一种真空电子管封接材料的制备方法技术领域
本发明涉及合金材料技术领域，尤其是涉及一种真空电子管封接材料的制备方
法。
背景技术
在真空电子管封接行业中，由于真空电子管使用频率高，且一直要保持真空状态，
因此对真空电子管的封接材料，特别是对陶瓷与金属、金属与金属的封接材料要求都比较
高。现有常规的封接材料对使用频率极高的真空电子管来说效果不太理想，如常规焊料封
接后的器件气密性不够好、在长期的高频率操作下抗氧化及防腐蚀性较差等。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本申请人提供了一种真空电子管封接材料的制备
方法。本发明制备得到的封接材料清洁度高，防腐蚀、抗氧化性能好。
本发明的技术方案如下：
一种真空电子管封接材料的制备方法，具体步骤如下：
(1)将Ag、Cu、In、Ge、Co、Ni按配比放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至0.1～0.5Pa，
再加热到1300～1350℃；
(2)待各金属原料在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后，保持30～40分钟，然后
将熔融液倒至定型模具内，自然冷却，得到加工本封接材料所需的铸锭；
(3)将铸锭进行回火处理，在600～650℃保温2～3小时；
(4)然后将铸锭进行轧机压延，经修整冲压成所需形状即可。
所述各金属原料的质量百分比为：Cu：15～20％、In：1～3％、Ge：0.5～2％、Co：1～
2％、Ni：3～5％；其余为Ag和不可避免的杂质。
本发明有益的技术效果在于：
本发明将各金属原料按一定的比例配合，可使封接材料的清洁度大大提高，从而
使封接后的产品的气密性更加良好。并且本发明封接材料有很好的氧化能力和防腐作用，
延长了产品的使用寿命。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明进行具体描述。
实施例1
本申请人提供了一种真空电子管封接材料的制备方法，具体步骤如下：
(1)将Ag、Cu、In、Ge、Co、Ni按配比放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至0.1Pa，再加热
到1300℃；
(2)待各金属原料在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后，保持30分钟，然后将熔
融液倒至定型模具内，自然冷却，得到加工本封接材料所需的铸锭；
(3)将铸锭进行回火处理，在600℃保温3小时；
(4)然后将铸锭进行轧机压延，经修整冲压成所需形状即可。
所述各金属原料的质量百分比为：Cu：15％、In：1％、Ge：0.5％、Co：1％、Ni：3％；其
余为Ag和不可避免的杂质。
实施例2
本申请人提供了一种真空电子管封接材料的制备方法，具体步骤如下：
(1)将Ag、Cu、In、Ge、Co、Ni按配比放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至0.5Pa，再加热
到1350℃；
(2)待各金属原料在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后，保持40分钟，然后将熔
融液倒至定型模具内，自然冷却，得到加工本封接材料所需的铸锭；
(3)将铸锭进行回火处理，在650℃保温2小时；
(4)然后将铸锭进行轧机压延，经修整冲压成所需形状即可。
所述各金属原料的质量百分比为：Cu：20％、In：3％、Ge：2％、Co：2％、Ni：5％；其余
为Ag和不可避免的杂质。
实施例3
本申请人提供了一种真空电子管封接材料的制备方法，具体步骤如下：
(1)将Ag、Cu、In、Ge、Co、Ni按配比放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至0.3Pa，再加热
到1350℃；
(2)待各金属原料在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后，保持30分钟，然后将熔
融液倒至定型模具内，自然冷却，得到加工本封接材料所需的铸锭；
(3)将铸锭进行回火处理，在670℃保温2.5小时；
(4)然后将铸锭进行轧机压延，经修整冲压成所需形状即可。
所述各金属原料的质量百分比为：Cu：18％、In：2％、Ge：1％、Co：1.5％、Ni：4％；其
余为Ag和不可避免的杂质。