名称 一种掩膜板及其制造方法 (57) 摘要 本发明提供一种掩膜板及其制造方法， 涉及 半导。
2、体制造技术领域。 本发明的掩膜板包括基底、 位于基底上的图形化的硅钼薄膜、 以及位于掩膜 板的周边区域且位于硅钼薄膜上方的图形化的铬 薄膜， 还包括设置于铬薄膜上方且覆盖铬薄膜的 保护层。本发明的掩膜板的制造方法， 包括 ： 提供 基底， 在基底上形成图形化的硅钼薄膜、 位于硅钼 薄膜上方且位于掩膜板周边区域的图形化的铬薄 膜、 以及位于铬薄膜上方且覆盖铬薄膜的保护层。 本发明的掩膜板通过在周边区域的铬薄膜上增加 保护层， 阻止了清洗液及周围环境中的硫吸附在 铬薄膜上， 从而避免了掩膜板的雾状缺陷。 本发明 的掩膜板的制造方法制造的掩膜板， 同样具有上 述优点。 (51)Int.Cl. 权利要。
3、求书 2 页 说明书 7 页 附图 7 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书7页 附图7页 (10)申请公布号 CN 103901715 A CN 103901715 A 1/2 页 2 1. 一种掩膜板， 包括基底、 位于所述基底上的图形化的硅钼薄膜、 以及位于所述掩膜板 的周边区域且位于所述硅钼薄膜上方的图形化的铬薄膜， 其特征在于， 所述掩膜板还包括 设置于所述铬薄膜上方且覆盖所述铬薄膜的保护层。 2. 如权利要求 1 所述的掩膜板， 其特征在于， 所述保护层的材料为二氧化硅。 3. 如权利要求 2 所述的掩膜板， 其特征在于， 所述保护。
4、层的厚度为 150nm。 4. 如权利要求 1 所述的掩膜板， 其特征在于， 所述基底的材料为石英。 5.如权利要求1至4任一项所述的掩膜板， 其特征在于， 所述保护层仅设置于所述铬薄 膜的正上方。 6.如权利要求1至4任一项所述的掩膜板， 其特征在于， 所述保护层覆盖整个所述掩膜 板的上表面。 7. 一种掩膜板的制造方法， 其特征在于， 所述方法包括 ： 提供基底， 在所述基底上形成图形化的硅钼薄膜、 位于所述硅钼薄膜上方且位于所述 掩膜板周边区域的图形化的铬薄膜、 以及位于所述铬薄膜上方且覆盖所述铬薄膜的保护 层。 8. 如权利要求 7 所述的掩膜板的制造方法， 其特征在于， 所述保护层的。
5、材料为二氧化 硅。 9.如权利要求8所述的掩膜板的制造方法， 其特征在于， 所述保护层的厚度为150nm。 10. 如权利要求 7 所述的掩膜板的制造方法， 其特征在于， 所述方法包括 ： 步骤 S101 ： 提供基底， 在所述基底上依次形成硅钼薄膜、 铬薄膜以及保护材料薄膜 ； 步骤 S102 ： 对所述保护材料薄膜和铬薄膜进行刻蚀， 形成形状一致的图形 ； 步骤 S103 ： 对所述保护材料薄膜继续进行刻蚀， 去除其位于掩膜板的中心区域的部分 以形成保护层 ； 步骤 S104 ： 对所述硅钼薄膜进行刻蚀， 去除所述硅钼薄膜未被所述铬薄膜覆盖的部 分 ； 步骤 S105 ： 刻蚀去除所述铬薄。
6、膜未被所述保护层覆盖的部分。 11. 如权利要求 10 所述的掩膜板的制造方法， 其特征在于， 在所述步骤 S101 中形成所 述保护材料薄膜的方法为 ： CVD 或 ALD。 12. 如权利要求 10 所述的掩膜板的制造方法， 其特征在于， 所述步骤 S102 包括 ： 步骤 S1021 ： 在所述保护材料薄膜上形成图形化的光刻胶， 所述图形化的光刻胶覆盖 所述保护材料薄膜需去除部分之外的区域 ； 步骤 S1022 ： 通过干法刻蚀工艺去除所述保护材料薄膜未被所述图形化的光刻胶覆盖 的部分， 然后通过干法刻蚀去除所述铬薄膜未被所述图形化的光刻胶覆盖的部分 ； 步骤 S1023 ： 去除所述图。
7、形化的光刻胶。 13.如权利要求10所述的掩膜板的制造方法， 其特征在于， 在所述步骤S105中， 以所述 保护层作为硬掩膜， 或者， 在所述保护层上方额外形成图形化的光刻胶作为掩膜。 14. 如权利要求 7 所述的掩膜板的制造方法， 其特征在于， 所述方法包括 ： 步骤 S201 ： 提供基底， 在所述基底上依次形成硅钼薄膜和铬薄膜 ； 步骤 S202 ： 对所述铬薄膜进行刻蚀以形成图形化的铬薄膜 ； 步骤 S203 ： 对所述硅钼薄膜进行刻蚀， 去除其未被所述铬薄膜覆盖的部分 ； 权 利 要 求 书 CN 103901715 A 2 2/2 页 3 步骤 S204 ： 刻蚀去除所述铬薄膜位。
8、于所述掩膜板的周边区域之外的部分 ； 步骤 S205 ： 形成覆盖整个所述掩膜板上表面的保护层。 15. 如权利要求 14 所述的掩膜板的制造方法， 其特征在于， 在所述步骤 S201 中形成所 述保护材料薄膜的方法为 ： CVD 或 ALD。请删除该部分以及示意图。由于两者差别较大， 不 合适放在同一专利中。 权 利 要 求 书 CN 103901715 A 3 1/7 页 4 一种掩膜板及其制造方法 技术领域 0001 本发明涉及半导体制造技术领域， 具体而言涉及一种掩膜板及其制造方法。 背景技术 0002 在半导体技术领域中， 半导体集成电路的制造是极其复杂的过程。半导体器件的 制造离不。
9、开光刻工艺， 而光刻工艺中的掩膜板则直接影响着光刻工艺的效果。现有技术中 的掩膜板尤其相移掩模板 （Phase Shift Mask） 很容易产生雾状缺陷 （mask haze） ， 而掩膜 板的雾状缺陷 （mask haze） 始终是对浸没式 （immersion） 光刻和氟化氩 （ArF） 干法光刻的 挑战。掩膜板的雾状缺陷将会被传递到晶圆上， 并很可能导致制得的半导体器件的良率降 低。 而由于在先进的逻辑器件中有更多的膜层需要使用掩膜板进行曝光， 因此， 前述问题在 先进的逻辑器件中显得尤为严重。 0003 现有技术中的一种掩膜板， 如图1所示， 其中， 图1为掩膜板的剖视图。 现有技术。
10、的 掩膜板， 包括中心区域 100A （用于在曝光时形成光刻胶图案的区域， 也即用于形成芯片的区 域， chip area） 和周边区域 （也称边缘区域、 外围区域 ； 即非用于形成芯片的区域， non-chip area） 100B， 其中， 中心区域 100A 包括基底 100 和位于其上的硅钼 （MoSi） 薄膜 101， 周边区 域 100B 除包括基底 100 和位于其上的硅钼 （MoSi） 薄膜 101， 还包括位于硅钼薄膜上方的金 属铬 （Cr） 薄膜 102。其中， 基底 100 的材料为石英 （quartz） 。 0004 现有技术中的上述掩膜板， 很容易在边缘区域 100B。
11、 产生雾状缺陷。发明人经过研 究发现， 产生掩膜板雾状缺陷的主要原因在于， 在铬薄膜形成过程中， 掩膜板清洗过程 （即 清洗液中的） 以及周围环境中的硫 （比如 SO2 等） 很容易吸附残留在周边区域 100B 的铬薄 膜 102 上， 通过与环境中的铵根离子结合进而造成了雾状缺陷。虽然在不含硫的环境下对 掩膜板进行清洗和脱水烘烤处理， 可以在一定程度上阻止雾状缺陷的产生， 但是， 仍然不能 完全消除雾状缺陷的发生。 0005 因此， 有必要提出一种新的掩膜板及其制造方法， 以解决现有技术中出现的上述 问题。 发明内容 0006 针对现有技术的不足， 本发明提供一种掩膜板及其制造方法。 000。
12、7 一方面， 本发明提供一种掩膜板， 包括基底、 位于所述基底上的图形化的硅钼薄 膜、 以及位于所述掩膜板的周边区域且位于所述硅钼薄膜上方的图形化的铬薄膜， 其中， 所 述掩膜板还包括设置于所述铬薄膜上方且覆盖所述铬薄膜的保护层。 0008 进一步的， 所述保护层的材料为二氧化硅。 0009 进一步的， 所述保护层的厚度为 150nm。 0010 其中， 所述基底的材料为石英。 0011 其中， 所述保护层仅设置于所述铬薄膜的正上方。 0012 其中， 所述保护层覆盖整个所述掩膜板的上表面。 说 明 书 CN 103901715 A 4 2/7 页 5 0013 另一方面， 本发明提供一种掩膜。
13、板的制造方法， 所述方法包括 ： 0014 提供基底， 在所述基底上形成图形化的硅钼薄膜、 位于所述硅钼薄膜上方且位于 所述掩膜板周边区域的图形化的铬薄膜、 以及位于所述铬薄膜上方且覆盖所述铬薄膜的保 护层。 其中， 位于所述铬薄膜上方且覆盖所述铬薄膜的保护层， 包括保护层恰好覆盖所述铬 薄膜的情况， 还包括保护层覆盖的面积大于所述铬薄膜的情况， 比如保护层覆盖整个掩膜 板。 0015 其中， 所述保护层的材料为二氧化硅。 0016 其中， 所述保护层的厚度为 150nm。 0017 其中， 所述掩膜板的制造方法可以包括如下步骤 ： 0018 步骤 S101 ： 提供基底， 在所述基底上依次形。
14、成硅钼薄膜、 铬薄膜以及保护材料薄 膜 ； 0019 步骤 S102 ： 对所述保护材料薄膜和铬薄膜进行刻蚀， 形成形状一致的图形 ； 0020 步骤 S103 ： 对所述保护材料薄膜继续进行刻蚀， 去除其位于掩膜板的中心区域的 部分以形成保护层 ； 0021 步骤 S104 ： 对所述硅钼薄膜进行刻蚀， 去除所述硅钼薄膜未被所述铬薄膜覆盖的 部分 ； 0022 步骤 S105 ： 刻蚀去除所述铬薄膜未被所述保护层覆盖的部分。 0023 其中， 在所述步骤 S101 中形成所述保护材料薄膜的方法为 ： CVD 或 ALD。 0024 其中， 所述步骤 S102 包括 ： 0025 步骤 S10。
15、21 ： 在所述保护材料薄膜上形成图形化的光刻胶， 所述图形化的光刻胶 覆盖所述保护材料薄膜需去除部分之外的区域 ； 0026 步骤 S1022 ： 通过干法刻蚀工艺去除所述保护材料薄膜未被所述图形化的光刻胶 覆盖的部分， 然后通过干法刻蚀去除所述铬薄膜未被所述图形化的光刻胶覆盖的部分 ； 0027 步骤 S1023 ： 去除所述图形化的光刻胶。 0028 进一步的， 在所述步骤 S105 中， 以所述保护层作为硬掩膜， 或者， 在所述保护层上 方额外形成图形化的光刻胶作为掩膜。 0029 其中， 所述掩膜板的制造方法可以包括如下步骤 ： 0030 步骤 S201 ： 提供基底， 在所述基底上。
16、依次形成硅钼薄膜和铬薄膜 ； 0031 步骤 S202 ： 对所述铬薄膜进行刻蚀以形成图形化的铬薄膜 ； 0032 步骤 S203 ： 对所述硅钼薄膜进行刻蚀， 去除其未被所述铬薄膜覆盖的部分 ； 0033 步骤 S204 ： 刻蚀去除所述铬薄膜位于所述掩膜板的周边区域之外的部分 ； 0034 步骤 S205 ： 形成覆盖整个所述掩膜板上表面的保护层。 0035 其中， 在所述步骤 S201 中形成所述保护材料薄膜的方法为 ： CVD 或 ALD。 0036 本发明提供的掩膜板， 通过在掩膜板周边区域的铬薄膜上增加保护层， 阻止了清 洗液以及周围环境中的硫与掩膜板的铬薄接触， 避免了其与铬薄膜。
17、发生反应， 从而避免了 掩膜板的雾状缺陷。 本发明的掩膜板的制造方法， 制造的掩膜板具有保护层， 因而同样具有 上述优点。 附图说明 说 明 书 CN 103901715 A 5 3/7 页 6 0037 本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。 附图中示出了本发 明的实施例及其描述， 用来解释本发明的原理。 0038 附图中 ： 0039 图 1 为现有技术中的一种掩膜板结构的剖视图 ； 0040 图 2H 为本发明实施例一的掩膜板的结构的剖视图 ； 0041 图 2A- 图 2H 为本发明实施例二提出的一种掩膜板的制造方法的各步骤完成后形 成的结构的示意图 ； 0042 图 。
18、3H 为本发明实施例三的掩膜板的结构的剖视图 0043 图 3A- 图 3H 为本发明实施例四提出的一种掩膜板的制造方法的各步骤完成后形 成的结构的示意图。 具体实施方式 0044 在下文的描述中， 给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然 而， 对于本领域技术人员而言显而易见的是， 本发明可以无需一个或多个这些细节而得以 实施。 在其他的例子中， 为了避免与本发明发生混淆， 对于本领域公知的一些技术特征未进 行描述。 0045 为了彻底理解本发明， 将在下列的描述中提出详细的步骤， 以便阐释本发明提出 的掩膜板及其制造方法。显然， 本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟。
19、习的 特殊细节。 本发明的较佳实施例详细描述如下， 然而除了这些详细描述外， 本发明还可以具 有其他实施方式。 0046 应当理解的是， 当在本说明书中使用术语 “包含” 和 / 或 “包括” 时， 其指明存在所 述特征、 整体、 步骤、 操作、 元件和 / 或组件， 但不排除存在或附加一个或多个其他特征、 整 体、 步骤、 操作、 元件、 组件和 / 或它们的组合。 0047 下面， 参照图 2A-2H 和图 3A-3G 来描述本发明提出的掩膜板及其制造方法。其中， 图 2H 为本发明实施例一的掩膜板的结构的剖视图 ； 图 2A- 图 2H 为本发明实施例二提出的 一种掩膜板的制造方法的各步。
20、骤完成后形成的结构的示意图。图 3H 为本发明实施例三的 掩膜板的结构的剖视图 ； 图3A-图3H为本发明实施例四提出的一种掩膜板的制造方法的各 步骤完成后形成的结构的示意图。 具体而言， 本发明各实施例的掩膜板， 可以为嵌附式减光 型相移掩模板 (Embedded Attenuated PSM， 简称 EAPSM)。在现有技术中， 掩膜板包括用于 形成图案的中心区域 （即形成芯片的区域， chip area） 和用于挡光的周边区域 （即非形成芯 片的区域， non-chip area） ， 周边区域形成有铬薄膜。 本发明为在现有技术的掩膜板基础上 进行改进而得到。 0048 实施例 1 00。
21、49 本发明实施例提供一种掩膜板， 其结构如图 2H 所示， 包括基底 200 和位于其上的 图案化的硅钼薄膜 201， 以及位于掩膜板周边区域并位于硅钼薄膜 201 上方的图案化的铬 薄膜 202。与现有技术中图 1 所示的掩膜板的不同之处在于， 本发明实施例的掩膜板在铬 （Cr） 薄膜 202 的正上方设置有覆盖铬薄膜 202 的保护层 203， 如图 2H 所示。其中， 保护层 优选为二氧化硅 （SiO2） 薄膜， 当然， 也可采用其他类似的材料。其中， 基底 200 的材料可以 为石英 （quartz） 或与其材料特性相近的其他材料。 说 明 书 CN 103901715 A 6 4/。
22、7 页 7 0050 进一步的， 保护层 203 的形成方法为沉积法， 优选通过 CVD 或 ALD 工艺并采用低沉 积速率形成， 以形成高致密度的薄膜。优选的， 保护层 203 的厚度为 150nm。 0051 该保护层 203 可以阻止清洗液以及周围环境中的硫与掩膜板的 Cr 薄膜 202 接触， 避免其与铬薄膜发生反应， 从而避免了掩膜板的雾状缺陷。 0052 实施例 2 0053 本发明实施例提供一种掩膜板的制造方法， 可以用于制造实施例 1 所述的掩膜 板。其中， 图 2A- 图 2H 示出了本发明实施例的掩膜板的制造方法的各步骤完成后形成的结 构的示意图 （剖视图） 。 0054 。
23、本发明实施例的掩膜板的制造方法， 包括如下步骤 ： 0055 步骤 1、 如图 2A 所示， 提供基底 200， 在所述基底 200 上依次形成硅钼薄膜 201、 铬 薄膜 202 以及保护材料薄膜 203。 0056 其中， 保护材料薄膜 203 的材料优选为二氧化硅。进一步的， 保护材料薄膜的形成 方法为沉积法， 优选通过 CVD 或 ALD 工艺并采用低沉积速率形成， 以形成高致密度的薄膜。 优选的， 保护材料薄膜 203 的厚度为 150nm。 0057 基底 200 的材料可以为石英 （quartz） 或与其材料特性相近的其它材料。 0058 步骤 2、 对所述保护材料薄膜 203 。
24、和铬薄膜 202 进行刻蚀， 形成形状一致的图形。 形成的图形， 如图 2D 所示。 0059 具体地， 步骤 2 可以包括如下步骤 ： 0060 步骤 201、 在所述保护材料薄膜 203 上形成图形化的光刻胶 601， 如图 2B 所示。所 述图形化的光刻胶 601， 覆盖所述保护材料薄膜 203 需要去除的区域之外的区域。 0061 其中， 形成图形化的光刻胶 601 的方法为 ： 利用掩膜板进行曝光、 显影处理。 0062 步骤 202、 通过干法刻蚀工艺去除所述保护材料薄膜 203 未被所述图形化的光刻 胶 601 覆盖的部分 ； 然后通过干法刻蚀去除所述铬薄膜 202 未被所述图形。
25、化的光刻胶 601 覆盖的部分。经过步骤 202， 形成的图形如图 2C 所示。 0063 当然， 如果保护材料薄膜203以及铬薄膜202的材料发生变化， 刻蚀工艺也可相应 进行变化。 0064 步骤 203、 去除所述图形化的光刻胶 601， 形成的图形如图 2D 所示。 0065 步骤 3、 对所述保护材料薄膜 203 继续进行刻蚀， 去除其位于掩膜板的图案区 （中 心区域） 的部分。即形成了保护层。经过该步骤， 形成的图形如图 2F 所示。 0066 示例性的， 步骤 3 可以包括如下步骤 ： 0067 步骤 301、 在所述保护材料薄膜 203 形成图形化的光刻胶 602， 如图 2E。
26、 所示。所述 图形化的光刻胶 602， 覆盖所述保护材料薄膜 203 位于掩膜板的外围区域的部分。 0068 其中， 形成图形化的光刻胶 602 的方法为 ： 利用掩膜板进行曝光、 显影处理。 0069 步骤 302、 通过干法刻蚀工艺去除所述保护材料薄膜 203 未被所述图形化的光刻 胶 602 覆盖的部分。 0070 步骤303、 去除所述图形化的光刻胶602。 经过前述步骤， 形成的图形如图2F所示。 0071 步骤 4、 对硅钼薄膜 201 进行刻蚀， 去除硅钼薄膜 201 未被所述铬薄膜 202 覆盖的 部分。形成的图形， 如图 2G 所示。 0072 其中， 所选用的刻蚀方法为干法。
27、刻蚀。 说 明 书 CN 103901715 A 7 5/7 页 8 0073 步骤 5、 刻蚀去除所述铬薄膜 202 未被所述保护材料薄膜 203 覆盖的部分， 形成的 图形如图 2H 所示。 0074 其中， 步骤 5 可以通过如下不同的方式来实现 ： 0075 方式一、 利用所述保护材料薄膜203作为硬掩膜， 刻蚀去除所述铬薄膜202未被所 述保护材料薄膜 203 覆盖的部分。 0076 方式二、 在所述保护材料薄膜 203 上方形成图形化的光刻胶 ； 以所述图形化的光 刻胶为掩膜， 刻蚀去除所述铬薄膜 202 未被所述保护材料薄膜 203 覆盖的部分。 0077 经过步骤 5， 完成了。
28、本发明实施例的掩膜板的制造， 如图 2H 所示， 制得的掩膜板包 括基底 200 和位于其上的图案化的硅钼薄膜 201， 以及位于掩膜板周边区域并位于硅钼薄 膜 201 上方的图案化的铬薄膜 202， 还包括设置于铬 （Cr） 薄膜 202 的正上方的保护层 203。 其中， 保护层为二氧化硅 （SiO2） 薄膜。 0078 本发明实施例的掩膜板制造方法制造的掩膜板， 由于在铬薄膜上方设置有保护 层， 可以阻止清洗液以及周围环境中的硫与掩膜板的 Cr 薄膜接触， 避免其与铬薄膜发生反 应， 从而避免了掩膜板的雾状缺陷。 0079 实施例 3 0080 本发明实施例提供一种掩膜板， 其结构如图 。
29、3H 所示， 包括基底 300 和位于其上的 图案化的硅钼薄膜 301， 以及位于掩膜板周边区域并位于硅钼薄膜 301 上方的图案化的铬 薄膜302。 与现有技术中图1所示的掩膜板的不同之处在于， 本发明实施例的掩膜板的上方 设置有保护层 303， 保护层 303 覆盖整个掩膜板的上表面， 如图 3H 所示。其中， 保护层优选 为二氧化硅 （SiO2） 薄膜， 当然， 也可采用其他类似的材料。其中， 基底 300 的材料可以为石 英 （quartz） 或与其材料特性相近的其他材料。 0081 进一步的， 保护层 303 的形成方法为沉积法， 优选通过 CVD 或 ALD 工艺并采用低沉 积速率。
30、形成， 以形成高致密度的薄膜。优选的， 保护层 303 的厚度为 150nm。 0082 其中， 保护层 303 可以阻止清洗液以及周围环境中的硫与掩膜板的 Cr 薄膜 302 接 触， 避免其与铬薄膜发生反应， 从而避免了掩膜板的雾状缺陷。 0083 并且， 本发明实施例的保护层由于覆盖整个掩膜板的表面， 可以避免掩膜板清 洗过程中清洗液 （比如 SC1） 对暴露的硅钼薄膜的氧化， 避免造成工艺不良。如果清洗液 （比如 SC1） 直接与暴露的硅钼薄膜接触， 会造成清洗液中的 H2O2 与硅钼发生氧化反应生 成 SiO2， 造成硅钼薄膜厚度损失， 并造成相位角 （phase angle）减小和。
31、该区域的透过率 （transmission rate） 的增加， 更严重的情况， 可能会造成掩膜板 scrap。而当保护层覆盖 整个掩膜板的上表面时， 可以避免出现上述问题。 0084 实施例 4 0085 本发明实施例提供一种掩膜板的制造方法， 可以用于制造实施例 1 所述的掩膜 板。其中， 图 3A- 图 3H 示出了本发明实施例的掩膜板的制造方法的各步骤完成后形成的结 构的示意图 （剖视图） 。 0086 本发明实施例的掩膜板的制造方法， 包括如下步骤 ： 0087 步骤 1、 提供基底 300， 在所述基底 300 上依次形成硅钼薄膜 301 和铬薄膜 302。形 成的图形， 如图 3。
32、A 所示。 0088 其中， 基底 300 的材料可以为石英 （quartz） 或与其材料特性相近的其它材料。 说 明 书 CN 103901715 A 8 6/7 页 9 0089 步骤 2、 对所述铬薄膜 302 进行刻蚀， 以形成图形化的铬薄膜。形成的图形， 如图 3C 所示。 0090 具体地， 步骤 2 可以包括如下步骤 ： 0091 步骤 301、 在所述铬薄膜 302 上形成图形化的光刻胶 801， 如图 3B 所示。所述图形 化的光刻胶 801， 覆盖所述铬薄膜 302 需要去除的部分之外的区域。 0092 其中， 示例性的， 形成图形化的光刻胶 801 的方法为 ： 利用掩膜。
33、板进行曝光、 显影 处理。 0093 步骤302、 通过湿法刻蚀去除所述铬薄膜302未被所述图形化的光刻胶801覆盖的 部分。 0094 步骤 303、 去除所述图形化的光刻胶 801， 形成的图形如图 3C 所示。 0095 步骤 3、 对硅钼薄膜 301 进行刻蚀， 去除硅钼薄膜 201 未被所述铬薄膜 302 覆盖的 部分。形成的图形， 如图 3D 所示。 0096 其中， 示例性的， 在本步骤中所选用的刻蚀方法为干法刻蚀。 0097 步骤 4、 刻蚀去除所述铬薄膜 302 位于掩膜板的周边区域之外的部分。形成的图 形， 如图 3G 所示。 0098 示例性的， 步骤 4 可以包括如下步。
34、骤 ： 0099 步骤 401、 在所述铬薄膜 302 位于掩膜板周边区域的部分形成图形化的光刻胶 802。形成的图形， 如图 3E 所示。 0100 其中， 形成图形化的光刻胶 802 的方法为 ： 利用掩膜板进行曝光、 显影处理。 0101 步骤402、 通过湿法刻蚀去除所述铬薄膜302未被所述图形化的光刻胶802覆盖的 部分。经过步骤 402， 形成的图形如图 3F 所示。 0102 步骤 403、 去除所述图形化的光刻胶 802。形成的图形， 如图 3G 所示。 0103 步骤 5、 在基底上方形成保护层 303， 其中， 保护层 303 覆盖整个掩膜板的表面。形 成的图形， 如图 3。
35、H 所示。 0104 其中， 保护层 303 的材料， 优选二氧化硅 （SiO2） 。进一步的， 保护层 303 的形成方 法为沉积法， 优选通过 CVD 或 ALD 工艺并采用低沉积速率形成， 以形成高致密度的薄膜。优 选的， 保护层 303 的厚度为 150nm。 0105 经过步骤5， 完成了本发明实施例的掩膜板的制造。 如图3H所示， 制得的掩膜板包 括基底 300 和位于其上的图案化的硅钼薄膜 301， 以及位于掩膜板周边区域并位于硅钼薄 膜 301 上方的图案化的铬薄膜 302， 还包括设置于掩膜板上方的保护层 303， 保护层 303 覆 盖整个掩膜板的上表面。 0106 本发明。
36、实施例的掩膜板制造方法制造的掩膜板， 由于在整个掩膜板的上方设置有 保护层， 可以更好地阻止清洗液以及周围环境中的硫与掩膜板的 Cr 薄膜接触， 避免其与铬 薄膜发生反应， 从而更好地避免掩膜板的雾状缺陷。 0107 本发明实施例 1 和实施例 3 提供的掩膜板， 均为在现有技术中的掩膜板的基础上 进行了一定的改进， 实施例1为在掩膜板周边区域的铬薄膜上增加保护层， 而实施例2则为 在整个掩膜板的上表面 （而非仅仅周边区域的铬薄膜上方） 增加保护层。本领域的技术人员 可以理解， 只要在掩膜板的周边区域的铬薄膜上设置了保护层， 而不论保护层是否覆盖铬 薄膜之外的其它区域 （包括其它区域中的一部分。
37、区域设置有保护层的情况， 以及其它区域 说 明 书 CN 103901715 A 9 7/7 页 10 全部设置有保护层即实施例 3 的情况） ， 均属于本发明的保护范围。而关于本发明实施例 2 和实施例 4， 主要在于形成保护层的步骤， 其他步骤完全可以根据现有技术中的其他技术方 案来实现， 此处不再赘述。显然， 凡是在掩膜板上形成保护层的掩膜板的制造方法， 亦落入 本发明要求保护的范围。 0108 本发明已经通过上述实施例进行了说明， 但应当理解的是， 上述实施例只是用于 举例和说明的目的， 而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人 员可以理解的是， 本发明并不局限于上。
38、述实施例， 根据本发明的教导还可以做出更多种的 变型和修改， 这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由 附属的权利要求书及其等效范围所界定。 说 明 书 CN 103901715 A 10 1/7 页 11 图 1 图 2A 说 明 书 附 图 CN 103901715 A 11 2/7 页 12 图 2B 图 2C 说 明 书 附 图 CN 103901715 A 12 3/7 页 13 图 2D 图 2E 说 明 书 附 图 CN 103901715 A 13 4/7 页 14 图 2F 图 2G 图 2H 说 明 书 附 图 CN 103901715 A 14 5/7 页 15 图 3A 图 3B 图 3C 说 明 书 附 图 CN 103901715 A 15 6/7 页 16 图 3D 图 3E 图 3F 说 明 书 附 图 CN 103901715 A 16 7/7 页 17 图 3G 图 3H 说 明 书 附 图 CN 103901715 A 17 。