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1、(10)申请公布号 CN 103366954 A (43)申请公布日 2013.10.23 CN 103366954 A *CN103366954A* (21)申请号 201310109337.1 (22)申请日 2013.03.29 2012-079613 2012.03.30 JP H01G 4/005(2006.01) H01G 4/30(2006.01) (71)申请人 太阳诱电株式会社 地址 日本东京 (72)发明人 水野高太郎 小西幸宏 谷口克哉 西川润 重谷寿士 粕谷雄一 北村翔平 小和濑裕介 井上真希 加藤洋一 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 1128。
2、7 代理人 王璐 (54) 发明名称 积层陶瓷电容器 (57) 摘要 本发明提供一种可满足小型化及大电容化的 需求且可有效地抑制成为鸣响的原因的振动的积 层陶瓷电容器。积层陶瓷电容器 (10-1) 在 26 层 内部电极层 (13) 中的存在于积层方向中央的 14 层内部电极层 (13) 的中央部分， 具有第一孤立电 极部所有部分 (13a)， 该第一孤立电极部所有部 分(13a)是连续电极部(CEP)、 与未和该连续电极 部 (CEP) 电性连续的至少 1 个孤立电极部 (IEP) 共存。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 9 页 附图 7 页 (19)。
3、中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书9页 附图7页 (10)申请公布号 CN 103366954 A CN 103366954 A *CN103366954A* 1/1 页 2 1. 一种积层陶瓷电容器， 其特征在于包括 ： 电容器本体， 具有将多个内部电极层隔着介电层积层而成的构造 ； 且 所述多个内部电极层中的至少存在于积层方向中央的至少 1 层内部电极层在其中央 部分具有第一孤立电极部所有部分， 该第一孤立电极部所有部分是连续电极部、 与未和该 连续电极部电性连续的孤立电极部共存。 2. 根据权利要求 1 所述的积层陶瓷电容器， 其特征在于 ： 所述。
4、第一孤立电极部所有部分设置在所述多个内部电极层的全部中。 3. 根据权利要求 1 所述的积层陶瓷电容器， 其特征在于 ： 所述多个内部电极层中的至少存在于积层方向中央的至少 1 层内部电极层在其周边 部分中的至少 1 边部分具有第二孤立电极部所有部分， 该第二孤立电极部所有部分是连续 电极部、 与未和该连续电极部电性连续的孤立电极部共存。 4. 根据权利要求 3 所述的积层陶瓷电容器， 其特征在于 ： 所述第二孤立电极部所有部分设置在所述多个内部电极层的全部中。 5. 根据权利要求 3 或 4 所述的积层陶瓷电容器， 其特征在于 ： 所述多个内部电极层具有大致矩形轮廓， 且所述第二孤立电极部所。
5、有部分设置在内部 电极层的除外部电极连接边以外的 3 边部分。 6. 根据权利要求 3 或 4 所述的积层陶瓷电容器， 其特征在于 ： 所述多个内部电极层具有大致矩形轮廓， 且所述第二孤立电极部所有部分设置在内部 电极层的与外部电极连接边邻接的 2 边部分。 7. 根据权利要求 3 或 4 所述的积层陶瓷电容器， 其特征在于 ： 所述多个内部电极层具有大致矩形轮廓， 且所述第二孤立电极部所有部分设置在内部 电极层的与外部电极连接边邻接的 1 边部分。 8. 根据权利要求 3 或 4 所述的积层陶瓷电容器， 其特征在于 ： 所述多个内部电极层具有大致矩形轮廓， 且所述第二孤立电极部所有部分设置在。
6、内部 电极层的与外部电极连接边对向的 1 边部分。 权 利 要 求 书 CN 103366954 A 2 1/9 页 3 积层陶瓷电容器 技术领域 0001 本发明涉及一种包括电容器本体的积层陶瓷电容器， 该电容器本体具有将多个内 部电极层隔着介电层积层而成的构造。 背景技术 0002 这种积层陶瓷电容器会因为在沿着积层方向邻接的内部电极层的对向部分间产 生的电场， 而在介于该内部电极层间的介电层中产生由电致伸缩效应 (Electrostrictive effect) 引起的机械应变， 从而在积层陶瓷电容器中产生由该机械应变引起的振动。另外， 众所周知， 在将积层陶瓷电容器安装在电路基板的状态。
7、下产生的所谓鸣响的原因为所述振 动。 0003 作为抑制所述振动 ( 所述鸣响 ) 的优选的方法， 已知如下方法， 即， (1) 利用低介 电常数材料形成所述介电层来抑制所述机械应变， (2) 设为像将所述内部电极层分割成两 部分那样的形状， 仅利用由存在于该两部分中间的介电层形成的部分来抑制所述机械应变 ( 参照下述专利文献 1)。 0004 但是， 根据所述方法 (1)， 由于为了确保大静电电容， 无法避免内部电极层及介电 层的层数增加， 所以难以满足近年来对小型化及大电容化的需求。 而且， 根据所述方法(2)， 由于为了确保大静电电容， 无法避免积层陶瓷电容器的尺寸增加， 所以难以满足近。
8、年来对 小型化及大电容化的需求。 0005 背景技术文献 0006 专利文献 0007 专利文献 1 日本专利特开 2004-193352 号公报 发明内容 0008 发明要解决的问题 0009 本发明的目的在于提供一种可满足小型化及大电容化的需求且可有效地抑制成 为鸣响的原因的振动的积层陶瓷电容器。 0010 解决问题的技术手段 0011 为了达成所述目的， 积层陶瓷电容器的特征在于包括 ： 电容器本体， 具有将多个内 部电极层隔着介电层积层而成的构造 ； 且所述多个内部电极层中的至少存在于积层方向中 央的至少 1 层内部电极层在其中央部分包括第一孤立电极部所有部分， 该第一孤立电极部 所有。
9、部分是连续电极部、 与未和该连续电极部电性连续的孤立电极部共存。 0012 发明的效果 0013 根据本发明， 由于在第一孤立电极部所有部分存在孤立电极部， 所以在沿着积层 方向邻接的内部电极层(至少一者具有第一孤立电极部所有部分的内部电极层)的对向部 分间产生的电场小于两者均不具有第一孤立电极部所有部分的情况， 由此， 在介于该内部 电极层间的介电层中， 由电致伸缩效应引起的机械应变减小， 通过该机械应变减小， 而有效 说 明 书 CN 103366954 A 3 2/9 页 4 地抑制在积层陶瓷电容器中产生的振动。由此， 在将积层陶瓷电容器安装在电路基板的情 况下， 也可通过抑制在该积层陶。
10、瓷电容器中产生的振动， 来有效地抑制以该振动为原因的 鸣响。 0014 而且， 因为无论在积层方向上邻接的内部电极层 ( 至少一者具有第一孤立电极部 所有部分的内部电极层 ) 的一第一孤立电极部所有部分的孤立电极部与另一者以何种形 态对向， 均可在该孤立电极部与另一者之间形成串联电容， 所以利用该串联电容填补形成 在两者之间的电容， 而可有效地抑制积层陶瓷电容器的静电电容降低。 0015 总之， 根据本发明， 由于可满足小型化及大电容化的需求， 且可有效地抑制成为鸣 响的原因的振动， 所以可确实地达成预期的目的。 0016 本发明的所述目的及除此以外的目的、 构成特征及作用效果可通过以下说明及。
11、附 图而明了。 附图说明 0017 图 1(A) 是沿宽度方向中央切断第一实施方式的积层陶瓷电容器的纵剖视图， 图 1(B) 是该积层陶瓷电容器的沿图 1(A) 的 B-B 线的纵剖视图。 0018 图 2(A) 是图 1(A) 及图 1(B) 所示的内部电极层中的具有第一孤立电极部所有部 分的内部电极层的俯视图， 图 2(B) 是图 1(A) 及图 1(B) 所示的内部电极层中的具有第一孤 立电极部所有部分、 且隔着介电层与图 2(A) 所示的内部电极层对向的内部电极层的俯视 图， 图 2(C) 是图 2(A) 及图 2(B) 所示的第一孤立电极部所有部分的放大图。 0019 图3(A)及图。
12、3(B)是利用第一孤立电极部所有部分的孤立电极部实现的静电电容 的降低抑制的说明图。 0020 图 4(A) 及图 4(B) 是表示图 1(A) 及图 1(B) 所示的积层陶瓷电容器的变化例的与 图 1(A) 及图 1(B) 对应的纵剖视图。 0021 图 5(A) 是沿宽度方向中央切断第二实施方式的积层陶瓷电容器的纵剖视图， 图 5(B) 是该积层陶瓷电容器的沿图 5(A) 的 B-B 线的纵剖视图。 0022 图 6(A) 是图 5(A) 及图 5(B) 所示的内部电极层中的具有第一孤立电极部所有部 分及第二孤立电极部所有部分的内部电极层的俯视图， 图 6(B) 是图 5(A) 及图 5(。
13、B) 所示的 内部电极层中的具有第一孤立电极部所有部分及第二孤立电极部所有部分、 且隔着介电层 与图 6(A) 所示的内部电极层对向的内部电极层的俯视图， 图 6(C) 是图 2(A) 及图 2(B) 所 示的第二孤立电极部所有部分的放大图。 0023 图 7(A) 及图 7(B) 是图 6(A) 及图 6(B) 所示的第二孤立电极部所有部分的形成方 法的说明图。 0024 图 8(A) 及图 8(B) 是表示图 6(A) 及图 6(B) 所示的内部电极层的变化例的与图 6(A) 及图 6(B) 对应的俯视图。 0025 图 9(A) 及图 9(B) 是表示图 6(A) 及图 6(B) 所示的。
14、内部电极层的其他变化例的与 图 6(A) 及图 6(B) 对应的俯视图。 0026 图 10(A) 及图 10(B) 是表示图 6(A) 及图 6(B) 所示的内部电极层的进而其他变化 例的与图 6(A) 及图 6(B) 对应的俯视图。 0027 图 11 是具有图 10(A) 及图 10(B) 所示的内部电极层的积层陶瓷电容器的与图 说 明 书 CN 103366954 A 4 3/9 页 5 5(B) 对应的纵剖视图。 0028 图 12(A) 及图 12(B) 是表示图 6(A) 及图 6(B) 所示的内部电极层的其他变化例的 与图 6(A) 及图 6(B) 对应的俯视图。 0029 图。
15、 13(A) 及图 13(B) 是表示图 5(A) 及图 5(B) 所示的积层陶瓷电容器的变化例的 与图 5(A) 及图 5(B) 对应的纵剖视图。 0030 符号的说明 0031 10-1、 10-2 积层陶瓷电容器 0032 11 电容器本体 0033 12 外部电极 0034 13 内部电极层 0035 13a 第一孤立电极部所有部分 0036 13b 第二孤立电极部所有部分 0037 14 介电层 0038 C1 电容 0039 C2 电容 0040 C2 电容 0041 C3 电容 0042 CL 切断线 0043 Cs 串联电容 0044 Cs 串联电容 0045 CEP 连续电极。
16、部 0046 CEPa 连续电极部 0047 CEPb 连续电极部 0048 DL 介电生胚 0049 H1 高度 0050 H2 高度 0051 H3 高度 0052 L1 长度 0053 L2 长度 0054 L3 长度 0055 L4 长度 0056 L5 长度 0057 IEP 孤立电极部 0058 IEPa 孤立电极部 0059 IEPb 孤立电极部 0060 TDA1 与积层方向中央对应的三维区域 0061 PL 内部电极图案 0062 PLa 薄层部分 0063 TH 贯穿孔 说 明 书 CN 103366954 A 5 4/9 页 6 0064 W1 宽度 0065 W2 宽度。
17、 0066 W3 宽度 0067 W4 宽度 0068 W5 宽度 具体实施方式 0069 第一实施方式 0070 0071 首先， 对积层陶瓷电容器 10-1 的构造进行说明。图 1(A) 及图 1(B) 所示的积层陶 瓷电容器 10-1 包括 ： 大致长方体形状的电容器本体 11， 长度、 宽度及高度的基准尺寸具有 长度宽度高度的关系、 或长度宽度高度的关系 ； 及 1 对外部电极 12， 设置在该电容 器本体 11 的长度方向两端部。 0072 电容器本体 11 具有将 26 层内部电极层 13 隔着介电层 14 积层而成的构造， 且在 高度方向的上侧及下侧存在仅积层着介电层14的边界(。
18、无符号)。 应对小型化及大电容化 的实际的积层陶瓷电容器中的内部电极层的实际上的层数达到 100 以上， 但是由于也存在 与附图的关系， 所以， 以下， 按照 26 层内部电极层 13， 适当地对构造等进行说明 ( 关于下述 第二实施方式也同样 )。 0073 各内部电极 13 包括镍、 铜、 钯、 银等金属， 各自的厚度为 1m 左右， 且具有大致相 同的大致矩形状轮廓。 26层内部电极层13中的从上数第奇数层的内部电极层13的左边电 性连接于左侧的外部电极 12， 且从上数第偶数层的内部电极层 13 的右边电性连接于右侧 的外部电极 12。 0074 各介电层 14、 上侧边界及下侧边界包。
19、含钛酸钡、 钛酸锶、 钛酸钙、 钛酸镁、 锆酸钙、 锆钛酸钙、 锆酸钡、 氧化钛等铁电体， 各介电层14的厚度为1m左右， 上侧边界及下侧边界 的厚度为 40m 左右。 0075 如图 1 所示， 26 层内部电极层 13 中的存在于积层方向中央的 14 层内部电极层 13 在其中央部分具有下述第一孤立电极部所有部分13a。 图2(A)表示具有第一孤立电极部所 有部分 13a 的 14 层内部电极层 13 中的在图 1 中从上数第奇数层的内部电极层 13 的上表 面， 图 2(B) 表示该 14 层内部电极层 13 中的在图 1 中从上数第偶数层的内部电极层 13 的 上表面。 0076 图 。
20、1 中以两点链线表示的 TDA1 表示与上一段中的 “积层方向中央” 对应的三维区 域， 该三维区域是在将在积层方向上邻接的内部电极层 13 的对向部分的长度设为 L1， 将宽 度设为 W1， 将 26 层内部电极层 13 存在的高度设为 H1 时， 由从长度 L1 减去 L2 及 L3 所得的 尺寸、 从宽度 W1 减去 W2 及 W3 所得的尺寸、 及从高度 H1 减去 H2 及 H3 所得的尺寸大致特定 出来。而且， 上一段中的 “其中央部分” 是由从长度 L1 减去 L2 及 L3 所得的尺寸、 以及从宽 度 W1 减去 W2 及 W3 所得的尺寸大致特定出来。此外， 优选的是 L2 。
21、及 L3 的尺寸在长度 L1 的 30 50的范围内， 优选的是 W2 及 W3 的尺寸在宽度 W1 的 5 50的范围内， 且优选 的是 H2 及 H3 的尺寸在高度 H1 的 5 50的范围内。 0077 如图 2(C) 所示， 第一孤立电极部所有部分 13a 是指虽然具有各种大小的多个贯 说 明 书 CN 103366954 A 6 5/9 页 7 穿孔 TH 但是电性连续的连续电极部 CEP、 与未和该连续电极部 CEP 电性连续的至少 1 个孤 立电极部 IEP 共存的部分。该图 2(C) 是基于利用扫描型电子显微镜 (Scanning Electron Microscope) 观察。
22、作为试制品的第一孤立电极部所有部分 13a 而得的图像 ( 倍率为 1000 倍 )， 根据观察结果， 孤立电极部 IEP 的存在位置是稍大贯穿孔 TH 的内侧， 孤立电极部 IEP 的形状及大小各种各样。 0078 0079 接着， 对所述积层陶瓷电容器10-1的优选制法例进行说明。 在制作时， 准备 ： 内部 电极用糊(paste)， 包含镍粉末、 松油醇(溶剂)、 容易形成残留碳的乙基纤维素(粘合剂)、 及分散剂等各种添加剂 ； 以及介电层用浆料(slurry)， 包含钛酸钡粉末、 乙醇(溶剂)、 聚乙 烯丁醛(粘合剂)、 及分散剂等各种添加剂。 而且， 以特定厚度涂敷介电层用浆料， 且。
23、进行干 燥， 而制作介电生胚 (dielectric green sheet)， 并且按照矩阵排列而将与单位面积获得 数量对应的数量的大致矩形轮廓的内部电极用糊层印刷至该介电生胚上， 且进行干燥， 而 制作带内部电极图案的介电生胚。 而且， 以特定数的介电生胚、 特定数的带内部电极图案的 介电生胚、 及特定数的介电生胚并列的方式依序进行积层且相互压合， 而制作未煅烧积层 体。然后， 将未煅烧积层体切断成格子状， 而制作与电容器本体 11 对应的未煅烧芯片。接 着， 将多个未煅烧芯片投入至煅烧炉， 在与所述镍粉末及所述钛酸钡粉末对应的特定温度 分布下进行煅烧(包括脱粘合剂处理及煅烧处理)。 而且。
24、， 在经过煅烧的芯片的长度方向两 端部涂布与内部电极用糊大致相同组成的外部电极用糊， 实施烧附处理， 而制作 1 对外部 电极。 0080 该制法例中， 关键点是使所述煅烧过程的脱粘合剂处理中的温度保持时间缩短， 使未煅烧芯片的积层方向中央的碳残留量升高， 通过煅烧处理中的残留碳燃烧， 而形成局 部性的强还原环境， 来进行介电层的烧结， 并且实现内部电极层的球状化及连续性的降低。 由此， 在经过煅烧的芯片的积层方向中央的多个内部电极层的中央部分形成与第一孤立电 极部所有部分 13a 对应的部分。 0081 0082 如上所述， 积层陶瓷电容器 10-1 在 26 层内部电极层 13 中的存在于。
25、积层方向中央 的14层内部电极层13的中央部分具有第一孤立电极部所有部分13a， 该第一孤立电极部所 有部分 13a 是连续电极部 CEP、 与未和该连续电极部 CEP 电性连续的至少 1 个孤立电极部 IEP 共存。 0083 也就是说， 由于在各第一孤立电极部所有部分 13a 至少存在 1 个孤立电极部 IEP， 所以在沿着积层方向邻接的内部电极层13(至少一者具有第一孤立电极部所有部分13a的 内部电极层 13) 的对向部分间产生的电场小于两者均不具有第一孤立电极部所有部分 13a 的情况， 由此， 在介于该内部电极层 13 间的介电层中， 由电致伸缩效应引起的机械应变减 小， 通过该机。
26、械应变减小， 而有效地抑制在积层陶瓷电容器 10-1 中产生的振动。由此， 在将 积层陶瓷电容器 10-1 安装在电路基板的情况下， 也可通过抑制在该积层陶瓷电容器 10-1 中产生的振动， 来有效地抑制以该振动为原因的鸣响。 0084 而且， 由于在各第一孤立电极部所有部分 13a 至少存在 1 个孤立电极部 IEP， 所以 在沿着积层方向邻接的内部电极层13(至少一者具有第一孤立电极部所有部分13a)中， 可 获得一个第一孤立电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEP 与另一个第一孤立电极部所有 说 明 书 CN 103366954 A 7 6/9 页 8 部分 13a 的连续电极部 C。
27、EP 及孤立电极部 IEP 对向的形态、 一个第一孤立电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEP 与另一个第一孤立电极部所有部分 13a 的连续电极部 CEP 对向的形 态、 一个第一孤立电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEP 与另一个第一孤立电极部所有部 分 13a 的孤立电极部 IEP 对向的形态、 或一个第一孤立电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEP 与不具有第一孤立电极部所有部分 13a 的内部电极层 13 对向的形态等。 0085 也就是说， 因为无论在积层方向上邻接的内部电极层 13( 至少一者具有第一孤立 电极部所有部分 13a 的内部电极层 13) 的一个第一孤立。
28、电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEP 与另一者以何种形态对向， 在该孤立电极部 IEP 与另一者之间均可形成串联电容， 所以 利用该串联电容填补形成在两者之间的电容， 而可有效地抑制积层陶瓷电容器 10-1 的静 电电容降低。 0086 此处， 利用图3(A)及图3(B)对上一段的静电电容降低的抑制具体地进行说明。 图 3(A) 表示上侧的第一孤立电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEPa 与下侧的第一孤立电极 部所有部分 13a 的连续电极部 CEPb 及孤立电极部 IEPb 对向的状态。在该状态下， 在上侧 的第一孤立电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEPa 与连续电极部。
29、 CEPa 之间产生电容 C1， 在上侧的第一孤立电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEPa 与下侧的第一孤立电极部所有 部分 13a 的连续电极部 CEPb 之间产生电容 C2， 在上侧的第一孤立电极部所有部分 13a 的 孤立电极部 IEPa 与下侧的第一孤立电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEPb 之间产生电容 C2， 在下侧的第一孤立电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEPb 与连续电极部 CEPb 之间 产生电容 C3。 0087 电容C1与电容C2形成如图3(B)的上侧所示的串联电容Cs， 电容C1、 电容C2与 电容 C3 形成如图 3(B) 的下侧所示的串联电容 。
30、Cs。由于这些串联电容 Cs 及 Cs填补形 成在上侧的第一孤立电极部所有部分13a与下侧的第一孤立电极部所有部分13a之间的电 容， 所以可有效地抑制积层陶瓷电容器 10-1 的静电电容降低。 0088 虽然省略图示， 但是在上侧的第一孤立电极部所有部分13a的孤立电极部IEPa与 下侧的第一孤立电极部所有部分13a的连续电极部CEPb对向的情况下， 也可至少形成串联 电容 Cs， 而且， 在上侧的第一孤立电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEPa 与下侧的第一孤 立电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEPb 对向的情况下， 也可至少形成串联电容 Cs， 此 外， 在上侧的第一孤立电。
31、极部所有部分13a的孤立电极部IEPa与不具有下侧的第一孤立电 极部所有部分 13a 的内部电极 13 对向的情况下， 也可形成串联电容 Cs， 因此， 在这些情况 下， 也可有效地抑制积层陶瓷电容器 10-1 的静电电容降低。 0089 总之， 根据所述积层陶瓷电容器 10-1， 由于可满足小型化及大电容化的需求， 且可 有效地抑制成为鸣响的原因的振动， 所以可确实地达成预期的目的。 0090 0091 在以上的说明中， 表示了在 26 层内部电极层 13 中的存在于积层方向中央的 14 层 内部电极层 13 的中央部分具有第一孤立电极部所有部分 13a 的积层陶瓷电容器 10-1， 不 过。
32、， 当在存在于积层方向中央的 1 层 13 层内部电极层 13 的中央部分具有第一孤立电极 部所有部分 13a 的情况下、 在存在于积层方向中央的 15 层 25 层内部电极层 13 的中央部 分具有第一孤立电极部所有部分 13a 的情况下、 或在 26 层内部电极层 13 全部的中央部分 具有第一孤立电极部所有部分 13a 的情况下 ( 参照图 4(A) 及图 4(B)， 也可获得与所述相 说 明 书 CN 103366954 A 8 7/9 页 9 同的作用、 效果。 0092 第二实施方式 0093 首先， 对积层陶瓷电容器 10-2 的构造进行说明。图 5(A)、 及图 5(B) 所示。
33、的积层 陶瓷电容器 10-2 在构造上与第一实施方式的积层陶瓷电容器 10-1 不同的方面是如图 5 所 示， 26层内部电极层13中的存在于积层方向中央的14层内部电极层13除了在其中央部分 具有第一孤立电极部所有部分 13a 以外， 还在其周边部分具有下述第二孤立电极部所有部 分 13b。 0094 图 6(A) 表示包括第一孤立电极部所有部分 13a 及第二孤立电极部所有部分 13b 的 14 层内部电极层 13 中的在图 5 中从上数第奇数层的内部电极层 13 的上表面， 图 6(B) 表示该 14 层内部电极层 13 中的在图 5 中从上数第偶数层的内部电极层 13 的上表面。根 据。
34、这些图可知， 第二孤立电极部所有部分13b设置在存在于积层方向中央的14层内部电极 层 13 的除外部电极连接边以外的 3 边部分。 0095 上上一段中的 “其周边部分” 是由设定在长度 L1 两侧的 L4 及 L5 的尺寸、 以及设 定在宽度 W1 两侧的 W4 及 W5 的尺寸大致特定出来。此外， 优选的是 L4 及 L5 的尺寸在长度 L1 的 0.1 5的范围内， 且优选的是 W4 及 W5 的尺寸在宽度 W1 的 0.1 10的范围内。 0096 如图 6(C) 所示， 第二孤立电极部所有部分 13b 是指虽然具有各种大小的多个贯 穿孔 TH 但是电性连续的连续电极部 CEP、 与。
35、未和该连续电极部 CEP 电性连续的至少 1 个孤 立电极部 IEP 共存的部分。该图 6(C) 是基于利用扫描型电子显微镜 (Scanning Electron Microscope) 观察作为试制品的第二孤立电极部所有部分 13b 而得的图像 ( 倍率为 1000 倍)， 根据观察结果， 孤立电极部IEP的存在位置是稍大贯穿孔TH的内侧或形成在周缘的稍 大凹部 ( 无符号 ) 的内侧， 孤立电极部 IEP 的形状及大小各种各样。 0097 0098 接着， 对所述积层陶瓷电容器 10-2 的优选制法例、 尤其是与所述 不同的地方进行说明。 0099 在所述的 “制作带内部电极图案的介电生 。
36、胚的步骤” 中， 如图 7(A) 及图 7(B) 所示， 在介电生胚 DL 上的内部电极图案 PL 的周边整体 形成该内部电极图案 PL 的厚度变薄的部分 ( 以下称为薄层部分 PLa)。该薄层部分 PLa 除 了可以是厚度随着向外侧而逐渐变薄的部分以外， 也可以是整体都薄的部分、 或在周缘产 生有磨痕的部分。而且， 该薄层部分 PLa 的形成可通过内部电极用糊的粘度调节或印刷速 度调节 ( 例如丝网印刷时的刮刀速度 ) 等而简单地实现。此外， 图 7(A) 及图 7(B) 所示的 CL 是所述 的 “将未煅烧积层体切断成格子状的步 骤” 中的切断线。 0100 如果在内部电极图案 PL 中有。
37、这种薄层部分 PLa， 那么在所述 的 “对未煅烧芯片进行煅烧的步骤” 中， 由于该薄层部分 PLa 的厚度 薄， 所以容易实现煅烧处理中的球状化及连续性的降低， 由此， 在经过煅烧的芯片的积层方 向中央的多个内部电极层的周边部分形成与第二孤立电极部所有部分 13b 对应的部分。 0101 0102 如上所述， 积层陶瓷电容器 10-2 在 26 层内部电极层 13 中的存在于积层方向中央 的14层内部电极层13的中央部分具有第一孤立电极部所有部分13a， 该第一孤立电极部所 说 明 书 CN 103366954 A 9 8/9 页 10 有部分 13a 是连续电极部 CEP、 与未和该连续电。
38、极部 CEP 电性连续的至少 1 个孤立电极部 IEP 共存， 并且在该 14 层内部电极层 13 的周边部分具有第二孤立电极部所有部分 13b， 该 第二孤立电极部所有部分13b是连续电极部CEP、 与未和该连续电极部CEP电性连续的至少 1 个孤立电极部 IEP 共存。 0103 也就是说， 由于在各第一孤立电极部所有部分 13a 及各第二孤立电极部所有部分 13b 至少存在 1 个孤立电极部 IEP， 所以在沿着积层方向邻接的内部电极层 13( 至少一者具 有第一孤立电极部所有部分13a的内部电极层13)的对向部分间产生的电场小于两者均不 具有第一孤立电极部所有部分 13a 及第二孤立电。
39、极部所有部分 13b 的情况， 由此， 在介于 该内部电极层 13 间的介电层中， 由电致伸缩效应引起的机械应变减小， 通过该机械应变减 小， 而有效地抑制在积层陶瓷电容器 10-2 中产生的振动。由此， 在将积层陶瓷电容器 10-2 安装在电路基板的情况下， 也可通过抑制在该积层陶瓷电容器 10-2 中产生的振动， 来有效 地抑制以该振动为原因的鸣响。 0104 而且， 由于在各第一孤立电极部所有部分 13a 及各第二孤立电极部所有部分 13b 至少存在1个孤立电极部IEP， 所以在沿着积层方向邻接的内部电极层13(至少一者具有第 一孤立电极部所有部分 13a) 中， 除了在所述 中所述的形。
40、态以外， 还可获得一个第二孤立电极部所有部分 13b 的孤立电极部 IEP 与 另一个第二孤立电极部所有部分 13b 的连续电极部 CEP 及孤立电极部 IEP 对向的形态、 一 个第二孤立电极部所有部分 13b 的孤立电极部 IEP 与另一个第二孤立电极部所有部分 13b 的连续电极部 CEP 对向的形态、 一个第二孤立电极部所有部分 13b 的孤立电极部 IEP 与另 一个第二孤立电极部所有部分 13b 的孤立电极部 IEP 对向的形态、 或一个第二孤立电极部 所有部分 13b 的孤立电极部 IEP 与不具有第二孤立电极部所有部分 13b 的内部电极层 13 对向的形态等。 0105 也就。
41、是说， 因为无论在积层方向上邻接的内部电极层 13( 至少一者具有第一孤立 电极部所有部分 13a 的内部电极层 13) 的一个第一孤立电极部所有部分 13a 的孤立电极部 IEP 与另一者以何种形态对向， 在该孤立电极部 IEP 与另一者之间均可形成串联电容， 所以 利用该串联电容填补形成在两者之间的电容， 而可有效地抑制积层陶瓷电容器 10-2 的静 电电容降低， 并且因为无论在积层方向上邻接的内部电极层 13( 至少一者具有第二孤立电 极部所有部分 13b 的内部电极层 13) 的一个第二孤立电极部所有部分 13b 的孤立电极部 IEP 与另一者以何种形态对向， 在该孤立电极部 IEP 。
42、与另一者之间均可形成串联电容， 所以 利用该串联电容填补形成在两者之间的电容， 而可有效地抑制积层陶瓷电容器 102 的静电 电容降低。由于后者的静电电容降低的抑制作用与利用图 3(A) 及图 3(B) 在所述 中说明的内容基本相同， 所以省略此处的说明。 0106 此外， 由于各内部电极层 13 的周缘容易因边缘效应而产生电场的集中， 所以有以 下担忧， 即， 介于该内部电极层13间的介电层14的周缘及其外侧部分的由电致伸缩效应引 起的机械应变增加， 而在该介电层 14 的周缘的外侧部分产生裂缝。但是， 由于具有第二孤 立电极部所有部分13b的内部电极层13形成如上所述的串联电容， 所以由边。
43、缘效应引起的 电场的集中得到缓解， 由此， 使介电层 14 的周缘及其外侧部分的由电致伸缩效应引起的机 械应变减小， 而可消除在该介电层 14 的周缘的外侧部分产生裂缝的担忧。 0107 说 明 书 CN 103366954 A 10 9/9 页 11 0108 在以上的说明中， 表示了第二孤立电极部所有部分 13b 设置在存在于积层方向中 央的 14 层内部电极层 13 的除外部电极连接边以外的 3 边部分的积层陶瓷电容器 10-2， 但 是在第二孤立电极部所有部分 13b 设置在存在于积层方向中央的 14 层内部电极层 13 的与 外部电极连接边邻接的 2 边部分的情况下 ( 参照图 8(。
44、A) 及图 8(B)、 第二孤立电极部所有 部分 13b 设置在存在于积层方向中央的 14 层内部电极层 13 的与外部电极连接边邻接的 1 边上的情况下 ( 参照图 9(A) 及图 9(B)、 以及图 10(A) 及图 10(B)、 或第二孤立电极部所有 部分 13b 设置在存在于积层方向中央的 14 层内部电极层 13 的与外部电极连接边对向的 1 边部分的情况下 ( 参照图 12(A) 及图 12(B)， 也可获得与所述相同的作用、 效果。 0109 尤其是如图 10(A) 及图 10(B) 所示， 即便为内部电极层 13 的与外部电极连接边邻 接的 1 边， 在第二孤立电极部所有部分 。
45、13b 的位置不对称的 2 种内部电极层 13 的情况下， 如图 11 所示， 也可制成像第二孤立电极部所有部分 13b 每隔 1 层地存在于图中的左右两侧 那样的构造。 0110 此外， 在以上的说明中， 表示了在 26 层内部电极层 13 中的存在于积层方向中央 的 14 层内部电极层 13 的周边部分具有第二孤立电极部所有部分 13b 的积层陶瓷电容器 10-2， 但是与第一孤立电极部所有部分 13a 同样地， 当在存在于积层方向中央的 1 层 13 层内部电极层13的周边部分具有第二孤立电极部所有部分13b的情况下、 在存在于积层方 向中央的 15 层 25 层内部电极层 13 的周边。
46、部分具有第二孤立电极部所有部分 13b 的情 况下、 或在 26 层内部电极层 13 全部的周边部分具有第一孤立电极部所有部分 13a 的情况 下 ( 参照图 13(A) 及图 13(B)， 也可获得与所述相同的作用、 效果。 说 明 书 CN 103366954 A 11 1/7 页 12 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 103366954 A 12 2/7 页 13 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 103366954 A 13 3/7 页 14 图 5 图 6 说 明 书 附 图 CN 103366954 A 14 4/7 页 15 图 7 图 8 说 明 书 附 图 CN 103366954 A 15 5/7 页 16 图 9 图 10 说 明 书 附 图 CN 103366954 A 16 6/7 页 17 图 11 图 12 说 明 书 附 图 CN 103366954 A 17 7/7 页 18 图 13 说 明 书 附 图 CN 103366954 A 18 。