一种铬蚀刻液及其制备方法技术领域
本发明涉及一种铬蚀刻液及其制备方法，属于铬膜蚀刻工艺中铬蚀刻液的技术领
域。
背景技术
铬膜蚀刻过程是铬膜掩膜版制造的重要技术环节，对铬膜掩膜版的图形精度及精
度均匀性的影响很高。同时，蚀刻液是蚀刻过程中重要的一个环节，其中硝酸铈铵成分是铬
蚀刻液常用的成分之一，其与铬版上的铬层发生化学反应，而使铬溶解在蚀刻液中。如
CN102505118B，提供一种硝酸水溶液的环境，使硝酸铈铵与铬膜发生化学反应，并且通过提
高硝酸的用量来提高蚀刻速度；CN102277573B采用邻氟苯甲酸提供酸性环境，仍然可以通
过用量来调节蚀刻速度。
LTPS低温多晶硅技术已经成为一项发展相对完整的技术，现已广泛的应用于发光
面板中，其优点是发光面板具有更大的可视角度(如应用于曲屏智能手机)，色彩还原好，画
面更加逼真绚丽。该技术陆续推出的第5.5代，第6代生产线对掩膜版的图形精度要求越来
越高。由于该技术要求铬膜的双向蚀刻，即从待蚀刻铬膜的垂直方向和两侧同时进行蚀刻。
前述的现有蚀刻液蚀刻速度大，不利于蚀刻过程的精细控制，并且使用现有技术的蚀刻液
进行工作时，垂直蚀刻的速度大于侧向，由于双向蚀刻不能同时完成，对掩膜版图形精度以
及精度均匀性影响极大，造成终端产品不良率高。
发明内容
本发明提供一种铬蚀刻液及其制备方法，该蚀刻液可应用于同时进行垂直蚀刻和
侧向蚀刻的铬膜双向蚀刻工艺，有效降低垂直蚀刻速率，从而与侧向蚀刻速率达到均衡，提
高铬膜图形精度及精度均匀性。
本发明是通过以下的技术方案实现的：
一种铬蚀刻液，包括以下成分和含量：
硝酸铈铵30～60份；
高氯酸200～300份；
去离子水4500～6000份。
本发明的发明人在进行蚀刻液研究时，发现当使用高氯酸水溶液配制蚀刻液时，
能够起到减缓蚀刻的作用，同时使产品边线更加光滑。在实验过程中，首先使用的配方是硝
酸铈铵600～800份，高氯酸200～400份，去离子水4000～5000份，此时的垂直蚀刻速度为14
埃/秒～20埃/秒，在实验选取的待蚀刻铬膜上反应时间需要50～80秒，虽然有效的降低了
现有技术的蚀刻速度，但是同时进行的侧向蚀刻完成的时间约为垂直蚀刻的二分之一，仍
然需要进一步调整配方。
在后续进行的实验中，发明人发现了硝酸铈铵浓度变化对垂直蚀刻速度影响的关
系，如图2所示，在高氯酸的水溶液中，使用低浓度或是高浓度的硝酸铈铵都能使蚀刻速度
下降，但低浓度硝酸铈铵同时又对能提高图形精度，故选择本发明所述配方的铬蚀刻液。
本发明还提供了该蚀刻液的制备方法：是通过以下的步骤实现的：
(3)将硝酸铈铵30～60份，高氯酸200～300份和去离子水4500～6000份倒入搅拌
釜内，搅拌并混合均匀，停止搅拌后抽真空；
(4)将上述混合均匀的蚀刻液进行过滤。
所述步骤(1)中的搅拌速度具体为：用500RPM进行搅拌15分钟，再用800RPM进行搅
拌20分钟，最后用300RPM进行搅拌15分钟。
所述步骤(1)中抽真空至0.01～0.08Mpa。
所述步骤(2)中的过滤使用FPTE过滤器，滤孔为0.1μm。
本发明应用于垂直和侧向的双向铬蚀刻工艺中。
本发明的有益效果为：
1.有效的降低了垂直蚀刻速度，能够将垂直蚀刻速度降低至7埃/秒～9埃/秒，从
而使垂直蚀刻时间延长至120～150秒。
2.蚀刻精度和蚀刻均匀性控制明显被提升，终端产品效果佳。
3.由于硝酸铈铵为稀土金属化合物，本发明降低了原料使用成本，溶液温和，简化
了保存环境。
附图说明
图1是双向蚀刻工艺的示意图
1-垂直蚀刻；2-侧向蚀刻；3-基板玻璃；4-铬膜；5-光刻胶层；6-待蚀刻铬膜。
图2是硝酸铈铵浓度变化影响垂直蚀刻速度的曲线图
其中蚀刻时间单位为秒，硝酸铈铵使用量为毫升数。
具体实施方式
以下结合实施例，对本发明做进一步说明。
实施例1
将硝酸铈铵30份，高氯酸200份和去离子水4500份倒入搅拌釜内进行混合，设置搅
拌速度，先用500RPM进行搅拌15分钟，再用800RPM进行搅拌20分钟，最后用300RPM进行搅拌
15分钟。停止后抽真空，真空度保持在0.01Mpa即可，抽真空15分钟，静置，用滤孔为0.1μm的
FPTE过滤器进行过滤，过滤完成后放入HDPE桶中。
实施例2
将硝酸铈铵60份，高氯酸300份和去离子水6000份倒入搅拌釜内进行混合，设置搅
拌速度，先用500RPM进行搅拌15分钟，再用800RPM进行搅拌20分钟，最后用300RPM进行搅拌
15分钟。停止后抽真空，真空度保持在0.08Mpa即可，抽真空15分钟，静置，用滤孔为0.1μm的
FPTE过滤器进行过滤，过滤完成后放入HDPE桶中。
实施例3
将硝酸铈铵45份，高氯酸250份和去离子水5250份倒入搅拌釜内进行混合，设置搅
拌速度，先用500RPM进行搅拌15分钟，再用800RPM进行搅拌20分钟，最后用300RPM进行搅拌
15分钟。停止后抽真空，真空度保持在0.04Mpa即可，抽真空15分钟，静置，用滤孔为0.1μm的
FPTE过滤器进行过滤，过滤完成后放入HDPE桶中。
实施例4
将硝酸铈铵30份，高氯酸300份和去离子水6000份倒入搅拌釜内进行混合，设置搅
拌速度，先用500RPM进行搅拌15分钟，再用800RPM进行搅拌20分钟，最后用300RPM进行搅拌
15分钟。停止后抽真空，真空度保持在0.04Mpa即可，抽真空15分钟，静置，用滤孔为0.1μm的
FPTE过滤器进行过滤，过滤完成后放入HDPE桶中。
实施例5
将硝酸铈铵60份，高氯酸200份和去离子水5000份倒入搅拌釜内进行混合，设置搅
拌速度，先用500RPM进行搅拌15分钟，再用800RPM进行搅拌20分钟，最后用300RPM进行搅拌
15分钟。停止后抽真空，真空度保持在0.06Mpa即可，抽真空15分钟，静置，用滤孔为0.1μm的
FPTE过滤器进行过滤，过滤完成后放入HDPE桶中。
对比例
选取发明人最初实验中配方是硝酸铈铵600～800份，高氯酸200～400份，去离子
水4000～5000份的铬蚀刻液的五组配方进行对比参考。
将实施例1-5和对比例几组配方进行光刻CD均匀性测试。
选取相同的待蚀刻铬膜同时进行垂直和侧向蚀刻，测试光刻CD均匀性。如表1。
表1
CD均匀性
最大值
最小值
平均值
值程
实施例1-5
10.1072
10.0299
10.06308
0.0773
对比例5组
10.2747
10.0272
10.1079
0.2475
从表1中可知，本发明铬蚀刻液的值程明显较小，即选取了配方中最佳的比例，掩
膜版精度和均匀性控制良好。