显示基板以及包括其的显示面板相关申请的交叉引用
2014年10月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请
No.10-2014-0140827，并且题为：“DisplaySubstrateandDisplayPanel
ComprisingTheSame”，通过引用将其全部结合在本文中。
技术领域
提供一种显示基板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是平板显示器(FPD)的一种类型。LCD可以
包括具有形成在其上的电场生成电极的两个基板和插入其间的液晶层。当
将电压施加至电极时，液晶层的液晶分子重新排列，并且可以调整透射光
的量。
发明内容
实施方式可以通过提供显示基板实现，该显示基板包括：第一基板；
栅极线，在第一基板上；数据线，与栅极线交叉；薄膜晶体管，在栅极线
和数据线的交叉点处；像素电极，电连接至薄膜晶体管；第一存储线，与
栅极线隔开并且平行于栅极线；以及第二存储线，从第一存储线垂直延伸，
薄膜晶体管包括连接至栅极线并且包括向着第二存储线突出的突起的栅
极、连接至数据线的源极、以及连接至像素电极的漏极，并且第二存储线
具有对应于突起的凹部。
突起可具有比第二存储线小的宽度。
突起可具有在向着第二存储线的方向上逐渐减少的宽度。
突起可具有三角形、梯形、或半圆形的形状。
突起可以与凹部部分重叠。
凹部可具有与突起相同的形状。
凹部可具有三角形、梯形、或半圆形的形状。
第二存储线可以与数据线或像素电极重叠。
实施方式可以通过提供显示面板实现，该显示面板包括：第一基板；
栅极线，在第一基板上；数据线，与栅极线交叉；薄膜晶体管，在栅极线
和数据线的交叉点处；像素电极，电连接至薄膜晶体管；第一存储线，与
栅极线隔开并且平行于栅极线；第二存储线，从第一存储线垂直延伸；第
二基板，与第一基板相对；以及液晶层，在第一基板与第二基板之间，薄
膜晶体管包括连接至栅极线并且包括向着第二存储线突出的突起的栅极、
连接至数据线的源极、以及连接至像素电极的漏极，并且第二存储线具有
对应于突起的凹部。
突起可具有比第二存储线小的宽度。
突起可具有在向着第二存储线的方向上逐渐减少的宽度。
突起可具有三角形、梯形、或半圆形的形状。
突起可以与凹部部分重叠。
凹部可具有与突起相同的形状。
凹部可具有三角形、梯形、或半圆形的形状。
第二存储线可以与数据线或像素电极重叠。
显示面板可以进一步包括第二基板上的公共电极。
附图说明
参照附图，通过详细地描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人
员而言将变得显而易见，其中：
图1示出根据一个实施方式的显示装置的框图；
图2示出在图1中示出的显示面板和像素的结构的等效电路图；
图3示出根据一个实施方式的显示面板的像素的平面图；
图4示出沿图3中示出的线Ι-Ι'截取的截面图；
图5示出图3的部分A的放大的平面图；
图6示出根据实施方式的显示面板的像素的平面图；
图7示出图6的部分B的放大的平面图；
图8示出根据实施方式的显示面板的像素的平面图；以及
图9示出图8的部分C的放大的平面图。
具体实施方式
在下文中将参考附图更完整地描述示例性实施方式；然而，它们可以
不同的形式体现并不应当被解释为限于本文中阐述的实施方式。更确切地
说，提供这些实施方式使得本公开内容将是彻底和完整的，并且将向本领
域的技术人员充分地传达示例性实现。
在附图中，为了清楚的说明，可以放大层和区域的尺寸。还应当理解
的是，当将层或元件被称为在另一个层或基板之“上”时，该层或元件可
以直接在另一其他层或基板之上，或者也可以存在中间层。此外，将理解，
当层被称为在另一层“下面”时，其可直接在另一层下面，并且也可存在
一个或多个中间层。另外，还应当理解的是，当层被称为‘在两个层之间’
时，该层可以是两个层之间的仅一个层，或还可存在一个或多个中间层。
在所有各处，相似的参考标号是指相似的元件。
本文中为了便于描述可以使用空间相关的术语“以下”、“在下面”、
“下部”、“以上”、“上部”等以描述如在附图中示出的一个元件或部件和
另一个元件或部件之间的关系。应当理解的是，除附图中所描述方位之外，
空间相对术语旨在包括使用或者操作中的装置的不同方位。例如，在在附
图中示出的装置翻转的情况下，定位在另一个装置“以下”或者“在下面”
的装置可以放置另一个装置“以上”。因此，说明性术语“以下”可以包
括较低位置和较高位置两者。装置同样可以定位在另一个方向上，并且因
此空间相关的术语可以根据方位不同地解释。
贯穿说明书，当元件被称为“连接”至另一个元件时，该元件“直接
连接”至其他元件，或者“电连接”至其他元件(具有插入其间的一个或
多个中间元件)。还应当理解，当术语“包括(comprises)”、“包括
(comprising)”“包括(includes)”和/或“包括(including)”用于本说明
书时，指示所述的特征、整体、步骤、操作、元件及/或组件的存在，但并
不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件
及/或其组合。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)
具有与本领域技术人员通常理解的相同的意义。此外应当理解的是，诸如
在通常使用的词典中定义的那些术语的术语应被解释为具有与它们在相
关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不得以理想化或者过度形式化
的意义进行解释，除非在本说明书清晰限定。
图1示出根据一个实施方式的显示装置的框图。图2示出在图1中示
出的显示面板和像素的结构的等效电路图。
参照图1和图2，根据一个实施方式的显示装置可以包括显示面板10，
该显示面板10包括：多个像素PX；控制器20，被配置为处理外部施加的
图像信号DATA和控制信号CS以输出各种信号；栅极驱动器30，被配置
为提供栅极信号至连接至像素PX的栅极线GL1-GLn；以及数据驱动器40，
被配置为提供数据电压至连接至像素PX的数据线DL1-DLm；以及存储
驱动器50，被配置为提供存储电压至连接至像素PX的存储线SL1-SLn。
显示面板10可以包括：多个栅极线GL1-GLn，被配置为在行方向上
提供栅极信号；多个存储线SL1-SLn，被配置为在行方向上提供存储电压；
多个数据线DL1-DLm，被配置为在列方向上提供数据电压；以及多个像
素PX，以矩阵形式布置在栅极线和数据线的交叉点处。
显示面板10可以包括单独形成的第一基板100和第二基板200以及
插入其间的液晶层300，第二基板200可以布置为面向第一基板100。
在实施方式中，像素电极PE可以布置在第一基板100上，并且滤色
片210和公共电极230可以布置在第二基板200上。在实施方式中，像素
电极PE、公共电极230、和液晶层300可以一起形成液晶电容器Clc。在
实施方式中，滤色片210可以形成在第一基板100上。
控制器20可被配置为基于外部提供的图像信号DATA输出校正图像
信号DATA'至数据驱动器40。控制器20可以基于外部提供的控制信号CS,
施加栅极控制信号GCS至栅极驱动器30，施加数据控制信号DCS至数据
驱动器40，并且施加存储控制信号SCS施加至存储驱动器50。例如，控
制信号CS可以是定时信号，诸如垂直同步信号Vsync、水平同步信号
Hsync、时钟信号CLK、和数据使能信号DE。图像信号DATA可以是表
明从像素PX发射的光的灰度级的数字信号。
栅极驱动器30可被配置为从控制器20接收栅极控制信号GCS以生
成栅极信号并且将栅极信号提供至分别连接至多个栅极线GL1-GLn的像
素PX。随着栅极信号顺次输入至像素PX，数据电压可以顺次施加至像素
PX。
数据驱动器40可被配置为从控制器20接收数据控制信号DCS和校
正图像信号DATA'，并且响应于数据控制信号DCS将对应于校正图像信
号DATA'的数据电压提供至分别连接至多个数据线DL1-DLm的像素PX。
存储驱动器50可被配置为从控制器20接收存储控制信号SCS以生
成存储电压并且将存储电压提供至多个存储线SL1-SLn。
图3示出根据一个实施方式的显示面板的像素的平面图。图4示出沿
图3中示出的线Ι-Ι'截取的截面图。
参照图3和图4，根据一个实施方式的显示基板可以包括第一基板
100、第一基板100上的栅极线110、与栅极线110交叉的数据线120，例
如，数据线120可以正交于栅极线110、布置在栅极线110和数据线120
的交叉点处的薄膜晶体管(TFT)130、电连接至TFT130的像素电极140、
例如在Y方向上与栅极线110隔开并且在水平方向平行于栅极线110的第
一存储线152、以及例如在Y方向上从第一存储线152垂直延伸的第二存
储线154。
第一基板100可以包括透明玻璃或塑料并且可以设置成平板类型或
者具有预定曲率半径的弯曲类型。
栅极线110可以在第一基板100上设置多个，并且在例如Y方向上
彼此隔开。栅极线110例如可以包括基于铝(Al)的金属，诸如铝或铝合
金、基于银(Ag)的金属，诸如银或银合金、基于铜(Cu)的金属，诸
如铜或铜合金、基于钼(Mo)的金属，诸如钼或钼合金、铬(Cr)、钽(Ta)、
和钛(Ti)。在一些实施方式中，栅极线110可具有包括具有彼此不同的
物理特性的至少两个导电层的多层结构。
数据线120可以设置成多个，并且在例如X方向上彼此隔开，以与
栅极线110相交叉，例如，数据线120可以正交于栅极线110。数据线120
可以通过栅极绝缘层102与栅极线110绝缘。数据线120例如可以包括耐
高温金属，诸如钼、铬、钽、和钛、或者它们的金属合金。在一些实施方
式中，数据线120可具有包括耐高温金属层和低电阻导电层的多层结构。
TFT130可以包括连接至栅极线110的栅极132、连接至数据线120
的源极134、和连接至像素电极140的漏极136。
栅极132可以通过栅极绝缘层102与源极134和漏极136绝缘。半导
体层138可以布置在栅极绝缘层102和源极134之间以及栅极绝缘层102
和漏极136之间。包括有机绝缘材料和无机绝缘材料的保护层104可以布
置在源极134和漏极136上。
栅极132可以从栅极线110延伸并且可以连同栅极线110一起整体形
成。栅极132可具有从其侧面(例如，其上侧)向着第二存储线154突出
的突起162。以下参考图5详细描述突起162。
像素电极140可以布置在保护层104上并且通过接触孔142连接至漏
极136。像素电极140可以包括具有光透明性和导电性的材料。
配向层可以布置在像素电极140上。配向层可以是垂直配向层或者使
用光敏聚合物材料进行光学配向的配向层。光敏聚合物材料可以是反应性
单体或反应性液晶基元(mesogen)。
在实施方式中，第一存储线152和第二存储线154可以布置在与栅极
线110相同的层上。在实施方式中，第一存储线152可以例如，在Y方向
上与栅极线110隔开并且可以基本上平行于栅极线110。在实施方式中，
第二存储线154可以从第一存储线152垂直延伸，例如，在Y方向上。在
实施方式中，第一存储线152和第二存储线154可以一起整体形成。
第二存储线154可以与数据线120或像素电极140重叠。第二存储线
154可以与数据线120重叠，栅极绝缘层102插入其间，并且可以防止从
数据线120至像素电极140的边缘场以及数据线120和像素电极140之间
的漏光。
第二存储线154(例如，在Y方向上)可具有对应于栅极132的突起
162的凹部164。参考图5在下面详细描述凹部164。
第二基板200可以包括透明玻璃或塑料并且可以设置成平板类型或
者具有对应于第一基板100的预定曲率半径的弯曲类型。
在实施方式中，滤色片210、黑矩阵220、和公共电极230可以布置
在第二基板200上。在一些实施方式中，滤色片210、黑矩阵220、和公
共电极230可以布置在第一基板100上。
在实施方式中，滤色片210可以显示红色、绿色、和蓝色的三原色中
的一种。在一些实施方式中，滤色片210可显示青色、品红色、黄色和白
色中的一种。
黑矩阵220可以沿着栅极线110和数据线120以及TFT130设置以防
止漏光。黑矩阵220可以包括金属氧化物，诸如CrO和CrOx，或者黑树
脂。
公共电极230可以整体布置在第二基板200的整个表面上以覆盖滤色
片210和黑矩阵220。预定图案可以限定在公共电极230上。公共电极230
可以包括具有光透明性和导电性的材料。
配向层可以布置在公共电极230上。配向层可以是垂直配向层或者使
用光敏聚合物材料进行光学配向的配向层。光敏聚合物材料可以是反应性
单体或反应性液晶基元。
图5示出图3的部分A的放大的平面图。
参照图5，突起162可以从栅极132的侧面(例如，栅极132的上侧)
突出至第二存储线154。凹部164可以是从第二存储线154的侧面(例如，
第二存储线154的下侧)在与突起162的突出方向(例如，Y方向)相同
的方向上的凹陷或凹进的。
在实施方式中，突起162的宽度W1可以小于第二存储线154的宽度
W3，并且栅极132的宽度W2可以大于第二存储线154的宽度W3。在实
施方式中，突起162和栅极132可具有与像素电极140的尺寸和布置一致
的相同的宽度。同样地，栅极132和第二存储线154可具有与像素电极140
的尺寸和布置一致的相同的宽度。
在实施方式中，突起162可具有在向着第二存储线154的方向上逐渐
减少的宽度，并且栅极132和第二存储线154之间生成的电场可以被有效
控制。
在一个实施方式中，突起162可以是具有向着第二存储线154的方向
上逐渐减少的宽度的三角形形状。在一些实施方式中，突起162可以是诸
如梯形或半圆形的多边形形状。
突起162可以部分地与凹部164重叠，并且栅极132和第二存储线
154之间生成的电场可以被控制为例如包含在凹部164的区域中。在实施
方式中，突起162可以是双侧对称的，并且栅极132和第二存储线154之
间生成的电场可以被有效控制。
栅极132和第二存储线154之间生成的电场可被控制在凹部164的区
域中的箭头方向上(在图5中示出)，并且箭头方向上(在图5中示出)
生成的电场可以互相消除。因此，可以防止沿着栅极线110和数据线120
的像素的边缘部分处引起的亮线缺陷(brightlinedefect)。
凹部164可具有在突起162的突出方向上逐渐减少的宽度，如突起
162一样。在实施方式中，凹部164可具有与突起162相同的形状。在一
些实施方式中，凹部164可具有在突起162的突出方向上逐渐减少的宽度
的形状，但不同于突起162。在一个实施方式中，凹部164可以是具有在
突起162的突出方向上逐渐减少的宽度的三角形形状。
图6示出根据实施方式的显示面板的像素的平面图。图7示出图6
的部分B的放大的平面图。
参照图6和图7，根据实施方式的显示基板可以与在图3中示出的显
示基板相同，除突起162和凹部164的形状之外，并且为了简便起见将不
会提供重复的描述。
突起162可具有向着第二存储线154逐渐减少的宽度并且可以是双侧
对称的梯形形状。凹部164可具有在突起162的突出方向上逐渐减少的宽
度并且可以是梯形形状，如突起162一样。
突起162可以与凹部164部分重叠，并且栅极132和第二存储线154
之间生成的电场可以在凹部164的区域内互相消除。
图8示出根据实施方式的显示面板的像素的平面图。图9示出图8
的部分C的放大的平面图。
参照图8和图9，根据实施方式的显示基板可以与在图3中示出的显
示基板相同的，除突起162和凹部164的形状之外，并且为了简便起见将
不会提供重复的描述。
突起162可具有向着第二存储线154逐渐减少的宽度并且可以是双侧
对称的半圆形形状。凹部164可具有在突起162的突出方向上逐渐减少的
宽度并且可以是半圆形形状，如突起162一样。
突起162可以与凹部164部分重叠，并且栅极132和第二存储线154
之间生成的电场可以在凹部164的区域内互相消除。
通过总结和观察，实施方式针对显示基板和包括显示基板的显示面
板。根据实施方式，可以防止或有效减少可能由(例如，薄膜晶体管的)
栅极和存储线之间生成的电场在像素的边缘部分引起的亮线缺陷，并且可
以改善图像质量。
本文中已经公开了示例性实施方式，并且尽管采用了具体术语，然而，
这些术语仅用于并且仅被解释为通用和描述性含义且并不旨在限制。在一
些实例中，对本领域普通技术人员显而易见的是，自提交本申请起，结合
具体实施方式所描述的特性、特征、和/或元件可以单独使用或者结合其他
实施方式中所描述的特性、特征、和/或元件使用，除非另有明确指示。因
此，本领域技术人员应当理解的是，在不背离所附权利要求中所阐述的本
发明的精神和范围内，可以做出各种形式和细节变化。