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1、(10)申请公布号 CN 102237141 A (43)申请公布日 2011.11.09 CN 102237141 A *CN102237141A* (21)申请号 201110117603.6 (22)申请日 2011.05.06 12/800,054 2010.05.07 US G11C 17/16(2006.01) G11C 17/18(2006.01) (71)申请人 电力集成公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 S班纳吉 GM范 (74)专利代理机构 北京北翔知识产权代理有限 公司 11285 代理人 杨勇 郑建晖 (54) 发明名称 读取高压集成电路中的可编程反熔丝元件的。
2、 方法和装置 (57) 摘要 在一种用于对高压集成电路的可编程反熔 丝块进行读取的方法中， 第一电压被施加至所述 HVIC 的第一管脚， 所述第一电压在第一节点处被 降低至第二电压。 从所述第一节点将电流分流， 从 而将所述第二电压降低至第三电压。然后隔离电 路块被激活， 以将所述第三电压连接至所述可编 程反熔丝块的共用节点， 所述共用节点被连接至 多个反熔丝， 每一反熔丝具有一个编程状态。 生成 读取信号， 所述读取信号使代表每一反熔丝的编 程状态的电位被锁存在对应的锁存元件中。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求。
3、书 2 页 说明书 6 页 附图 3 页 CN 102237146 A1/2 页 2 1. 一种用于对高压集成电路 (HVIC) 的可编程反熔丝块进行读取的方法， 包括 ： 将第一电压施加至所述 HVIC 的第一管脚， 所述第一管脚被连接至高压场效应晶体管 (HVFET) 的漏极 ； 将所述第一电压降低至第二电压， 所述第二电压基本上小于所述第一电压， 所述第二 电压在第一节点处被提供 ； 将所述第二电压连接至所述可编程反熔丝块的共用节点， 所述共用节点被连接至多个 反熔丝， 每一反熔丝具有一个编程状态 ； 生成读取信号， 所述读取信号接通多个选择器开关， 每一选择器开关具有连接至对应 的反熔。
4、丝的漏极， 每一选择器开关还具有栅极和源极 ； 以及 在每一选择器开关的源极处锁存电位， 所述电位代表所述每一反熔丝的编程状态。 2. 根据权利要求 1 所述的方法， 进一步包括 ： 通过所述 HVIC 的低压 (LV) 控制器来读 取所锁存的每一反熔丝的编程状态。 3. 根据权利要求 1 所述的方法， 进一步包括 ： 使所述可编程反熔丝块从所述第一节点 脱离。 4. 根据权利要求 1 所述的方法， 其中所述第二电压是已调节电压。 5. 根据权利要求 1 所述的方法， 其中所述第一电压大于 550V。 6. 根据权利要求 1 所述的方法， 其中将所述第一电压降低至所述第二电压包括 ： 从所 述。
5、第一节点将电流分流至外部电容器。 7. 根据权利要求 1 所述的方法， 其中所述读取信号是由所述 LV 控制器生成的。 8. 一种用于对高压集成电路 (HVIC) 的可编程反熔丝块进行读取的方法， 包括 ： 将第一电压施加至所述 HVIC 的第一管脚， 所述第一管脚被连接至高压场效应晶体管 (HVFET) 的漏极， 并且被连接至抽头元件的第一终端， 所述抽头元件还具有与所述 HVIC 的 第一节点连接的第二终端， 当所述第一电压超出所述抽头元件的夹断电压时， 在所述第一 节点处提供基本上小于所述第一电压的第二电压 ； 从所述第一节点将电流分流， 从而将所述第二电压降低至第三电压， 所述第三电压。
6、小 于所述第二电压， 所述第三电压在第一节点处被提供 ； 激活隔离电路块， 以将所述第一节点处出现的第三电压连接至所述可编程反熔丝块的 共用节点， 所述共用节点被连接至多个反熔丝， 每一反熔丝具有一个编程状态 ； 以及 生成读取信号， 所述读取信号使代表每一反熔丝的编程状态的电位被锁存在对应的锁 存元件中。 9. 根据权利要求 8 所述的方法， 进一步包括 ： 将每一反熔丝的编程状态从每一对应的 锁存元件输出至所述 HVIC 的低压 (LV) 控制器。 10. 根据权利要求 8 所述的方法， 进一步包括 ： 抑止所述隔离电路块， 从而使所述可编 程反熔丝块从所述第一节点脱离。 11. 根据权利。
7、要求 8 所述的方法， 其中所述第三电压是已调节电压。 12. 根据权利要求 8 所述的方法， 其中所述第一电压大于 550V。 13. 根据权利要求 8 所述的方法， 其中所述读取信号是由所述 LV 控制器生成的。 14. 根据权利要求 8 所述的方法， 其中所述隔离电路块包括绝缘晶体管， 所述绝缘晶体 管具有栅极、 与所述第一节点连接的漏极， 以及与所述共用节点连接的源极， 所述栅极通过 权 利 要 求 书 CN 102237141 A CN 102237146 A2/2 页 3 电平移位器被连接至所述第一节点。 权 利 要 求 书 CN 102237141 A CN 102237146 。
8、A1/6 页 4 读取高压集成电路中的可编程反熔丝元件的方法和装置 技术领域 0001 本公开文本总体涉及一种用于对高压集成电路中的一个或多个反熔丝元件 (anti-fuse element) 进行读取的电路。 背景技术 0002 高压集成电路 (IC) 可以包括金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)， 所述 MOSFET 包括高压场效应晶体管 (HVFET)。许多 HVFET 采用一种包括扩展的漏极区的器件结 构， 当该器件处于 “关断(off)” 状态时所述扩展的漏极区支持(support)或 “截止(block)” 所施加的高压 ( 例如， 150V 或更大 )。 0003 高压。
9、IC的操作特性通常通过一种称作调配(trimming)的方法来设置。 更具体地， 调配可以包括选择性地闭合(close)(或断开(open)一个或多个电器元件， 以调整高压IC 的某些特性。在调配过程中， 一个或多个反熔丝可以被短路以设置该高压 IC 中的某些运行 参数。反熔丝是通常处于 “断开” 或非导通状态的电气器件。为了将反熔丝的状态改变为 “闭合” 或导通状态， 施加某一电压和 / 或电流以击穿该反熔丝。在击穿之后， 充分的电流可 以通过该反熔丝。 0004 举例来说， 可以利用一个或多个反熔丝元件来对在开关式电源中使用的高压 IC 中的模拟参数例如开关频率进行调配或编程。在启动状况期。
10、间， 高压 IC 可能需要 读取反熔丝的状态， 以做出合适的调整以在特定参数内运行。 附图说明 0005 通过随后的详细描述以及附图将更完整地理解本公开文本， 然而， 随后的详细描 述以及附图并非将本公开文本限制于所示出的具体实施方案， 而是仅用于解释和理解。 0006 图 1 示出了包括读取电路块的高压 IC 器件的一个示例性方块图。 0007 图 2 示出了包括读取电路块的高压 IC 器件的一个示例性详细电路示意图。 0008 图3示出了用于对一个或多个反熔丝元件进行读取的操作的一个示例性流程图。 具体实施方式 0009 公开了一种用于对功率 IC 的一个或多个可编程反熔丝元件进行读取的方。
11、法和装 置。在下面的描述中， 陈述了具体细节 ( 电压、 结构特征、 制作步骤等 )， 以提供对本公开文 本的透彻理解。 然而， 相关领域的普通技术人员应理解， 未必需要这些特征细节来实践所描 述的实施方案。贯穿本所明书提及的 “一个实施方案” “一实施方案” “一个实施例” 或 “一 实施例” 意为， 联系该实施方案或实施例而描述的特定特征、 结构或特性被包括在至少一个 实施方案中。贯穿本说明书多处的短语 “在一个实施方案中” “在一实施方案中” “一个实 施例” 或 “一实施例” 未必全部涉及同一实施方案或实施例。另外， 特定特征、 结构或特性可 以以任何合适的结合和 / 或子结合被组合在。
12、一个或多个实施方案或实施例中。 0010 应理解， 图中的元件是代表性的， 并且为了清楚起见而未必按比例绘制。还应理 说 明 书 CN 102237141 A CN 102237146 A2/6 页 5 解， 尽管公开了一种主要利用N沟道晶体管器件(高压和低压)的IC， 但是通过对所有适当 的掺杂区利用相反的传导类型 (conductivity type) 也可以制造 P 沟道晶体管。 0011 出于本公开文本的目的， 进一步应理解，“高压” 被定义为基本上 (substantially) 为 150V 或更大的电压，“中压” 被定义为在 150V 和 50V 之间， 并且 “低压” 被定义为。
13、 12V 或 更小。 0012 在一个实施方案中， 功率开关是高压场效应晶体管 (HVFET)， 其被示为在源极区和 漏极区之间支持着高压的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。 在其他实施方 案中， 功率开关可以包括双极结型晶体管 (BJT)、 绝缘栅型场效应晶体管 (IGFET)， 或提供 晶体管功能的其他器件结构。 0013 出于本公开文本的目的，“地” 或 “地电位” 指的是这样的参考电压或电位， 电路或 IC的所有其他电压或电位都是相对于该参考电压或 电位来定义或测量的。 “终端” 向IC器 件或封装提供外部电气连接点， 从而允许外部部件、 电路、 信号、 功率、 负载。
14、等被连接至高压 IC 器件的内部部件和电路系统 (circuitry)。 0014 图 1 是一个示出了示例性高压 IC 100 的方块图， 示例性高压 IC 100 包括 ： 高压 (HV) 开关 102、 高压 (HV) 漏极终端 104、 源极终端 106、 抽头元件 108、 调节电路 110、 低压 (LV) 控制器 112、 隔离块 114、 读取 ( 调配 ) 电路块 116、 供电终端 (supply terminal)118 和反馈终端 120。如所示出的， 高压开关 102 被连接在 HV 漏极终端 104 和源极终端 106 之 间， 在一个实施方案中， 高压开关102包。
15、括高压场效应晶体管(HVFET)。 举例来说， 可以在电 源中使用高压开关 102 以控制流过变压器初级绕组的电流。在操作中， HV 漏极终端 104 通 常被连接以接收来自外部电路 ( 未示出 ) 的输入。如进一步示出的， 源极终端 106 可以被 连接至 HV 开关 102 的一个节点或终端 ； 另一个终端可以被连接至 HV 漏极终端 104。 0015 抽头元件108被连接至HV漏极终端104。 抽头元件108用作HV漏极终端104和高 压 IC 100 中连接至节点 129 的内部电路系统之间的缓冲， 高压 IC 100 额定于 (rate for) 相对低的电压。 在一个实施方案中，。
16、 抽头元件108包括这样的三端(three terminal)(即电 极 ) 晶体管器件结构， 其中当所施加的电压小于该晶体管器件的夹断电压时， 第一 ( 抽头 ) 终端处的电压基本上成比例于跨越 (across) 第二终端和第三终端所施加的电压。当跨越 第二终端和第三终端所施加的电压超出夹断电压时， 抽头终端处提供的电压在所施加的电 压增大时基本上是恒定的或不变的。在一个实施方案中， 抽头元件 108 包括结型场效应晶 体管 (JFET)。在操作中， 抽头元件 108 在 HV 终端 104 和高压 IC 中的内部电路系统 ( 其额 定于低得多的电压 ) 之间提供缓冲。例如， 在正常操作中，。
17、 HV 终端 104 可以暴露到 (expose to)超出550V的电压， 而节点129处出现的电压(暴露到高压IC 100的内部电路系统的最 大电压 ) 可以被限制到不大于 80V。 0016 如所示出的， 读取电路块 116 通过隔离块 114 连接至节点 129。在操作中， 在调配 操作后， 利用读取电路块 116 来读取可编程反熔丝块 122 中的多个反熔丝元件的状态。调 配涉及选择性地使选定的反熔 丝短路， 以调整该高压 IC 的一个或多个参数。例如， 调配可 以在高压 IC 100 上执行， 以确保性能满足某些限定的规范。换言之， 调配是这样的过程， 其 对选定的反熔丝进行写或编。
18、程， 以设置高压 IC 100 的某些运行特性。 0017 在调配后， 可以利用读取电路块 116 来确定 ( 即， 读取 ) 可编程反熔丝块 122 中的 每一反熔丝元件的状态。 如所示出的， 读取电路块116包括可编程反熔丝块122和读取感测 说 明 书 CN 102237141 A CN 102237146 A3/6 页 6 决 124。在一个实施方案中， 可编程反熔丝块 122 包括一系列或一阵列反熔丝元件。如在此 描述的， 反熔丝是这样的电路元件， 其在器件结构中提供通常 “断开” 的或基本上非导通的 电气连接， 比如电容器， 其具有由介电层(例如， 氧化物、 氮化物等)分隔开的两层。
19、或更多层 金属、 多晶硅或掺杂半导体材料。通过跨越所述导体施加大的电压 ( 其击穿 (break down) 或破坏介电层 )， 可以永久 (permanent) 闭合这两层之间的电气连接， 从而使这两层电气短 路。在调配操作中， 可以通过 HV 漏极终端 104 对可编程反熔丝块 122 进行编程。 0018 如所示出的， 可编程反熔丝块 122 被连接至读取感测块 124， 读取感测块 124 转而 被连接至低压 (LV) 控制器 112。在读取操作期间， 电压被施加至可编程反熔丝块 122， 以使 得一个或多个反熔丝元件接收低压。在一个实施例中， 在读取周期 (read cycle) 期。
20、间， 可 编程反熔丝块接收的电压基本上小于 ( 例如， 10V) 使反熔丝短路所需要的电压。在读取期 间， 使用低压以避免无意中使任何额外的反熔丝短路。在读取操作期间， 可编程反熔丝块 122 中被短路或调配的反熔丝处于导通状态， 这允许电流在该反熔丝的两个终端之间流动。 在一个实施方案中， 读取感测块 124 检测可编程反熔丝块 122 中被短路的反熔丝。如所示 出的， 读取信号 UREAD由 LV 控制器 112 生成， 以在感测块 124 中发起读取操作。在一个实施 例中， 该读取操作对可编程反熔丝块 122 中的每一反熔丝元件的状态进行读取。 0019 在一个实施方案中， 当隔离块 1。
21、14 被激活或 “接通” 时发起读取操作， 从而将节点 129 处出现的电压连接至读取电路块 116 的可编程反熔丝块 122。以这种方式， 读取感测块 124 可以对块 122 中的每一反熔丝 ( 即， 已调配的或未调配的 ) 的状态进行读取。在操作 中， 读 取感测块 124 输出状态信号 US1-USn， 其中每一状态信号对应于块 122 的一个个体反 熔丝。 0020 在一个实施例中， 在高压IC 100的启动期间执行读取操作。 在状态信号US1-USn已 被输出至 LV 控制器 112 后， 隔离块 114 被抑止 (deactivate)( 即，“断开” )， 从而使读取电 路块 。
22、116 与节点 129 隔离。这防止可编程反熔丝块 122 中的任一反熔丝在高压 IC 100 的 正常操作期间被短路。 0021 如所示出的， 调节电路 110 被连接至节点 129、 LV 控制器 112 和供电终端 118。在 操作中， 供电终端 118 可以被连接至外部供电电容器 (supply capacitor)119， 外部供电电 容器 119 向高压 IC 100 的内部电路系统提供电能。在高压 IC 100 的启动状况期间， HV 漏 极终端 104 可以被用来经由抽头元件 108 和调节电路 110 对外部电容器 119 进行充电。在 一个实施例中， 在高压 IC 100 。
23、的启动状况期间， 外部电容器 119 被充电至开始操作高压 IC 100 中的内部电路系统所需要的最小电压。操作所需要的最小电压可以是基于使高压 IC 100中的内部电路系统正常工作的最小操作电压来确定的一个值。 在正常操作中， 调节电路 110 可以调节 ( 从供电终端 118 接收的 ) 电压以给高压 IC 100 的内部电路系统供电。 0022 在高压 IC 100 的启动期间， 调节电路 110 可以从节点 129 分流， 以为外部电容器 119 充电。当从节点 129 抽取 (draw) 电流时， 节点 129 处的电压被限制在基本上为跨越电 容器 119 的电压。在一个实施例中， 。
24、当从节点 129 抽取电流时， 节点 129 处的电压降低至适 合用于读取电路块 116 的低压。一旦节点 129 处于低压， 隔离块 114 就可以被激活， 以将该 低压连接至读取电路块116。 如上面所描述的， 该电位被用来对块122中的每一反熔丝的状 态进行读取。应理解， 在节点 129 被连接至 ( 通过隔离块 114) 读取电路块 116 之前， 节点 129 处的电压降至低压， 以防止可编程反熔丝块 122 中的反熔丝在无意中被调配。 说 明 书 CN 102237141 A CN 102237146 A4/6 页 7 0023 图 2 示出了一个示例性高压 IC 200， 其包括。
25、 HV 开关 202、 HV 漏极终端 204， 源极 终端 206、 抽头元件 208、 调节电路 210、 LV 控制器 212、 隔离块 214、 读取 ( 调配 ) 块 216、 供 电终端 218、 反馈终端 220、 可编程反熔丝块 222 和读取感测块 224。在一个实施例中， HV 开关 202、 抽头元件 208、 调节电路 210、 LV 控制器 212、 隔离块 214、 读取块 216 和读取感测 块 224 可以分别是图 1 的 HV 开关 102、 抽头元件 108、 调节电路 110、 LV 控制器 112、 隔离块 114、 读取电路块 116 和读取感测块 1。
26、24 的实例。 0024 如所示出的， 调节电路 210 包括分流开关 211( 标记为 SWR) 和调节器 213。在高压 IC 200 的正常操作期间， 调节电路 210 通过切换分流开关 211 来调节供电终端 218 处的电 压。 更具体地， 分流开关211被切换以从节点229分流电流， 以调节供电终端218处的电压。 在高压 IC 200 的启动期间， 分流开关 211 是开通的， 从而外部电容器 ( 未示出 ) 被充电。 0025 在启动期间， 由于将电流分流以为外部电容器充电， 节点 229 处的电压是低压。 在此期间， 节点 229 可以通过隔离块 214 连接至节点 238，。
27、 以允许读取操作， 在所述读取 操作中， 每一反熔丝的状态被确定且传送至 LV 控制器 212。在读取期间， 所有反熔丝元件 (AF1-AFN) 都被暴露到小电压 ( 在节点 238 处提供的 )， 以检测每一反熔丝元件的状态。以 这种方式， 当分流开关 211 接通 ( 即， 分流电流 ) 时执行读取操作， 这在节点 229 处生成了 用于读取的低压。 0026 在一个实施方案中， 每一反熔丝元件包括这样的器件结构， 该器件结构包括微小 的 ( 约 10m2) 薄的 ( 例如， 100-200 ) 氧化物电容器， 该电容器的第一终端或电极 ( 例 如， 铝、 钨合金或其他金属 ) 连接至对应。
28、的开关晶体管的漏极区 ( 例如， AF1连接至 SW1的漏 极 )。该电容器的第二终端或电极 ( 例如， 多晶硅 ) 通过薄的栅极氧化物层与该漏极区分 隔。该第二终端被连接至 HV IC 200 中的节点 238。本领域从业者应理解， 与现有的齐纳二 极管相比 ( 其通常需要 150mA)， 调配每一反熔丝元件所需要的电流量显著较小。本领域 技术人员进一步应理解， 在此公开的反熔丝元件可以将功率 IC 器件的调配块的总体尺寸 减小到现有技术设计的五分之一或更小。 0027 在正常操作状况期间， 隔离块 214 使读取电路块 216( 在节点 238 处连接 ) 与在节 点 229 处出现的电压。
29、隔离。节点 229 包括抽头元件 208 的第一或 “抽头” 终端。抽头元件 208 的第二终端被连接至 HV 漏极终 端 204， 其还被连接至高压开关 202 的漏极。第三终 端其连接至 JFET 抽头晶体管结构的栅极通常被接地。 0028 半导体领域的技术人员应理解， 抽头元件 208 和高压开关 202 可以被集成在单个 器件结构中。还应理解， 读取电路块 216 和 LV 控制器 212 通常被制作在同一片硅材料上。 0029 隔离块 214 被示为包括 ： PMOS 晶体管 230， 其连接至 NMOS 电平移位晶体管 232 和 电平移位电阻器 234。节点 229 被连接至晶体。
30、管 230 的源极， 并且被连接至电阻器 234 的一 端。电阻器 234 的另一端被连接至晶体管 230 的栅极， 并且被连接至电平移位晶体管 232 的漏极。晶体管 232 的源极被连接至地。晶体管 232 的栅极被连接以接收由 LV 控制器 212 生成的信号 UCON。 0030 从业者应理解， 在正常操作状况下， 隔离块 214 的晶体管 230 用于使读取电路块 216 与抽头元件在节点 229 处产生的高压隔离。在一个实施方案中， PMOS 晶体管 230 可以 额定高达 (rate up to)80V。 0031 如所配置的， 晶体管 232 和电阻器 234 运行以使晶体管 。
31、230 的栅极控制信号电平 说 明 书 CN 102237141 A CN 102237146 A5/6 页 8 移位。信号 UCON的激活接通了晶体管 232， 晶体管 232 转而接通了晶体管 230， 从而将节点 229 连接至节点 238。在操作中， 当节点 229 处的电压是低压时 ( 例如， 在高压 IC 200 的启 动状况期间 )， LV 控制器 212 激活信号 UCON， 以将节点 229 连接至节点 238。相反地， LV 控 制器 212 可以抑止信号 UCON， 以在完成读取操作后使节点 229 从节点 238 脱离。在一个实施 方式中， 流过电平移位晶体管 232 。
32、和电阻器 234 的电流可以被设置， 以使得当晶体管 232 被 接通时， 晶体管 230 的栅 - 源电压被限制到约 10V。在某些实施方案中， 可以对电平移位晶 体管 232 的栅极进行箝位 (clamp)。 0032 如所示出的， 读取电路块 216 进一步包括可编程反熔丝块 222 和读取感测块 224。 如所示出的， 可编程反熔丝块222包括多个可编程反熔丝元件(AF1-AFn， 其中n是整数)。 每 一反熔丝元件被连接在节点 238 和读取感测块 224 中对应的感测开关 (SW1-SWn， 其中 n 是 整数 ) 之间。在编程 ( 即， 调配 ) 之前， 选定的反熔丝不传递任何电。
33、流 ； 即， 它对正常的直流 操作电压 ( 例如， VDD 5-6V) 表现为开路。 0033 通过接通块 224 中对应的选择器开关然后在节点 238 处施加合适 的电压 ( 例 如， 低压 )， 可以对读取电路块 216 中的选定的反熔丝进行读取。应理解， 烧穿 (blow) 选定 的反熔丝所需要的电压取决于栅极氧化物的厚度 ； 对于典型的氧化物厚度， 为约 30V。施 加在反熔丝元件 AF 的击穿电压附近或以上的电压可以导致反熔丝结构的栅极氧化物破裂 (rupture)， 从而在反熔丝 AF1的顶部电容性板和底部电容性板 ( 其具有通常在几千欧姆数 量级的电阻 ) 之间造成永久短路。可以。
34、通过使用读取感测块 224 来感测每一反熔丝元件的 电阻来读取每一反熔丝元件的状态。 0034 如所示出的， 读取感测块 224 包括多个可编程感测开关 SW1-SWn。在一个实施方案 中， 感测开关 SW 包括可以承受高达 80V 的 MOSFET。读取感测块 224 还包括与对应的感测开 关 SW 连接的多个电流源 CS1-CSn， 其中 n 是整数。在操作中， 每一电流源 CS 汲取 (sink) 电 流。在读取操作期间， LV 控制器 212 输出读取信号 UREAD， 其开通每一感测开关 SW1-SWn。一 旦一个反熔丝元件被短路， 对应的感测开关SW的漏极就升高至与节点238基本上。
35、相同的电 位。 0035 读取感测块 124 进一步包括多个锁存器 L1-Ln， 其中 n 是整数。在操作中， 每一锁 存器根据对应的感测开关 SW 的源极处的电压来接收高信号或低信号。例如， 在电压被施加 至节点238且感测开关SW1被接通的读取周期期间， 如果反熔丝AF1被短路， 则感测开关SW1 的源极为高 ； 从而， 锁存器L1向LV控制器212输出高信号。 以这种方式， 读取感测块224确 定每一反熔丝元件 AF 的状态。 0036 应理解， 高压开关202(其在一个实施方案中为MOSFET)被设计和制作以承受高达 约 700V 的高脉冲电压。在一种实施方式中， 高压 IC 200 。
36、被用在开关式电源中， 并且高压开 关 202 通过限制流过耦合电感或变压器初级绕组的电流来调节能量的传递。 0037 图3是用于读取高压IC中的一个或多个反熔丝元件的操作的一个示例性流程图。 图 3 的方法开始于将电位 ( 例如， 500V 或更高 ) 施加至高压 IC 的 HV 漏极终端 ( 框 310)。 接下来， 在决定框 320 处， 决定调节电路的分流开关 (SWR) 是否为接通 ( 框 320)。例如， 该 决定是通过检查图 2 的节点 218( 其连接至外部电容器 ) 处的电位是否已升高至某一电平 以上来做出的。如上面所解释的， 当分流开关 SWR为 接通时， 由于电流被分流以为。
37、外部电 容器充电， 抽头终端 ( 图 2 的节点 229) 处的电压是低压。 说 明 书 CN 102237141 A CN 102237146 A6/6 页 9 0038 一旦分流开关 SWR已接通， 抽头终端处提供的低压就可以被连接至可编程反熔丝 块 ( 框 330)。这可以通过激活或接通隔离块 214 来实现。例如， LV 控制器可以输出信号 UCON以接通隔离块的晶体管 232 和 230， 从而将抽头终端处出现的低压连接至可编程反熔丝 块的节点 238。 0039 接下来， LV 控制器生成读取信号 UREAD， 以接通读取感测块的读取选择器开关 (SW1-SWn)( 框 340)。。
38、随着读取选择器开关都被接通， 每一读取选择器开关的源极电压被锁 存在对应的锁存器 L1-Ln中 ( 框 350)， 从而锁存 ( 即， 存储 ) 反熔丝块的编程状态。然后， 该状态作为一组高或低的信号每一信号行 (line) 或位 (bit) 对应于一个个体反熔丝 的编程状态从读取感测块被输出至 LV 控制器 ( 框 360)。在反熔丝块的编程状态已被 LV 控制器接收后， 隔离块断开， 从而使可编程反熔丝块从抽头元件脱离 ( 框 370)。此时， 该 高压 IC 可以开始正常操作。 0040 尽管已结合一些具体实施方案描述了本发明， 但是本领域普通技术人员应理解， 多种改型和变体也在本发明的范围内。因此， 本说明书和附图应被认为是例示而非限制。 说 明 书 CN 102237141 A CN 102237146 A1/3 页 10 图 1 说 明 书 附 图 CN 102237141 A CN 102237146 A2/3 页 11 图 2 说 明 书 附 图 CN 102237141 A CN 102237146 A3/3 页 12 图 3 说 明 书 附 图 CN 102237141 A 。