基板处理装置、掩模设置方法、膜形成装置及膜形成方法.pdf

提供一种基板处理装置，能够抑制因在基板与掩模之间形成间隙而引起掩模的开口图案的转印性变差的情况。具体而言，该电喷雾装置(100)(基板处理装置)具有配置在基板(5)附近且具有规定的开口图案的掩模(3)，掩模(3)构成为：在掩模(3)的端部(3a)附近被支承的状态下，掩模(3)向下方的挠曲变形量(d2)成为基板(5)向下方的挠曲变形量(d1)以下的大小。

权利要求书
1.  一种基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置具有掩模，该掩模配置在基板的附近且具有规定的开口图案，
所述掩模构成为：在所述掩模的端部附近被支承的状态下，所述掩模向下方的第1挠曲变形量成为所述基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小。

2.  根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还具有吸附台，所述吸附台具有吸附部，该吸附部对所述基板的与所述掩模相反侧的表面进行吸附，
所述吸附台的所述吸附部构成为：在使所述基板以具有所述第2挠曲变形量的方式挠曲的状态下吸附并维持所述基板。

3.  根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述吸附台的所述吸附部的表面具有与所述基板的第2挠曲变形量对应的挠曲形状。

4.  根据权利要求1至3中的任意一项所述的基板处理装置，其中，
所述掩模以如下的方式构成：当所述掩模在所述掩模的端部附近被支承的状态下以与所述基板紧贴的方式相对于所述基板相对地移动时，伴随着所述掩模对所述基板的紧贴状态的推进，所述掩模从具有所述第1挠曲变形量的状态变化到具有所述第2挠曲变形量的状态。

5.  一种掩模的设置方法，其特征在于，具有如下的步骤：
对具有规定的开口图案的掩模的端部附近进行支承，使所述掩模向下方的第1挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小；以及
在对所述掩模的端部附近进行支承的状态下使所述掩模以与所述基板紧贴的方式相对于所述基板相对地移动，使所述掩模从具有所述第1挠曲变形量的状态变化到具有所述第2挠曲变形量的状态。

6.  一种膜形成装置，其特征在于，
该膜形成装置具有：
喷嘴，其在对溶液材料施加了规定的电压的状态下进行喷雾而在位于上方的挠曲变形后的基板上堆积薄膜；以及
掩模，其配置在所述喷嘴与所述基板之间且配置在所述基板的附近，并具有规定的开口图案，
所述掩模构成为：在所述掩模的端部附近被支承的状态下，所述掩模向下方的第1挠曲变形量成为所述基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小。

7.  根据权利要求6所述的膜形成装置，其中，
所述喷嘴构成为：该喷嘴按照沿着所述基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以该喷嘴与所述基板之间的间隔相互大致相等的方式相对于所述基板相对地移动而进行涂布动作。

8.  根据权利要求7所述的膜形成装置，其中，
所述喷嘴构成为：该喷嘴一边按照沿着所述基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以相对于所述基板大致垂直的方式改变角度，一边相对于所述基板相对地移动。

9.  根据权利要求7或8所述的膜形成装置，其中，
所述膜形成装置还具有包含吸附部的吸附台，所述吸附部对所述基板的与被涂布所述涂布液的一侧相反侧的表面进行吸附，并且该吸附部将所述基板维持为规定的挠曲变形形状，
所述喷嘴构成为：在所述基板被所述吸附台的所述吸附部吸附的状态下，该喷嘴按照沿着所述基板的挠曲变形形状的轨迹相对于所述吸附台相对地移动而进行涂布动作。

10.  根据权利要求9所述的膜形成装置，其中，
所述吸附台的吸附部的表面具有与所述基板的规定的挠曲变形形状对应的挠曲形状，
所述喷嘴构成为：在所述基板被吸附于所述吸附台的吸附部的状态下，该喷嘴按照沿着所述挠曲形状的轨迹相对于所述吸附台相对地移动而进行涂布动作。

11.  根据权利要求9或10所述的膜形成装置，其中，
该膜形成装置构成为：所述吸附台相对于所述喷嘴至少在水平方向和铅直方向上移动，从而所述喷嘴相对于所述吸附台相对地移动。

12.  根据权利要求9至11中的任意一项所述的膜形成装置，其中，
该膜形成装置构成为：所述吸附台相对于所述喷嘴不仅在水平方向和铅直方向上移动还在旋转方向上移动，从而所述喷嘴相对于所述吸附台相对地移动。

13.  一种膜形成方法，其特征在于，
该膜形成方法具有如下的步骤：
以使具有规定的开口图案的掩模向下方的第1挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小的方式，对所述掩模的端部附近进行支承；
在已对所述掩模的端部附近进行支承的状态下使所述掩模以与所述基板紧贴的方式相对于所述基板相对地移动，使所述掩模从具有所述第1挠曲变形量的状态变化到具有所述第2挠曲变形量的状态；以及
利用喷嘴对挠曲变形后的状态的所述基板涂布涂布液，
利用喷嘴涂布涂布液的步骤包含如下的步骤：按照沿着所述基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以使所述基板与所述喷嘴之间的间隔相互大致相等的方式相对于所述基板相对地移动所述喷嘴而进行涂布动作。

说明书基板处理装置、掩模设置方法、膜形成装置及膜形成方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置、掩模的设置方法、膜形成装置以及膜形成方法，特别涉及包含具有规定的开口图案的掩模的基板处理装置、掩模的设置方法、膜形成装置以及膜形成方法。
背景技术
以往，公知有包含具有规定的开口图案的掩模的基板处理装置(例如，参照专利文献1)。
在上述专利文献1中，公开了如下的电喷雾(electro-spray)装置(基板处理装置)，所述电喷雾装置具有：喷嘴，其在对有机EL器件用的溶液材料施加电压的状态(溶液材料带电的状态)下进行喷雾；基板，在该基板上堆积从喷嘴喷雾的溶液材料而形成有机发光层等有机EL器件用的薄膜；以及掩模，其配置在基板的上方并具有规定的开口图案。在该电喷雾装置中，因施加给溶液材料的电压与基板侧之间的电位差(电场)，溶液材料从喷嘴被喷雾至下方(基板侧)，并且经由掩模的开口部堆积在基板上，由此形成规定形状的薄膜。
并且，以往已知在基板的下方配置掩模并且在掩模的下方配置喷嘴的电喷雾装置。在该电喷雾装置中，溶液材料从喷嘴被喷雾至上方(基板侧)，由此经由掩模在基板上形成规定形状的薄膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-175921号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，在溶液材料从喷嘴被喷雾至上方(基板侧)的电喷雾装置中，由于掩模配 置在基板的下方，因此存在掩模因自重而向下方挠曲这样的不良情况。另外，基板也因自重向下方挠曲，另一方面，一般而言由于掩模的挠曲量比基板的挠曲量大，因此会在基板与掩模之间产生间隙。因此，溶液材料会绕入基板与掩模之间的间隙，因此存在掩模的开口图案的转印性变差这样的问题点。
本发明是为了解决上述这样的课题而完成的，本发明的一个目的在于提供一种基板处理装置、掩模的设置方法、膜形成装置以及膜形成方法，能够抑制因在基板与掩模之间产生间隙而引起掩模的开口图案的转印性变差的情况。
用于解决课题的手段
为了实现上述目的，本发明的第1方面的基板处理装置基板处理装置具有掩模，掩模配置在基板的附近且具有规定的开口图案，掩模构成为：在掩模的端部附近被支承的状态下，掩模向下方的第1挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小。
在该第1方面的基板处理装置中，如上所述在掩模的端部附近被支承的状态下，以使掩模向下方的第1挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小的方式构成掩模，由此以掩模与基板紧贴的方式使掩模相对于基板相对地移动，能够使掩模从具有第1挠曲变形量的状态变为具有第2挠曲变形量的状态，因此能够在掩模与基板之间不存在间隙的状态下紧贴掩模与基板。其结果为，能够抑制在基板与掩模之间产生间隙而引起掩模的开口图案的转印性变差的情况。
在上述第1方面的基板处理装置中，优选基板处理装置还具有吸附台，吸附台具有吸附部，该吸附部对基板的与掩模相反侧的表面进行吸附，吸附台的吸附部构成为：在使基板以具有第2挠曲变形量的方式挠曲的状态下吸附并维持基板。如果以这种方式构成，则即使在基板未挠曲的情况下，也能够利用吸附台的吸附部使基板成为以具有第2挠曲变形量的方式挠曲的状态，因此能够容易地使掩模向下方的第1挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小。
在该情况下，优选吸附台的吸附部的表面具有与基板的第2挠曲变形量对应的挠曲形状。如果以这种方式构成，则只需使基板吸附在吸附部的表面，就能够容易地使基板成为以具有第2挠曲变形量的方式进行挠曲的状态。
在上述第1方面基板处理装置中，优选掩模以如下的方式构成：当掩模在掩模的端部附近被支承的状态下以与基板紧贴的方式相对于基板相对地移动时，伴随着掩模 对基板的紧贴状态的推进，掩模从具有第1挠曲变形量的状态变化到具有第2挠曲变形量的状态。如果以这种方式构成，通过使掩模相对于基板相对地移动，从而能够容易地使具有第1挠曲变形量的状态的掩模变化为具有第2挠曲变形量的状态。
本发明的第2方面的掩模的设置方法具有如下步骤：对掩模的端部附近进行支承，使具有规定的开口图案的掩模向下方的第1挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小；以及在对掩模的端部附近进行支承的状态下使掩模以与基板紧贴的方式相对于基板相对地移动，使掩模从具有第1挠曲变形量的状态变化到具有第2挠曲变形量的状态。
在该第2方面的掩模的设置方法中，如上所述具有如下步骤：对具有规定的开口图案的掩模的端部附近进行支承，使所述掩模向下方的第1挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小，由此，通过在对掩模的端部附近进行支承的状态下以与基板紧贴的方式使掩模相对于基板相对地移动，使掩模从具有第1挠曲变形量的状态变化到具有第2挠曲变形量的状态，由此能够在掩模与基板之间不存在间隙的状态下紧贴掩模与基板。其结果为，能够提供一种掩模的设置方法，能够抑制因在基板与掩模之间形成间隙而引起掩模的开口图案的转印性变差的情况。
本发明的第3方面的膜形成装置具有：喷嘴，其在对溶液材料施加了规定的电压的状态下进行喷雾而在位于上方的挠曲变形后的基板上堆积薄膜；以及掩模，其配置在喷嘴与基板之间且配置在基板的附近，并具有规定的开口图案，掩模构成为：在掩模的端部附近被支承的状态下，掩模向下方的第1挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小。
在该第3方面的膜形成装置中，如上所述，在对掩模的端部附近进行支承的状态下，以使掩模向下方的第1挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小的方式构成掩模，由此以掩模与基板紧贴的方式使掩模相对于基板相对地移动，由此能够使掩模从具有第1挠曲变形量的状态变为具有第2挠曲变形量的状态，因此能够在掩模与基板之间不存在间隙的状态下紧贴掩模与基板。其结果为，能够提供一种膜形成装置，能够抑制因在基板与掩模之间形成间隙而引起掩模的开口图案的转印性变差的情况。
本发明的第4方面的膜形成装置具有对挠曲变形后的状态的基板涂布涂布液的喷嘴，喷嘴构成为：按照沿着基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以与基板之间的间隔 相互大致相等的方式相对于基板相对地移动而进行涂布动作。
在该第4方面的膜形成装置中，如上所述，通过将喷嘴构成为按照沿着基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以与基板之间的间隔相互大致相等的方式相对于基板相对地移动而进行涂布动作，从而即使在基板未挠曲的状态的情况下，由于能够一边将基板上被涂布涂布液的涂布位置与喷嘴之间的距离保持恒定，一边使喷嘴相对于基板相对地移动而进行涂布动作，因此能够对基板均匀地涂布涂布液。
在上述第4方面的膜形成装置中，优选喷嘴构成为：该喷嘴一边按照沿着基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以相对于基板大致垂直的方式改变角度，一边相对于基板相对地移动。如果以这种方式构成，不仅将喷嘴相对于基板的距离保持恒定，而且能够一边将喷嘴相对于基板上被涂布涂布液的涂布位置的表面的角度保持为大致垂直，一边使喷嘴相对于基板相对地移动而进行涂布动作，因此能够更有效、更均匀地对基板涂布涂布液。
在上述第4方面的膜形成装置中，优选膜形成装置还具有包含吸附部的吸附台，吸附部对基板的与被涂布涂布液的一侧相反侧的表面进行吸附，并且该吸附部将基板维持为规定的挠曲变形形状，喷嘴构成为：在基板被吸附台的吸附部吸附的状态下，该喷嘴按照沿着基板的挠曲变形形状的轨迹相对于吸附台相对地移动而进行涂布动作。如果以这种方式构成，由于能够一边使基板吸附于吸附台的吸附部的表面来维持基板的挠曲形状，一边进行涂布动作，因此能够容易地使喷嘴按照沿着基板被维持的挠曲变形形状的轨迹相对于吸附台相对地移动。由此，由于能够一边容易地将基板上被涂布涂布液的涂布位置与喷嘴之间的距离保持恒定，一边进行涂布动作，因此能够容易地对基板均匀地涂布涂布液。
在该情况下，优选吸附台的吸附部的表面具有与基板的规定的挠曲变形形状对应的挠曲形状，喷嘴构成为：在基板被吸附于吸附台的吸附部的状态下，该喷嘴按照沿着挠曲形状的轨迹相对于吸附台相对地移动而进行涂布动作。如果以这种方式构成，由于能够利用吸附台的吸附部的表面容易地将基板维持规定的挠曲变形形状，因此通过使喷嘴按照沿着吸附台的吸附部的挠曲形状的轨迹相对于吸附台相对地移动，能够容易地将喷嘴与基板上被涂布涂布液的涂布位置之间的距离保持恒定。
在具有上述吸附台的结构中，优选该膜形成装置构成为：吸附台相对于喷嘴至少在水平方向和铅直方向上移动，从而喷嘴相对于吸附台相对地移动。如果以这种方式 构成，通过使吸附台在水平方向和垂直方向上移动，从而能够在固定喷嘴的状态下一边容易地将基板上被涂布涂布液的涂布位置与喷嘴之间的距离保持恒定，一边进行涂布动作。
在具有上述吸附台的结构中，优选该膜形成装置构成为：吸附台相对于喷嘴不仅在水平方向和铅直方向上移动还在旋转方向上移动，从而喷嘴相对于吸附台相对地移动。如果以这种方式构成，则能够在固定着喷嘴的状态下，一边容易地将喷嘴相对于在基板上涂布涂布液的涂布位置的表面的角度保持大致垂直，一边进行涂布动作。
本发明的第5方面的膜形成方法具有如下步骤：对挠曲变形后的状态的基板进行支承的步骤；以及利用喷嘴对挠曲变形后的状态的基板涂布涂布液的步骤，利用喷嘴涂布涂布液的步骤包含如下步骤：按照沿着基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以使基板与喷嘴之间的间隔相互大致相等的方式相对于基板相对地移动喷嘴而进行涂布动作。
在该第5方面的膜形成方法中，通过如上所述设置如下步骤：按照沿着基板的挠曲变形后的形状的轨迹以使基板与喷嘴之间的间隔相互大致相等的方式使喷嘴相对于基板相对地移动而进行涂布动作，由此即使在基板挠曲的状态的情况下，也能够一边将基板上被涂布涂布液的涂布位置与喷嘴之间的距离保持恒定，一边使喷嘴相对于基板相对地移动而进行涂布动作，因此能够对基板均匀地涂布涂布液。
发明效果
根据本发明，如上所述，能够抑制因在基板与掩模之间形成间隙而引起掩模的开口图案的转印性变差的情况。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的电喷雾装置的立体图。
图2是本发明的一实施方式的电喷雾装置的俯视图。
图3是本发明的一实施方式的电喷雾装置的侧视图。
图4是本发明的一实施方式的电喷雾装置的吸附台的立体图。
图5是用于对本发明的一实施方式的电喷雾装置的喷嘴的移动进行说明的图。
图6是本发明的一实施方式的电喷雾装置的掩模的立体图。
图7是本发明的一实施方式的电喷雾装置的升降部的立体图。
图8是示出本发明的一实施方式的电喷雾装置的将掩模设置于基板之前的状态的图。
图9是示出本发明的一实施方式的电喷雾装置的将掩模设置于基板的过程中的状态的图。
图10是示出本发明的一实施方式的电喷雾装置的将掩模设置于基板之后的状态的图。
图11是用于对本发明的一实施方式的第1变形例的电喷雾装置的吸附台的移动进行说明的图。
图12是用于对本发明的一实施方式的第2变形例的电喷雾装置的吸附台的移动进行说明的图。
具体实施方式
以下，根据附图对将本发明具体化的实施方式进行说明。
参照图1～图8，对本实施方式的电喷雾装置100的结构进行说明。另外，电喷雾装置100是本发明的“基板处理装置”和“膜形成装置”的一例。
如图1、图2和图3所示，电喷雾装置100具有喷嘴1、吸附台2、配置在喷嘴1与吸附台2之间的掩模3以及在箭头Z1方向和箭头Z2方向上对掩模3进行升降的升降部4。并且，在涂布时，在吸附台2与掩模3之间配置有由玻璃等构成的基板5。并且，通过从喷嘴1隔着掩模3向载置在吸附台2上的基板5喷射溶液材料而在基板5上形成薄膜。
喷嘴1构成为：在对溶液材料(例如，作为导电性聚合物的PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)poly(styrenesulfonate)(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸))施加了规定的电压的状态下进行喷雾而在位于上方(箭头Z1方向)的挠曲变形后的基板5上堆积薄膜(未图示)。具体而言，喷嘴1构成为填充溶液材料，并且在喷嘴1的内部设置有电极(未图示)。并且，构成为通过该电极对溶液材料施加电压。
并且，喷嘴1配置在掩模3的下方(箭头Z2方向)。并且，喷嘴1构成为能够在X方向和Y方向上移动。具体而言，如图2所示，喷嘴1配置为在喷头11的上(Z1方向)侧具有开口。喷头11构成为能够沿着在Y方向上延伸的喷头支承部12在Y 方向上移动。喷头支承部12构成为能够沿着设置在基台101上的在X方向上延伸的一对固定轨道部13在X方向上移动。由此，喷嘴1构成为能够在基台101上在X-Y面内(水平面内)移动。
并且，喷嘴1构成为借助喷头11的升降机构(未图示)在上下方向(Z方向)上移动。并且，如图5所示，喷嘴1构成为能够借助喷头11的倾斜机构(未图示)在YZ平面内相对于铅直方向倾斜。
吸附台2是金属制成的，并被电接地。并且，在本实施方式中，吸附台2具有吸附部2a，该吸附部2a对基板5的与掩模3相反侧(箭头Z1方向侧)的表面进行吸附，吸附台2的吸附部2a构成为：在使由玻璃等构成的基板5以具有挠曲变形量d1的方式挠曲的状态下对其进行吸附并维持。即，吸附台2的吸附部2a的表面具有与基板5的挠曲变形量d1对应的挠曲形状。另外，挠曲变形量d1意味着从基板5未挠曲的水平状态到基板5的中央部以距离d1向下方挠曲的状态。并且，吸附部2a是吸附台2的箭头Z2方向侧的表面。
并且，如图3和图4所示，吸附部2a的表面形成为悬链线(Catenary)曲线状(握着绳索等的两端使其下垂时所形成的曲线状)。并且，如图4所示，吸附台2的吸附部2a的表面具有向下凸出的D形状(X方向侧的两个端部以沿着Y方向的轴A为中心向箭头Z1方向翘起的形状)。即，吸附台2的吸附部2a的表面具有与基板5的规定的挠曲变形形状对应的挠曲形状。
并且，如图1和图3所示，基板5被载置(吸附)于吸附台2的下表面(吸附部2a)。并且，通过使喷嘴1与吸附台2之间具有电位差，从而从喷嘴1喷出的溶液材料飞向吸附台2。由此，由于不需要以直接将基板5接地的方式进行涂布，因此也可以对非导电性的基板进行涂布。
并且，如图2所示，吸附台2在Y方向侧的两端被一对支承轴21支承。一对支承轴21配置在吸附台2的X方向的大致中央。并且，吸附台2构成为能够以一对支承轴21为中心进行旋转。由此，能够在以吸附台2的吸附部2a朝向上侧(Z1方向侧)的状态将基板5安装在吸附台2之后，使吸附台2转动180度，将吸附台2的吸附部2a朝向下侧(Z2方向侧)，而涂布涂布液。
这里，在本实施方式中，如图5所示，喷嘴1构成为：按照沿着基板5的挠曲变形后的形状的轨迹、以与基板5之间的间隔h1相互大致相等的方式相对于基板5移 动而进行涂布动作。具体而言，喷嘴1构成为：在基板5被吸附于吸附台2的吸附部2a的状态下，按照沿着基板5的挠曲变形形状的轨迹相对于吸附台2移动而进行涂布动作。即，喷嘴1构成为：当该喷嘴1在Y方向上移动时，以沿着基板5的挠曲变形形状的方式在Z方向(上下方向)上升降。并且，喷嘴1构成为：一边按照沿着基板5挠曲变形后的形状的轨迹以相对于基板5大致垂直的方式改变角度，一边相对于基板5移动。
并且，在本实施方式中，喷嘴1构成为：在基板5被吸附于吸附台2的吸附部2a的状态下，按照沿着吸附部2a的挠曲形状的轨迹相对于吸附台2移动而进行涂布动作。
并且，掩模3由耐化学性、加工精度、尺寸稳定性、耐绝缘性以及刚性等优越的树脂构成。例如，掩模3由PTFE(Polytetrafluoroethylene：聚四氟乙烯)、PP(Polypropylene：聚丙烯)、HDPE(High-density polyethylene：高密度聚乙烯)、PET(Polyethylene terephthalate：聚乙二醇对苯二甲酸酯)、EPOXY、环氧树脂玻璃、ABS(Acrylonitrile butadiene styrene：丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、PEEK(Polyeth erether ketone：聚醚醚酮)以及POM(Polyoxymethylene：聚甲醛)等构成。
并且，掩模3配置在基板5的附近(紧贴在基板5的下方)。并且，如图4所示，在掩模3上形成有多个开口部31，这些开口部31在俯视观察时具有规定的开口图案(大致矩形形状(大致正方形状))。另外，多个开口部31配置成格子状(矩阵状)。并且，掩模3形成为大致矩形状，在大致矩形状的掩模3的角部设置有供设置于升降部4的销4a(参照图7)贯插的贯插孔32。另外，沿着大致矩形状的掩模3的对角线设置有2个贯插孔32。
并且，如图7所示，升降部4具有从下方对掩模3的X方向侧的两个端部3a(参照图6)进行支承的板状的支承部4b。并且，在支承部4b的箭头Y1方向侧(箭头Y2方向侧)的端部设置有与掩模3的贯插孔32卡合的销4a。并且构成为：在销4a与掩模3的贯插孔32卡合的状态下，掩模3的两个端部3a被支承部4b支承。
这里，在本实施方式中，如图8所示，掩模3构成为：在掩模3的端部3a附近被升降部4支承的状态下，掩模3向下方(箭头Z2方向)的挠曲变形量(d2)成为基板5向下方的挠曲变形量(d1)以下的大小(d2≤d1)。另外，在图8中示出掩模3向下方的挠曲变形量(d2)小于基板5向下方的挠曲变形量的(d2＜d1)状态。即， 在掩模3的端部3a附近被升降部4支承的状态下，掩模3具有呈D形状挠曲的形状(X方向的两端部3a以沿着Y方向的轴A为中心向箭头Z1方向翘起的形状)。并且，掩模3构成为：当在掩模3的端部3a附近被升降部4支承的状态下以紧贴基板5的方式相对于基板5相对地移动时，伴随着对基板5的紧贴状态的推进，该掩模3从具有挠曲变形量d2的状态变化到具有挠曲变形量d1的状态(参照图3)。
接着，参照图8～图10，对电喷雾装置100中的掩模3的设置方法进行说明。
如图8所示，未发生挠曲变形的状态的基板5被吸附于吸附台2的吸附部2a，由此在使基板5以具有挠曲变形量d1的方式向下方挠曲的状态下对其进行吸附并维持。并且，利用升降部4支承掩模3的端部3a附近。由此，掩模3成为以具有基板5的挠曲变形量d1以下的大小的挠曲变形量d2的方式向下方挠曲的状态。
接着，如图9所示，在对掩模3的端部3a附近进行了支承的状态下，掩模3以紧贴基板5的方式相对于基板5相对地移动。具体而言，基板5(吸附台2)静止，并且利用升降部4向上方(箭头Z1方向)举起掩模3。即，掩模3接近基板5。由此，成为基板5的中央部附近与掩模3的中央部附近抵接的状态。
然后，如图10所示，利用升降部4进一步向上方举起掩模3，从而掩模3的形状仿照基板5的形状，掩模3从具有挠曲变形量d2的状态变化到具有挠曲变形量d1的状态。其结果为，成为基板5的下表面(箭头Z2方向侧的面)的整个面与掩模3的上表面(箭头Z1方向侧的面)的整个面紧贴的状态。由此，结束掩模3的设置。
接着，对本实施方式的效果进行说明。
在本实施方式中，如上所述，以如下方式构成掩模3：在对掩模3的端部3a附近进行了支承的状态下，使掩模3向下方的挠曲变形量d2成为基板5向下方的挠曲变形量d1以下的大小。由此，通过以掩模3与基板5紧贴的方式使掩模3相对于基板5相对地移动，能够使掩模3从具有挠曲变形量d2的状态变为具有挠曲变形量d1的状态，因此能够使掩模3与基板5以掩模3与基板5之间不存在间隙的状态紧贴。其结果为，能够抑制因在基板5与掩模3之间形成间隙而引起掩模3的开口图案的转印性变差的情况。
并且，在本实施方式中，如上所述，设置具有对基板5的与掩模3相反侧的表面进行吸附的吸附部2a的吸附台2，并将吸附台2的吸附部2a构成为：在使基板5以具有挠曲变形量d1的方式挠曲的状态下吸附并维持基板5。由此，即使在基板5未 挠曲的情况下，也能够利用吸附台2的吸附部2a使基板5变为以具有挠曲变形量d1的方式挠曲的状态，因此能够容易地使掩模3向下方的挠曲变形量d2成为基板5向下方的挠曲变形量d1以下的大小。
并且，在本实施方式中，如上所述，将吸附台2的吸附部2a的表面构成为：具有与基板5的挠曲变形量d1对应的挠曲形状。由此，只需使基板5吸附于吸附部2a的表面，便能够容易地使基板5成为以具有挠曲变形量d1的方式挠曲的状态。
并且，在本实施方式中，如上所述，以如下的方式构成掩模3：当在对掩模3的端部3a附近进行了支承的状态下以紧贴基板5的方式相对于基板5相对地移动掩模3时，伴随着对基板5的紧贴状态的推进，掩模3从具有挠曲变形量d2的状态变化到具有挠曲变形量d1的状态。由此，通过使掩模3相对于基板5相对地移动，能够容易地使具有挠曲变形量d2的状态的掩模3变化到具有挠曲变形量d1的状态。
并且，在本实施方式中，如上所述，以如下的方式构成喷嘴1：按照沿着基板5的挠曲变形后的形状的轨迹以与基板5之间的间隔h1相互大致相等的方式相对于基板5相对地移动而进行涂布动作，由此，即使是在基板5发生了挠曲的状态的情况下，由于能够一边将基板5上被涂布涂布液的涂布位置与喷嘴1之间的距离保持为恒定一边使喷嘴1相对于基板5相对地移动而进行涂布动作，由此能够对基板5均匀地涂布涂布液。
并且，在本实施方式中，如上所述，以如下的方式构成喷嘴1：一边按照沿着基板5的挠曲变形后的形状的轨迹以相对于基板5大致垂直的方式改变角度，一边相对于基板5相对地移动。由此，不仅能够将喷嘴1相对于基板5的距离保持为恒定，而且能够一边将喷嘴1相对于基板5上被涂布涂布液的涂布位置的表面的角度保持为大致垂直一边使喷嘴1相对于基板5相对地移动而进行涂布动作，因此能够对基板5更有效、更均匀地涂布涂布液。
并且，在本实施方式中，如上所述，以如下的方式构成喷嘴1：在基板5被吸附于吸附台2的吸附部2a的状态下，该喷嘴1按照沿着基板5的挠曲变形形状的轨迹相对于吸附台2相对地移动而进行涂布动作。由此，由于能够一边使基板5吸附于吸附台2的吸附部2a的表面而维持基板5的挠曲形状一边进行涂布动作，因此能够容易地使喷嘴1按照沿着基板5被维持的挠曲变形形状的轨迹相对于吸附台2相对地移动。其结果为，由于能够一边容易地将基板5上被涂布涂布液的涂布位置与喷嘴1 之间的距离保持为恒定一边进行涂布动作，因此能够容易地对基板5均匀地涂布涂布液。
并且，在本实施方式中，如上所述，以如下的方式构成喷嘴1：在基板5被吸附于吸附台2的吸附部2a的状态下，该喷嘴1按照沿着挠曲形状的轨迹相对于吸附台2相对地移动而进行涂布动作。由此，由于能够利用吸附台2的吸附部2a的表面容易地将基板5维持为规定的挠曲变形形状，因此通过使喷嘴1按照沿着吸附台2的吸附部2a的挠曲形状的轨迹相对于吸附台2相对地移动，能够容易地将喷嘴1与基板5上被涂布涂布液的涂布位置之间的距离保持为恒定。
另外，本次公开的实施方式和实施例在所有的方面都只是例示，不应该被认为是限制发明的内容。本发明的范围通过权利要求书的范围示出而并非通过上述的实施方式和实施例的说明示出，而且包含等同于权利要求书的范围的含义和范围内的所有的变更。
例如，在上述实施方式中，以电喷雾装置的方式示出了本发明的基板处理装置(膜形成装置)，但本发明并不限于此。只要是使用掩模的装置，也可以将本发明应用于电喷雾装置以外的基板处理装置(膜形成装置)。
并且，在上述实施方式中，示出了掩模向下方的挠曲变形量(d2)小于基板向下方的挠曲变形量(d2＜d1，参照图8)的例子，但本发明并不限于此。在本发明中，也可以使掩模向下方的挠曲变形量(d2)与基板向下方的挠曲变形量相等(d2＝d1)。
并且，在上述实施方式中，示出了通过使基板的与掩模相反侧的表面吸附于吸附台的吸附部(吸附台的表面)而使基板以具有挠曲变形量d1的方式进行挠曲的例子，但本发明并不限于此。在本发明中，也可以利用除了使基板吸附于吸附台的吸附部(表面)以外的方法使基板以具有挠曲变形量d1的方式进行挠曲。例如，也可以通过在利用吸附垫等吸附了基板的表面之后(或者，在把持了基板的端部之后)使基板弯曲，从而使基板以具有挠曲变形量d1的方式进行挠曲。
并且，在上述实施方式中，示出了仅利用支承部对掩模的两端进行支承的结构的例子，但本发明并不限于此。例如，也可以通过将掩模的两端向外侧拉拽而暂时地使掩模的挠曲变形量小于基板的挠曲变形量。然后，在使基板的中央部附近与掩模的中央部附近抵接之后，一边逐渐减小对掩模的两端进行拉拽的张力，一边使掩模的形状仿照基板的形状，使基板的下表面的整个面与掩模的上表面的整个面紧贴。另外，由 于如果彻底使张力为零则掩模会挠曲而无法与基板紧贴，因此需要能够维持紧贴状态的张力。通过这样逐渐地减小对掩模的两端进行拉拽的张力，能够抑制掩模的开口部发生变形。并且，即使在掩模本应因自重而较大程度地挠曲的情况下，由于能够通过向外侧拉拽掩模的两端而使掩模的挠曲变形量小于基板的挠曲变形量，因此即使是在利用本应较大程度地挠曲的部件形成了掩模的情况下，也能够抑制在基板与掩模之间形成间隙的情况。即，能够扩大掩模的挠曲变形量的允许范围。
并且，在上述实施方式中，示出了使基板和掩模以成为向下凸出的D形状的方式进行挠曲(使其成为基板和掩模的X方向的两端部以沿着Y方向的轴A(参照图3)为中心在箭头Z1方向上翘起的形状)的例子，但本发明并不限于此。例如，也可以使基板和掩模挠曲成半球状。
并且，在上述实施方式中，示出了通过使掩模接近基板而使掩模与基板紧贴的例子，但本发明并不限于此。例如，也可以通过使基板接近掩模(或者，通过使基板与掩模这双方相互接近)而使掩模与基板相对地移动并紧贴。
并且，在上述实施方式中，示出了掩模由树脂形成的例子，但本发明并不限于此。例如，掩模也可以由金属形成。另外，即使在该情况下，对于由金属构成的掩模而言，对掩模的端部附近进行了支承的状态下的掩模向下方的挠曲变形量也需要成为被吸附部吸附的基板向下方的挠曲变形量以下的大小。
并且，在上述实施方式中，示出了使喷嘴按照沿着基板的挠曲变形后的形状的轨迹并以使该喷嘴与基板之间的间隔相互大致相等的方式相对于基板相对地移动的结构的例子，但本发明不限于此。在本发明中，例如也可以像图11所示的第1变形例的电喷雾装置100a(膜形成装置)那样构成为：吸附台2相对于喷嘴1至少在水平方向(Y方向)和铅直方向(Z方向)上移动，从而喷嘴1相对于吸附台2相对地移动。例如，也可以利用驱动机构22a以使喷嘴1与基板5之间的间隔h1恒定的方式，使吸附台2在水平方向(Y方向)上以距离Ya移动，并在铅直方向(Z方向)上以距离Za移动。在该情况下，也可以使喷嘴1以相对于挠曲变形后的基板5的表面大致垂直的方式改变角度。
并且，例如，也可以像图12所示的第2变形例的电喷雾装置100b(膜形成装置)那样构成为：吸附台2相对于喷嘴1不仅在水平方向(Y方向)和铅直方向(Z方向)上移动，还在旋转方向(A方向)上移动，由此喷嘴1相对于吸附台2相对地移动。 例如，也可以利用驱动机构22b以使喷嘴1与基板5之间的间隔h1恒定的方式，使吸附台2在水平方向(Y方向)、铅直方向(Z方向)以及旋转方向(A方向)上移动。另外，旋转方向的旋转轴也可以是与喷嘴1延伸的方向(Z方向)垂直的方向(X方向)。即，旋转方向的旋转轴也可以存在于水平方向(XY方向)上。换言之，对于旋转方向的旋转轴而言，在基板5在一个方向(Y方向)上挠曲的情况下，也可以是挠曲状态的基板5的脊部(棱线)方向(X方向)。
并且，在上述实施方式中，示出了在喷嘴的上方配置基板而进行涂布的结构的例子，但本发明不限于此。本发明也可以应用于在喷嘴的下方或侧方配置基板而进行涂布的结构。
并且，在上述实施方式中，示出了在吸附台上配置由玻璃等构成的基板的例子，但本发明并不限于此。例如，也可以在吸附台上配置膜状的基板。
标号说明
1：喷嘴；2：吸附台；2a：吸附部；3：掩模；3a：端部；5：基板；100、100a、100b：电喷雾装置(基板处理装置、膜形成装置)。