一种芳基菲咯啉类化合物及应用.pdf

摘要
申请专利号：	CN201010258747.9	申请日：	2010.08.20
公开号：	CN102372709A	公开日：	2012.03.14
当前法律状态：	授权	有效性：	有权
法律详情：	专利实施许可合同备案的生效IPC(主分类):C07D 471/04合同备案号:2014990000306让与人:昆山维信诺显示技术有限公司、北京维信诺科技有限公司受让人:北京鼎材科技有限公司发明名称:一种芳基菲咯啉类化合物及应用申请日:20100820申请公布日:20120314授权公告日:20130828许可种类:独占许可备案日期:20140516\|\|\|授权\|\|\|实质审查的生效IPC(主分类):C07D 471/04申请日:20100820\|\|\|公开
IPC分类号：	C07D471/04; H01L51/54; H01L51/50	主分类号：	C07D471/04
申请人：	清华大学; 北京维信诺科技有限公司; 昆山维信诺显示技术有限公司
发明人：	邱勇; 孙绪霞; 李银奎; 任雪艳; 乔娟; 段炼
地址：	100084 北京市海淀区清华大学何添楼111室
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内容摘要

本发明提供了一种新型化合物，可用于电致发光领域。该材料结构对称，制备工艺简单，具有较高的发光效率和高的载流子迁移率，所应用的器件能较明显的降低驱动电压，提高电流效率。该材料结构通式如下式I所示，其中，母核选自2，9位二取代、3，8位二取代以及4，7位二取代的1，10-邻菲咯啉基团；端基Ar选自吡啶基基团、苯基基团、联苯基基团及萘基基团。

权利要求书

1：一种有机化合物，其结构通式如下式 I 所示：其中 Ar 选自苯基基团、吡啶基基团、联苯基基团或者萘基基团。
2：根据权利要求 1 的有机材料，其特征在于式 I 中的苯基在 1， 10- 邻菲罗啉基上的取代位置选自 2， 9 位二取代、 3， 8 位二取代或者 4， 7 位二取代， 1， 10- 邻菲罗啉基的被取代结构式选自下式 II、 III 或 IV ：
3：根据权利要求 1 所述的化合物，其特征在于，式 I 中 Ar 的结构式选自下式 V、 VI、 VII、 VIII、 IX、 X、 XI 或 XII ：
4：根据权利要求 1、 2 或 3 之一所述的化合物，结构式选自下式： 2 3 4 5 6
5：权利要求 1 所述的化合物在有机电致发光器件中用作电子传输层材料。
6：一种有机电致发光器件，其中包含一对电极和设置在该对电极之间的有机发光介质，该有机发光介质中至少包含一种选自权利要求 1 所述的化合物。

说明书

一种芳基菲咯啉类化合物及应用
    【技术领域】
     本发明涉及一种新型有机材料，及其在有机电致发光显示技术领域中的应用。背景技术用于有机电致发光研究的电子传输材料应该具备以下三个特定； 1 具有大的电子亲和能和高的电子迁移率，从而有利于注入电子的传输； 2 稳定性好，能形成统一致密的薄膜； 3 具有高的激发态能级，能有效地避免激发态的能力传递，使得激子复合区在发光层中而不是电子传输层中形成 ( 有机电致发光材料与器件导论，黄春辉等著，复旦大学出版社 2005)。
     通常来说，电子传输材料都具有大的共轭结构的平面芳香族化合物，它们大多具有较好的接受电子的能力，同时在一定正向偏压下又可以有效的传递电子，目前已知的性能良好的电子传输材料并不多，其中一个原因是存在电子捕获，目前可用的电子传输材料主要有 8- 羟基喹啉铝类化合物，恶二唑类化合物，喹喔啉类化合物，含腈基的聚合物，其它
     含氮杂环化合物等 (Chem.Mater.2004， 16， 4556-4573， JMater.Chem.2005， 15， 94-106)。发明内容
     本发明的目的是提出一种新型化合物，该类化合物可以用于有机电致发光显示领域。邻菲罗啉类衍生物通常具有较低的 HOMO 能级，其刚性平面结构可以提供高的电子流动性，从材料的结构与性质的关联性方面来说，通常引入缺电子的基团能更好的提高材料的电子传输性。吡啶基团是典型的拉电子基团，将其与苯基相连，一方面增大分子量，提高该材料的玻璃化温度；另一方面又可以降低分子的平面性，使材料分子在空间立体上形成一定程度的扭曲更利于真空蒸镀过程中形成均匀的非结晶性薄膜。该材料在空气中有较好的稳定性，可用于有机电致发光器件中。
     本发明开发出一种新型有机材料，制备工艺简单易行且该材料具有良好的热稳定性，高的电子迁移率，在有机电致发光器件中可用作电子传输层。
     本发明公开一类新型化合物，其结构通式如下所示：
     其中 Ar 选自苯基基团、吡啶基基团、联苯基基团及萘基基团。
     上式 I 中的苯基基团在 1， 10- 邻菲罗啉基上的取代位置选自 2， 9 位二取代、 3， 8位二取代或者 4， 7 位二取代， 1， 10- 邻菲罗啉基的被取代结构式具体如下：
     上式 I 中的 Ar 的具体结构选自下式：
     为了更清楚说明本发明内容，下面具体叙述本发明涉及到的化合物的结构：
     本发明的有机材料在有机电致发光器件中用作电子传输层。
     本发明还提出一种有机电致发光器件，其有机功能层中包括上述通式化合物，该类化合物用作有机功能层中的电子传输材料。
     本发明的有机材料制备工艺简单，具有较高的稳定性和高的电子迁移率，在有机电致发光显示器中可用作电子传输层。
     具体实施方式
     本发明中所用的卤代苯、吡啶硼酸、苯硼酸、联苯硼酸、萘硼酸及各二溴代 1， 10 邻菲罗啉等基础化工原料均可在国内化工产品市场买到，各种吡啶基苯硼酸均可用普通有机方法合成。实施例
     在本发明中的化合物制备过程主要分三步： (1) 通常是通过 Suzuki 偶联反应 (Journal of Organometallic Chenistry 1999， 576， 147-168) 将硼酸和卤代苯接起来，生成单卤代的芳基苯 (2) 将 1 中所得到的卤代苯变成取代的苯硼酸 (OrganicSyntheses2004， Vol.10， p.80 ； Vol.79， p.176(2002).) ； (3) 将 2 中所得的硼酸与各个二溴代的 1， 10- 邻菲罗啉偶联起来，即可得目标分子。上述步骤具体阐述如下：
     实施例 1 化合物 1-1 的合成
     (1) 第一步
     28.3g 间溴碘苯， 12.3g 2- 吡啶硼酸及 0.50g Pd(PPh3)4 溶于 300mL 甲苯中，将 22.0g 碳酸钾溶于 100mL 水中加入以上反应液中，再加入 200mL 乙醇，反应液呈黄色， 50℃反应 1.5h 后，补加 3.00g 2- 吡啶硼酸， TLC 监测反应进程。约 0.5h 后反应完毕，将有机层水洗三次无水 Na2SO4 干燥后进行柱层析，洗脱剂为石油醚∶二氯＝ 20 ∶ 1(V1/V2) 得近白色固
     体 19.66g。MS(m/e) ： 234，产率 84.0％。
     (2) 第二步
     23.4g 间 - 溴 -2- 吡啶苯与 24.6 克硼酸三异丙酯溶于 200mL 干燥的四氢呋喃，降温至 -50℃滴加 50mL 丁基锂 (2.5M)，控制温度在 -40℃到 -50℃之间。加毕在 -40℃到 -50℃ 之间保温 20 分钟，撤去冷浴，自然升温至 -20℃，缓慢加入 20 毫升浓盐酸和 80 毫升水配成的溶液，再自然升至室温，分液，水层用 10％碳酸钠溶液调 pH 至中性，再加 40 克氯化钠饱和，用乙酸乙酯 40mL×3 提取，合并有机层，用硫酸镁干燥 30 分钟，滤去干燥剂，减压浓缩至干，得到白色固体 15.8 克， MS(m/e) ： 199，产率 79.2％。
     (3) 第三步
     8.45g， 2， 9- 二溴 -1， 10- 邻菲罗啉与 12.0g 3-(2- 吡啶 ) 苯硼酸溶于 400mL 二甲苯与 300mL 乙醇的混合溶液中，加入 13.8g 碳酸钾及 0.5g Pd(PPh3)4，回流 2h 后，补加 2.00g 3-(2- 吡啶 ) 苯硼酸。TLC 检测反应完毕，冷却静置有大量固体析出，将其水洗三次。再用 THF 煮沸两次。最后得白色粉末 4.50g，即为化合物 1-1。 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.80％， H： 4.72％， N： 11.48％。产率 33.2％。
     所有目标分子后两步的制备路线都同实施例 1 中 1-1 化合物的制备，差别只在于第一步中苯基与其它取代基团的连接位置及卤代位置，这可根据具体的目标分子选择不同的反应底物，现具体阐述如下：
     实施例 2 化合物 1-2 的合成
     选用间溴碘苯及 3- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-2。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.87％， H： 4.78％， N： 11.35％。总产率为 25.3％。
     实施例 3 化合物 1-3 的合成
     选用间溴碘苯及 4- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-3。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.71％， H： 4.69％， N： 11.60％。总产率为 22.7％。
     实施例 4 化合物 1-4 的合成
     选用间溴碘苯及苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-4。产物 MS(m/e) ： 484，元素分析 (C36H22N2) ：理论值 C ： 89.23％， H： 4.99％， N： 5.78％；实测值 C： 89.11％， H： 4.95％， N： 5.96％。总产率为 32.7％。
     实施例 5 化合物 1-5 的合成
     选用间溴碘苯及 4- 联苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-5。产物 MS(m/e) ： 636，元素分析 (C48H32N2) ：理论值 C ： 90.54％， H： 5.07％， N： 4.40％；实测值 C ： 90.43％， H： 5.15％， N： 4.32％。总产率为 33.8％。
     实施例 6 化合物 1-6 的合成
     选用间溴碘苯及 3- 联苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-6。产物 MS(m/e) ： 636，元素分析 (C48H32N2) ：理论值 C ： 90.54％， H： 5.07％， N： 4.40％；实测值 C ： 90.45％， H： 5.14％， N： 4.31％。总产率为 32.5％。
     实施例 7 化合物 1-7 的合成
     选用间溴碘苯及 1- 萘硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-7。产物 MS(m/e) ： 584，元素分析 (C44H28N2) ：理论值 C ： 90.38％， H： 4.83％， N： 4.79％；实测值 C ： 90.42％， H： 5.01％， N： 4.57％。总产率为 34.2％。
     实施例 8 化合物 1-8 的合成
     选用间溴碘苯及 2- 萘硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-8。产物 MS(m/e) ： 584，元素分析 (C44H28N2) ：理论值 C ： 90.38％， H： 4.83％， N： 4.79％；实测值 C ： 90.42％， H： 4.94％， N： 4.64％。总产率为 33.6％。
     实施例 9 化合物 1-9 的合成
     选用对溴碘苯及 2- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-9。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.71％， H： 4.72％， N： 11.57％。总产率为 34.2％。
     实施例 10 化合物 1-10 的合成
     选用对溴碘苯及 3- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物1-10。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.86％， H： 4.62％， N： 11.52％。总产率为 32.7％。
     实施例 11 化合物 1-11 的合成
     选用对溴碘苯及 4- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-11。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 84.11％， H： 4.42％， N： 11.47％。总产率为 32.5％。
     实施例 12 化合物 1-12 的合成
     选用对溴碘苯及苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-12。产物 MS(m/e) ： 484，元素分析 (C36H22N2) ：理论值 C ： 89.23％， H： 4.99％， N： 5.78％；实测值 C： 89.32％， H： 4.95％， N： 5.73％。总产率为 32.4％。
     实施例 13 化合物 1-13 的合成
     选用对溴碘苯及 4- 联苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-13。产物 MS(m/e) ： 636，元素分析 (C48H32N2) ：理论值 C ： 90.54％， H： 5.07％， N： 4.40％；实测值 C ： 90.46％， H： 5.01％， N： 4.53％。总产率为 32.4％。
     实施例 14 化合物 1-14 的合成
     选用对溴碘苯及 3- 联苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-14。产物 MS(m/e) ： 636，元素分析 (C48H32N2) ：理论值 C ： 90.54％， H： 5.07％， N： 4.40％；实测值 C ： 90.42％， H： 5.17％， N： 4.41％。总产率为 33.5％。
     实施例 15 化合物 1-15 的合成
     选用对溴碘苯及 1- 萘硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-15。产物 MS(m/e) ： 584，元素分析 (C44H28N2) ：理论值 C ： 90.38％， H： 4.83％， N： 4.79％；实测值 C ： 90.45％， H： 5.01％， N： 4.56％。总产率为 34.5％。
     实施例 16 化合物 1-16 的合成
     选用对溴碘苯及 2- 萘硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 1-16。产物 MS(m/e) ： 584，元素分析 (C44H28N2) ：理论值 C ： 90.38％， H： 4.83％， N： 4.79％；实测值 C ： 90.43％， H： 4.92％， N： 4.65％。总产率为 33.8％。实施例 17-32，参与反应的邻菲罗啉部分是 3， 8- 二溴代 -1， 10 邻菲罗啉，其它同实施例 1，具体阐述如下：
     实施例 17 化合物 2-1 的合成
     选用间溴碘苯及 2- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-1。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 84.07％， H： 4.48％， N： 11.45％。总产率为 29.4％。
     实施例 18 化合物 2-2 的合成
     选用间溴碘苯及 3- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-2。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.84％， H： 4.72％， N： 11.34％。总产率为 27.3％。
     实施例 19 化合物 2-3 的合成
     选用间溴碘苯及 4- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-3。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 84.01％， H： 4.59％， N： 11.40％。总产率为 26.7％。实施例 20 化合物 2-4 的合成
     选用间溴碘苯及苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-4。产物 MS(m/e) ： 484，元素分析 (C36H22N2) ：理论值 C ： 89.23％， H： 4.99％， N： 5.78％；实测值 C： 89.15％， H： 4.95％， N： 5.90％。总产率为 32.4％。
     实施例 21 化合物 2-5 的合成
     选用间溴碘苯及 4- 联苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-5。产物 MS(m/e) ： 636，元素分析 (C48H32N2) ：理论值 C ： 90.54％， H： 5.07％， N： 4.40％；实测值 C ： 90.41％， H： 5.05％， N： 4.54％。总产率为 33.4％。
     实施例 22 化合物 2-6 的合成
     选用间溴碘苯及 3- 联苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-6。产物 MS(m/e) ： 636，元素分析 (C48H32N2) ：理论值 C ： 90.54％， H： 5.07％， N： 4.40％；实测值 C ： 90.65％， H： 5.04％， N： 4.31％。总产率为 32.7％。
     实施例 23 化合物 2-7 的合成
     选用间溴碘苯及 1- 萘硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-7。产物 MS(m/e) ： 584，元素分析 (C44H28N2) ：理论值 C ： 90.38％， H： 4.83％， N： 4.79％；实测值 C ： 90.46％， H： 4.91％， N： 4.63％。总产率为 33.2％。
     实施例 24 化合物 2-8 的合成
     选用间溴碘苯及 2- 萘硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-8。产物 MS(m/e) ： 584，元素分析 (C44H28N2) ：理论值 C ： 90.38％， H： 4.83％， N： 4.79％；实测值 C ： 90.27％， H： 4.94％， N： 4.79％。总产率为 33.8％。
     实施例 25 化合物 2-9 的合成
     选用对溴碘苯及 2- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-9。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.81％， H： 4.62％， N： 11.57％。总产率为 33.2％。
     实施例 26 化合物 2-10 的合成
     选用对溴碘苯及 3- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-10。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.82％， H： 4.62％， N： 11.56％。总产率为 32.8％。
     实施例 27 化合物 2-11 的合成
     选用对溴碘苯及 4- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-11。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 84.06％， H： 4.52％， N： 11.42％。总产率为 32.6％。
     实施例 28 化合物 2-12 的合成
     选用对溴碘苯及苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-12。产物 MS(m/e) ： 484，元素分析 (C36H22N2) ：理论值 C ： 89.23％， H： 4.99％， N： 5.78％；实测值 C： 89.35％， H： 4.95％， N： 5.70％。总产率为 33.4％。
     实施例 29 化合物 2-13 的合成
     选用对溴碘苯及 4- 联苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-13。产物 MS(m/e) ： 636，元素分析 (C48H32N2) ：理论值 C ： 90.54％， H： 5.07％， N： 4.40％；实测值 C ： 90.43％， H： 5.01％， N： 4.56％。总产率为 32.8％。
     实施例 30 化合物 2-14 的合成
     选用对溴碘苯及 3- 联苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-14。产物 MS(m/e) ： 636，元素分析 (C48H32N2) ：理论值 C ： 90.54％， H： 5.07％， N： 4.40％；实测值 C ： 90.41％， H： 5.12％， N： 4.47％。总产率为 32.5％。
     实施例 31 化合物 2-15 的合成
     选用对溴碘苯及 1- 萘硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-15。产物 MS(m/e) ： 584，元素分析 (C44H28N2) ：理论值 C ： 90.38％， H： 4.83％， N： 4.79％；实测值 C ： 90.46％， H： 5.01％， N： 4.53％。总产率为 33.5％。
     实施例 32 化合物 2-16 的合成
     选用对溴碘苯及 2- 萘硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 2-16。产物 MS(m/e) ： 584，元素分析 (C44H28N2) ：理论值 C ： 90.38％， H： 4.83％， N： 4.79％；实测值 C ： 90.23％， H： 4.92％， N： 4.85％。总产率为 33.6％。实施例 33-48，参与反应的是 4， 7- 二溴代 -1， 1-0- 邻菲罗啉，其它同实施例 1，具体阐述如下：
     实施例 33 化合物 3-1 的合成
     选用间溴碘苯及 2- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-1。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.85％， H： 4.78％， N： 11.37％。总产率为 32.3％。
     实施例 34 化合物 3-2 的合成
     选用间溴碘苯及 3- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-2。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.97％， H： 4.77％， N： 11.26％。总产率为 35.3％。
     实施例 35 化合物 3-3 的合成
     选用间溴碘苯及 4- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-3。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.81％， H： 4.69％， N： 11.50％。总产率为 28.7％。
     实施例 36 化合物 3-4 的合成
     选用间溴碘苯及苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-4。产物 MS(m/e) ： 484，元素分析 (C36H22N2) ：理论值 C ： 89.23％， H： 4.99％， N： 5.78％；实测值 C： 89.10％， H： 4.94％， N： 5.96％。总产率为 32.4％。
     实施例 37 化合物 3-5 的合成
     选用间溴碘苯及 4- 联苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-5。产物 MS(m/e) ： 636，元素分析 (C48H32N2) ：理论值 C ： 90.54％， H： 5.07％， N： 4.40％；实测值 C ： 90.41％， H： 5.15％， N： 4.34％。总产率为 33.5％。
     实施例 38 化合物 3-6 的合成
     选用间溴碘苯及 3- 联苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-6。产物 MS(m/e) ： 636，元素分析 (C48H32N2) ：理论值 C ： 90.54％， H： 5.07％， N： 4.40％；实测值 C ： 90.63％， H： 5.04％， N： 4.33％。总产率为 32.7％。
     实施例 39 化合物 3-7 的合成选用间溴碘苯及 1- 萘硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-7。产物 MS(m/e) ： 584，元素分析 (C44H28N2) ：理论值 C ： 90.38％， H： 4.83％， N： 4.79％；实测值 C ： 90.41％， H： 5.02％， N： 4.57％。总产率为 34.3％。
     实施例 40 化合物 3-8 的合成
     选用间溴碘苯及 2- 萘硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-8。产物 MS(m/e) ： 584，元素分析 (C44H28N2) ：理论值 C ： 90.38％， H： 4.83％， N： 4.79％；实测值 C ： 90.45％， H： 4.92％， N： 4.63％。总产率为 34.6％。
     实施例 41 化合物 3-9 的合成
     选用对溴碘苯及 2- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-9。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.83％， H： 4.72％， N： 11.45％。总产率为 35.8％。
     实施例 42 化合物 3-10 的合成
     选用对溴碘苯及 3- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-10。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 83.80％， H： 4.62％， N： 11.56％。总产率为 33.7％。
     实施例 43 化合物 3-11 的合成
     选用对溴碘苯及 4- 吡啶硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-11。产物 MS(m/e) ： 486，元素分析 (C34H22N4) ：理论值 C ： 83.93％， H： 4.56％， N： 11.51％；实测值 C ： 84.05％， H： 4.48％， N： 11.47％。总产率为 32.8％。
     实施例 44 化合物 3-12 的合成
     选用对溴碘苯及苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-12。产物 MS(m/e) ： 484，元素分析 (C36H22N2) ：理论值 C ： 89.23％， H： 4.99％， N： 5.78％；实测值 C： 89.34％， H： 4.95％， N： 5.71％。总产率为 34.3％。
     实施例 45 化合物 3-13 的合成
     选用对溴碘苯及 4- 联苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-13。产物 MS(m/e) ： 636，元素分析 (C48H32N2) ：理论值 C ： 90.54％， H： 5.07％， N： 4.40％；实测值 C ： 90.49％， H： 5.01％， N： 4.50％。总产率为 32.4％。
     实施例 46 化合物 3-14 的合成
     选用对溴碘苯及 3- 联苯硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-14。产物 MS(m/e) ： 636，元素分析 (C48H32N2) ：理论值 C ： 90.54％， H： 5.07％， N： 4.40％；实测值 C ： 90.44％， H： 5.17％， N： 4.39％。总产率为 34.5％。
     实施例 47 化合物 3-15 的合成
     选用对溴碘苯及 1- 萘硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-15。产物 MS(m/e) ： 584，元素分析 (C44H28N2) ：理论值 C ： 90.38％， H： 4.83％， N： 4.79％；实测值 C ： 90.25％， H： 5.01％， N： 4.74％。总产率为 32.7％。
     实施例 48 化合物 3-16 的合成
     选用对溴碘苯及 2- 萘硼酸为原料，经与实施例 1 相同的三步反应，得到化合物 3-16。产物 MS(m/e) ： 584，元素分析 (C44H28N2) ：理论值 C ： 90.38％， H： 4.83％， N： 4.79％；实测值 C ： 90.49％， H： 4.92％， N： 4.59％。总产率为 33.9％。下面是本发明化合物的应用实施例：
     实施例 49 ：电发光器件的制备及结果
     制备器件的优选实施方式：
     (1) 器件设计
     为了方便比较这些电子传输材料的传输性能，本发明设计了一简单电发光器件 ( 基片 / 阳极 / 空穴传输层 (HTL)/ 有机发光层 (EL)/ 电子传输层 (ETL)/ 阴极 )，仅使用化合物 1-1、 1-5 和 1-7 作为电子传输材料例证，高效电子传输材料 Alq3 作为比较材料， EM1 作为发光材料例证 (EM1 是主体材料，并非发光材料，目的不是追求高效率，而是验证这些材料实用的可能性 )。Alq3 和 EM1 的结构为：
     基片可以使用传统有机发光器件中的基板，例如：玻璃或塑料。在本发明的器件制作中选用玻璃基板， ITO 作阳极材料。
     空穴传输层可以采用各种三芳胺类材料。在本发明的器件制作中所选用的空穴传输材料是 NPB。
     阴极可以采用金属及其混合物结构，如 Mg:Ag、 Ca:Ag 等，也可以是电子注入层 / 金属层结构，如 LiF/Al、 Li2O 等常见阴极结构。在本发明的器件制作中所选用的电子注入材料是 LiF，阴极材料是 Al。
     (2) 器件制作
     将涂布了 ITO 透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮∶乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
     把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至 1×10-5 ～ 9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀 NPB 作为空穴传输层，蒸镀速率为 0.1nm/s，蒸镀膜厚为 50nm ；
     在空穴传输层之上真空蒸镀 EM1 作为器件的发光层，蒸镀速率为 0.1nm/s，蒸镀总膜厚为 30nm
     在发光层之上真空蒸镀一层化合物 1-1， 1-5， 1-7 或 Alq3 作为器件的电子传输层，其蒸镀速率为 0.1nm/s，蒸镀总膜厚为 50nm
     在电子传输层 (ETL) 上真空蒸镀 Al 层作为器件的阴极，厚度为 150nm。
     器件性能见下表(器件结构： ITO/NPB(40nm)/EM1(30nm)/ETL 材料 (20nm)/ LiF(0.5nm)/Al(150nm))
     以上结果表明，本发明的新型有机材料在有机电致发光器件中可以优选用作电子传输层。尽管结合实施例对本发明进行了说明，但本发明并不局限于上述实施例，应当理解，在本发明构思的引导下，本领域技术人员可进行各种修改和改进，所附权利要求概括了本发明的范围。
     22

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1、10申请公布号CN102372709A43申请公布日20120314CN102372709ACN102372709A21申请号201010258747922申请日20100820C07D471/04200601H01L51/54200601H01L51/5020060171申请人清华大学地址100084北京市海淀区清华大学何添楼111室申请人北京维信诺科技有限公司昆山维信诺显示技术有限公司72发明人邱勇孙绪霞李银奎任雪艳乔娟段炼54发明名称一种芳基菲咯啉类化合物及应用57摘要本发明提供了一种新型化合物，可用于电致发光领域。该材料结构对称，制备工艺简单，具有较高的发光效率和高的载流子迁移率，所应。

2、用的器件能较明显的降低驱动电压，提高电流效率。该材料结构通式如下式I所示，其中，母核选自2，9位二取代、3，8位二取代以及4，7位二取代的1，10邻菲咯啉基团；端基AR选自吡啶基基团、苯基基团、联苯基基团及萘基基团。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书6页说明书15页CN102372712A1/6页21一种有机化合物，其结构通式如下式I所示其中AR选自苯基基团、吡啶基基团、联苯基基团或者萘基基团。2根据权利要求1的有机材料，其特征在于式I中的苯基在1，10邻菲罗啉基上的取代位置选自2，9位二取代、3，8位二取代或者4，7位二取代，1，10邻菲罗啉基的被取代结。

3、构式选自下式II、III或IV3根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，式I中AR的结构式选自下式V、VI、VII、VIII、IX、X、XI或XII4根据权利要求1、2或3之一所述的化合物，结构式选自下式权利要求书CN102372709ACN102372712A2/6页3权利要求书CN102372709ACN102372712A3/6页4权利要求书CN102372709ACN102372712A4/6页5权利要求书CN102372709ACN102372712A5/6页6权利要求书CN102372709ACN102372712A6/6页75权利要求1所述的化合物在有机电致发光器件中用作电子传输。

4、层材料。6一种有机电致发光器件，其中包含一对电极和设置在该对电极之间的有机发光介质，该有机发光介质中至少包含一种选自权利要求1所述的化合物。权利要求书CN102372709ACN102372712A1/15页8一种芳基菲咯啉类化合物及应用技术领域0001本发明涉及一种新型有机材料，及其在有机电致发光显示技术领域中的应用。背景技术0002用于有机电致发光研究的电子传输材料应该具备以下三个特定；1具有大的电子亲和能和高的电子迁移率，从而有利于注入电子的传输；2稳定性好，能形成统一致密的薄膜；3具有高的激发态能级，能有效地避免激发态的能力传递，使得激子复合区在发光层中而不是电子传输层中形成有机电致发。

5、光材料与器件导论，黄春辉等著，复旦大学出版社2005。0003通常来说，电子传输材料都具有大的共轭结构的平面芳香族化合物，它们大多具有较好的接受电子的能力，同时在一定正向偏压下又可以有效的传递电子，目前已知的性能良好的电子传输材料并不多，其中一个原因是存在电子捕获，目前可用的电子传输材料主要有8羟基喹啉铝类化合物，恶二唑类化合物，喹喔啉类化合物，含腈基的聚合物，其它含氮杂环化合物等CHEMMATER2004，16，45564573，JMATERCHEM2005，15，94106。发明内容0004本发明的目的是提出一种新型化合物，该类化合物可以用于有机电致发光显示领域。0005邻菲罗啉类衍生物通。

6、常具有较低的HOMO能级，其刚性平面结构可以提供高的电子流动性，从材料的结构与性质的关联性方面来说，通常引入缺电子的基团能更好的提高材料的电子传输性。吡啶基团是典型的拉电子基团，将其与苯基相连，一方面增大分子量，提高该材料的玻璃化温度；另一方面又可以降低分子的平面性，使材料分子在空间立体上形成一定程度的扭曲更利于真空蒸镀过程中形成均匀的非结晶性薄膜。该材料在空气中有较好的稳定性，可用于有机电致发光器件中。0006本发明开发出一种新型有机材料，制备工艺简单易行且该材料具有良好的热稳定性，高的电子迁移率，在有机电致发光器件中可用作电子传输层。0007本发明公开一类新型化合物，其结构通式如下所示00。

7、080009其中AR选自苯基基团、吡啶基基团、联苯基基团及萘基基团。0010上式I中的苯基基团在1，10邻菲罗啉基上的取代位置选自2，9位二取代、3，8位二取代或者4，7位二取代，1，10邻菲罗啉基的被取代结构式具体如下0011说明书CN102372709ACN102372712A2/15页90012上式I中的AR的具体结构选自下式00130014为了更清楚说明本发明内容，下面具体叙述本发明涉及到的化合物的结构00150016说明书CN102372709ACN102372712A3/15页100017说明书CN102372709ACN102372712A4/15页110018说明书CN1023。

8、72709ACN102372712A5/15页120019说明书CN102372709ACN102372712A6/15页130020说明书CN102372709ACN102372712A7/15页140021本发明的有机材料在有机电致发光器件中用作电子传输层。0022本发明还提出一种有机电致发光器件，其有机功能层中包括上述通式化合物，该类化合物用作有机功能层中的电子传输材料。0023本发明的有机材料制备工艺简单，具有较高的稳定性和高的电子迁移率，在有机电致发光显示器中可用作电子传输层。具体实施方式0024本发明中所用的卤代苯、吡啶硼酸、苯硼酸、联苯硼酸、萘硼酸及各二溴代1，10邻菲罗啉等基础。

9、化工原料均可在国内化工产品市场买到，各种吡啶基苯硼酸均可用普通有机方法合成。说明书CN102372709ACN102372712A8/15页150025实施例0026在本发明中的化合物制备过程主要分三步1通常是通过SUZUKI偶联反应JOURNALOFORGANOMETALLICCHENISTRY1999，576，147168将硼酸和卤代苯接起来，生成单卤代的芳基苯2将1中所得到的卤代苯变成取代的苯硼酸ORGANICSYNTHESES2004，VOL10，P80；VOL79，P1762002；3将2中所得的硼酸与各个二溴代的1，10邻菲罗啉偶联起来，即可得目标分子。上述步骤具体阐述如下0027。

10、实施例1化合物11的合成00281第一步00290030283G间溴碘苯，123G2吡啶硼酸及050GPDPPH34溶于300ML甲苯中，将220G碳酸钾溶于100ML水中加入以上反应液中，再加入200ML乙醇，反应液呈黄色，50反应15H后，补加300G2吡啶硼酸，TLC监测反应进程。约05H后反应完毕，将有机层水洗三次无水NA2SO4干燥后进行柱层析，洗脱剂为石油醚二氯201V1/V2得近白色固体1966G。MSM/E234，产率840。00312第二步00320033234G间溴2吡啶苯与246克硼酸三异丙酯溶于200ML干燥的四氢呋喃，降温至50滴加50ML丁基锂25M，控制温度在40。

11、到50之间。加毕在40到50之间保温20分钟，撤去冷浴，自然升温至20，缓慢加入20毫升浓盐酸和80毫升水配成的溶液，再自然升至室温，分液，水层用10碳酸钠溶液调PH至中性，再加40克氯化钠饱和，用乙酸乙酯40ML3提取，合并有机层，用硫酸镁干燥30分钟，滤去干燥剂，减压浓缩至干，得到白色固体158克，MSM/E199，产率792。00343第三步00350036845G，2，9二溴1，10邻菲罗啉与120G32吡啶苯硼酸溶于400ML二甲苯与300ML乙醇的混合溶液中，加入138G碳酸钾及05GPDPPH34，回流2H后，补加200G32吡啶苯硼酸。TLC检测反应完毕，冷却静置有大量固体析出。

12、，将其水洗三次。再用THF煮沸两次。最后得白色粉末450G，即为化合物11。MSM/E486，元素分析C34H22N4说明书CN102372709ACN102372712A9/15页16理论值C8393，H456，N1151；实测值C8380，H472，N1148。产率332。0037所有目标分子后两步的制备路线都同实施例1中11化合物的制备，差别只在于第一步中苯基与其它取代基团的连接位置及卤代位置，这可根据具体的目标分子选择不同的反应底物，现具体阐述如下0038实施例2化合物12的合成0039选用间溴碘苯及3吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物12。产物MSM/E486，元。

13、素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8387，H478，N1135。总产率为253。0040实施例3化合物13的合成0041选用间溴碘苯及4吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物13。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8371，H469，N1160。总产率为227。0042实施例4化合物14的合成0043选用间溴碘苯及苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物14。产物MSM/E484，元素分析C36H22N2理论值C8923，H499，N578；实测值C8911，H495，。

14、N596。总产率为327。0044实施例5化合物15的合成0045选用间溴碘苯及4联苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物15。产物MSM/E636，元素分析C48H32N2理论值C9054，H507，N440；实测值C9043，H515，N432。总产率为338。0046实施例6化合物16的合成0047选用间溴碘苯及3联苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物16。产物MSM/E636，元素分析C48H32N2理论值C9054，H507，N440；实测值C9045，H514，N431。总产率为325。0048实施例7化合物17的合成0049选用间溴碘苯及1萘硼酸为原。

15、料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物17。产物MSM/E584，元素分析C44H28N2理论值C9038，H483，N479；实测值C9042，H501，N457。总产率为342。0050实施例8化合物18的合成0051选用间溴碘苯及2萘硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物18。产物MSM/E584，元素分析C44H28N2理论值C9038，H483，N479；实测值C9042，H494，N464。总产率为336。0052实施例9化合物19的合成0053选用对溴碘苯及2吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物19。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4。

16、理论值C8393，H456，N1151；实测值C8371，H472，N1157。总产率为342。0054实施例10化合物110的合成0055选用对溴碘苯及3吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物说明书CN102372709ACN102372712A10/15页17110。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8386，H462，N1152。总产率为327。0056实施例11化合物111的合成0057选用对溴碘苯及4吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物111。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理。

17、论值C8393，H456，N1151；实测值C8411，H442，N1147。总产率为325。0058实施例12化合物112的合成0059选用对溴碘苯及苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物112。产物MSM/E484，元素分析C36H22N2理论值C8923，H499，N578；实测值C8932，H495，N573。总产率为324。0060实施例13化合物113的合成0061选用对溴碘苯及4联苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物113。产物MSM/E636，元素分析C48H32N2理论值C9054，H507，N440；实测值C9046，H501，N453。总产率。

18、为324。0062实施例14化合物114的合成0063选用对溴碘苯及3联苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物114。产物MSM/E636，元素分析C48H32N2理论值C9054，H507，N440；实测值C9042，H517，N441。总产率为335。0064实施例15化合物115的合成0065选用对溴碘苯及1萘硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物115。产物MSM/E584，元素分析C44H28N2理论值C9038，H483，N479；实测值C9045，H501，N456。总产率为345。0066实施例16化合物116的合成0067选用对溴碘苯及2萘硼酸为原料。

19、，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物116。产物MSM/E584，元素分析C44H28N2理论值C9038，H483，N479；实测值C9043，H492，N465。总产率为338。实施例1732，参与反应的邻菲罗啉部分是3，8二溴代1，10邻菲罗啉，其它同实施例1，具体阐述如下0068实施例17化合物21的合成0069选用间溴碘苯及2吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物21。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8407，H448，N1145。总产率为294。0070实施例18化合物22的合成0071选用间溴碘苯及。

20、3吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物22。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8384，H472，N1134。总产率为273。0072实施例19化合物23的合成0073选用间溴碘苯及4吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物23。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8401，H459，N1140。总产率为267。说明书CN102372709ACN102372712A11/15页180074实施例20化合物24的合成0075选用间溴碘苯及苯硼酸为原。

21、料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物24。产物MSM/E484，元素分析C36H22N2理论值C8923，H499，N578；实测值C8915，H495，N590。总产率为324。0076实施例21化合物25的合成0077选用间溴碘苯及4联苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物25。产物MSM/E636，元素分析C48H32N2理论值C9054，H507，N440；实测值C9041，H505，N454。总产率为334。0078实施例22化合物26的合成0079选用间溴碘苯及3联苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物26。产物MSM/E636，元素分析C48H3。

22、2N2理论值C9054，H507，N440；实测值C9065，H504，N431。总产率为327。0080实施例23化合物27的合成0081选用间溴碘苯及1萘硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物27。产物MSM/E584，元素分析C44H28N2理论值C9038，H483，N479；实测值C9046，H491，N463。总产率为332。0082实施例24化合物28的合成0083选用间溴碘苯及2萘硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物28。产物MSM/E584，元素分析C44H28N2理论值C9038，H483，N479；实测值C9027，H494，N479。总产率为3。

23、38。0084实施例25化合物29的合成0085选用对溴碘苯及2吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物29。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8381，H462，N1157。总产率为332。0086实施例26化合物210的合成0087选用对溴碘苯及3吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物210。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8382，H462，N1156。总产率为328。0088实施例27化合物211的合成0089选用对溴碘苯及4吡啶硼酸为。

24、原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物211。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8406，H452，N1142。总产率为326。0090实施例28化合物212的合成0091选用对溴碘苯及苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物212。产物MSM/E484，元素分析C36H22N2理论值C8923，H499，N578；实测值C8935，H495，N570。总产率为334。0092实施例29化合物213的合成0093选用对溴碘苯及4联苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物213。产物MSM/E636，元素分。

25、析C48H32N2理论值C9054，H507，N440；实说明书CN102372709ACN102372712A12/15页19测值C9043，H501，N456。总产率为328。0094实施例30化合物214的合成0095选用对溴碘苯及3联苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物214。产物MSM/E636，元素分析C48H32N2理论值C9054，H507，N440；实测值C9041，H512，N447。总产率为325。0096实施例31化合物215的合成0097选用对溴碘苯及1萘硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物215。产物MSM/E584，元素分析C44H2。

26、8N2理论值C9038，H483，N479；实测值C9046，H501，N453。总产率为335。0098实施例32化合物216的合成0099选用对溴碘苯及2萘硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物216。产物MSM/E584，元素分析C44H28N2理论值C9038，H483，N479；实测值C9023，H492，N485。总产率为336。实施例3348，参与反应的是4，7二溴代1，10邻菲罗啉，其它同实施例1，具体阐述如下0100实施例33化合物31的合成0101选用间溴碘苯及2吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物31。产物MSM/E486，元素分析C34H2。

27、2N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8385，H478，N1137。总产率为323。0102实施例34化合物32的合成0103选用间溴碘苯及3吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物32。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8397，H477，N1126。总产率为353。0104实施例35化合物33的合成0105选用间溴碘苯及4吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物33。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8381，H469，N11。

28、50。总产率为287。0106实施例36化合物34的合成0107选用间溴碘苯及苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物34。产物MSM/E484，元素分析C36H22N2理论值C8923，H499，N578；实测值C8910，H494，N596。总产率为324。0108实施例37化合物35的合成0109选用间溴碘苯及4联苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物35。产物MSM/E636，元素分析C48H32N2理论值C9054，H507，N440；实测值C9041，H515，N434。总产率为335。0110实施例38化合物36的合成0111选用间溴碘苯及3联苯硼酸为原。

29、料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物36。产物MSM/E636，元素分析C48H32N2理论值C9054，H507，N440；实测值C9063，H504，N433。总产率为327。0112实施例39化合物37的合成说明书CN102372709ACN102372712A13/15页200113选用间溴碘苯及1萘硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物37。产物MSM/E584，元素分析C44H28N2理论值C9038，H483，N479；实测值C9041，H502，N457。总产率为343。0114实施例40化合物38的合成0115选用间溴碘苯及2萘硼酸为原料，经与实施例1相同的。

30、三步反应，得到化合物38。产物MSM/E584，元素分析C44H28N2理论值C9038，H483，N479；实测值C9045，H492，N463。总产率为346。0116实施例41化合物39的合成0117选用对溴碘苯及2吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物39。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8383，H472，N1145。总产率为358。0118实施例42化合物310的合成0119选用对溴碘苯及3吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物310。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C。

31、8393，H456，N1151；实测值C8380，H462，N1156。总产率为337。0120实施例43化合物311的合成0121选用对溴碘苯及4吡啶硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物311。产物MSM/E486，元素分析C34H22N4理论值C8393，H456，N1151；实测值C8405，H448，N1147。总产率为328。0122实施例44化合物312的合成0123选用对溴碘苯及苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物312。产物MSM/E484，元素分析C36H22N2理论值C8923，H499，N578；实测值C8934，H495，N571。总产率为。

32、343。0124实施例45化合物313的合成0125选用对溴碘苯及4联苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物313。产物MSM/E636，元素分析C48H32N2理论值C9054，H507，N440；实测值C9049，H501，N450。总产率为324。0126实施例46化合物314的合成0127选用对溴碘苯及3联苯硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物314。产物MSM/E636，元素分析C48H32N2理论值C9054，H507，N440；实测值C9044，H517，N439。总产率为345。0128实施例47化合物315的合成0129选用对溴碘苯及1萘硼酸为原料。

33、，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物315。产物MSM/E584，元素分析C44H28N2理论值C9038，H483，N479；实测值C9025，H501，N474。总产率为327。0130实施例48化合物316的合成0131选用对溴碘苯及2萘硼酸为原料，经与实施例1相同的三步反应，得到化合物316。产物MSM/E584，元素分析C44H28N2理论值C9038，H483，N479；实测值C9049，H492，N459。总产率为339。说明书CN102372709ACN102372712A14/15页210132下面是本发明化合物的应用实施例0133实施例49电发光器件的制备及结果0134。

34、制备器件的优选实施方式01351器件设计0136为了方便比较这些电子传输材料的传输性能，本发明设计了一简单电发光器件基片/阳极/空穴传输层HTL/有机发光层EL/电子传输层ETL/阴极，仅使用化合物11、15和17作为电子传输材料例证，高效电子传输材料ALQ3作为比较材料，EM1作为发光材料例证EM1是主体材料，并非发光材料，目的不是追求高效率，而是验证这些材料实用的可能性。ALQ3和EM1的结构为01370138基片可以使用传统有机发光器件中的基板，例如玻璃或塑料。在本发明的器件制作中选用玻璃基板，ITO作阳极材料。0139空穴传输层可以采用各种三芳胺类材料。在本发明的器件制作中所选用的空穴。

35、传输材料是NPB。0140阴极可以采用金属及其混合物结构，如MGAG、CAAG等，也可以是电子注入层/金属层结构，如LIF/AL、LI2O等常见阴极结构。在本发明的器件制作中所选用的电子注入材料是LIF，阴极材料是AL。01412器件制作0142将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；0143把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至11059103PA，在上述阳极层膜上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为01NM/S，蒸镀膜厚为50NM；014。

36、4在空穴传输层之上真空蒸镀EM1作为器件的发光层，蒸镀速率为01NM/S，蒸镀总膜厚为30NM0145在发光层之上真空蒸镀一层化合物11，15，17或ALQ3作为器件的电子传输层，其蒸镀速率为01NM/S，蒸镀总膜厚为50NM0146在电子传输层ETL上真空蒸镀AL层作为器件的阴极，厚度为150NM。0147器件性能见下表器件结构ITO/NPB40NM/EM130NM/ETL材料20NM/LIF05NM/AL150NM0148说明书CN102372709ACN102372712A15/15页220149以上结果表明，本发明的新型有机材料在有机电致发光器件中可以优选用作电子传输层。0150尽管结合实施例对本发明进行了说明，但本发明并不局限于上述实施例，应当理解，在本发明构思的引导下，本领域技术人员可进行各种修改和改进，所附权利要求概括了本发明的范围。说明书CN102372709A。

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