信号失真降低的显示装置本申请要求于2015年6月22日在韩国知识产权局提交的第
10-2015-0088709号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过
引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种具
有降低的数据信号失真的显示装置。
背景技术
在有机发光显示装置中，薄膜晶体管(TFT)通常设置在每个子像素中
以调整每个子像素的亮度。TFT根据接收到的数据信号调整每个子像素的亮
度。
然而，在显示装置中，数据信号在被传输到子像素时可能失真，因此，
子像素的实际亮度可能不同于预期的亮度。在这种情况下，图像会不同于所
预期地显示在显示装置上。因此，显示图像可能是低质量图像。
发明内容
根据本发明构思的示例性实施例，显示装置包括在第一方向上延伸的数
据线。主扫描线与数据线基本平行地设置。子扫描线在穿过主扫描线的第二
方向上延伸，其中，子扫描线与主扫描线电连接。驱动电压线在第一方向上
延伸并且设置在数据线与主扫描线之间。屏蔽层设置在与其上设置有驱动电
压线的层不同的层上，屏蔽层与驱动电压线电连接。屏蔽层与数据线和主扫
描线中的至少一条叠置。
在本发明构思的示例性实施例中，数据线、主扫描线和驱动电压线设置
在同一层上。
在本发明构思的示例性实施例中，屏蔽层设置在其上设置有子扫描线的
层上。
在本发明构思的示例性实施例中，子扫描线设置在数据线、主扫描线和
驱动电压线下方。
在本发明构思的示例性实施例中，显示装置还包括具有第一存储电容器
极板和第二存储电容器极板的存储电容器，第二存储电容器极板与第一存储
电容器极板叠置并且设置在第一存储电容器极板上方。屏蔽层是第二存储电
容器极板的一部分。
在本发明构思的示例性实施例中，第二存储电容器极板设置在数据线、
主扫描线和驱动电压线下方。
在本发明构思的示例性实施例中，屏蔽层与数据线和主扫描线中的每条
叠置。
在本发明构思的示例性实施例中，两个子像素彼此邻近地设置成关于平
行于第一方向的轴对称地相对。
在本发明构思的示例性实施例中，屏蔽层整体地形成在两个邻近的子像
素中。
在本发明构思的示例性实施例中，显示装置包括显示区域，所述显示区
域在显示区域的外周边中不包括有角的部分。数据线、主扫描线、子扫描线
和驱动电压线设置在显示区域中。
在本发明构思的示例性实施例中，显示装置包括圆形的、卵形的、或椭
圆形的显示区域。数据线、主扫描线、子扫描线和驱动电压线设置在显示区
域中。
根据本发明构思的示例性实施例，显示装置包括设置在第一层上的子扫
描线，子扫描线在第二方向上延伸。屏蔽层设置在第二层上。主扫描线设置
在第三层上，主扫描线在穿过第二方向的第一方向上延伸。子扫描线和主扫
描线电连接。第二层设置在第一层和第三层之间。数据线设置在第三层上并
且在第一方向上延伸。驱动电压线设置在第三层上并且在第一方向上延伸。
屏蔽层与驱动电压线电连接。屏蔽层与数据线和主扫描线中的至少一条叠置。
在本发明构思的示例性实施例中，屏蔽层与数据线和主扫描线叠置。
在本发明构思的示例性实施例中，显示装置还包括电容器，其中，电容
器包括设置在第一层上的第一电容器极板和设置在第二层上的第二电容器极
板，其中，第二电容器极板电连接到屏蔽层。
在本发明构思的示例性实施例中，第二电容器极板和驱动电压线通过形
成在第三层中的接触孔电连接。
在本发明构思的示例性实施例中，屏蔽层是第二电容器极板的一部分。
在本发明构思的示例性实施例中，屏蔽层具有L形状。
在本发明构思的示例性实施例中，数据线设置在主扫描线和驱动电压线
之间。
根据本发明构思的示例性实施例，显示装置包括设置在第一层上的子扫
描线，子扫描线在第二方向上延伸。屏蔽层设置在第一层上。电容器包括设
置在第一层上的第一电容器极板和设置在第二层上的第二电容器极板。主扫
描线设置在第三层上，主扫描线在穿过第二方向的第一方向上延伸。子扫描
线和主扫描线电连接。第二层设置在第一层和第三层之间。数据线设置在第
三层上并且在第一方向上延伸。驱动电压线设置在第三层上并且在第一方向
上延伸。屏蔽层电连接到驱动电压线。屏蔽层与数据线或主扫描线叠置。
在本发明构思的示例性实施例中，屏蔽层与数据线和主扫描线叠置。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以
上和其他特征和方面将变得更加明显且更易于理解，在附图中：
图1是根据本发明构思的示例性实施例示出显示装置的一部分的图；
图2是根据本发明构思的示例性实施例示出图1的显示装置的一部分的
图；
图3是根据本发明构思的示例性实施例示出图1的显示装置的一部分的
图；
图4是根据本发明构思的示例性实施例示出图1的显示装置的子像素的
等效电路图；
图5是根据本发明构思的示例性实施例示出图4的子像素中的多个薄膜
晶体管(TFT)、电容器和其他元件的位置的布局图；
图6至图9是根据本发明构思的示例性实施例而依据设置有图5的多个
TFT和电容器的组件的层来示出图5的多个TFT和电容器的组件的布局图；
图10是根据本发明构思的示例性实施例示出包括在显示装置的两个子
像素中的多个TFT和电容器的位置的布局图；以及
图11至图13是根据本发明构思的示例性实施例而依据设置有包括在显
示装置的子像素中的多个TFT和电容器的组件的层来示出包括在显示装置的
子像素中的多个TFT和电容器的组件的布局图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述本发明构思的示例性实施例。然而，
本发明构思可以以不同形式来实现，并且不应该被解释为受限于这里阐述的
示例性实施例。如这里所使用的，术语“和/或”可以包括一个或更多个相关
列出项的任意组合和全部组合。
贯穿说明书，同样的附图标号可以表示同样的元件。因此，可以省略对
其重复的描述。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件
“上”时，该层、区域或组件可以直接形成在所述另一层、区域或组件上，
或者可以存在中间层、区域或组件。为了便于解释，可以夸大附图中组件的
尺寸。因此，因为为了便于解释可以任意示出附图中组件的尺寸和厚度，所
以本发明构思的示例性实施例不限于此。
图1是根据本发明构思的示例性实施例示出显示装置的一部分的图。图
2是根据本发明构思的示例性实施例示出图1的显示装置的一部分的图。根
据本发明构思的示例性实施例的显示装置包括设置在基底Sub上的多条第一
数据线DL1、多条第二数据线DL2、多条主扫描线MSL、多条子扫描线SSL、
多个第一数据线焊盘DLP1、多个第二数据线焊盘DLP2、多个扫描线焊盘SLP
和多条驱动电压线。
基底Sub可以通过使用诸如玻璃、金属或塑料的各种材料形成。基底Sub
包括显示区域DA和在平面图中围绕显示区域DA的第一外围区域PA1。在
图1和图2中，显示区域DA是圆形形状的而第一外围区域PA1是环形形状
的并且在平面图中围绕显示区域DA。根据本发明构思的示例性实施例，显示
区域DA可以是圆形的、椭圆形的等。根据本发明构思的示例性实施例，第
一外围区域PA1沿显示区域DA的外周边设置。如图1和图2中示出的，除
了第一外围区域PA1之外，基底Sub可以包括从第一外围区域PA1的一部分
突出的第二外围区域PA2。例如，第二外围区域PA2可以连接到第一外围区
域PA1。显示区域DA可以包括第一显示区域和第二显示区域。例如，如图1
和图2中示出的，显示区域DA的第一显示区域和第二显示区域中的每个可
以是半圆形形状的，第一显示区域和第二显示区域的彼此接触的各个部分可
以穿过显示区域DA的中心并且在y轴方向上延伸。例如，第一显示区域可
以对应于图1的显示区域DA的左部，第二显示区域可以对应于图1的显示
区域DA的右部。
多条第一数据线DL1可以在y轴方向上延伸、可以设置在第一显示区域
中并且可以彼此平行地穿过第一显示区域。为了便于描述，在图1中，八条
第一数据线D1至D8被示例性示出在第一显示区域中(例如，设置在第一区
域中)。当显示区域DA是圆形形状的区域时，第一数据线D1至D8可以具
有如图1中示出的不同的长度。第二数据线DL2也可以在y轴方向上延伸并
且可以彼此平行地穿过第二显示区域。与第一数据线D1至D8相似，在图1
中，八条第二数据线D9至D16被示例性示出在第二显示区域中。因为显示
区域DA是圆形形状的，所以第二数据线D9至D16可以具有如图1中示出
的不同的长度。第二数据线D9至D16平行于第一数据线D1至D8。
参照图2，主扫描线MSL彼此平行地穿过显示区域DA，主扫描线MSL
平行于第一数据线DL1和第二数据线DL2。在图2中，十六条主扫描线MS1
至MS16示例性示出为在y轴方向上延伸。主扫描线MS1至MS16可以具有
不同的长度，或者一些可以具有相同的长度。当设置穿过显示区域DA的主
扫描线MSL时，每条主扫描线MSL可以设置在显示区域DA的至少一部分
中。每条主扫描线MSL不必穿过整个显示区域DA。
主扫描线MSL可以包括多条第一主扫描线MSL1和多条第二主扫描线
MSL2。在这种情况下，与第一数据线DL1相似，第一主扫描线MSL1可以
彼此平行地穿过第一显示区域。与第二数据线DL2相似，第二主扫描线MSL2
可以彼此平行地穿过第二显示区域。在图2中，在左侧的八条主扫描线MS1
至MS8是第一主扫描线MSL1，在右侧的八条主扫描线MS9至MS16是第二
主扫描线MSL2。八条主扫描线MS1至MS8和八条主扫描线MS9至MS16
是为了便于解释而示例性示出的。本发明构思的示例性实施例可以包括大于
或小于八条第一主扫描线MSL1以及大于或小于八条第二主扫描线MSL2。
主扫描线MSL不直接接触第一数据线DL1或第二数据线DL2。在主扫
描线MSL设置在与第一数据线DL1和第二数据线DL2同一层上的情况下，
它们可以交替地设置使得主扫描线MSL与第一数据线DL1彼此不直接接触。
可选择地，在需要时，主扫描线MSL可以设置在不同于其上设置有第一数据
线DL1和第二数据线DL2的层的层上。
子扫描线SSL彼此平行地穿过显示区域DA。设置多条子扫描线SSL使
得它们与主扫描线MSL交叉(例如，穿过主扫描线MSL)。在图2中，子扫
描线SSL在x轴方向上延伸并与在y轴方向上延伸的主扫描线MSL交叉。
子扫描线SSL可以分别连接到主扫描线MSL。在图2中，多条子扫描线SSL
中的十六条子扫描线SS1至SS16分别连接到十六条主扫描线MS1至MS16。
子扫描线SSL可以设置在不同于其上设置有主扫描线MSL的层的层上。
绝缘层可以设置在子扫描线SSL与主扫描线MSL之间。此外，子扫描线SSL
可以通过形成在绝缘层中的接触孔电连接到主扫描线MSL。在图2中，子扫
描线SSL通过用黑点表示的接触孔电连接到主扫描线MSL。例如，主扫描线
MS1电连接到子扫描线SS1，主扫描线MS2电连接到子扫描线SS2，同样地，
主扫描线MS16电连接到子扫描线SS16。
第一数据线DL1和第二数据线DL2与子扫描线SSL之间的交叉可以限
定子像素。在下文中，子像素和像素两者都可以被称为“子像素”。图3是示
出图1的显示装置的一部分(例如，子像素区域)的图。如图3中示出的，
子像素P(3,6)位于子扫描线SS3与数据线D6之间的交叉处，子像素P(3,7)位
于子扫描线SS3与数据线D7之间的交叉处，子像素P(3,8)位于子扫描线SS3
与数据线D8之间的交叉处。子像素P(4,6)位于子扫描线SS4与数据线D6之
间的交叉处，子像素P(4,7)位于子扫描线SS4与数据线D7之间的交叉处，子
像素P(4,8)位于子扫描线SS4与数据线D8之间的交叉处。
子像素P(3,6)、P(3,7)、P(3,8)、P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)中的每个可以包括
薄膜晶体管(TFT)或电容器以及显示器件。显示器件可以包括例如有机发
光器件(OLED)。可以使用各种方法来控制由子像素P(3,6)、P(3,7)、P(3,8)、
P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)发射的光的量。例如，通过将扫描信号施加到主扫描线
MS3，扫描信号传输到电连接到主扫描线MS3的子扫描线SS3，可以选择连
接到子扫描线SS3的子像素P(3,6)、P(3,7)和P(3,8)。在这种情况下，当与将
要由子像素P(3,6)、P(3,7)和P(3,8)发射的光的亮度有关的数据信号施加到数
据线D6至D8时，可以根据施加的数据信号来确定由子像素P(3,6)、P(3,7)
和P(3,8)发射的光的亮度。通过将扫描信号施加到主扫描线MS4，扫描信号
传输到电连接到主扫描线MS4的子扫描线SS4，可以选择子像素P(4,6)、P(4,7)
和P(4,8)。在这种情况下，当与将要由子像素P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)发射的光
的亮度有关的数据信号施加到数据线D6至D8时，可以根据施加的数据信号
来确定由子像素P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)发射的光的亮度。
除了主扫描线MS2至MS4、子扫描线SS3和SS4以及数据线D6至D8
之外，图3中也示出了驱动电压线P6至P8。根据本发明构思的示例性实施
例的显示装置包括在y轴方向上延伸并彼此平行地穿过第一显示区域和第二
显示区域的驱动电压线。驱动电压线P6至P8将子像素P(3,6)、P(3,7)、P(3,8)、
P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)的发射所需要的电信号传输到子像素P(3,6)、P(3,7)、
P(3,8)、P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)。
如图1中示出的，第一数据线焊盘DLP1可以位于基底Sub的第二外围
区域PA2中而不是基底Sub的显示区域DA中，使得数据信号可以施加到第
一数据线DL1。第一数据线焊盘DLP1可以位于第一数据线DL1的一侧(例
如，-y方向)使得第一数据线焊盘DLP1可以连接到第一数据线DL1。如图
1中示出的，第二数据线焊盘DLP2可以位于基底Sub的第二外围区域PA2
中而不是基底Sub的显示区域DA中，使得数据信号可以施加到第二数据线
DL2。第二数据线焊盘DLP2可以设置在第二数据线DL2的一侧(例如，-y
方向)使得第二数据线焊盘DLP2可以连接到第二数据线DL2。
如图1中示出的，第一数据线焊盘DLP1可以仅指示位于第二外围区域
PA2中且平行于y轴方向延伸的元件。在这种情况下，可以通过图1中的不
平行于x轴或y轴的连接线连接第一数据线焊盘DLP1和第一数据线DL1。
连接线可以设置在其上设置有第一数据线焊盘DLP1和第一数据线DL1的层
上或者在与其上设置有第一数据线焊盘DLP1和第一数据线DL1的层不同的
层上。连接线可以通过接触孔使第一数据线焊盘DLP1与第一数据线DL1电
连接。相似的结构也可以应用于第二数据线焊盘DLP2以及使第二数据线焊
盘DLP2与第二数据线DL2连接的连接线。例如，连接第二数据线焊盘DLP2
与第二数据线DL2的连接线可以设置在第二数据线焊盘DLP2和第二数据线
DL2位于其上的层上，或者在与其上设置有第二数据线焊盘DLP2和第二数
据线DL2的层不同的层上。连接线可以通过接触孔使第二数据线焊盘DLP2
与第二数据线DL2电连接。
如图2中示出的，扫描线焊盘SLP可以设置在基底Sub的第二外围区域
PA2中而不是基底Sub的显示区域DA中，使得扫描信号可以施加到主扫描
线MSL。扫描线焊盘SLP可以设置在主扫描线MSL的一侧(例如，-y方向)
使得扫描线焊盘SLP可以连接到主扫描线MSL。扫描线焊盘SLP可以设置
在第一数据线焊盘DLP1与第二数据线焊盘DLP2之间。
扫描驱动电路SDU可以设置在主扫描线MSL与扫描线焊盘SLP之间。
主扫描线MSL和扫描线焊盘SLP可以电连接到扫描驱动电路SDU。扫描驱
动电路SDU包括例如移位寄存器，并且还可以包括在形成显示区域DA中的
子像素中包括的TFT时同时形成的TFT。
扫描驱动电路SDU可以根据驱动显示装置的方法以各种方式操作。例
如，扫描信号可以顺序地施加到主扫描线MS 1至MS16使得扫描信号可以顺
序地施加到子扫描线SS1至SS 16。因此，可以选择电连接到子扫描线SS1
的子像素，顺序地选择电连接到子扫描线SS2的子像素直到电连接到子扫描
线SS 16的子像素。在这种情况下，扫描线焊盘SLP可以是向其施加扫描驱
动电路SDU中的TFT所需要的高信号、低信号和/或时钟信号的组件。
扫描驱动电路SDU可以以各种方式构造。例如，如图2中示出的，扫描
驱动电路SDU可以包括电连接到第一主扫描线MSL1的第一扫描驱动电路
SDU1以及电连接到第二主扫描线MSL2的第二扫描驱动电路SDU2。在这种
情况下，第一扫描线焊盘SLP1可以电连接到第一扫描驱动电路SDU1，第二
扫描线焊盘SLP2可以电连接到第二扫描驱动电路SDU2。
集成电路(IC)或IC附着于其的印刷电路板(PCB)可以附着到第一数
据线焊盘DLP1、第二数据线焊盘DLP2和扫描线焊盘SLP。因此，经过IC
的电信号可以输入到第一数据线焊盘DLP1、第二数据线焊盘DLP2和扫描线
焊盘SLP，因此，图像显示在显示区域DA中。
在下文中，将描述每个子像素的构造。
图4是根据本发明构思的示例性实施例示出图1的显示装置的子像素的
等效电路图。如图4中示出的，根据本发明构思的示例性实施例的有机发光
显示装置的子像素包括多条信号线121、122、123、124、171和172、连接
到信号线121、122、123、124、171和172的多个TFT T1至T6、存储电容
器Cst以及OLED。信号线121、122、123、124、171和172可以在多个子
像素之间共用。
TFT包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT T4、操
作控制TFT T5和发射控制TFT T6。
信号线包括传输扫描信号Sn的扫描线121、将前扫描信号Sn-1传输到
初始化TFT T4的前扫描线122、将发射控制信号En传输到操作控制TFT T5
和发射控制TFT T6的发射控制线123、与扫描线121交叉并且传输数据信号
Dm的数据线171、传输驱动电压ELVDD并且基本平行于数据线171的驱动
电压线172、传输使驱动TFT T1初始化的初始化电压Vint的初始化电压线
124。扫描线121或前扫描线122可以连接到上面参照图1至图3描述的子扫
描线SS1至SS16或者包括在子扫描线SS1至SS16的一部分中。根据连接到
数据线171的子像素的位置，数据线171可以是第一数据线DL1中的一条或
第二数据线DL2中的一条。
驱动TFT T1的栅电极GE1连接到存储电容器Cst的第一存储电容器极
板Cst1，驱动TFT T1的源电极SE1通过操作控制TFT T5与驱动电压线172
连接，驱动TFT T1的漏电极DE1通过发射控制TFT T6与OLED的像素电极
电连接。驱动TFT T1根据开关TFT T2的开关操作接收数据信号Dm并且将
驱动电流IOLED供应到OLED。
开关TFT T2的栅电极GE2连接到扫描线121，开关TFT T2的源电极
SE2连接到数据线171，开关TFT T2的漏电极DE2连接到驱动TFT T1的源
电极SE1并且通过操作控制TFT T5连接到驱动电压线172。开关TFT T2通
过经由扫描线121接收到的扫描信号Sn而导通，并且执行包括将经由数据线
171接收到的数据信号Dm传输到驱动TFT T1的源电极SE1的开关操作。
补偿TFT T3的栅电极GE3连接到扫描线121，补偿TFT T3的源电极
SE3连接到驱动TFT T1的漏电极DE1并且通过发射控制TFT T6连接到
OLED的像素电极，补偿TFT T3的漏电极DE3连接到存储电容器Cst的第一
存储电容器极板Cst1、初始化TFT T4的漏电极DE4和驱动TFT T1的栅电极
GE1。补偿TFT T3通过经由扫描线121接收的扫描信号Sn导通，电连接驱
动TFT T1的栅电极GE1和漏电极DE1，因此，二极管连接驱动TFT T1。
初始化TFT T4的栅电极GE4连接到前扫描线122，初始化TFT T4的源
电极SE4与初始化电压线124连接，初始化TFT T4的漏电极DE4连接到存
储电容器Cst的第一存储电容器极板Cst1、补偿TFT T3的漏电极DE3和驱
动TFT T1的栅电极GE1。初始化TFT T4通过经由前扫描线122接收的前扫
描信号Sn-1导通，并且执行初始化操作。例如，初始化TFT T4通过将初始
化电压Vint传输到驱动TFT T1的栅电极GE1来将驱动TFT T1的栅电极GE1
的电压初始化。
操作控制TFT T5的栅电极GE5连接到发射控制线123，操作控制TFT T5
的源电极SE5连接到驱动电压线172，操作控制TFT T5的漏电极DE5连接
到驱动TFT T1的源电极SE1和开关TFT T2的漏电极DE2。
发射控制TFT T6的栅电极GE6连接到发射控制线123，发射控制TFT T6
的源电极SE6连接到驱动TFT T1的漏电极DE1和补偿TFT T3的源电极SE3，
发射控制TFT T6的漏电极DE6与OLED的像素电极电连接。操作控制TFT T5
和发射控制TFT T6通过经由发射控制线123接收到的发射控制信号En而同
时导通，驱动电压ELVDD传输到OLED，驱动电流IOLED流入OLED中。
存储电容器Cst的第二存储电容器极板Cst2连接到驱动电压线172，
OLED的相对电极连接到公共电压ELVSS。因此，OLED通过用从驱动TFT T1
接收的驱动电流IOLED发射光来显示图像。
在下文中，将根据本发明构思的示例性实施例描述有机发光显示装置的
子像素的操作。
在初始化时段期间，通过前扫描线122供应低电平前扫描信号Sn-1。随
后，初始化TFT T4根据低电平前扫描信号Sn-1而导通，来自初始化电压线
124的初始化电压Vint通过初始化TFT T4传输到驱动TFT T1的栅电极GE1。
因此，驱动TFT T1被初始化电压Vint初始化。
在数据编程时段期间，通过扫描线121供应低电平扫描信号Sn。随后，
开关TFT T2和补偿TFT T3根据低电平扫描信号Sn导通。因此，驱动TFT T1
通过导通的补偿TFT T3二极管连接并且正向偏置。随后，从数据线171供应
的数据信号Dm减去驱动TFT T1的阈值电压，例如，补偿电压(Dm+驱动
TFT T1的阈值电压，其中，驱动TFT T1的阈值电压是负(-)值)施加到驱
动TFT T1的栅电极GE1。驱动电压ELVDD和补偿电压(Dm+驱动TFT T1
的阈值电压)施加到存储电容器Cst的两端。因此，存储电容器Cst存储与驱
动电压ELVDD和补偿电压之间的电压差对应的电荷。
在发射时段期间从发射控制线123供应的发射控制信号En从高电平改
变为低电平。因为操作控制TFT T5和发射控制TFT T6通过低电平发射控制
信号En导通，因此，产生根据驱动TFT T1的栅电极GE1的电压与驱动电压
ELVDD之间的电压差而确定的驱动电流IOLED。驱动电流IOLED通过发射控制
TFT T6供应到OLED。在发射时段期间，驱动TFT T1的栅极-源极电压通过
存储电容器Cst保持为(Dm+驱动TFT T1的阈值电压)-ELVDD。基于驱动TFT
T1的电流-电压关系，因为驱动电流IOLED与(Dm-ELVDD)2(驱动TFT T1的
栅极-源极电压减去驱动TFT T1的阈值电压的平方值)有关，所以与驱动TFT
T1的阈值Vth无关地确定驱动电流IOLED。
在下文中，将参照图5至图9描述图4的有机发光显示装置的子像素的
详细结构。
图5是根据本发明构思的示例性实施例示出图4的子像素的多个薄膜晶
体管(TFT)、电容器和其他元件的位置的布局图。图6至图9是根据本发明
构思的示例性实施例而依据设置有图5的多个TFT和电容器的组件的层来示
出图5的多个TFT和电容器的组件的布局图。例如，图6至图9示出设置在
同一层(例如，在各个图中示出的层)上的线或半导体层的布局。绝缘层可
以设置在图6至图9中示出的层上的结构之间。例如，第一绝缘层可以设置
在图6中示出的层与图7中示出的层之间，第二绝缘层可以设置在图7中示
出的层与图8中示出的层之间，层间绝缘层可以设置在图8中示出的层与图
9中示出的层之间。接触孔可以形成在绝缘层中以使图6至图9中示出的层
上的结构电连接且竖直连接。
根据本发明构思的示例性实施例的有机发光显示装置的子像素包括形成
在行方向上并且分别施加扫描信号Sn、前扫描信号Sn-1、发射控制信号En
和初始化电压Vint的扫描线121、前扫描线122、发射控制线123和初始化
电压线124。根据本发明构思的示例性实施例的有机发光显示装置的子像素
可以包括与扫描线121、前扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124
交叉并且将数据信号Dm和驱动电压ELVDD分别施加到子像素的数据线171
和驱动电压线172。
子像素可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT
T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6、存储电容器Cst以及OLED。
驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT T4、操作控制
TFT T5和发射控制TFT T6沿图6中示出的以各种方式弯曲的半导体层形成。
半导体层可以包括对应于驱动TFT T1的驱动半导体层131a、对应于开关TFT
T2的开关半导体层131b、对应于补偿TFT T3的补偿半导体层131c1、131c2
和131c3、对应于初始化TFT T4的初始化半导体层131d1、131d2和131d3、
对应于操作控制TFT T5的操作控制半导体层131e以及对应于发射控制TFT
T6的发射控制半导体层131f。驱动半导体层131a、开关半导体层131b、补
偿半导体层131c1、131c2和131c3、初始化半导体层131d1、131d2和131d3、
操作控制半导体层131e和发射控制半导体层131f可以是图6中示出的半导
体层的部分。
半导体层可以包括多晶硅。另外，半导体层可以包括例如没有掺杂有杂
质的沟道区以及在沟道区的两侧通过掺杂杂质形成的源区和漏区。杂质可以
根据TFT的类型而变化，可以使用N型杂质或P型杂质。此外，通过掺杂形
成的源区或漏区可以是TFT的源电极或漏电极。例如，在图6中示出的半导
体层中，驱动源电极176a可以对应于在驱动半导体层131a附近通过掺杂杂
质形成的驱动源区176a，驱动漏电极177a可以对应于在驱动半导体层131a
附近通过掺杂杂质形成的驱动漏区177a。此外，在图6中示出的半导体层中，
半导体层的在TFT之间的部分可以用杂质掺杂并且用作电连接TFT的导线。
存储电容器Cst可以包括其间有第二绝缘层的第一存储电容器极板125a
和第二存储电容器极板127。第一存储电容器极板125a也可以用作驱动TFT
T1的驱动栅电极。因此，可以整体地形成驱动TFT T1的驱动栅电极和第一
存储电容器极板125a。在下文中，为了便于描述，驱动TFT T1的驱动栅电
极可以通过与第一存储电容器极板125a相同的附图标号来表示。
如图7中示出的，第一存储电容器极板125a可以是四边形形状的并且与
邻近的子像素分隔开。第一存储电容器极板125a可以形成在扫描线121、前
扫描线122、发射控制线123位于其上的层上，第一存储电容器极板125a、
扫描线121、前扫描线122、发射控制线123可以使用相同的材料同时形成。
开关栅电极125b和补偿栅电极125c1和125c2是扫描线121的与半导体
层交叉的部分或者从扫描线121突出的部分。初始化栅电极125d1和125d2
是前扫描线122的与半导体层交叉的部分或者是从前扫描线122突出的部分。
操作控制栅电极125e和发射控制栅电极125f是发射控制线123的与半导体
层交叉的部分或者从发射控制线123突出的部分。
子像素的第二存储电容器极板127和邻近的子像素的第二存储电容器极
板可以整体地形成。如图8中示出的，第二存储电容器极板127可以形成在
初始化电压线124位于其上(例如，设置于其上)的层上，第二存储电容器
极板127和初始化电压线124可以使用相同的材料同时形成。存储开口27可
以形成在第二存储电容器极板127中。连接件174可以通过存储开口27使第
一存储电容器极板125a与补偿TFT T3的漏电极177c电连接，这将在下面描
述。第二存储电容器极板127可以通过形成在层间绝缘层中的接触孔168连
接到驱动电压线172。
驱动TFT T1包括驱动半导体层131a、驱动栅电极125a、驱动源电极176a
和驱动漏电极177a。如上所述，驱动栅电极125a也可以用作第一存储电容器
极板125a。驱动源电极176a设置在驱动栅电极125a的外部中(图3中的-x
方向上)，驱动漏电极177a设置在驱动栅电极125a的外部中(图3中的+x
方向上)。驱动源电极176a和驱动漏电极177a设置在驱动栅电极125a的相
对侧处。
开关TFT T2包括开关半导体层131b、开关栅电极125b、开关源电极176b
和开关漏电极177b。开关源电极176b可以通过形成在第一绝缘层、第二绝
缘层和层间绝缘层中的接触孔164与数据线171电连接。如果有必要，数据
线171的靠近接触孔164的一部分可以用作开关TFT T2的源电极。开关漏电
极177b对应于在开关半导体层131b附近通过掺杂杂质形成的开关漏区177b。
补偿TFT T3包括补偿半导体层131c1、131c2和131c3、补偿栅电极125c1
和125c2、补偿源电极176c以及补偿漏电极177c。补偿源电极176c对应于
在补偿半导体层131c1、131c2和131c3附近通过掺杂杂质形成的补偿源区
176c。补偿漏电极177c对应于在补偿半导体层131c1、131c2和131c3附近
通过掺杂杂质形成的补偿漏区177c。补偿栅电极125c1和125c2是包括第一
栅电极125c1和第二栅电极125c2的双栅电极并且可以防止或减小漏电流。
补偿TFT T3的补偿漏电极177c可以通过使用连接件174与第一存储电容器
极板125a连接。补偿半导体层131c1、131c2和131c3可以包括对应于第一
栅电极125c1的一部分131c1、对应于第二栅电极125c2的一部分131c3以及
在两个部分131c1与131c3之间的一部分131c2。
如图9中示出的，连接件174可以形成在数据线171位于其上的同一层
上，连接件174和数据线171可以使用相同的材料同时形成。连接件174的
一端通过形成在第一绝缘层、第二绝缘层和层间绝缘层中的接触孔166与补
偿漏电极177c和初始化漏电极177d连接。连接件174的另一端通过形成在
第二绝缘层和层间绝缘层中的接触孔167与第一存储电容器极板125a连接。
连接件174的所述另一端通过形成在第二存储电容器极板127中的存储开口
27与第一存储电容器极板125a连接。
初始化TFT T4包括初始化半导体层131d1、131d2和131d3、初始化栅
电极125d1和125d2、初始化源电极176d以及初始化漏电极177d。初始化漏
电极177d对应于在初始化半导体层131d1、131d2和131d3附近通过掺杂杂
质形成的初始化漏区177d。
初始化源电极176d通过初始化连接线78与初始化电压线124连接。初
始化连接线78的一端通过形成在第二绝缘层和层间绝缘层中的接触孔161与
初始化电压线124连接。初始化连接线78的另一端可以通过形成在第一绝缘
层、第二绝缘层和层间绝缘层中的接触孔162与初始化源电极176d连接。
操作控制TFT T5包括操作控制半导体层131e、操作控制栅电极125e、
操作控制源电极176e和操作控制漏电极177e。操作控制源电极176e可以通
过形成在第一绝缘层、第二绝缘层和层间绝缘层中的接触孔165与驱动电压
线172电连接。如果有必要，驱动电压线172的靠近接触孔165的一部分可
以用作操作控制TFT T5的源电极。操作控制漏电极177e对应于在操作控制
半导体层131e附近通过掺杂杂质形成的操作控制漏区177e。
发射控制TFT T6包括发射控制半导体层131f、发射控制栅电极125f、
发射控制源电极176f以及发射控制漏电极177f。发射控制源电极176f对应
于在发射控制半导体层131f附近通过掺杂杂质形成的发射控制源区176f。如
图9中示出的，发射控制漏电极177f是在形成有数据线171或驱动电压线172
的层间绝缘层上的一部分。发射控制漏电极177f可以通过形成在第一绝缘层、
第二绝缘层和层间绝缘层中的接触孔163连接到下半导体层。可选择的是，
下半导体层的一部分可以包括发射控制漏电极，附图标号177f可以指示用于
使发射控制漏电极和OLED的像素电极连接的中间连接层。
驱动TFT T1的驱动半导体层131a的一端与开关半导体层131b以及补偿
半导体层131c1、131c2和131c3连接。驱动半导体层131a的另一端与操作
控制半导体层131e和发射控制半导体层131f连接。因此，驱动源电极176a
与开关漏电极177b和操作控制漏电极177e连接，驱动漏电极177a与补偿源
电极176c和发射控制源电极176f连接。
开关TFT T2用作选择用于发光的子像素的开关器件。开关栅电极125b
与扫描线121连接，开关源电极176b与数据线171连接，开关漏电极177b
与驱动TFT T1和操作控制TFT T5连接。
如图9中示出的，发射控制TFT T6的发射控制漏电极177f通过形成在
覆盖例如数据线171或驱动电压线172的保护层或平坦化层中的接触孔181
与OLED的像素电极连接。
如图5和图7中示出的，屏蔽层129可以位于与驱动电压线172位于其
上的层不同的层上，使得屏蔽层129与数据线171和主扫描线173中的至少
一条叠置。屏蔽层129可以通过形成在第二绝缘层和层间绝缘层中的接触孔
168'与驱动电压线172连接。屏蔽层129不与设置在其上设置有驱动电压线
172的同一层上的数据线171和主扫描线173接触。另外，屏蔽层129不电
连接到数据线171和主扫描线173。如图7中示出的，屏蔽层129可以设置
在其上设置有扫描线121的层上。屏蔽层129和扫描线121可以设置在数据
线171、主扫描线173和驱动电压线172下方。
如上所述，主扫描线173通过形成在绝缘层中的接触孔169与扫描线121
电连接，使得在x轴方向上串联布置的多个子像素被选择。如上所述，扫描
线121可以是子扫描线SS1至SS16中的任意一条。在x轴方向上延伸的扫
描线121可以布置在y轴方向上使得它们彼此平行，电信号顺序地施加到扫
描线121。这对应于将电信号顺序地施加到在y轴方向上延伸的主扫描线
MSL，如图2中所示。当电信号施加到主扫描线MSL时，影响在主扫描线
MSL附近的数据线(例如，图1的数据线D1至D16)的数据信号。
如图5中示出的，向其施加恒定电信号的驱动电压线172可以设置(例
如，位于)在主扫描线173与数据线171之间，使得数据线171的数据信号
较少地受施加到主扫描线173的电信号影响。然而，即使在这种情况下，坏
点也可能出现在由图2中的黑点指示的位置处或者在靠近黑点的位置处。由
于在主扫描线173和扫描线121通过接触孔169连接的位置处的边缘效应，
造成数据线171的数据信号可能受施加到主扫描线173的电信号影响。结果，
在由图2中的黑点指示的位置处或者靠近黑点的子像素处的OLED的亮度可
能不同于它们的预期亮度，因此，通过有机发光显示装置显示的图像可能具
有降低的质量。
然而，因为根据本发明构思的示例性实施例的有机发光显示装置包括屏
蔽层129，所以可以防止或减小图像质量的降低。可以通过使数据线171和
主扫描线173中的至少一条与屏蔽层129叠置来降低或防止由于边缘效应导
致的主扫描线173的电信号对数据线171的数据信号造成的影响。屏蔽层129
电连接到向其施加恒定电信号的驱动电压线172。因此，有机发光显示装置
可以显示良好质量的图像。例如，通过将数据线171和主扫描线173与屏蔽
层129叠置，可以降低由于边缘效应导致的由主扫描线173的电信号对数据
线171的数据信号造成的影响。屏蔽层129电连接到向其施加恒定电信号的
驱动电压线172。
如图1中示出的，根据本发明构思的示例性实施例的显示装置可以包括
没有突出部分、拐角或有角的外周边的显示区域DA。例如，根据本发明构思
的示例性实施例的显示装置可以包括圆形的、卵形的或椭圆形的显示区域
DA。因此，显示装置的基底可以具有圆形的、卵形的或椭圆形的形状。
如图2中示出的，在具有圆形的、卵形的或椭圆形的形状的显示装置中，
扫描驱动电路SDU和数据驱动电路可以位于显示装置的外周边处。因此，如
图2中示出的，通过将主扫描线MSL与子扫描线SSL交叉而选择多个子像
素。如上所示，尽管在主扫描线MSL与子扫描线SSL交叉处或附近图像质
量可能降低，但是屏蔽层129可以防止或减小图像质量在主扫描线MSL与子
扫描线SSL交叉处或附近降低。
图10是根据本发明构思的示例性实施例示出包括在显示装置的两个子
像素P1和P2中的多个TFT和电容器的位置的布局图。如图10中示出的，
两个子像素P1和P2关于与数据线171、驱动电压线172和主扫描线173在
两个子像素P1和P2之间延伸的方向平行的轴而彼此邻近。此外，两个子像
素P1和P2的除了主扫描线173之外的组件关于所述轴对称地布置。图10
中示出的子像素P1的结构基于穿过图5的子像素的中心并平行于y轴的轴与
图5的子像素的结构镜像对称。
当子像素P1和P2的除了主扫描线173之外的组件基于所述轴形成对称
时，子像素P1的数据线171可以远离穿过子像素P2的主扫描线173。此外，
子像素P2的数据线171可以远离穿过子像素P1的主扫描线173。因此，子
像素P1和P2的数据线171的数据信号可以被主扫描线173较少地影响或不
受主扫描线173影响。另外，如图10中示出的，屏蔽层129可以整体地形成
在邻近的子像素P1和P2中以简化结构。
在图10中，可以由连接到穿过子像素P1的主扫描线173的扫描线121
同时选择子像素P1和P2。此外，穿过子像素P2的主扫描线173可以沿子像
素P1和P2的+y方向传输用于选择子像素的电信号。穿过子像素P2的主扫
描线173可以通过接触孔169'连接到子像素P1和P2的前扫描线122并且将
前扫描信号Sn-1传输到子像素P1和P2的前扫描线122。
图11至图13是根据本发明构思的示例性实施例而依据设置有包括在显
示装置的子像素中的多个TFT和电容器的组件的层来示出包括在显示装置的
子像素中的多个TFT和电容器的组件的布局图。根据本发明构思的示例性实
施例的显示装置的子像素也可以示出为图4的等效电路图。显示装置的子像
素可以具有如下结构：图6中示出的半导体层和图11中示出的层具有设置于
其间的第一绝缘层，图11中示出的层和图12中示出的层具有设置于其间的
第二绝缘层，图12中示出的层和图13中示出的层具有设置于其间的层间绝
缘层。
在参照图5至图9描述的根据本发明构思的示例性实施例的显示装置中，
如图7中示出的，屏蔽层129设置在其上设置有扫描线121的层上。然而，
如图12中示出的，在根据本发明构思的示例性实施例的显示装置中，屏蔽层
129可以设置在其上设置有第二存储电容器极板127的层上。第二存储电容
器极板127设置在第一存储电容器极板125a上方。在这种情况下，屏蔽层129
可以被包括在第二存储电容器极板127的一部分中。第二存储电容器极板127
位于数据线171、主扫描线173和驱动电压线172下方。
第二存储电容器极板127可以通过形成在层间绝缘层中的接触孔168与
向其施加恒定电信号的驱动电压线172连接。因此，恒定电信号也施加到包
括在第二存储电容器极板127的一部分中的屏蔽层129。通过将数据线171
和主扫描线173中的至少一条与屏蔽层129叠置，可以降低或防止由于边缘
效应导致的主扫描线173的电信号对数据线171的数据信号造成的影响。因
此，可以通过有机发光显示装置显示高质量图像。在这种情况下，因为不另
外需要接触孔来连接屏蔽层129与驱动电压线172，所以可以简化显示装置
的结构。
根据本发明构思的示例性实施例的显示装置可以以各种方式修改，例如，
显示装置可以包括图7中示出的屏蔽层129以及图12中示出的屏蔽层129。
此外，与上面的描述不同，还可以包括与图6中示出的整体形成的半导体层
分隔开的岛型半导体层。岛型半导体层可以被掺杂且是导电的，岛型半导体
层可以通过接触孔与驱动电压线172连接。岛型半导体层可以与数据线171
和主扫描线173中的至少一条叠置以用作屏蔽层。
尽管屏蔽层129被描述为设置在数据线171和主扫描线173下方，但是
本发明构思不限于此。例如，屏蔽层129可以设置在数据线171和主扫描线
173上方、在数据线171上方且在主扫描线173下方、或者按照其他不同形
式。
发明构思不限于有机发光显示装置。除了有机发光显示装置之外，可以
实现包括子像素中的TFT和数据线的任意类型的显示装置使得以与上述方式
相同或相似的方式包括屏蔽层，因此，显示高质量图像。
应该理解的是，这里描述的本发明构思的示例性实施例将被认为仅以描
述性意义考虑而不是出于限制的目的。在本发明构思的示例性实施例中的特
征或方面的描述应该被认为成可用于贯穿说明书描述的本发明构思的示例性
实施例。
尽管已经参照附图描述了示例性实施例，但是本领域的普通技术人员将
理解的是，在不脱离由权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以在这里
做出形式和细节上的各种改变。