一种像素阵列基板、液晶显示面板、液晶显示设备技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种像素阵列基板以及包含该像素阵列
基板的液晶显示面板和液晶显示设备。
背景技术
液晶显示设备是一种采用液晶为材料的显示设备。液晶是介于固态和液态间的有
机化合物。将其加热会变成透明液态，冷却后会变成结晶的混浊固态。在电场作用下，液晶
分子会发生排列上的变化，从而影响通过其的光线变化，这种光线的变化通过偏光片的作
用可以表现为明暗的变化。就这样，人们通过对电场的控制最终控制了光线的明暗变化，从
而达到显示图像的目的。
随着显示技术的发展，液晶显示技术越发广泛。提升液晶显示设备的显示质量是
本领域不断追求的目标。
现有技术中，为了提升液晶显示设备的显示质量，在液晶显示设备的背光模组中
增设一层量子点色彩增强膜(Quantum Dot Enhancement Film,QDEF)，QDEF中的量子点可
以把大约三分之二由背光源发出的蓝色光转化为红光和绿光，设置有QDEF的液晶显示设备
的色域能达到115％(NTSC标准)以上。如此，加入了QDEF的液晶显示设备可具有与OLED(有
机发光二极管)媲美的色域。与传统的液晶显示设备发出的白光相比，有更多的红、绿、蓝色
光透过滤色片，因而显示更加明亮，色彩更丰富。
但是，本申请发明人研究发现，用于制备液晶显示设备的QDEF需要切割成与液晶
显示设备相适应的尺寸。在切割过程中，可能会破坏QDEF边缘的量子点，使得切割后的QDEF
边缘量子点失效，导致背光源发出的蓝色光从QDEF的周边透过，导致QDEF周边存在发蓝区
域，最终导致液晶显示设备在显示时出现四周存在蓝边的现象。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种像素阵列基板，以及包含该像素阵列基板的液晶显
示面板以及液晶显示设备，以解决设置有QDEF的液晶显示设备在显示时出现四周存在蓝边
的问题。
为了解决上述技术问题，本发明采用了如下技术方案：
一种像素阵列基板，所述像素阵列基板的显示区包括第一区域和位于所述第一区
域外围且与所述第一区域相邻的第二区域，所述显示区设置有位于红色子像素区的红色像
素电极R、位于绿色子像素区的绿色像素电极G和位于蓝色子像素区的蓝色像素电极B，其
中，
在所述第二区域，蓝色子像素区的光线透过率TrB％小于红色子像素区的光线透
过率TrR％和绿色子像素区的光线透过率TrG％，即TrB％＜TrR％，TrG％。
可选地，在所述第二区域，红色像素电极R的狭缝角θ1和绿色像素电极G的θ2的狭
缝角均大于蓝色像素电极B的狭缝角θ3，即θ1，θ2>θ3。
可选地，6°≤θ1，θ2≤40°，3°≤θ3≤20°。
可选地，在所述第二区域，蓝色像素电极B宽度小于红色像素电极R宽度以及绿色
像素电极G宽度。
可选地，位于所述第二区域的红色子像素区的黑色矩阵宽度较位于所述第一区域
的红色子像素区的黑色矩阵宽度大，
和/或，
位于所述第二区域的绿色子像素区的黑色矩阵宽度较位于所述第一区域的绿色
子像素的黑色矩阵宽度大。
可选地，像素阵列基板为四边形，所述像素阵列基板显示区的第二区域具体为：像
素阵列基板的一边向内延伸的宽度不小于4.6mm，另三边向内延伸的宽度不小于2.2mm所形
成的区域。
一种液晶显示面板，包括像素阵列基板，其特征在于，所述像素阵列基板为上述技
术方案中任一项所述的像素阵列基板。
一种液晶显示设备，其包括：
背光组件；
位于所述背光组件上方的液晶显示面板，所述液晶显示面板为上述技术方案中所
述的液晶显示面板。
可选地，所述背光组件包括：
导光板；
位于所述导光板上方的量子点色彩增强膜；
位于所述量子点色彩增强膜上方的增亮膜。
相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：
由于液晶显示设备的QDEF周边区域漏蓝光，如此在液晶显示设备周边区域显示的
蓝光光强为透过像素阵列基板周边区域的蓝色像素电极区域的蓝光光强加上QDEF周边区
域泄露的蓝光光强之和。本发明提供的像素阵列基板中，在其显示区的第二区域，蓝色子像
素区的光线透过率TrB％小于红色子像素区的光线透过率TrR％和绿色子像素区的光线透过
率TrG％，即TrB％＜TrR％，TrG％。由于像素阵列基板的显示区包括第一区域和包围第一区
域的第二区域，且第二区域与第一区域相邻，所以，该第二区域相当于像素阵列基板的周边
区域。如此，在像素阵列基板的显示区的周边区域，透过蓝色像素电极区域的蓝光光强小于
透过红色像素电极区域的红色光强和透过绿色像素电极区域的绿色光强。
而在液晶显示设备中，像素阵列基板与QDEF层叠设置，所以，像素阵列基板的周边
区域与QDEF的周边区域至少部分上下重叠，如此在液晶显示设备周边区域显示的蓝光光强
为透过像素阵列基板第二区域上的蓝色像素电极区域的蓝光光强加上QDEF周边区域泄露
的蓝光光强之和。该蓝光光强之和相较于现有技术中的蓝光光强之和降低，且有可能能够
达到与红光光强或绿光光强相当的强度，因而，本发明提供的像素阵列基板能够改善设置
有QDEF的液晶显示设备周边发蓝的现象。
附图说明
为了清楚地理解本发明的技术方案，下面将在描述本发明的具体实施方式时用到
的附图做一简要说明。显而易见地，这些附图仅是本发明的部分实施例，本领域普通技术人
员在未付出创造性劳动的前提下，还可以获得其它附图。
图1是相关技术中液晶显示设备结构示意图；
图2是本发明实施例提供的像素电极阵列结构示意图；
图3A为具有标准狭缝角的像素电极示意图；
图3B为具有大狭缝角的像素电极示意图；
图4是不同方案中的x方向色度坐标值差值与y方向色度坐标值差值示意图；
图5是红绿蓝三种颜色色光的色度CIE值与液晶显示设备各边边距之间的关系示
意图；
图6是本发明实施例提供的液晶显示设备结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案、有益效果更加清楚完整，下面结合附图对本发明的
具体实施方式进行详细说明。
为了清楚地理解本发明的具体实施方式，首先介绍相关技术中液晶显示设备的具
体结构。
图1是相关技术中液晶显示设备的剖面结构示意图。如图1所示，该液晶显示设备
包括以下结构：
导光板11；
位于所述导光板11上方的量子点色彩增强膜12；
位于所述量子点色彩增强膜12上方的增亮膜13；
位于所述增亮膜13上方的液晶显示面板14。
其中，液晶显示面板14包括像素阵列基板和液晶材料。
导光板11、量子点色彩增强膜12和增亮膜13构成了液晶显示设备的背光组件。
在本发明实施例中，增亮膜13包括下增亮膜和上增亮膜，下增亮膜为一平整的膜，
上增亮膜是一种棱镜结构，通过该棱镜结构，可以让光线集中在棱镜结构的上方，达到增强
亮度的目的。
为了提升液晶显示设备的显示质量，改善其周边发蓝现象，本发明提供了一种像
素阵列基板。图2是本发明实施例提供的像素阵列基板的结构示意图。如图2所示，该像素阵
列基板的显示区包括第一区域S1和第二区域S2，其中，第二区域S2位于第一区域S1的外围
且与第一区域S1相邻。根据上述所述的第一区域S1和第二区域S2的位置关系，可以认为第
一区域S1为像素阵列基板的中心区域，第二区域S2为像素阵列基板的周边区域。
当本发明提供的像素阵列基板用于制备液晶显示设备时，其显示区的两区域S1和
S2的划分界限可以与包含该像素阵列基板的液晶显示设备的周边发蓝区域的界限相对应。
即：像素阵列基板在导光板上的正投影与量子点色彩增强膜在导光板上的正投影完全重
叠。
与本领域惯用的像素阵列基板结构类似，本发明提供的像素阵列基板的显示区设
置有位于红色子像素区的红色像素电极R、位于绿色子像素区的绿色像素电极G和位于蓝色
子像素区的蓝色像素电极B；
其中，在第二区域S2，蓝色子像素区的光线透过率TrB％小于红色子像素区的光线
透过率TrR％和绿色子像素区的光线透过率TrG％，即TrB％＜TrR％，TrG％。
由于液晶显示设备的QDEF周边区域漏蓝光，如此在液晶显示设备周边区域显示的
蓝光光强为透过像素阵列基板周边区域的蓝色像素电极区域的蓝光光强加上QDEF周边区
域泄露的蓝光光强之和。本发明提供的像素阵列基板中，在其显示区的第二区域S2，蓝色子
像素区的光线透过率TrB％小于红色子像素区的光线透过率TrR％和绿色子像素区的光线透
过率TrG％，即TrB％＜TrR％，TrG％。由于像素阵列基板的显示区包括第一区域S1和包围第
一区域S1的第二区域S2，且第二区域S2与第一区域S1相邻，所以，该第二区域S2相当于像素
阵列基板的周边区域。如此，在像素阵列基板的显示区的周边区域，透过蓝色像素电极区域
的蓝光光强小于透过红色像素电极区域的红色光强和透过绿色像素电极区域的绿色光强。
而在液晶显示设备中，像素阵列基板与QDEF层叠设置，所以，像素阵列基板的周边
区域与QDEF的周边区域在导光板上的正投影至少部分重叠，如此在液晶显示设备周边区域
显示的蓝光光强为透过像素阵列基板第二区域上的蓝色像素电极区域的蓝光光强加上
QDEF周边区域泄露的蓝光光强之和。该蓝光光强之和相较于现有技术中的蓝光光强之和降
低，且有可能能够达到与红光光强或绿光光强相当的强度，因而，本发明提供的像素阵列基
板能够改善设置有QDEF的液晶显示设备周边发蓝的现象。
本发明实施例，可以采用多种方式实现在像素阵列基板的显示区的第二区域，蓝
色子像素区的光线透过率TrB％小于红色子像素区的光线透过率TrR％和绿色子像素区的光
线透过率TrG％。
作为示例，本发明实施例介绍通过调整像素电极的狭缝角的方式来实现上述效
果。
首先介绍狭缝角(slit angle)的定义。狭缝角为像素电极延伸方向与像素区长轴
延伸方向之间的夹角。为了清楚地理解狭缝角的定义，图3A为具有标准狭缝角的像素电极
示意图，图3B为具有大狭缝角的像素电极示意图。
发明人研究发现，狭缝角增大时，光线穿过像素电极的透过率提高。具体地，本发
明发明人以6°狭缝角作为参考值，分别对当狭缝角等于10°、14°以及17°作了光的穿透试
验，得到的试验结果如表1所示。
表1
狭缝角
6°
10°
14°
17°
Tr％
3.65
3.74
3.79
3.83
Δ
/
2.50％
3.70％
4.83％
由表1可知，当狭缝角增大时，透过率Tr％也随之增大。当狭缝角分别为10°、14°以
及17°时，其对应的透过率分别比狭缝角等于6°时增大2.50％、3.70％以及4.83％。
基于上述研究结果，本发明中的像素电极的狭缝角可以如下设置：
设定红色像素电极R的狭缝角为θ1，绿色像素电极G的狭缝角为θ2，蓝色像素电极B
的狭缝角为θ3。
如图2所示，在像素阵列基板显示区的第二区域S2上，红色像素电极R的狭缝角θ1
和绿色像素电极G的狭缝角θ2均大于蓝色像素电极B的狭缝角θ3，用公式表示为θ1，θ2＞θ3。
在像素阵列基板的第一区域S1上，θ1＝θ2＝θ3。
作为本发明的一具体实施例，可选地，6°≤θ1,θ2≤40°，3°≤θ3≤20°。
需要说明，在本发明实施例中，θ3的大小可以为本领域惯用的狭缝角角度。在这种
情况下，在像素阵列基板显示区的第二区域，θ1和θ2均大于本领域惯用的狭缝角角度，这就
相当于，相较于现有技术，在像素阵列基板的周边区域，本发明实施例针对红色像素电极R
和绿色像素电极G采用了较大的狭缝角，而蓝色像素电极B采用了正常大小的狭缝角。而在
像素阵列基板的中心区域，本发明实施例中的RGB像素的狭缝角大小与本领域惯用的RGB像
素的狭缝角大小相等。
在本发明实施例提供的像素阵列基板中，在其显示区的第二区域，由于θ1,θ2＞θ
3，又由于像素电极的狭缝角增大时，光的透过率提高，如此，在像素阵列基板显示区的第二
区域S2，光线透过红色子像素区的透光率TrR％和绿色子像素区的透光率TrG％大于透过蓝
色子像素区的透光率TrB％，如此，相较于在像素阵列基板中具有相同RGB狭缝角的像素阵
列基板，本申请提供的像素阵列基板，在其周边区域，相较于透过红色子像素区的透光率
TrR％或绿色子像素区的透光率TrG％，透过蓝色子像素区的透光率TrB％较小，用公式表示
为TrB％＜TrR％,TrG％。由于液晶显示面板或液晶显示设备的周边区域漏蓝光，如此在其周
边区域显示的蓝光光强为透过蓝色子像素区的蓝光光强加上周边区域泄露的蓝光光强之
和。该蓝光光强之和相较于现有技术中的液晶显示面板或液晶显示设备在其周边区域显示
的蓝光光强减少，并且该蓝光光强能够达到与红光光强或绿光光强相当的强度，因而，本发
明提供的像素阵列基板能够改善设置有QDEF的液晶显示设备周边发蓝的现象。
此外，在本发明实施例中，为了缓解由于红色像素电极R和绿色像素电极G狭缝角
增大导致显示设备不同区域亮度存在差异的问题，本发明实施例还可以采用以下技术方
案：即位于像素阵列基板显示区的第二区域S2的R的黑色矩阵宽度较位于像素阵列基板显
示区的第一区域S1的R的黑色矩阵宽度增大，和/或，位于像素阵列基板显示区的第二区域
S2的G的黑色矩阵宽度较位于像素阵列基板显示区的第一区域S1的G的黑色矩阵宽度增大。
简单地说，在像素阵列基板的周边区域，其R和G采用较大(大于正常尺寸)的黑色矩阵宽度，
而在像素阵列基板的中心区域，其R和G采用正常尺寸的黑色矩阵宽度。加宽的黑色矩阵，降
低了像素电极的开口率，进而减少了出射光。如此，使得减小了显示面板周边区域显示的亮
度与其中心区域的显示亮度的差值，因而能够缓解由于狭缝角增大导致的显示面板不同区
域亮度存在差异的问题。
在本发明实施例中，除了通过调整像素电极的狭缝角大小实现在所述第二区域，
蓝色子像素区的光线透过率TrB％小于红色子像素区的光线透过率TrR％和绿色子像素区的
光线透过率TrG％，进而改善液晶显示面板和液晶显示设备周边发蓝现象之外，还可以通过
调整像素电极的宽度来实现光线透过蓝色像素电极的透过率小于透过红色像素电极和绿
色像素电极的透过率，进而改善液晶显示设备周边发蓝的现象。
通过调整像素电极的宽度来改善液晶显示设备周边发蓝的现象的思路为：在像素
阵列基板显示区的周边区域，降低蓝色子像素区的光线透过率TrB％，增大红色子像素区的
光线透过率TrR％和绿色子像素区的光线透过率TrG％。
为了达到降低像素阵列基板显示区的周边区域的蓝色子像素区的光线透过率目
的，本发明实施例还可以通过减小像素阵列基板显示区的周边区域的蓝色像素电极B的像
素电极宽度来实现。
作为本发明的一具体实施例，在像素阵列基板显示区的第二区域S2，蓝色像素电
极B的像素电极宽度小于红色像素电极R的像素电极宽度以及绿色像素电极G的像素电极宽
度。其中，红色像素电极R的像素电极宽度可以等于绿色像素电极G的像素电极宽度。作为本
发明的一更加具体实施例，所述蓝色像素电极宽度比红色像素电极宽度或绿色像素电极宽
度小0.4～0.5μm。而在像素阵列基板的中心区域，红色像素电极R、绿色像素电极G和蓝色像
素电极B的像素电极宽度可以相等。
需要说明，上述通过调整像素电极的狭缝角改善周边发蓝现象的实施例和通过调
整像素电极宽度改善周边发蓝现象的实施例可以结合在一起，即在周边发蓝区域通过调整
像素电极狭缝角结合调整像素电极宽度来共同改善周边发蓝现象，从而得到更好的改善效
果。
在该具体实施例中，本申请提供了5种不同的改善方案，这5种改善方案的具体实
验条件和结果如表2所示。
表2
其中，x为白点x方向的色度坐标；
y为白点y方向的色度坐标；
Δx为不同方案的x方向色度坐标值与标准方案Ref的x方向色度坐标值的差值；
Δy为不同方案的y方向色度坐标值与标准方案Ref的y方向色度坐标值的差值。
为了更清楚地了解不同改善方案的技术效果，根据表2所示的不同改善方案和标
准方案的色度坐标值，本发明实施例还提供了不同方案中的x方向色度坐标值差值与y方向
色度坐标值差值示意图，具体如图4所示。
上述实施例提供了两种在像素阵列基板显示区的第二区域实现蓝色子像素区的
光线透过率TrB％小于红色子像素区的光线透过率TrR％和绿色子像素区的光线透过率
TrG％的实现方式。需要说明是，上述两种实施方式仅是示例，本发明实施例不限于上述两
种实现方式，在本发明技术领域，只要能够实现像素阵列基板显示区的第二区域的TrB％＜
TrR％,TrG％的技术方案均在本发明的保护范围之列。
此外，发明人还做了红绿蓝三种颜色的色度与液晶显示面板各边边距的关系的研
究。需要说明，在该研究中，设定用于驱动液晶显示设备的集成电路IC所在的方位为下。具
体研究结果如图5所示。图5示出了红绿蓝三种颜色光的色度CIE值与液晶显示设备各边边
距之间的关系示意图。从图5中可以看出，在液晶显示设备的左右上三边，白点的x方向色度
坐标Wx和y方向色度坐标Wy从显示设备边缘渐变到距边2.2mm处，在距边2.2mm的位置白点
的x方向色度坐标Wx和y方向色度坐标Wy达到稳定状态，在液晶显示设备的底边上，白点的x
方向色度坐标从液晶显示设备的底边边缘渐变到距边3.6mm处，在距边3.6mm处，白点的x方
向色度坐标Wx达到稳定状态，白点的y方向色度坐标从液晶显示设备的底边边缘渐变到距
边4.6mm处，在距边4.6mm处，白点的y方向色度坐标Wy达到稳定状态。需要说明，在本发明实
施例中，白点的色度坐标CIE值采用1931标准。
根据图5所示的色度与各边边距的关系示意图可以限定像素阵列基板显示区的第
二区域范围。当像素阵列基板为四边形时，该像素阵列基板显示区的第二区域可以具体为：
像素阵列基板的一边向内延伸的宽度不小于4.6mm，另三边向内延伸的宽度不小于2.2mm所
形成的区域。
在液晶显示设备中，像素阵列基板显示区的第二区域的范围可以如下限定：从像
素阵列基板的左右上三边边缘向内延伸的宽度不小于2.2mm，从像素阵列基板的底边边缘
向内延伸的宽度不小于4.6mm的区域。
从图5还可以看出，在色度不稳定区域即周边区域，距离边缘越近，色度距离稳定
值越大。具体到液晶显示设备或液晶显示设备来说，周边区域即为发蓝区域，该发蓝区域的
发蓝程度不同，越靠近边缘，发蓝程度越重。
以上为本发明实施例提供的像素阵列基板的具体实施方式。
基于上述实施例提供的像素阵列基板，本发明实施例还提供了一种液晶显示面
板，该液晶显示面板包括上述任一实施方式中所述的像素阵列基板。
基于上述实施例提供的液晶显示面板，本发明实施例还提供了一种液晶显示设
备。
如图6所示，本发明实施例提供的液晶显示设备包括背光模组61以及位于所示背
光模组61上方的液晶显示面板62，其中液晶显示面板62为上述实施例所述的液晶显示面
板。
作为本发明的一具体实施例，本发明实施例所述的背光模组61包括依次层叠设置
的导光板611、量子点色彩增强膜612和增亮膜613。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。
对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的
一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明
将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一
致的最宽的范围。