显示母板及其制作方法、显示装置技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种显示母板及其制作方法、显
示装置。
背景技术
随着液晶显示技术的发展，人们对于显示产品的需求越来越高，
对种类型号的要求也多种多样，其中，MMG(Multi-ModelGlass，多模
型玻璃)技术由于将不同尺寸的面板在同一个母玻璃上做套切，大大提
高了玻璃的利用率，因而被越来越多的采用。
目前，如图1所示，MMG产品的母板1往往采用大尺寸产品2搭载
小尺寸产品3的制作方法，由于产品尺寸的不同，其像素开口也具有显
著差异，而在面板制作过程中，不同尺寸产品由于设备局限或考虑产
能影响均需采用一步工艺形成，这就造成了一些不良，例如，在液晶
显示面板中的彩色滤光层制作过程中，通常首先进行R(红色滤光层)
工序，然后再依次进行G(绿色滤光层)工序、B(蓝色滤光层)工序，
然而，在R(红色滤光层)工序后，由于其膜厚大于黑矩阵层的厚度，
在表面张力影响下，在后续进行其他滤光层的工序(如G工序或B工序)
中，涂覆形成的膜层不易扩散流平，而由于流平程度与产品的像素开
口的尺寸相关性较大，像素开口越小，在像素开口中形成的膜厚越大，
从而造成同一颜色滤光层在不同尺寸产品中的厚度不同，例如，如图2
所示，在B(蓝色滤光层)工序中，由于大尺寸产品2的像素开口的尺
寸L1’大于小尺寸产品3的像素开口的尺寸L2’，两者在同一步的工艺形
成时，涂覆形成的膜层在小尺寸产品中更不易扩散流平，从而造成在
小尺寸产品中形成的蓝色滤光层的厚度d2’大于大尺寸产品中形成的蓝
色滤光层的厚度d1’。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是：提供一种显示母板及其制作方法、
显示装置，能够减小MMG产品中不同尺寸产品因像素开口差异造成的
相同颜色彩色滤光层的膜厚差异。
(二)技术方案
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种显示母板，
包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的黑矩阵层和彩色滤光层，
所述衬底基板包括第一区域和第二区域，所述黑矩阵层在所述第一区
域形成的子像素开口区的尺寸大于所述黑矩阵层在所述第二区域形成
的子像素开口区域的尺寸，其中，所述第一区域上还设置有位于所述
黑矩阵层上的挡墙层。
优选地，所述黑矩阵层在所述第一区域上形成有多列子像素开口
区，且位于同一列的不同子像素开口区上设置有相同颜色的彩色滤光
层，所述挡墙层包括多条沿列方向延伸的挡墙，且每一条所述沿列方
向延伸的挡墙设置在相邻的两列子像素开口区之间。
优选地，所述多列子像素开口区包括多列第一子像素开口区、多
列第二子像素开口区以及多列第三子像素开口区，所述第一子像素开
口区上设置有第一颜色的彩色滤光层，所述第二子像素开口区上设置
有第二颜色的彩色滤光层，所述第三子像素开口区上设置有第三颜色
的彩色滤光层；
所述多条沿列方向延伸的挡墙包括设置在第一子像素开口区与第
二子像素开口区之间的第一挡墙、设置在第二子像素开口区与第三子
像素开口区之间的第二挡墙以及设置在第三子像素开口区与第一子像
素开口区之间的第三挡墙；
其中，所述第一挡墙的线宽大于所述第二挡墙和所述第三挡墙的
线宽，所述第一挡墙的高度小于所述第二挡墙和所述第三挡墙的高度。
优选地，对于所述第一挡墙，其线宽与其下方的黑矩阵的线宽之
比为1:3～1:2；
对于所述第二挡墙，其线宽与其下方的黑矩阵的线宽之比为
1:4～1:3；
对于所述第三挡墙，其线宽与其下方的黑矩阵的线宽之比为
1:4～1:3。
优选地，所述第一挡墙的高度为0.15um～0.25um，所述第二挡墙
的高度为0.2um～0.3um，第三挡墙的高度为0.2um～0.3um。
优选地，所述挡墙的横截面形状为以下的任意一种：正梯形、矩
形、三角形、弓形。
优选地，所述黑矩阵层与所述挡墙层为一体结构。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示装置，包括彩膜
基板，所述彩膜基板由上述的显示母板切割而成，且所述彩膜基板包
括所述第一区域。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示母板的制作方法，
包括在衬底基板形成黑矩阵层和彩色滤光层，其中，所述衬底基板包
括第一区域和第二区域，所述黑矩阵层在所述第一区域形成的子像素
开口区的尺寸大于所述黑矩阵层在所述第二区域形成的子像素开口区
域的尺寸，其中，在形成彩色滤光层之前还包括：在所述第一区域上
形成位于所述黑矩阵层上的挡墙层。
优选地，所述黑矩阵层在所述第一区域上形成有多列子像素开口
区；
所述在所述第一区域上形成位于所述黑矩阵层上的挡墙层包括：
形成多条沿列方向延伸的挡墙，且每一条所述沿列方向延伸的挡墙设
置在相邻的两列子像素开口区之间；
在衬底基板上形成彩色滤光层包括：在同一列的不同子像素开口
区上形成相同颜色的彩色滤光层。
优选地，所述多列子像素开口区包括多列第一子像素开口区、多
列第二子像素开口区以及多列第三子像素开口区；
所述多条沿列方向延伸的挡墙包括设置在第一子像素开口区与第
二子像素开口区之间的第一挡墙、设置在第二子像素开口区与第三子
像素开口区之间的第二挡墙以及设置在第三子像素开口区与第一子像
素开口区之间的第三挡墙，其中，所述第一挡墙的线宽大于所述第二
挡墙和所述第三挡墙的线宽，所述第一挡墙的高度小于所述第二挡墙
和所述第三挡墙的高度；
所述在衬底基板上形成彩色滤光层包括：
涂覆第一颜色的光阻材料，对所述第一颜色的光阻材料进行图案
化处理，从而在所述多列第一子像素开口区形成第一颜色的彩色滤光
层；
涂覆第二颜色的光阻材料，对所述第二颜色的光阻材料进行图案
化处理，从而在所述多列第二子像素开口区形成第二颜色的彩色滤光
层；
涂覆第三颜色的光阻材料，对所述第三颜色的光阻材料进行图案
化处理，从而在所述多列第三子像素开口区形成第三颜色的彩色滤光
层。
优选地，所述挡墙层与所述黑矩阵层在一次构图工艺中同时形成。
(三)有益效果
本发明提供的显示母板，通过在子像素开口较大的第一区域上设
置挡墙层，在制作彩色滤光层时，通过该挡墙层可以增加光阻涂覆时
流动的阻力，进而可以减小MMG产品中不同尺寸产品因像素开口差
异造成的相同颜色彩色滤光层的膜厚差异。
附图说明
图1是现有的MMG产品的示意图；
图2是现有的MMG产品中不同尺寸产品形成的彩色滤光层的示
意图；
图3是本发明实施方式提供的一种显示母板的示意图；
图4为图3中的第一区域上AA’方向的截面示意图；
图5为图3中的第二区域上BB’方向的截面示意图；
图6是本发明实施方式提供的一种显示母板上第一区域的示意图；
图7是本发明实施方式提供的一种显示母板上第一区域的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细
描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明实施方式提供了一种显示母板，该显示母板包括衬底基板
以及设置在所述衬底基板上的黑矩阵层和彩色滤光层，所述衬底基板
包括第一区域和第二区域，所述黑矩阵层在所述第一区域形成的子像
素开口区的尺寸大于所述黑矩阵层在所述第二区域形成的子像素开口
区域的尺寸，其中，所述第一区域上还设置有位于所述黑矩阵层上的
挡墙层。
本发明实施方式提供的显示母板，通过在子像素开口较大的第一
区域上设置挡墙层，在制作彩色滤光层时，通过该挡墙层可以增加光
阻涂覆时流动的阻力，进而可以减小MMG产品中不同尺寸产品因像
素开口差异造成的相同颜色彩色滤光层的膜厚差异。
参见图3、图4和图5，图3是本发明实施方式提供的一种显示母
板的示意图，图4为图3中的第一区域上AA’方向的截面示意图，图5
为图3中的第二区域上BB’方向的截面示意图，该显示母板包括衬底
基板100以及设置在衬底基板100上的黑矩阵层200和彩色滤光层，
所述衬底基板包括第一区域(大尺寸产品所在的区域)和第二区域(小
尺寸产品所在的区域)；
其中，彩色滤光层包括依次制作的第一颜色的彩色滤光层310、第
二颜色的彩色滤光层320和第三颜色的彩色滤光层330，例如，第一颜
色的彩色滤光层310可以为红色滤光层，第二颜色的彩色滤光层320
可以为绿色滤光层，第三颜色的彩色滤光层330可以为蓝色滤光层；
所述黑矩阵层在所述第一区域和第二区域上分别形成有多列子像
素开口区，且位于同一列的不同子像素开口区上设置有相同颜色的彩
色滤光层，且黑矩阵层在所述第一区域形成的子像素开口区的尺寸L1
大于所述黑矩阵层在所述第二区域形成的子像素开口区域的尺寸L2，
如图3所示，在所述第一区域上，所述多列子像素开口区包括多列第
一子像素开口区、多列第二子像素开口区以及多列第三子像素开口区，
所述第一子像素开口区上设置有第一颜色的彩色滤光层310，所述第二
子像素开口区上设置有第二颜色的彩色滤光层320，所述第三子像素开
口区上设置有第三颜色的彩色滤光层320；
其中，所述第一区域上还设置有位于黑矩阵层上的挡墙层，所述
挡墙层包括多条沿列方向延伸的挡墙，且每一条所述沿列方向延伸的
挡墙设置在相邻的两列子像素开口区之间(即位于像素开口区域长边
方向上的黑矩阵上)，如图3所示，所述多条沿列方向延伸的挡墙包括
设置在第一子像素开口区与第二子像素开口区之间的第一挡墙410、设
置在第二子像素开口区与第三子像素开口区之间的第二挡墙420以及
设置在第三子像素开口区与第一子像素开口区之间的第三挡墙430；
通过在位于第一区域的黑矩阵层上设置挡墙层，在制作彩色滤光
层时，可以增加光阻涂覆的流动阻力，如图4和图5所示，在第一区
域上的第三子像素开口区上制作第三颜色的彩色滤光层330时，由于
形成该第三子像素开口区的黑矩阵上设置有挡墙，通过该挡墙可以增
加涂覆光阻材料时光阻流动的阻力，从而可以减小显影后在第一区域
和第二区域上形成的第三颜色的彩色滤光层的厚度差异。
本发明中，不同位置上的挡墙的高度、线宽以及截面形状可以不
同，例如，由于第一颜色的彩色滤光层310、第二颜色的彩色滤光层
320和第三颜色的彩色滤光层330依次制作而成，优选地，为了进一步
地减小第一区域和第二区域上形成的彩色滤光层的厚度差异，所述第
一挡墙的线宽可以大于所述第二挡墙和所述第三挡墙的线宽，所述第
一挡墙的高度可以小于所述第二挡墙和所述第三挡墙的高度，例如，
对于所述第一挡墙，其线宽与其下方的黑矩阵的线宽之比为1:3～1:2；
对于所述第二挡墙，其线宽与其下方的黑矩阵的线宽之比为1:4～1:3；
对于所述第三挡墙，其线宽与其下方的黑矩阵的线宽之比为1:4～1:3，
所述第一挡墙的高度为0.15um～0.25um，所述第二挡墙的高度为0.2
um～0.3um，第三挡墙的高度为0.2um～0.3um，例如，对于第一挡墙，
其线宽与其下方的黑矩阵的线宽之比可以为1:2，高度可以为0.20um，
第二挡墙和第三挡墙可以采用相同的设计方式，两者的线宽与其下方
的黑矩阵的线宽之比可以均为1:4，高度可以均为0.25um。
另外，在彩色滤光层制作过程中，当第一颜色的彩色滤光层的工
序完成后，由于其膜厚大于黑矩阵层的厚度，在表面张力影响下，在
后续进行其他滤光层的工序中，涂覆形成的膜层不易扩散流平，从而
容易导致后续形成的滤光层的厚度大于前一工序形成的滤光层的厚
度，如图4和图5所示，由于第三颜色的彩色滤光层最后制作而成，
其厚度明显大于第一颜色的彩色滤光层以及第二颜色的彩色滤光层的
厚度，为避免不同颜色的滤光层的厚度差异过大，在制作彩色滤光层
时，可以通过调整涂布机涂覆的光阻量从而实现不同颜色的滤光层的
厚度相一致(即第一颜色的彩色滤光层、第二颜色的彩色滤光层、第
三颜色的彩色滤光层三者厚度相同)，例如，在制作第三颜色的彩色滤
光层时，相比现有的制作工艺，可以适当减少第三颜色的光阻材料的
涂覆量，从而在母板的第一区域形成如图6所示的结构，在第二区域
形成如图7所示的结构，减小不同颜色的彩色滤光层的厚度差异。
优选地，为减少制作工艺，在本发明中，黑矩阵层与挡墙层可以
为一体结构，例如，可以在衬底基板上涂覆黑色的光阻材料，然后采
用半掩膜曝光工艺同时形成黑矩阵层和挡墙层，其中，挡墙层中的挡
墙的横截面形状为以下的任意一种：正梯形、矩形、三角形、弓形。
本发明通过在MMG产品中不易形成膜厚段差的大尺寸产品的黑
矩阵上增设挡墙，增加光阻涂覆时的流动阻力，弥补因大小尺寸产品
因像素开口差异造成的膜厚段差，进而可以达到实现MMG产品不同
大小尺寸产品最终各层膜厚一致的效果，从而解决MMG产品不同大
小尺寸产品实际膜厚与规格不一致的问题，同时还可减少R/G/B光阻
使用量，从而实现缩减成本的效果。
本发明实施方式还提供了一种显示装置，包括彩膜基板，所述彩
膜基板由上述的显示母板切割而成，且所述彩膜基板包括所述第一区
域。其中，本发明实施方式提供的显示装置可以是笔记本电脑显示屏、
液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示
功能的产品或部件。
本发明实施方式还提供了一种显示母板的制作方法，包括在衬底
基板形成黑矩阵层和彩色滤光层，其中，所述衬底基板包括第一区域
和第二区域，所述黑矩阵层在所述第一区域形成的子像素开口区的尺
寸大于所述黑矩阵层在所述第二区域形成的子像素开口区域的尺寸，
其中，在形成彩色滤光层之前还包括：在所述第一区域上形成位于所
述黑矩阵层上的挡墙层。
优选地，所述黑矩阵层在所述第一区域上形成有多列子像素开口
区；
所述在所述第一区域上形成位于所述黑矩阵层上的挡墙层包括：
形成多条沿列方向延伸的挡墙，且每一条所述沿列方向延伸的挡墙设
置在相邻的两列子像素开口区之间；
在衬底基板上形成彩色滤光层包括：在同一列的不同子像素开口
区上形成相同颜色的彩色滤光层。
优选地，所述多列子像素开口区包括多列第一子像素开口区、多
列第二子像素开口区以及多列第三子像素开口区；
所述多条沿列方向延伸的挡墙包括设置在第一子像素开口区与第
二子像素开口区之间的第一挡墙、设置在第二子像素开口区与第三子
像素开口区之间的第二挡墙以及设置在第三子像素开口区与第一子像
素开口区之间的第三挡墙，其中，所述第一挡墙的线宽大于所述第二
挡墙和所述第三挡墙的线宽，所述第一挡墙的高度小于所述第二挡墙
和所述第三挡墙的高度；
所述在衬底基板上形成彩色滤光层包括：
涂覆第一颜色的光阻材料，对所述第一颜色的光阻材料进行图案
化处理，从而在所述多列第一子像素开口区形成第一颜色的彩色滤光
层；
涂覆第二颜色的光阻材料，对所述第二颜色的光阻材料进行图案
化处理，从而在所述多列第二子像素开口区形成第二颜色的彩色滤光
层；
涂覆第三颜色的光阻材料，对所述第三颜色的光阻材料进行图案
化处理，从而在所述多列第三子像素开口区形成第三颜色的彩色滤光
层。
优选地，所述挡墙层与所述黑矩阵层在一次构图工艺中同时形成。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关
技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，
还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明
的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。