用于制造母模的方法、由该方法制造的母模、用于制造透明光掩模的方法、由该方法制造的透明光掩模以及使用该透明光掩模形成导电网格图案的方法技术领域
本申请要求于2014年02月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-
2014-0016625的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本说明书中。
本发明涉及一种用于制造母模(master mold)的方法、由该方法制造的母模、用于
制造透明光掩模的方法、由该方法制造的透明光掩模以及使用该透明光掩模制造导电网格
图案的方法。
背景技术
为了改善用户的可携带性，便携式终端机，例如智能电话、互联网装置和便携式游
戏装置需要更轻薄的外观。
便携式终端机具有有限的尺寸而不方便用户通过使用菜单键、数字键和方向键来
进行所需的功能，因此便携式终端机目前配置为用户观看屏幕时通过使用触摸屏使用户能
够直接选择显示在屏幕上的菜单项。
触摸屏能够使用户在观看屏幕时触控显示在屏幕上的菜单项以进行所需的功能，
因此触摸屏需要由透明材料形成，并且包括用于探测用户的触摸输入的触控电极。
触控电极通常由在触摸屏幕上具有交叉结构的两根电极线形成，而且所述两根触
控电极线可以在分开的片中或在一个片中形成以确定用户的触摸输入。
具有格状结构的触摸屏采用电容法，传感器电极图案由多个交叉的第一导电侧线
(conductive-side line)和第二导电侧线形成。当触摸对象靠近具有格状结构的触摸屏
时，互相水平和垂直连接的第一和第二导电侧线收集接近点变化的电容，而且触摸屏分析
所收集的信号并探测触摸输入。
触摸屏的电极采用电阻高于导电金属的电阻但具有高透光率的透明金属氧化物，
例如铟锡氧化物(ITO)。
透明金属氧化物由于功函数大、电导性相对不高，因此在具有小的表面积的装置
中没有问题，但是当表面积增加时具有产生电压降的缺点。
当透明金属氧化物形成在透明膜例如PET膜上时，对膜产生与沉积时间成比例的
表面损坏，并且产生阴离子影响，使得难以制造大的触摸屏。
为了克服所述问题，US专利公开号2010-0156840公开了一种通过使用具有网格结
构的触控电极探测触摸输入的触摸屏传感器。
但是，具有网格结构的触控电极可以被视觉识别，或者可以通过网格图案表现出
莫尔效应。
当具有网格结构的触控电极的线宽降低时，视觉识别和莫尔效应降低，但微米图
案可实现的线宽有限，而且实现具有小于1μm的亚微米级线宽的超细网格结构的方法需要
大笔加工费，使得在大规模制造和使触控电极变大方面有问题。
因此，需要对能够实现具有小于1μm的亚微米级线宽的超细网格结构的合理制造
方法进行研究。
发明内容
技术问题
本发明提供一种用于制造母模的方法、由该方法制造的母模、用于制造透明光掩
模的方法、由该方法制造的透明光掩模以及使用该透明光掩模制造导电网格图案的方法。
技术方案
本发明提供一种用于制造母模的方法，包括：a)在基板上形成第一光敏材料层；b)
通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材
料图案层；c)在具有所述第一光敏材料图案层的基板上形成第二光敏材料层；d)使刻有线
形图案的透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层
的线形图案与所述透明光掩模的线形图案交叉而在基板上形成第二光敏材料图案层；e)蚀
刻基板上未形成第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的部分；以及f)去除所述第一
光敏材料图案层和第二光敏材料图案层。
此外，本发明提供一种根据所述制造母模的方法制造的母模，所述母模具有线宽
为100nm以上900nm以下的凸出网格图案。
本发明提供一种用于制造透明光掩模的方法，包括：1)在基板上形成第一光敏材
料层；2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一
光敏材料图案层；3)在具有所述第一光敏材料图案层的基板上形成第二光敏材料层；4)使
刻有线形图案的透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料
图案层的线形图案与所述透明光掩模的线形图案交叉而在基板上形成第二光敏材料图案
层；5)蚀刻基板上未形成第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的部分；6)通过去除
所述第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模；7)在所述
母模上形成透明树脂层；以及8)从所述母模上去除所述透明树脂层。
此外，本发明提供一种通过所述制造透明光掩模的方法制造的透明光掩模，所述
透明光掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案。
此外，本发明提供一种用于制造导电网格图案的方法，包括：在包括导电层的基
板的导电层上形成光敏材料层；通过使透明光掩模与所述光敏材料层的上表面接触形成
光敏材料网格图案层；蚀刻导电层上未形成光敏材料网格图案层的部分；以及去除所
述光敏材料网格图案层以制造导电网格图案。
有益效果
根据本发明，可以通过简单的光方法制造具有亚微米级线宽的超细网格结构的电
极。
与现有薄膜上的金属氧化物类透明电极相比，根据本发明制造的具有亚微米级线
宽的超细网格结构的电极可以克服氧化物层的固有表面电阻值的局限，使得所述电极非常
容易应用至大面积透明电极中。
在使用塑料基板的情况下，即使基板由于细线的结构弯曲或弯折时，也可以有效
地将局部集中的应力分布至基板上，使得所述电极可以容易地应用至柔性电子装置上。
通过本发明的制造方法制造的网格电极很容易使用在电子装置的触控面板的电
极结构中。
本发明可以通过使用柔性相位差掩模诱导光敏层均匀接触，使得具有平面、非平
面或曲面的圆柱形模具中容易形成图案，因此可以通过自动化工艺，例如基于圆柱形卷模
具的卷对卷工艺(roll to roll process)容易地应用亚微米级的网络网格结构。
本发明可以通过使用透明柔性基板作为光掩模形成和重叠具有各种尺寸的大面
积图案，或在圆柱形模具的圆柱形曲面上划分或独立地形成具有不同形状的图案，从而提
高加工的自由度。
本发明可以容易地制造刻有凸出的亚微米级网格图案的母模。
本发明可以容易地制造刻有凹入的亚微米级网格图案的透明光掩模。
附图说明
图1和2描述了相移光刻的原理。
图3说明了基于光学相移光刻制造亚微米级网格图案的难度。
图4是根据本发明第一示例性实施方案制造母模的方法的流程图。
图5是根据本发明第二示例性实施方案制造母模的方法的流程图。
图6是根据本发明第三示例性实施方案制造母模的方法的流程图。
图7是根据本发明一个示例性实施方案制造透明光掩模的方法的流程图。
图8是使用根据本发明的一个示例性实施方案制造的透明光掩模制造导电网格图
案的方法的流程图。
图9是具有实施例1的线宽为40μm的线形图案(重复周期80μm)的铬空白掩模的扫
描电镜(SEM)图像。
图10是根据实施例1制造的刻有线形图案的透明光掩模的SEM图像。
图11是根据实施例1制造的光敏网格图案的示意图和SEM图像。
图12是根据实施例1制造的导电网格图案的示意图和光学显微镜图像。
图13是根据实施例1制造的母模的示意图和SEM图像。
图14是刻有根据实施例1制造的凹入网格图案的透明光掩模的示意图和SEM图像。
图15是通过使用刻有根据实施例1的凹入网格图案的透明光掩模制造的导电网格
图案的示意图和SEM图像。
图16是根据本发明的另一个示例性实施方案将路由器(router)图案加入到透明
光掩模中并且制造包括所述路由器图案的导电网格图案的方法的流程图。
<参考数字和符号的说明>
1：具有凸出网格图案的母模
5：透明树脂层
10：具有凹入网格图案的透明光掩模
20：基板
30：导电层
40：光敏材料层
50：光敏材料网格图案层
60：导电网格图案
70：不透明图案层
80：另外的光敏材料图案层
100：基板
200：导电层
310：第一光敏材料层
330：第一光敏材料图案层
400：刻有线形图案的透明光掩模
510：第二光敏材料层
530：第二光敏材料图案层
600：导电网格图案
800：阴影掩模或屏蔽掩模
900：路由器图案
具体实施方式
在下文中，将详细描述本发明。
与现有的基于金属氧化物例如氧化铟锡(ITO)的透明电极相比，具有亚微米级线
宽的网络结构的电极通过使用具有高电导率的金属在形成导电图案时具有能使线宽最小
化和透射比最大化的电极结构，而且所述电极容易应用至大面积的柔性电子装置中。当将
具有导电层的电极应用至柔性电子装置中时，由于柔性基板和导电层之间机械弹性模量的
差异大，导电层会不可避免地破裂。当将所述具有亚微米级线宽的网络结构的电极应用至
柔性电子装置中时，即使基板被细线的结构弯曲或弯折，也可以有效地将局部集中的应力
分散至基板上，使得所述电极可以非常容易地应用至柔性电子装置中。
用于制造现有纳米结构的技术在制造电极上有局限性，因此已尝试了一种新技
术。代表性地使用了一种利用软光刻法的微/纳米图案化技术，所述软光刻法是指通过使用
柔性有机材料制造图案或结构而无需现有摄影中使用的复杂装置的新转移方法。
为了通过利用相移光刻法制造具有亚微米级线宽的网格结构，已经提出了一种通
过利用电子束光刻法将具有棋盘形状的凹凸图案之间的间距控制为具有亚微米体制
(regime)的制造相移光刻掩模的方法。
当将形成有图案的柔性基板用作光掩模时，如图1所示，由于图案凸部分与图案凹
部之间的边界界面处的介质(例如玻璃n＝1.45)与空气(n＝1.0)之间的折射率的差异，产
生入射UV光的相位差。当考虑图案的高度d和入射UV光的波长的相位差变为2π的整数比时，
局部产生破坏性干扰，因此相移光刻使用如图2所示的UV光强度在凸出图案边界或凹入图
案边界的局部区域变得接近0的零点(null point)的现象。因此，即使通过使用普通廉价的
UV灯也可以容易地获得1微米以下的亚微米级的图案。
考虑到可通过使用普通空白掩模获得的图案的分辨率(R＝kl/NA(k：工艺指数，l：
光源的波长，NA：镜头的孔径比))，相移光刻法的优点在于即使不使用昂贵的极端UV光源也
能够通过使用廉价的UV灯获得亚微米级图案。此外，相移光刻法还具有如下优点：当相位差
光掩模由柔性材料形成时，圆柱形模具通过柔性基板的性能具有非常高的粘合性，因此可
以在平面或非平面(曲面)基板的整个区域上形成均匀的图案。
通过使用相移光刻法非常容易制造具有亚微米体制的线宽w(＜1μm)的线形图案，
但是为了制造具有超细线宽而应用至透明电极中的图案彼此连接和交叉的网格结构，必须
制造图案基础掩模使得图案之间的间距d接近于线宽w(d≈w)。这是因为在相移光刻中，通
过相位差光掩模中具有三维凸凹形状的图案的转角的边界界面处局部表现出破坏性干扰
的近场诱导图案光敏的方法使图案图案化为图案沿转角闭合的结构。因此，为了实现图案
彼此连接和交叉的网格结构，技术难度在于需要将相位差光掩模的单元图案之间的间距控
制为亚微米体制。
通过图3的描述，当使用图3(a)所示的相位差光掩模来制造网格图案时，图3(b)所
示的四边形图案之间的间距d与相位差光掩模的凸出图案之间的间距g成比例增加。为了克
服所述问题并制造网格图案，如图3d(c)所示，当将相位差光掩模的凸出图案之间的间距g
控制为具有小于1μm的亚微米尺寸时，可以制造如图3(d)所示的网格图案。
如图3(c)所示，缺点在于，为了将相位差光掩模的凸出图案之间的间距g控制为具
有小于1μm的亚微米尺寸，必须使用昂贵的超细图案化设备，例如电子束或离子束，制造过
程具有高难度，而且由于基于高真空度的图案加工使得所述方法难以应用使电极变大。
本发明提供一种用于制造母模的方法，包括：a)在基板上形成第一光敏材料层；b)
通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材
料图案层；c)在具有所述第一光敏材料图案层的基板上形成第二光敏材料层；d)使刻有线
形图案形成的透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料图
案层的线形图案与所述透明光掩模的线形图案交叉而在基板上形成第二光敏材料图案层；
e)蚀刻基板上未形成第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的部分；以及f)去除所述
第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层。
步骤a)是在基板上形成第一光敏材料层的步骤。
所述基板的类型没有特别限制，但是可以选自本领域中通常使用的基板。具体地，
所述基板可以是透明基板，例如，所述透明基板可以包括石英、玻璃和塑料中的至少一种或
由其中的至少一种形成。
所述基板可以包括石英或由石英形成。石英具有优异的UV区域带中波长的透射
率，优异的耐磨性和优异的机械性能。在此情况下，当主图案的形状在随后复制时可以通过
使用UV固化树脂确保用于诱导固化的UV透射率。
所述基板的厚度没有特别限制，但是当使用模具或相位差掩模基于卷对卷制造塑
料基板时，所述基板的厚度可以是40μm以上400μm以下。
步骤a)中的基板可以包括在其一个表面上设置的导电层。
所述导电层可以包括银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨
(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属，或其中两种或更多种金属的合金。
所述导电层可以包括透明金属氧化物。
所述透明金属氧化物的类型没有特别限制，但是可以选自本领域中通常使用的透
明金属氧化物。例如，所述透明金属氧化物可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化
铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化
铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡
(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种。
所述导电层的堆叠方法没有特别限制，但是可以是例如热沉积、溅镀、电子束沉
积、层压加工法或溶液涂覆法。
当使用溶液涂覆法作为导电层的堆叠方法时，导电层可以通过使用导电金属前
体、导电金属氧化物前体、纳米粒子、纳米线、导电纺织品和导电聚合物中的至少一种形成
在基板上。
所述导电层的厚度(高度)没有特别限制，但是可以是5nm以上10μm以下。
形成在所述导电层上的第一光敏材料层可以通过将光敏材料组合物应用至导电
层上来形成。包含在光敏材料组合物中的光敏材料的类型没有特别限制，但是所述光敏材
料对根据曝光的显影剂具有不同的溶解度，而且当光敏材料在图案形成之后通过热处理固
化时，可以建立更稳定的加工条件。
所述光敏材料组合物可以是正型光敏材料组合物或负型光敏材料组合物，而且没
有特别限制。所述光敏材料组合物可以是正型光敏材料组合物。
所述光敏材料组合物的固体含量可以根据所使用的光敏材料的粘度和固体而变
化，但是基于光敏材料组合物的总重量，例如10重量％以上60重量％以下。
所述第一光敏材料层的厚度可以是0.01μm以上10μm以下。
步骤b)是通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接
触形成第一光敏材料图案层的步骤。
所述透明光掩模可以是凸刻线形图案的透明光掩模。
所述透明光掩模可以是相位差柔性掩模，具体地，所述掩模可以是由具有亚微米
尺寸周期的凹凸形状的柔性材料制成的接触掩模。刻有凸出线形图案的透明光掩模可以具
有线形凹部和线形凸部。在此情况下，凸部的线宽和凹部的线宽可以彼此相同或不同，凸部
的线宽和凹部的线宽可以彼此相同。
在所述透明光掩模中，当凸部的线宽和凹部的线宽彼此相同时，一个凸部的线宽
和一个凹部的线宽可以定义为凹凸部分的周期。例如，当所述透明光掩模的凹凸部分的周
期为80μm时，该周期可以指线宽为40μm的凸部和线宽为40μm的凹部。
所述透明光掩模的凹凸部分的周期决定由透明光掩模形成的光敏材料图案的间
距。例如，当所述透明光掩模的凹凸部分的周期为80μm时，由所述透明光掩模形成的光敏材
料图案的间距可以是40μm。在此情况下，光敏材料图案的间距是指任一图案的线宽的纵向
上的中心线和与该图案相邻的另一个图案的线宽的纵向上的中心线之间的距离。
对所述透明光掩模的材料没有特别限制，只要所述透明光掩模的材料是具有高透
射率和低杨氏模量的柔性材料即可，但是所述透明光掩模可以包括例如聚二甲基硅氧烷
(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸
酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩
丁醛(PVB)或它们的共聚物中的至少一种。具体地，所述透明光掩模可以包括PDMS类聚合
物，但实质上并不局限于此。
所述凸刻在透明光掩模中的线形图案的线宽可以根据所需的最终实现的图案而
变化。考虑到使用的UV光源的波长，由破坏性干扰造成的近场光学图案的形成，以及图案的
凹凸部分的压低部分由于透明光掩模的柔性材料的下降，凸刻在透明光掩模上的线形图案
的线宽可以是2μm以上500μm以下。
所述透明光掩模中形成的凹凸部分的周期可以通过等式1和2根据所制造的网格
电极决定透射率的网格间距和表面电阻值来设计和预测，并且具有由网格电极的线宽和电
极所使用的金属材料的特性引起的值。所述透明光掩模的凹凸部分的周期可以是20μm以上
160μm以下。
(等式1)
(等式2)
TTOT＝Tsub×(1-fF)2
在此情况下，pG和tG分别表示导电网格的电阻率和厚度，ξ是由形成金属层的工艺
引起的工艺校正系数，fF表示金属层占据基板的面积比，即填充因子。Tsub表示基板的透射
率，TTOT表示包括导电网格的基板的最终透射率。
所述透明光掩模的线形凸出图案的高度，即凸部的高度可以是50nm以上500μm以
下。
当所述透明光掩模与第一光敏材料层的上表面接触时，刻有线形图案的透明光掩
模的表面可以与第一光敏材料层的上表面接触。在此情况下，由于所述透明光掩模的折射
率与空气的折射率之间的差异使入射进透明光掩模的紫外线产生相位差，而且由于破坏性
干扰，在图案的凸部和凹部的边界，即透明光掩模与空气接触的界面上紫外线强度可以为
接近0的零点。
步骤b)可以包括：b-1)在使透明光掩模与第一光敏材料层的上表面接触之后在所
述透明光掩模上辐射紫外线；
b-2)去除所述透明光掩模，通过使用显影剂使所述第一光敏材料层显影，并形成
第一光敏材料图案层；以及
b-3)固化所形成的第一光敏材料图案层。
在步骤b-1)中，所述第一光敏材料层通过透明光掩模分为辐射紫外线的部分和未
辐射紫外线的部分，而且第一光敏材料层的辐射紫外线的部分可以对显影剂具有高溶解
度。
在步骤b-1)中，所辐射的紫外线的强度没有特别限制，但是，可以是例如10mJ/cm2
以上200mJ/cm2以下。
在步骤b-2)中使用的显影剂没有特别限制，只要显影剂能够熔融第一光敏材料层
的辐射紫外线的部分即可，但是所述显影剂可以是碱性显影剂，例如氢氧化钾(KOH)。
步骤b)还可以包括在步骤b-2)之后干燥所形成的第一光敏材料图案层。在此情况
下，可以使包含在所述第一光敏材料图案层中的溶剂等气化。
用于干燥所述第一光敏材料图案层的温度没有特别限制，只要温度能够使包含在
所述第一光敏材料图案层中的溶剂等气化即可。
在步骤b-3)中，固化的第一光敏材料图案层可以硬化和固定。
在步骤b-3)中，用于固化第一光敏材料图案层的温度可以是150℃以上250℃以
下。
在步骤b)中形成的第一光敏材料图案层可以是固化的第一光敏材料图案层。在此
情况下，当在具有第一光敏材料图案层的导电层上进行形成第二光敏材料图案层的工艺
时，可以少损坏或不损坏图案，例如固化的第一光敏材料图案层分离或熔融。
所述第一光敏材料图案层的线形图案的线宽可以是100nm以上900nm以下。
步骤c)是在具有第一光敏材料图案层的基板上形成第二光敏材料层的步骤。
所述第二光敏材料层的厚度可以与所述第一光敏材料图案层的厚度(高度)相同
或接近。所述第二光敏材料层的厚度可以根据所述第一光敏材料图案层的厚度(高度)而变
化，但是可以是例如0.01μm以上10μm以下。
所述第二光敏材料层可以通过在具有第一光敏材料图案层的导电层上应用光敏
材料组合物来形成。
所述形成第二光敏材料层的光敏材料组合物可以与所述形成第一光敏材料层的
光敏组合物相同或不同。
步骤d)是使刻有线形图案的透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，以
使所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的线形图案交叉而在基板上形
成第二光敏材料图案层的步骤。
在步骤d)中，刻有线形图案的透明光掩模与第二光敏材料层的上表面接触，使得
所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的线形图案交叉，而且此处，“交
叉”是指刻有线形图案的透明光掩模与第二光敏材料层的上表面接触使得第一光敏材料图
案层的线形图案与相位差柔性掩模的线形图案正交或具有预定的角度。
步骤d)可以包括：d-1)在使透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触后向
透明光掩模上辐射紫外线；
d-2)去除透明光掩模，通过使用显影剂使所述第二光敏材料层显影，然后形成第
二光敏材料图案层；以及
d-3)固化所形成的第二光敏材料图案层。
步骤d)还可以包括在步骤d-2)之后干燥所形成的第二光敏材料图案层。
步骤d-1)、d-2)和d-3)以及干燥步骤可以引用步骤b-1)、b-2)和b-3)以及干燥步
骤的描述，而且所述步骤可以分别在与步骤b-1)、b-2)和b-3)以及干燥步骤相同或不同的
条件下独立进行。
所述在步骤d)中形成的第二光敏材料图案层可以是固化的第二光敏材料图案层。
所述在步骤d)中的透明光掩模可以引用前面提及的透明光掩模的描述。
所述在步骤d)中的透明光掩模可以与步骤b)中的透明光掩模相同或不同。
所述第二光敏材料图案层的线形图案的线宽可以是100nm以上900nm以下。
根据本发明的另一个具体实施例，可以通过使基板上的光敏材料图案化三次或更
多次来制造另外的亚微米图案或微米图案。
在步骤d)之后，所述方法还可以包括：在具有第一光敏材料图案层和第二光敏材
料图案层的基板上形成第三光敏材料层；以及在所述基板上形成第三光敏材料图案层。
所述第三光敏材料层的厚度可以与所述第一光敏材料图案层和第二光敏材料图
案层的厚度(高度)相同或接近。所述第三光敏材料层的厚度可以根据所述第一光敏材料图
案层和第二光敏材料图案层的厚度(高度)而变化，但是可以是例如0.01μm以上10μm以下。
所述第三光敏材料层可以通过在具有第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案
层的基板上应用光敏材料组合物来形成。
所述形成第三光敏材料层的光敏材料组合物可以与所述形成第一光敏材料层和
第二光敏材料图案层中的至少一种光敏组合物相同或不同。
在本发明的另一个示例性实施方案中，形成所述第三光敏材料图案层的步骤可以
是使刻有线形图案的透明光掩模与所述第三光敏材料层的上表面接触，使得第一光敏材料
图案层的线形图案与第二光敏材料图案层的线性图案中的至少一种与所述透明光掩模的
线形图案交叉或平行而在导电层上形成第三光敏材料图案层的步骤。
通过增加所述步骤，可以通过重叠或连接亚微米图案或微米图案制造在形成具有
三角形、矩形、正方形或多边形排列等的图案形状的网格电极。
步骤e)是通过蚀刻基板上未形成第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的
部分来制造导电网格图案的步骤。
步骤e)中的蚀刻过程可以通过使用普通干式蚀刻或湿式蚀刻方法进行，但是考虑
到具有微米线宽的导电图案的可靠性和产品的缺陷，所述蚀刻过程优选可以通过干式蚀刻
方法进行。
当在步骤d)之后形成另外的光敏材料图案层时，步骤e)可以是蚀刻导电层中未形
成第一光敏材料图案层、第二光敏材料图案层和另外的光敏材料图案层的部分的步骤。
当在步骤d)之后形成第三光敏材料图案层时，步骤e)可以是蚀刻导电层中未形成
第一光敏材料图案层、第二光敏材料图案层和第三光敏材料图案层的部分的步骤。
步骤f)是去除所述第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的步骤。
所述去除第一和第二光敏材料图案层的方法没有特别限制，并且可以采用本领域
中通常使用的方法。
当在步骤d)之后形成另外的光敏材料图案层时，可以在步骤f)中去除所述第一光
敏材料图案层、第二光敏材料图案层和另外的光敏材料图案层。
当在步骤d)之后形成第三光敏材料图案层时，可以在步骤f)中去除所述第一光敏
材料图案层、第二光敏材料图案层和第三光敏材料图案层。
所述方法还可以包括：g)蚀刻基板上未形成导电网格图案的部分；以及h)在步骤
f)之后去除所述导电网格图案。
步骤g)中的蚀刻过程可以通过使用普通干式蚀刻或湿式蚀刻方法进行，但是可以
优选为通过干式蚀刻方法进行。
步骤g)中的蚀刻过程的条件可以与步骤e)中的蚀刻过程的条件相同或不同。在步
骤g)和e)中，考虑到待蚀刻的目标彼此不同，步骤g)和e)的蚀刻过程条件可以彼此不同。
所述去除导电网格图案的方法没有特别限制，可以采用本领域通常使用的方法。
步骤f)中去除所述光敏材料层的过程的条件可以与步骤h)中去除导电网格图案
的过程的条件相同或不同。在步骤f)和h)中，考虑到待去除的目标彼此不同，步骤f)和h)过
程的条件可以彼此不同。
如图4所示，根据本发明的第一示例性实施方案的制造母模的方法可以包括：a)在
基板100上形成第一光敏材料层310；b)通过使刻有线形图案的透明光掩模400与所述第一
光敏材料层310的上表面接触形成第一光敏材料图案层330；c)在具有所述第一光敏材料图
案层330的基板上形成第二光敏材料层510；d)使刻有线形图案的透明光掩模400与所述第
二光敏材料层510的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光
掩模的线形图案交叉而在基板上形成第二光敏材料图案层530；e)蚀刻基板上未形成第一
光敏材料图案层330和第二光敏材料图案层305的部分；以及f)去除所述第一光敏材料图案
层和第二光敏材料图案层以制造母模。
如图5所示，根据本发明的第二示例性实施方案的制造母模的方法可以包括：a)在
包括导电层200的基板100的导电层200上形成第一光敏材料层310；b)通过使刻有线形图案
的透明光掩模400与所述第一光敏材料层310的上表面接触形成第一光敏材料图案层330；
c)在具有所述第一光敏材料图案层330的基板上形成第二光敏材料层510；d)使刻有线形图
案的透明光掩模400与所述第二光敏材料层510的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案
层的线形图案与所述透明光掩模的线形图案交叉而在基板上形成第二光敏材料图案层
530；e)通过蚀刻导电层上未形成第一光敏材料图案层330和第二光敏材料图案层530的部
分形成导电网格图案600；以及f)去除所述第一光敏材料图案层330和第二光敏材料图案层
530以制造母模。
如图6所示，根据本发明的第三示例性实施方案的制造母模的方法可以包括：a)在
包括导电层200的基板100的导电层200上形成第一光敏材料层310；b)通过使刻有线形图案
的透明光掩模400与所述第一光敏材料层310的上表面接触形成第一光敏材料图案层330；
c)在具有所述第一光敏材料图案层的基板上形成第二光敏材料层510；d)使刻有线形图案
的透明光掩模400与所述第二光敏材料层510的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层
的线形图案与所述透明光掩模的线形图案交叉而在基板上形成第二光敏材料图案层530；
e)通过蚀刻导电层上未形成第一光敏材料图案层330和第二光敏材料图案层530的部分形
成导电网格图案600；f)去除所述第一光敏材料图案层330和第二光敏材料图案层530；以及
g)蚀刻基板上未形成导电网格图案530的部分；以及h)去除所述导电网格图案530以制造母
模。
本发明提供了一种通过所述制造母模的方法制造的母模，该母模具有线宽为
100nm以上900nm以下的凸出网格图案。
对所述母模的描述可以引用所述对制造母模的方法的描述。
所述母模可以是在基板上具有集成凸出网格图案的母模或具有凸出导电网格图
案的母模。
如图4或6所示，所述母模可以是在基板100上具有集成凸出网格图案的母模1或具
有如图5所示具有凸出导电网格图案600的母模1。
所述母模还可以包括通过另外的光敏材料图案层形成的另外的亚微米级图案或
微米级图案。具体地，所述网格电极还可以包括路由器图案层。
本发明提供了一种用于制造透明光掩模的方法，包括：1)在基板上形成第一光敏
材料层；2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第
一光敏材料图案层；3)在具有所述第一光敏材料图案层的基板上形成第二光敏材料层；4)
使刻有线形图案的透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材
料图案层的线形图案与所述透明光掩模的线形图案交叉而在基板上形成第二光敏材料图
案层；5)蚀刻基板上未形成第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的部分；6)通过去
除所述第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模；7)在所
述母模上形成透明树脂层；以及8)从所述母模上去除所述透明树脂层。
对所述制造透明光掩模的方法的描述可以引用对所述制造母模的方法的描述。
步骤1)的基板可以包括配置在其一个表面上的导电层，步骤5)可以是通过蚀刻导
电层上未形成第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案的
步骤。
所述方法还可以包括：蚀刻基板上未形成导电网格图案的部分；以及在步骤6)之
后去除所述导电网格图案。
在步骤4)之后，所述方法还可以包括：在形成有第一光敏材料图案层和第二光敏
材料图案层的基板上形成第三光敏材料层；以及在所述基板上形成第三光敏材料图案层。
步骤8)可以是通过从母模上去除透明树脂层制造具有凹部网格图案的透明光掩
模的步骤，在步骤8)之后，所述方法还可以包括在刻有凹入网格图案的透明光掩模的表面
上配置刻有贯通图案的阴影掩模或屏蔽掩模，沉积不透明材料以及形成不透明图案层。
所述不透明图案层的材料没有特别限制，只要所述不透明图案层的材料是不透明
的并且可以用于沉积过程即可，但是可以是例如金属或碳类材料。
所述刻在阴影掩模或屏蔽掩模中的图案没有特别限制，但是例如，当导电层具有
用于触控面板的网格图案时，所述刻在光掩模中的图案可以是路由器图案。所述路由器图
案是可以与用于触控面板的网格图案连接并且可以与外部柔性印刷电路板连接的构造。
如图16的1)至3)所示，可以通过在刻有凹入网格图案的透明光掩模10的表面上配
置刻有贯通图案的阴影掩模或屏蔽掩模以及沉积不透明材料来形成不透明图案层70。
所述透明树脂层没有特别限制，只要所述透明树脂层可以是透明的并且当从母模
上被去除时保持图案的形式即可。例如，所述透明树脂层可以包括例如聚二甲基硅氧烷
(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸
酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯基丁
二烯(PVB)或它们的共聚物中的至少一种。具体地，所述透明树脂层可以包括PDMS-类聚合
物，但实质上并不局限于此。
如图4和7所示，根据本发明的第一示例性实施方案的制造透明光掩模的方法可以
包括：1)在基板100上形成第一光敏材料层310；2)通过使刻有线形图案的透明光掩模400与
所述第一光敏材料层310的上表面接触形成第一光敏材料图案层330；3)在具有所述第一光
敏材料图案层330的基板上形成第二光敏材料层510；4)使刻有线形图案的透明光掩模400
与所述第二光敏材料层510的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层的线形图案与所
述透明光掩模的线形图案交叉而在基板上形成第二光敏材料图案层530；5)蚀刻基板上未
形成第一光敏材料图案层330和第二光敏材料图案层530的部分；6)通过去除所述第一光敏
材料图案层330和第二光敏材料图案层530制造具有凸出网格图案的母模1；7)在所述母模1
上形成透明树脂层5；以及8)从所述母模1上去除所述透明树脂层以制造具有凹入网格图案
的透明光掩模10。
如图5和7所示，根据本发明的第二示例性实施方案的制造透明光掩模的方法可以
包括：1)在包括导电层200的基板100的导电层200上形成第一光敏材料层310；2)通过使刻
有线形图案的透明光掩模400与所述第一光敏材料层310的上表面接触形成第一光敏材料
图案层330；3)在具有所述第一光敏材料图案层的基板上形成第二光敏材料层510；4)使刻
有线形图案的透明光掩模400与所述第二光敏材料层510的上表面接触，使得所述第一光敏
材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的线形图案交叉而在基板上形成第二光敏材料
图案层530；5)通过蚀刻导电层上未形成第一光敏材料图案层330和第二光敏材料图案层
530的部分制造导电网格图案600；6)通过去除所述第一光敏材料图案层330和第二光敏材
料图案层530制造具有凸出网格图案的母模1；7)在所述母模1上形成透明树脂层5；以及8)
从所述母模1上去除所述透明树脂层以制造具有凹入网格图案的透明光掩模10。
如图6和7所示，根据本发明的第三示例性实施方案的制造透明光掩模的方法可以
包括：1)在包括导电层200的基板100的导电层200上形成第一光敏材料层310；2)通过使刻
有线形图案的透明光掩模400与所述第一光敏材料层310的上表面接触形成第一光敏材料
图案层330；3)在具有所述第一光敏材料图案层的基板上形成第二光敏材料层510；4)使刻
有线形图案的透明光掩模400与所述第二光敏材料层510的上表面接触，使得所述第一光敏
材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的线形图案交叉而在基板上形成第二光敏材料
图案层530；5)通过蚀刻导电层上未形成第一光敏材料图案层330和第二光敏材料图案层
530的部分制造导电网格图案600；6)通过去除所述第一光敏材料图案层330和第二光敏材
料图案层530，蚀刻基板上未形成导电网格图案530的部分，并去除所述导电网格图案530来
制造具有凸出网格图案的母模1；7)在所述母模1上形成透明树脂层5；以及8)从所述母模1
上去除所述透明树脂层以制造具有凹入网格图案的透明光掩模10。
本发明提供一种通过所述制造透明光掩模的方法制造的透明光掩模，所述透明光
掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案。
对所述透明光掩模的描述可以引用上面描述。
所述凹入网格图案的深度可以是50nm以上10μm以下。
所述凹入网格图案的间距可以是2μm以上500μm以下。具体地，所述凹入网格图案
的间距可以是10μm以上80μm以下。
所述透明光掩模可以包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯
(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚
物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯基丁二烯(PVB)或它们的共聚物中的至少
一种。
所述透明光掩模还可以包括配置在所述刻有凹入网格图案的透明光掩模的表面
上的不透明图案层。
所述不透明图案层的形式没有特别限制，但是，例如，当所述导电层具有用于触控
面板的网格图案时，刻在光掩模中的图案可以是路由器图案。
本发明提供一种用于制造导电网格图案的方法，包括：在包括导电层的基板的
导电层上形成光敏材料层；通过使本发明的透明光掩模与所述光敏材料层的上表面接触
形成光敏材料网格图案层；蚀刻导电层上未形成光敏材料网格图案层的部分；以及去
除所述光敏材料网格图案层以制造导电网格图案。
对所述用于制造导电网格图案的方法的描述可以引用上面描述。
如图8所示，根据本发明的一个示例性实施方案的用于制造导电网格图案的方法
可以包括:在包括导电层30的基板20的导电层30上形成光敏材料层40；通过使本发明
的透明光掩模10与所述光敏材料层40的上表面接触形成光敏材料网格图案层50；蚀刻导
电层上未形成光敏材料网格图案层50的部分；以及去除所述光敏材料网格图案层50以制
造导电网格图案60。
所述导电层可以包括银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨
(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属或其中两种或更多种金属的合金。
所述导电层可以包括透明金属氧化物。
所述透明金属氧化物的类型没有特别限制，但是可以选自本领域中通常使用的透
明金属氧化物。例如，所述透明金属氧化物可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化
铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化
铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡
(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种。
步骤可以包括在透明光掩模与光敏材料层的上表面接触之后向透明光掩模辐
射一次紫外线的步骤。
所述第一光敏材料层通过透明光掩模分为向其上辐射紫外线的部分和未向其上
辐射紫外线的部分，而且第一光敏材料层上辐射紫外线的部分可以对显影剂具有高溶解
度。
所辐射的紫外线的强度没有特别限制，但是，可以是例如10mJ/cm2以上200mJ/cm2
以下。
步骤还可以包括去除透明光掩模，通过使用显影剂使光敏材料层显影然后形成
光敏材料图案层的步骤。
所述显影剂没有特别限制，只要显影剂是能够熔融光敏材料层上辐射紫外线的部
分的溶液即可，但是所述显影剂可以是碱性显影剂，例如氢氧化钾(KOH)。
在所述显影步骤之后，所述方法还可以包括干燥所形成的光敏材料网格图案层。
在此情况下，可以使包含在所述光敏材料网格图案层中的溶剂等气化。
用于干燥所述光敏材料网格图案层的温度没有特别限制，只要温度能够使包含在
所述光敏材料网格图案层中的溶剂等气化即可。
步骤还可以包括固化所形成的光敏材料网格图案层。
在所述固化步骤中，所固化的光敏材料网格图案层可以硬化和固定。
在所述固化步骤中，所述用于固化光敏材料网格图案层的温度可以是150℃以上
250℃以下。
所述制造本发明的导电网格图案的方法可以应用至卷对卷工艺中。
当将所述制造本发明的导电网格图案的方法应用至卷对卷工艺中时，透明光掩模
可以包括中空圆柱形基板、配置在所述中空圆柱形基板的外圆周面上并具有线宽为100nm
以上900nm以下的凹入网格图案的包覆层(blanket)以及配置在所述圆柱形基板内部的紫
外灯。
所述具有凹入网格图案的包覆层通过本发明制造透明光掩模的方法制造，并且由
可设置在所述中空圆柱形基板的外周面上的柔性材料构成。所述包覆层的材料没有特别限
制，只要所述包覆层的材料可以设置在所述中空圆柱形基板的外周面上即可，但是可以包
括例如聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯
(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸
乙二醇酯(PET)和聚乙烯基丁二烯(PVB)或它们的共聚物中的至少一种。具体地，所述包覆
层的材料可以是聚二甲基硅氧烷类聚合物。
在此情况下，所述中空圆柱形基板的材料没有特别限制，只要所述中空圆柱形基
板的材料能够使紫外线穿过并且具有能够抵抗透明光掩模旋转时施加的冲击的机械性能
即可，但是所述中空圆柱形基板的材料可以是石英或玻璃。
当将所述方法应用至卷对卷工艺中时，配置有导电网格图案的基板可以是柔性
膜。例如，所述基板可以是塑料膜，而且所述塑料膜的材料没有特别限制，并且可以采用本
领域中通常使用的材料。
所制造的导电网格图案的线宽可以是100nm以上900nm以下。
在本发明中，所述“网格”是指网络形状，并且可以包括其中两根或更多根线交叉
的形状和正交网格图案。
所述导电网格图案可以是其中两组线彼此正交的网格图案。水平方向的第一组线
形图案的间距可以与垂直方向的第二组线形图案的间距相同或不同。具体地，第一组线形
图案的间距可以与第二组线形图案的间距相同。
第一组线形图案的线宽和第二组线形图案的线宽各自可以是100nm以上900nm以
下。
第一和第二组线形图案的各自间距可以是2μm以上500μm以下。具体地，第一和第
二组线形图案的各自间距可以是10μm以上80μm以下。
所述网格电极还可以包括通过另外的光敏材料图案层形成的附加的亚微米图案
或微米图案。具体地，所述网格电极还可以包括路由器图案层。
所述网格电极可以用作用于触控面板的网格电极、用于有机发光装置的辅助电
极、用于有机发光装置的金属电极以及用于有机太阳能电池的网格电极中的至少一种。具
体地，所述网格电极可以是用于触控面板的网格电极。
当所述步骤的透明光掩模包括配置在所述刻有凹入网格图案的透明光掩模的
表面上的不透明图案层时，可以通过使配置有不透明图案层的透明光掩模与光敏材料层的
上表面接触形成另外的光敏材料图案层和光敏材料网格图案层。
如图16的4)和5)所示，当所述透明光掩模10包括配置在所述刻有凹入网格图案的
透明光掩模10的表面上的不透明图案层70时，可以通过使具有不透明图案层的透明光掩模
与光敏材料层的上表面接触形成另外的光敏材料图案层80和光敏材料网格图案层50。
所述另外的光敏材料图案层的图案没有特别限制，但是，例如，当导电层具有用于
触控面板的网格图案时，所述刻在光掩模中的图案可以是路由器图案。
当在步骤中在导电层上形成另外的光敏材料图案层和光敏材料网格图案层时，
步骤可以是蚀刻导电层上未形成所述光敏材料网格图案层和另外的光敏材料图案层的
部分的步骤。
如图16的5)和6)所示，当在导电层上形成另外的光敏材料图案层80与光敏材料网
格图案层50时，可以蚀刻导电层20上未形成所述光敏材料网格图案层50和另外的光敏材料
图案层80的部分。
当在步骤中在导电层上形成另外的光敏材料图案层和光敏材料网格图案层时，
步骤可以是通过去除所述另外的光敏材料图案层和光敏材料网格图案层制造导电网格
图案的步骤。
在下文中，将参照实施例详细地描述本发明。但是，列出下列实施例是为了说明本
发明，但不是用来限制本发明。
[实施例]
[实施例1]
制造柔性接触掩模
如图9所示，使用具有线宽约为40μm的线形图案(大约80μm的重复周期)的铬(Cr)
空白掩模并且使用光敏材料AZ1512(未稀释溶液)或SU8 25(稀释300％，丙二醇单甲醚醋酸
酯(PGMEA))通过利用现有的光刻工艺制造图案，将聚二甲基硅氧烷(PDMS)聚合物和硬化剂
以9:1的比例混合，将混合物倒至图案上，通过热固化使混合物凝固，将混合物与光敏材料
图案分离以制造刻有线形图案的PDMS透明光掩模。所制造的透明光掩模的SEM图像在图10
中示出。
制造光敏材料图案
通过真空溅镀工艺使铝(Al)以50nm的厚度沉积在石英上，然后通过在铝(Al)上涂
覆和干燥光敏材料形成第一光敏材料层。在此情况下，将第一光敏材料层的厚度调整至大
约100nm至400nm。在透明光掩模与第一光敏材料层接触后，形成经过曝光(Karl Suss MA8
掩模对准器)、显影(显影仪CPD18)和干燥的第一光敏材料图案层。在此情况下，将曝光量调
整至10mJ/cm2至200mJ/cm2的范围。然后，将干燥的第一光敏材料图案层在150℃至250℃的
温度下热处理大约10分钟并固化。接着，以与第一光敏材料图案层相同的顺序在配置有第
一光敏材料图案层的铝上另外形成第二光敏材料层，然后通过将相同的透明光掩模旋转
90°并使透明光掩模与第二光敏材料层接触，然后将第二光敏材料层曝光、显影、干燥和固
化而在铝上形成第二光敏材料图案层。结果，在铝上制造线宽为100nm至900nm和间距为40μ
m的光敏材料网格图案。所形成的光敏材料网格图案的示意图和SEM图像在图11中示出。
制造导电网格图案
利用在铝上制造的网格光敏图案作为蚀刻掩模通过干法蚀刻厚度为50nm的Al层
制造导电网格图案。所制造的导电网格图案的示意图和光学显微镜图像在图12中示出。
在此情况下，干法蚀刻的工艺条件表示如下。
工艺压力：5m托
气体种类和流速：BCl3:Cl2＝35:15sccm
蚀刻施加功率：ICP:RF＝300：30W
制造母模
通过利用在石英上制造的厚度为50nm的铝网格图案作为蚀刻掩模将石英干法蚀
刻成厚度为50nm以上10μm以下的石英，然后除去铝网格图案以制造具有凸出网格图案的石
英母模。
所制造的母模的示意图和SEM图像在图13中示出。
在此情况下，干法蚀刻的工艺条件表示如下。
工艺压力：2m托
气体种类和流速：C4F8＝30sccm
蚀刻施加功率：ICP:RF＝10000：50W
制造透明光掩模
将聚二甲基硅氧烷(PDMS)聚合物和硬化剂以9:1的比例混合，将混合物倒至图案
上，通过热固化使混合物凝固，将混合物与石英母模分离以制造刻有凹入网格图案的PDMS
透明光掩模。PDMS透明光掩模的网格图案的深度为830nm，其间距为40μm，且其线宽为
550nm。
所制造的透明光掩模的示意图和SEM图像在图14中示出。
制造导电网格图案
通过真空溅镀工艺使铝(Al)以50nm的厚度沉积在石英上，然后通过在铝(Al)上涂
覆和干燥光敏材料来形成光敏材料层。在此情况下，将光敏材料层的厚度调整至大约100nm
至400nm。在刻有凹入网格图案的透明光掩模与光敏材料层接触后，形成经过曝光(Karl
Suss MA8掩模对准器，1000W)、显影(显影仪CPD18)和干燥的光敏材料图案层。此情况下，将
曝光量调整至10mJ/cm2至200mJ/cm2的范围。然后，将干燥的光敏材料图案层在150℃至250
℃的温度下热处理大约10分钟然后固化。
结果，在铝上制造线宽为100nm至900nm和间距为40μm的光敏材料网格图案。
使用在铝上制造的光敏材料网格图案作为蚀刻掩模，通过干法蚀刻厚度为50nm的
Al层制造导电网格图案。
在此情况下，干法蚀刻的工艺条件表示如下。
工艺压力：5m托
气体种类和流速：BCl3:Cl2＝35:15sccm
蚀刻施加功率：ICP:RF＝300：30W
所制造导电网格图案的示意图和SEM图像在图15中示出。
导电网格图案的高度为50nm，其间距为40μm，且其线宽为800nm。