电子标签中调制负载电压的系统.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201210225644.1

申请日:

2012.07.03

公开号:

CN103530671A

公开日:

2014.01.22

当前法律状态:

驳回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G06K 19/067申请公布日:20140122|||实质审查的生效IPC(主分类):G06K 19/067申请日:20120703|||公开

IPC分类号:

G06K19/067

主分类号:

G06K19/067

申请人:

成都市宏山科技有限公司

发明人:

曾维亮

地址:

610000 四川省成都市高新区永丰路20号附2号1层

优先权:

专利代理机构:

代理人:

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内容摘要

本发明公开了电子标签中调制负载电压的系统,包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门,四个NMOS晶体管的源极均接地。第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及第二PMOS晶体管三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管源极和第三NMOS晶体管漏极之间的线路上,第一PMOS晶体管栅极连接在第二PMOS晶体管源极和第四NMOS晶体管漏极之间的线路上。第二非门与第四NMOS晶体管栅极连接,第三NMOS晶体管栅极与第一非门和第二非门之间的线路连接。本发明采用上述结构,整体结构简单,节省成本,且在提高阅读器天线的感应电压时不需增加阅读器的成本和体积。

权利要求书

权利要求书
1.  电子标签中调制负载电压的系统,其特征在于:包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门,所述四个NMOS晶体管的源极均接地;所述四个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)及第四NMOS晶体管(N4),所述PMOS晶体管包括第一PMOS晶体管(P1)和第二PMOS晶体管(P2),第一PMOS晶体管(P1)源极与第三NMOS晶体管(N3)漏极连接,第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)及第二PMOS晶体管(P2)三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管(P1)源极和第三NMOS晶体管(N3)漏极之间的线路上,所述第二PMOS晶体管(P2)源极与第四NMOS晶体管(N4)漏极连接,第一PMOS晶体管(P1)栅极连接在第二PMOS晶体管(P2)源极和第四NMOS晶体管(N4)漏极之间的线路上;所述非门包括第一非门(1)和第二非门(2),所述第二非门(2)的输入端与第一非门(1)的输出端连接,第二非门(2)的输出端与第四NMOS晶体管(N4)栅极连接,所述第三NMOS晶体管(N3)栅极与第一非门(1)和第二非门(2)之间的线路连接。

2.  根据权利要求1所述的电子标签中调制负载电压的系统,其特征在于:所述第一NMOS晶体管(N1)的漏极连接有第一电阻(R1),所述第二NMOS晶体管(N2)的漏极连接有第二电阻(R2)。

3.  根据权利要求1或2所述的电子标签中调制负载电压的系统,其特征在于:所述第一非门(1)的输入端连接有数据接收端口(Data)。

说明书

说明书电子标签中调制负载电压的系统
技术领域
本发明涉及射频技术领域,具体是电子标签中调制负载电压的系统。
背景技术
射频识别是当前应用最广泛的非接触式自动目标识别技术之一,其具有非接触、读写灵活、速度快、安全性高等优点,因此被广泛应用于各个领域。现有射频识别系统中阅读器和电子标签天线之间的耦合很弱,阅读器天线上接收的信号的电压波动比阅读器的输出电压小,如13.56MHz的系统,当阅读器天线电压大约为100V时,只能得到大约10mv的有效信号。为了使阅读器检测出这些很小电压的变化,现有阅读器上电路设计复杂,这就增加了阅读器的体积和成本。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供了一种结构简单,成本低,且能提高阅读器天线感应电压的电子标签中调制负载电压的系统。
本发明的目的主要通过以下技术方案实现:电子标签中调制负载电压的系统,包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门,所述四个NMOS晶体管的源极均接地;所述四个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管,所述PMOS晶体管包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,第一PMOS晶体管源极与第三NMOS晶体管漏极连接,第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及第二PMOS晶体管三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管源极和第三NMOS晶体管漏极之间的线路上,所述第二PMOS晶体管源极与第四NMOS晶体管漏极连接,第一PMOS晶体管栅极连接在第二PMOS晶体管源极和第四NMOS晶体管漏极之间的线路上;所述非门包括第一非门和第二非门,所述第二非门的输入端与第一非门的输出端连接,第二非门的输出端与第四NMOS晶体管栅极连接,所述第三NMOS晶体管栅极与第一非门和第二非门之间的线路连接。
所述第一NMOS晶体管的漏极连接有第一电阻,所述第二NMOS晶体管的漏极连接有第二电阻。本发明在应用时第一电阻相对连接第一NMOS晶体管的漏极端的另一端为一个射频接入点,第二电阻相对连接第二NMOS晶体管的漏极端的另一端为一个射频接入点,本发明在应用时两个射频接入点均连接在电子标签的天线上。
所述第一非门的输入端连接有数据接收端口。本发明的数据接收端口在应用时来接收电子标签发送的数据。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:本发明包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管、两个非门及两个电阻,整体结构简单,便于实现,成本低,其中,四个NMOS晶体管中的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管形成负载调制开关管,第一电阻和第二电阻为调制电阻,第一电阻和第二电阻并联到电子标签天线两端,第一非门的输入端接收到低电平时,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管判断,天线工作电流不变,第一非门的输入端接收到高电平时,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管导通,天线等效负载电阻降低,天线电流增大、感应电压降低,如此,阅读器天线的感应电压升高,通过本发明能避免在阅读器上增设识别小电压信号的电路,节省阅读器成本。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。
附图中附图标记所对应的名称为:N1—第一NMOS晶体管,N2—第二NMOS晶体管,N3—第三NMOS晶体管,N4—第四NMOS晶体管,P1—第一PMOS晶体管,P2—第二PMOS晶体管,Data—数据接收端口,1—第一非门,2—第二非门,R1—第一电阻,R2—第二电阻。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步的详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
实施例:
如图1所示,电子标签中调制负载电压的系统,包括外壳及设置在外壳内的内部电路,内部电路包括四个NMOS晶体管和两个PMOS晶体管,其中,四个NMOS晶体管的源极均接地。四个NMOS晶体管分别为第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3及第四NMOS晶体管N4,两个PMOS晶体管分别为第一PMOS晶体管P1和第二PMOS晶体管P2。第一PMOS晶体管P1源极与第三NMOS晶体管N3漏极连接,第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2及第二PMOS晶体管P2三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管P1源极和第三NMOS晶体管N3漏极之间的线路上。第二PMOS晶体管P2源极与第四NMOS晶体管N4漏极连接,第一PMOS晶体管P1栅极连接在第二PMOS晶体管P2源极和第四NMOS晶体管N4漏极之间的线路上,第一PMOS晶体管P1漏极和第二PMOS晶体管P2漏极均连接在一个电源上。在应用时,第一NMOS晶体管N1的漏极连接有第一电阻R1,第二NMOS晶体管N2的漏极连接有第二电阻R2,第一电阻R1相对连接第一NMOS晶体管N1漏极端的另一端连接和第二电阻R2相对连接第二NMOS晶体管N2漏极端的另一端均连接在电子标签的天线上。
电子标签中调制负载电压的系统,还包括第一非门1和第二非门2,其中,第二非门2的输入端与第一非门的输出端连接,第二非门2的输出端与第四NMOS晶体管N4栅极连接,第三NMOS晶体管N3栅极与第一非门1和第二非门2之间的线路连接,第一非门1的输入端连接有接收电子标签发送数据的数据接收端口Data。
如上所述,则能很好的实现本发明。

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资源描述

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1、(10)申请公布号 CN 103530671 A (43)申请公布日 2014.01.22 CN 103530671 A (21)申请号 201210225644.1 (22)申请日 2012.07.03 G06K 19/067(2006.01) (71)申请人 成都市宏山科技有限公司 地址 610000 四川省成都市高新区永丰路 20 号附 2 号 1 层 (72)发明人 曾维亮 (54) 发明名称 电子标签中调制负载电压的系统 (57) 摘要 本发明公开了电子标签中调制负载电压的系 统, 包括四个 NMOS 晶体管、 两个 PMOS 晶体管及两 个非门, 四个 NMOS 晶体管的源极均接地。

2、。第一 NMOS 晶体管、 第二 NMOS 晶体管及第二 PMOS 晶体 管三者的栅极均连接在第一 PMOS 晶体管源极和 第三 NMOS 晶体管漏极之间的线路上, 第一 PMOS 晶体管栅极连接在第二 PMOS 晶体管源极和第四 NMOS 晶体管漏极之间的线路上。第二非门与第四 NMOS晶体管栅极连接, 第三NMOS晶体管栅极与第 一非门和第二非门之间的线路连接。本发明采用 上述结构, 整体结构简单, 节省成本, 且在提高阅 读器天线的感应电压时不需增加阅读器的成本和 体积。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (1。

3、2)发明专利申请 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (10)申请公布号 CN 103530671 A CN 103530671 A 1/1 页 2 1. 电子标签中调制负载电压的系统, 其特征在于 : 包括四个 NMOS 晶体管、 两个 PMOS 晶体管及两个非门, 所述四个 NMOS 晶体管的源极均接地 ; 所述四个 NMOS 晶体管包括第一 NMOS 晶体管 (N1) 、 第二 NMOS 晶体管 (N2) 、 第三 NMOS 晶体管 (N3) 及第四 NMOS 晶体管 (N4) , 所述 PMOS 晶体管包括第一 PMOS 晶体管 (P1) 和第二 PMOS 晶体管 (P2) , 第一。

4、 PMOS 晶体管 (P1) 源极与第三 NMOS 晶体管 (N3) 漏极连接, 第一 NMOS 晶体管 (N1) 、 第二 NMOS 晶体管 (N2) 及第二 PMOS 晶体管 (P2) 三者的栅极均连接在第一 PMOS 晶体管 (P1) 源极和第三 NMOS 晶 体管 (N3) 漏极之间的线路上, 所述第二 PMOS 晶体管 (P2) 源极与第四 NMOS 晶体管 (N4) 漏 极连接, 第一 PMOS 晶体管 (P1) 栅极连接在第二 PMOS 晶体管 (P2) 源极和第四 NMOS 晶体管 (N4) 漏极之间的线路上 ; 所述非门包括第一非门 (1) 和第二非门 (2) , 所述第二非。

5、门 (2) 的 输入端与第一非门 (1) 的输出端连接, 第二非门 (2) 的输出端与第四 NMOS 晶体管 (N4) 栅极 连接, 所述第三 NMOS 晶体管 (N3) 栅极与第一非门 (1) 和第二非门 (2) 之间的线路连接。 2. 根据权利要求 1 所述的电子标签中调制负载电压的系统, 其特征在于 : 所述第一 NMOS 晶体管 (N1) 的漏极连接有第一电阻 (R1) , 所述第二 NMOS 晶体管 (N2) 的漏极连接有第 二电阻 (R2) 。 3. 根据权利要求 1 或 2 所述的电子标签中调制负载电压的系统, 其特征在于 : 所述第 一非门 (1) 的输入端连接有数据接收端口 。

6、(Data) 。 权 利 要 求 书 CN 103530671 A 2 1/2 页 3 电子标签中调制负载电压的系统 技术领域 0001 本发明涉及射频技术领域, 具体是电子标签中调制负载电压的系统。 背景技术 0002 射频识别是当前应用最广泛的非接触式自动目标识别技术之一, 其具有非接触、 读写灵活、 速度快、 安全性高等优点, 因此被广泛应用于各个领域。现有射频识别系统中阅 读器和电子标签天线之间的耦合很弱, 阅读器天线上接收的信号的电压波动比阅读器的输 出电压小, 如 13.56MHz 的系统, 当阅读器天线电压大约为 100V 时, 只能得到大约 10mv 的有 效信号。 为了使阅读。

7、器检测出这些很小电压的变化, 现有阅读器上电路设计复杂, 这就增加 了阅读器的体积和成本。 发明内容 0003 本发明的目的在于克服现有技术的不足, 提供了一种结构简单, 成本低, 且能提高 阅读器天线感应电压的电子标签中调制负载电压的系统。 0004 本发明的目的主要通过以下技术方案实现 : 电子标签中调制负载电压的系统, 包 括四个NMOS晶体管、 两个PMOS晶体管及两个非门, 所述四个NMOS晶体管的源极均接地 ; 所 述四个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管、 第二NMOS晶体管、 第三NMOS晶体管及第四NMOS 晶体管, 所述 PMOS 晶体管包括第一 PMOS 晶体管和第二 。

8、PMOS 晶体管, 第一 PMOS 晶体管源 极与第三 NMOS 晶体管漏极连接, 第一 NMOS 晶体管、 第二 NMOS 晶体管及第二 PMOS 晶体管三 者的栅极均连接在第一 PMOS 晶体管源极和第三 NMOS 晶体管漏极之间的线路上, 所述第二 PMOS晶体管源极与第四NMOS晶体管漏极连接, 第一PMOS晶体管栅极连接在第二PMOS晶体 管源极和第四 NMOS 晶体管漏极之间的线路上 ; 所述非门包括第一非门和第二非门, 所述第 二非门的输入端与第一非门的输出端连接, 第二非门的输出端与第四 NMOS 晶体管栅极连 接, 所述第三 NMOS 晶体管栅极与第一非门和第二非门之间的线路。

9、连接。 0005 所述第一 NMOS 晶体管的漏极连接有第一电阻, 所述第二 NMOS 晶体管的漏极连接 有第二电阻。本发明在应用时第一电阻相对连接第一 NMOS 晶体管的漏极端的另一端为一 个射频接入点, 第二电阻相对连接第二 NMOS 晶体管的漏极端的另一端为一个射频接入点, 本发明在应用时两个射频接入点均连接在电子标签的天线上。 0006 所述第一非门的输入端连接有数据接收端口。 本发明的数据接收端口在应用时来 接收电子标签发送的数据。 0007 与现有技术相比, 本发明具有以下有益效果 : 本发明包括四个 NMOS 晶体管、 两个 PMOS 晶体管、 两个非门及两个电阻, 整体结构简单。

10、, 便于实现, 成本低, 其中, 四个 NMOS 晶体 管中的第一 NMOS 晶体管和第二 NMOS 晶体管形成负载调制开关管, 第一电阻和第二电阻为 调制电阻, 第一电阻和第二电阻并联到电子标签天线两端, 第一非门的输入端接收到低电 平时, 第一 NMOS 晶体管和第二 NMOS 晶体管判断, 天线工作电流不变, 第一非门的输入端接 收到高电平时, 第一 NMOS 晶体管和第二 NMOS 晶体管导通, 天线等效负载电阻降低, 天线电 说 明 书 CN 103530671 A 3 2/2 页 4 流增大、 感应电压降低, 如此, 阅读器天线的感应电压升高, 通过本发明能避免在阅读器上 增设识别。

11、小电压信号的电路, 节省阅读器成本。 附图说明 0008 图 1 为本发明实施例的结构示意图。 0009 附图中附图标记所对应的名称为 : N1第一 NMOS 晶体管, N2第二 NMOS 晶体管, N3第三 NMOS 晶体管, N4第四 NMOS 晶体管, P1第一 PMOS 晶体管, P2第二 PMOS 晶体 管, Data数据接收端口, 1第一非门, 2第二非门, R1第一电阻, R2第二电阻。 具体实施方式 0010 下面结合实施例及附图对本发明作进一步的详细说明, 但本发明的实施方式不限 于此。 0011 实施例 : 如图 1 所示, 电子标签中调制负载电压的系统, 包括外壳及设置在。

12、外壳内的内部电路, 内部电路包括四个 NMOS 晶体管和两个 PMOS 晶体管, 其中, 四个 NMOS 晶体管的源极均接地。 四个 NMOS 晶体管分别为第一 NMOS 晶体管 N1、 第二 NMOS 晶体管 N2、 第三 NMOS 晶体管 N3 及 第四 NMOS 晶体管 N4, 两个 PMOS 晶体管分别为第一 PMOS 晶体管 P1 和第二 PMOS 晶体管 P2。 第一 PMOS 晶体管 P1 源极与第三 NMOS 晶体管 N3 漏极连接, 第一 NMOS 晶体管 N1、 第二 NMOS 晶体管N2及第二PMOS晶体管P2三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管P1源极和第三NMOS 晶。

13、体管 N3 漏极之间的线路上。第二 PMOS 晶体管 P2 源极与第四 NMOS 晶体管 N4 漏极连接, 第一 PMOS 晶体管 P1 栅极连接在第二 PMOS 晶体管 P2 源极和第四 NMOS 晶体管 N4 漏极之间 的线路上, 第一 PMOS 晶体管 P1 漏极和第二 PMOS 晶体管 P2 漏极均连接在一个电源上。在 应用时, 第一NMOS晶体管N1的漏极连接有第一电阻R1, 第二NMOS晶体管N2的漏极连接有 第二电阻 R2, 第一电阻 R1 相对连接第一 NMOS 晶体管 N1 漏极端的另一端连接和第二电阻 R2 相对连接第二 NMOS 晶体管 N2 漏极端的另一端均连接在电子标签的天线上。 0012 电子标签中调制负载电压的系统, 还包括第一非门 1 和第二非门 2, 其中, 第二非 门 2 的输入端与第一非门的输出端连接, 第二非门 2 的输出端与第四 NMOS 晶体管 N4 栅极 连接, 第三 NMOS 晶体管 N3 栅极与第一非门 1 和第二非门 2 之间的线路连接, 第一非门 1 的 输入端连接有接收电子标签发送数据的数据接收端口 Data。 0013 如上所述, 则能很好的实现本发明。 说 明 书 CN 103530671 A 4 1/1 页 5 图 1 说 明 书 附 图 CN 103530671 A 5 。

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