阵列基板、显示面板及显示装置技术领域
本发明涉及显示技术领域，且特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
在液晶显示技术领域，平面转换(In-Plane Switching IPS)技术和边缘场开关
(Fringe Field Switching FFS)技术是两种常用的宽视角液晶显示技术，该两项技术的特
点是正负电极设置于同一基板，使液晶分子在平行于基板的平面内旋转，从而提高液晶层
的透光效率。
现有技术中的液晶显示面板通常包括阵列基板与彩膜基板，在阵列基板上形成有
数据线和扫描线，且由数据线和扫描线限定出多个呈矩阵排列的像素单元，多个呈矩阵排
列的像素单元包括多行、多列像素区域，并在每个像素单元上设置有条状的像素电极和薄
膜晶体管，其中薄膜晶体管的栅极与扫描线连接，薄膜晶体管的源极和漏极分别与数据线
和像素电极连接。为了获得更快的液晶相应速度与更宽的视角，现有技术中的像素结构通
常设置为：像素电极的延伸方向与列方向具有一定的夹角θ，且为了增大透光率，数据线相
对于每个像素单元的部分与该像素单元内的像素电极的延伸方向大致相同，也即数据线与
列方向也具有一定的夹角θ。随着像素电极的设置角度θ越大，液晶响应越快，同时，数据线
与列方向的夹角θ也越大。但是，数据线与列方向的夹角θ越大，数据线的两个侧壁的面积也
越大，对光的反射也越严重，从而由于数据线的倾斜导致的暗态漏光问题也越严重。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，以解决现有显示面
板及显示装置存在的因数据线反光导致的暗态漏光问题，提升显示面板的视觉效果。
本发明提供一种阵列基板，依次包括：衬底基板；多条扫描线与多条数据线，交叉
设置界定多个像素单元；平坦化层，覆盖所述多条扫描线与多条数据线；以及低反射膜层；
所述数据线包括第一金属层，低反射膜层的反射系数低于第一金属层的反射系数；低反射
膜层位于所述平坦化层与所述第一金属层之间，且所述第一金属层的直接暴露在所述平坦
化层之下的部分被所述低反射膜层覆盖。
在本发明的一个实施例中，上述数据线还包括上金属层与下金属层，其中上金属
层位于第一金属层与低反射膜层之间，下金属层位于第一金属层与衬底基板之间，该上金
属层与下金属层的反射系数低于第一金属层的反射系数。
在本发明的一个实施例中，上述上金属层、第一金属层、下金属层依次由钛、铝、钛
材料制成。
在本发明的一个实施例中，上述低反射膜层由钼或钨材料制成。
在本发明的一个实施例中，上述第一金属层包括被上金属层覆盖的上表面，与该
上表面相对的下表面，以及，与上表面和下表面相交的侧壁；上述低反射膜层覆盖所述侧
壁。
在本发明的一个实施例中，上述低反射膜层由金属材料制成，且该低反射膜层完
全覆盖数据线。
在本发明的一个实施例中，上述低反射膜层由有机材料制成，该低反射膜层完全
覆盖金属线。
在本发明的一个实施例中，上述阵列基板还包括像素电极与薄膜晶体管，该薄膜
晶体管包括漏电极，像素电极通过过孔与漏电极连接；低反射膜层的对应于所过孔的位置
设置有贯穿该低反射膜层的开口。
在本发明的一个实施例中，上述像素单元包括延第一方向排列的多列像素单元，
与延第二方向排列的多行像素单元，在每个像素单元中的，数据线的2倾斜部分与第二方向
之间具有一不等于0度的夹角。
在本发明的一个实施例中，在每个像素单元中，数据线的倾斜部分与第二方向之
间的夹角范围为0-45度。
在本发明的一个实施例中，在每个像素单元内，该阵列基板还包括像素电极，该像
素电极的延伸方向与数据线的倾斜部分的延伸方向大致相同。
本发明还提供一种显示面板，包括上述阵列基板。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：本发明提供的阵列基
板、显示面板及显示装置，依次包括：衬底基板；多条扫描线与多条数据线，交叉设置界定多
个像素单元；平坦化层，覆盖所述多条扫描线与多条数据线；低反射膜层；所述数据线包括
第一金属层，低反射膜层的反射系数低于第一金属层的反射系数；低反射膜层位于平坦化
层与第一金属层之间，且第一金属层的直接暴露在平坦化层之下的部分被上述低反射膜层
覆盖。由于第一金属层的直接暴露在平坦化层之下的部分被低反射膜层覆盖，且该低反射
膜层的反射系数低于第一金属层的反射系数，可以有效改善该阵列基板所在的显示面板与
显示装置的暗态漏光问题。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它
特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是本发明实施方式提供的一种阵列基板的示意图；
图2是图1所示的阵列基板中单个像素单元的示意图；
图3是图1所示的阵列基板的截面图；
图4是图3所示阵列基板的制程示意图；
图5是本发明实施方式提供的另一种阵列基板的示意图；
图6是本发明实施方式提供的又一种阵列基板的示意图；
图7是本发明实施方式提供的再一种阵列基板的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描
述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便
于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明提供一种阵列基板，依次包括：衬底基板；多条扫描线与多条数据线，交叉
设置界定多个像素单元；平坦化层，覆盖所述多条扫描线与多条数据线，以及低反射膜层；
其中该数据线包括第一金属层，该低反射膜层的反射系数低于第一金属层的反射系数；该
低反射膜层位于平坦化层与第一金属层之间，且第一金属层的直接暴露在平坦化层之下的
部分被低反射膜层覆盖，由于数据线的直接暴露在平坦化层之下的部分被低反射膜层覆
盖，且该低反射膜层的反射系数低于数据线的反射系数，可以有效改善该阵列基板所在的
显示面板与显示装置的暗态漏光问题。
本发明实施方式首先提供一种阵列基板，如图1和图2所示，图1是本发明实施方式
提供的一种阵列基板的示意图，图2是图1所示的阵列基板中单个像素单元的示意图。该阵
列基板包括多条数据线10与多条扫描线20，该多条数据线10与多条扫描线20交叉设置界定
多个像素单元30，多个像素单元30包括延第一方向排列的多列像素单元与延第二方向排列
的多行像素单元，同时，在每条扫描线20和数据线10的交叉位置设置有薄膜晶体管T。该多
条数据线10大致延第二方向Y延伸并延第一方向X排列，该多条扫描线20延第一方向X延伸
并延第二方向排列Y，其中，第一方向X与第二方向Y相互垂直。
每个像素单元30内设置有条状的像素电极31与薄膜晶体管T，像素电极31通过薄
膜晶体管T与对应的数据线10连接。像素电极31相对于第二方向Y倾斜设置，也就是说像素
电极31的延伸方向与第二方向Y之间具有一不等于零的夹角θ1，第二方向Y上相邻的两个像
素单元30内的像素电极31具有不同的延伸方向，且第二方向Y上相邻的两个像素单元30内
的像素电极31相对于第一方向X相互对称，如此设置，可以获得更快的液晶响应速度与更宽
的视角。相应的，数据线10为大致延第二方向Y延伸的折线，包括与对应像素电极31的延伸
方向大致平行的倾斜部分11，数据线10的倾斜部分11与第二方向Y之间具有一不等于零的
夹角θ2，且夹角θ2与夹角θ1大致相等，且数据线10位于扫描线20两侧的部分相对于该条扫
描线20相互对称。如此，可以尽量减小相邻像素单元30之间的遮光区的面积，增大开口率，
提高显示面板的亮度。
进一步的，图3是图1所示的阵列基板的截面图，具体的，如图2和3所示，该阵列基
板依次包括：以玻璃等透明材料做成的衬底基板200；在衬底基板200上设置的缓冲层2001，
在缓冲层2001上呈大致U字形状设置的半导体层40；以覆盖半导体层40的方式设置的栅极
绝缘层201；在栅极绝缘层201上以相互平行地延伸的方式设置的多条扫描线20以及栅极
21，其中栅极21与扫描线20连接，或者也可以设置部分扫描线20与半导体层40重叠设置，由
与半导体层40重叠设置的该部分扫描线20复用为栅极21，以及以覆盖各扫描线20的方式设
置的层间绝缘膜202；
在层间绝缘膜202上、在与各扫描线20正交的方向上以相互平行地延伸的方式设
置的多条数据线10，以及在层间绝缘膜202上、在各数据线10之间呈岛状地设置的多个漏电
极12；以覆盖各数据线10和各漏电极12的方式设置的平坦化层203；在平坦化层203上设置
的公共电极32，进一步的，还可以在该公共电极32与平坦化层203之间设置有第一绝缘层
204；以及，在公共电极32上呈矩阵状地设置的多个像素电极31，在公共电极32与像素电极
31之间设置有第二绝缘层205，以使得公共电极32与像素电极31绝缘间隔。
进一步的，在由该阵列基板形成的液晶显示面板中，还该阵列基板还可以设置有
覆盖各像素电极的取向层(图中未示出)，用于该阵列基板所在的液晶显示面板中的液晶层
一个初始方向。
此外，在该阵列基板中，如图2和图3所示，在各扫描线20与各数据线10的交叉部
分，设置有薄膜晶体管T作为开关元件。如图3所示，薄膜晶体管T包括：由扫描线20的一部分
构成的一栅极21，其与U型半导体层40的两边部分重叠；半导体层40，其具有以与栅极21重
叠的方式被规定的沟道区域、位于该沟道区域的两侧且包括源极区域和漏极区域(图中未
示出)的高浓度掺杂区域；和设置在栅极21与半导体层40之间的栅极绝缘层201。
半导体层40的源极区域经由形成于栅极绝缘层201和层间绝缘膜202的叠层膜的
有源接触孔与数据线10连接。此外，半导体层40的漏极区域经由依次贯穿栅极绝缘层201和
层间绝缘膜202的有源接触孔与漏电极12连接。进一步的，漏电极12经由形成于漏电极12上
方的过孔H与像素电极31连接，以给像素电极31提供数据信号，其中，在该实施方式中，该形
成于漏电极12上方的过孔H依次贯穿第二绝缘层205、第一绝缘层204以及平坦化层203。
进一步的，在本实施方式中，如图3所示，数据线10为层叠结构，自朝向衬底基板
200的一侧到远离衬底基板200的一侧依次包括下金属层101、第一金属层102与上金属层
103，下金属层101位于第一金属层102与衬底基板200之间，上金属层103位于第一金属层
102与平坦化层202之间，第一金属层102的组成材料分别上金属层103、下金属层101的组成
材料都不同。第一金属层102包括被上金属层103覆盖的上表面、与该上表面相对的下表面，
以及，与上表面和下表面相交的侧壁10S,由于制程限制，上金属层103并不会覆盖该侧壁
10S，导致该侧壁10S直接暴露在平坦化层202之下，也即侧壁10S不被上金属层所覆盖，越过
上金属层直接暴露在平坦化层102下面，可以理解的，数据线10的倾斜部分11与第二方向Y
之间的夹角θ2越大，暴露在平坦化层202之下的侧壁10S的面积越大。
进一步的，该阵列基板还包括低反射膜层300，低反射膜层300位于平坦化层202与
数据线10的上金属层103之间，且在本实施方式中，低反射膜层300完全覆盖下金属层101、
第一金属层102与上金属层103。其中，该低反射膜层300的反射系数低于第一金属层102的
反射系数，例如，下金属层101与上金属层103的材料相同，例如，形成该数据线的下金属层
101、第一金属层102与上金属层103的金属材料分别为钛、铝、钛，其中钛的反射系数低于铝
的反射系数，而低反射膜层300由反射系数低于铝的反射系数的金属材料形成，例如低反射
膜层300由钼或钨形成，钼或钨的反射系数低于铝的反射系数；或者，在该实施方式中的阵
列基板中，该低反射膜层300也可以由具有低反射系数的有机材料形成，形成该低反射膜层
300的有机材料的反射系数低于组成数据线10的第一金属层102的反射系数，例如当形成该
数据线的下金属层101、第一金属层102与上金属层103的金属材料分别为钛、铝、钛时，形成
该低反射膜层300的有机材料的反射系数低于铝的反射系数。如此，可以降低数据线10的对
光的反射，尤其可以降低反射系数较大的第一金属层102的侧壁10s对光的反射，从而可以
有效改善该阵列基板所在的显示面板或显示装置的暗态漏光问题。
进一步的，如图2所示，可以适当增大像素电极31的延伸方向与第二方向Y之间的
夹角θ1，以获得更快的液晶响应速度与更宽的视角。例如夹角θ1的取值范围可以为0-45度
之间的任一角度，夹角θ1越大，包括该阵列基板的液晶显示面板的液晶响应速度越快，该阵
列基板所在的显示面板和显示装置的视角更宽。由于数据线10的倾斜部分11与第二方向Y
之间的夹角θ2与夹角θ1大致相等，也就是说随着夹角θ1越大，夹角θ2也会变大，暴露在平坦
化层202之下的侧壁10S的面积越大，但是由于数据线10被低反射膜层300完全覆盖，这样，
即使反射系数较高的第一金属层102的侧壁10S的面积变大，也不用担心因侧壁10S反光导
致的暗态漏光问题，因此，在该发明实施方式提供的阵列基板中，可以根据需要适当增大像
素电极31的延伸方向与第二方向Y之间的夹角θ1，以获得更快的液晶响应速度与更宽的视
角。
进一步的，本发明还提供一种阵列基板的制造方法，请同时参考图3与图4所示。
首先，在以玻璃等透明材料做成的衬底基板200上，例如使用乙硅烷(disilane)作
为原料气体，通过等离子体CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)法将非晶硅膜
成膜之后，利用激光照射等进行加热处理，变成多晶硅膜。然后，利用光刻对该多晶硅膜进
行图案化来形成半导体层40。另外，也可以在衬底基板200与半导体层40之间，通过等离子
体CVD法将氧化硅或氮化硅等成膜，形成基底覆盖(base coat)膜即缓冲层2001，用于保护
半导体层40免受衬底基板200上的杂质粒子的影响。接着，在形成有半导体层40的整个衬底
基板200上，通过等离子体CVD法将例如氧化硅或氮化硅成膜并形成栅极绝缘层201之后，经
由栅极绝缘层201在半导体层40掺杂磷或硼作为杂质。进一步，在栅极绝缘层201上的整个
衬底基板200上，通过溅射法例如将钼膜和铝膜依次成膜，然后，利用光刻进行图案化来形
成扫描线20。接着，将扫描线20作为掩膜，经由栅极绝缘层201在半导体层40掺杂磷或硼，由
此在与扫描线20的栅极21重叠的部分形成沟道区域；进一步，在以覆盖栅极21的方式形成
岛状的光抗蚀剂(未图示)之后，经由该光抗蚀剂和栅极绝缘层201，在半导体层40掺杂磷或
硼，然后，通过进行加热处理来对掺杂的磷或硼进行活性化处理，形成源极区域和漏极区域
的高浓度掺杂区域；接着，通过等离子体CVD法依次将氮化硅、氧化硅和氮化硅成膜来形成
层间绝缘膜202之后，将栅极绝缘层201和层间绝缘膜202的叠层膜的与源极区域和漏极区
域重叠的部分分别蚀刻除去，形成有源接触孔。而且，在形成有具有有源接触孔的层间绝缘
膜202后的整个衬底基板200上，通过溅射法例如将钛、铝和钛依次成膜之后，利用光刻进行
图案化来形成数据线10和漏电极12，半导体层40的源极区域经由依次贯穿栅极绝缘层201
和层间绝缘膜202的有源接触孔与数据线10连接，半导体层40的漏极区域经由依次贯穿栅
极绝缘层201和层间绝缘膜202的有源接触孔与漏电极12连接。
进一步，在形成有数据线10和漏电极12的整个衬底基板200上，通过溅射法例如将
钼或钨等反射系数较低的金属材料形成一低反射金属膜层50之后，然后涂布一层光阻层R，
采用掩膜曝光及显影技术，只保留位于数据线10上方的部分光阻，然后再经过蚀刻、剥离光
阻的步骤形成低反射膜层300，低反射膜层300位于数据线10的上方并覆盖该数据线10。
当然，在该实施方式中的阵列基板中，该低反射膜层300也可以由具有低反射系数
的有机材料形成，当该低反射膜层300也可以由具有低反射系数的有机材料形成时，该低反
射膜层300的形成方式为：在形成有数据线10和漏电极12的整个衬底基板200上，例如通过
旋涂法涂覆及蚀刻成型的方式形成具有低反射系数低反射膜层300，低反射膜层300位于数
据线10的上方并覆盖该数据线10，形成该低反射膜层300的有机材料的反射系数低于组成
数据线10的第一金属层102的反射系数。
进一步，在形成有低反射膜层300的整个衬底基板200上，例如通过旋涂法涂覆丙
烯酸树脂来形成平坦化层203之后，将平坦化层203的与漏电极12重叠的部分蚀刻除去，由
此形成像素电极接触孔。而且，在形成有具有像素电极接触孔的平坦化层203后的整个衬底
基板200上，通过等离子体CVD法将例如氧化硅或氮化硅成膜并形成第一绝缘层204，并将第
一绝缘层204的像素电极接触孔重叠的部分蚀刻除去，接着通过溅射法例如将ITO成膜，接
着，利用光刻进行图案化来形成公共电极32。在形成有公共电极32后的整个衬底基板200
上，通过等离子体CVD法将例如氧化硅或氮化硅成膜并形成第二绝缘层205之后，通过溅射
法例如将ITO成膜，并将第二绝缘层205的像素电极接触孔重叠的部分蚀刻除去，形成依次
贯穿第二绝缘层205、第一绝缘层204和平坦化层203的过孔H，露出漏电极12，接着，利用光
刻进行图案化来形成像素电极31，且像素电极31通过该过孔H与漏电极12连接。
进一步的，该阵列基板的制作方法还可以包括：在形成有像素电极31后的整个衬
底基板200上通过例如印刷法涂敷聚酰亚胺树脂之后，对其进行摩擦处理，由此形成取向层
(图中未示出)。
通过上述制作方法形成的阵列基板，可以有效改善因数据线反光导致的该阵列基
板所在的显示面板或显示装置的暗态漏光问题，而且在改善漏光的同时，可以根据需要适
当增大像素电极的倾斜角度，以获得更快的液晶响应速度与更宽的视角。
图5是本发明实施方式提供的另一种阵列基板的示意图，该实施方式提供的阵列
基板的结构与图1-图4提供的阵列基板的结构相似，包括数据线10及与数据线10同层形成
的漏电极12，数据线10与漏电极12为层叠结构，自朝向衬底基板的一侧到远离衬底基板的
一侧依次包括下金属层101、第一金属层102与上金属层103，第一金属层102包括被上金属
层103覆盖的上表面、与该上表面相对的下表面，以及，与上表面和下表面相交的侧壁10S，
侧壁10S直接暴露在平坦化层203之下，低反射膜层300a同时覆盖数据线与漏电极，直接暴
露在平坦化层203下面的侧壁10S被低反射膜层300a所覆盖，低反射膜层300a由反射系数低
于第一金属层102的反射系数的金属材料形成。
在本实施方式中，低反射膜层300a同时覆盖数据线10与漏电极12，其中，该低反射
膜层300a的反射系数低于第一金属层102的反射系数，例如，形成该数据线与漏电极的的金
属材料分别为钛、铝、钛，其中钛的反射系数低于铝的反射系数，而低反射膜层300a由反射
系数低于铝的反射系数的金属材料形成，例如低反射膜层300a由钼或钨形成，钼或钨的反
射系数低于铝的反射系数，如此，可以降低数据线与漏电极的对光的反射，尤其可以降低反
射系数较大的第一金属层的侧壁对光的反射，从而可以有效改善该阵列基板所在的显示面
板或显示装置的暗态漏光问题。
在该实施方式中，像素电极(图中未示出)可以通过位于漏电极上的过孔H与由金
属材料形成的低反射膜层直接接触，并通过该低反射膜层与漏电极连接。
图6是本发明实施方式提供的又一种阵列基板的示意图，该实施方式提供的阵列
基板的结构与图1-图4提供的阵列基板的结构相似，包括数据线10及与数据线10同层形成
的漏电极12，数据线10与漏电极12为层叠结构，自朝向衬底基板的一侧到远离衬底基板的
一侧依次包括下金属层101、第一金属层102与上金属层103，第一金属层102包括被上金属
层103覆盖的上表面、与该上表面相对的下表面，以及，与上表面和下表面相交的侧壁10S，
侧壁10S直接暴露在平坦化层203之下，直接暴露在平坦化层203下面的侧壁10S被低反射膜
层300b所覆盖，低反射膜层300b由反射系数低于第一金属层102的反射系数的有机材料形
成。
在本实施方式中，低反射膜层300b包括覆盖数据线10的部分与位于漏电极12上的
部分，并通过蚀刻工艺在低反射膜层300b的对应于过孔H的位置设置贯穿低反射膜层300b
的开口，漏出漏电极12，低反射膜层300b的位于漏电极12上的部分覆盖第一金属层102的侧
壁10S。其中，该低反射膜层300b的反射系数低于第一金属层102的反射系数，例如，形成该
数据线与漏电极的的金属材料分别为钛、铝、钛，其中钛的反射系数低于铝的反射系数，而
低反射膜层300b由反射系数低于铝的反射系数的有机材料形成，如此，可以降低数据线与
漏电极的对光的反射，尤其可以降低反射系数较大的第一金属层的侧壁对光的反射，从而
可以有效改善该阵列基板所在的显示面板或显示装置的暗态漏光问题。
在该实施方式中，像素电极(图中未示出)通过过孔H直接与漏电极12连接。
图7是本发明实施方式提供的再一种阵列基板的示意图,该实施方式提供的阵列
基板的结构与图5提供的阵列基板的结构相似，包括数据线10及与数据线10同层形成的漏
电极12，数据线10与漏电极12由第一金属层102形成，低反射膜层300c由反射系数低于第一
金属层102的反射系数的金属材料形成。
在本实施方式中，低反射膜层300c同时覆盖数据线10与漏电极12，其中，该低反射
膜层300c的反射系数低于第一金属层102的反射系数，例如，形成该数据线与漏电极的金属
材料为铝，而低反射膜层300c由反射系数低于铝的反射系数的金属材料形成，例如低反射
膜层300c由钛、钼或钨形成，钛、钼或钨的反射系数低于铝的反射系数，如此，可以降低数据
线与漏电极的对光的反射，从而可以有效改善该阵列基板所在的显示面板或显示装置的暗
态漏光问题。
在该实施方式中，像素电极(图中未示出)可以通过位于漏电极上的过孔H与由金
属材料形成的低反射膜层直接接触，并通过该低反射膜层与漏电极连接。
本发明提供的阵列基板，包括一覆盖数据线的低反射膜层，该低反射膜层的反射
系数低于数据线的反射系数,可以有效改善由数据线反光导致的该阵列基板所在的显示面
板与显示装置的暗态漏光问题。
进一步的，本发明实施方式还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。例如该显
示面板为液晶显示面板，该液晶显示面板包括对向设置的阵列基板与彩膜基板，及密封于
该阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，在工作时，液晶层内的液晶分子在公共电极与像素
电极之间电压的驱动下发生旋转或扭曲变化，允许或者阻止光线通过，以显示设定的图像。
进一步的，本发明实施方式还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。其中，该
触控显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显小器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任
何具有显示功能的产品或部件。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，
本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、
重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行
了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还
可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围。