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1、(10)申请公布号 CN 103781726 A (43)申请公布日 2014.05.07 CN 103781726 A (21)申请号 201380001968.X (22)申请日 2013.07.08 177914/2012 2012.08.10 JP C01B 37/00(2006.01) H01L 51/50(2006.01) (71)申请人 松下电器产业株式会社 地址 日本大阪府 (72)发明人 福冈步 山名正人 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 段承恩 杨光军 (54) 发明名称 介孔二氧化硅微粒、 介孔二氧化硅微粒的制 造方法、 含有介孔二氧化硅微粒。
2、的组合物、 含有介 孔二氧化硅微粒的成形物和有机电致发光元件 (57) 摘要 本发明的介孔二氧化硅微粒, 具备具有第一 介孔的粒子内部、 和被覆上述粒子内部的粒子外 周部。 上述粒子外周部, 含有包含有机二氧化硅的 有机二氧化硅被覆部。 上述有机二氧化硅, 包含二 氧化硅骨架内的两个 Si 之间被有机基团交联的 交联型有机二氧化硅。 (30)优先权数据 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2013.12.31 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2013/004221 2013.07.08 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2014/024379 JA 2014.02.13 (。
3、51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 16 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书16页 附图2页 (10)申请公布号 CN 103781726 A CN 103781726 A 1/1 页 2 1. 一种介孔二氧化硅微粒, 具备 : 具有第一介孔的粒子内部、 和被覆所述粒子内部的 粒子外周部, 所述粒子外周部, 含有包含有机二氧化硅的有机二氧化硅被覆部, 所述有机二氧化硅, 包含二氧化硅骨架内的两个 Si 之间被有机基团交联的交联型有 机二氧化硅。 2. 根据权利要求 1 所述的介孔二氧化硅微粒, 所述有机二氧化硅被覆。
4、部, 具有比所述 第一介孔小的第二介孔。 3. 一种介孔二氧化硅微粒的制造方法, 包括 : 表面活性剂复合二氧化硅微粒制作工序, 该工序将第一表面活性剂、 水、 碱、 含疏水部 添加物、 和二氧化硅源混合, 制作表面活性剂复合二氧化硅微粒, 所述含疏水部添加物具备 使由所述第一表面活性剂形成的胶束的体积增大的疏水部 ; 和 有机二氧化硅被覆工序, 该工序向所述表面活性剂复合二氧化硅微粒加入有机二氧化 硅源, 利用有机二氧化硅被覆所述表面活性剂复合二氧化硅微粒的表面的至少一部分。 4. 根据权利要求 3 所述的介孔二氧化硅微粒的制造方法, 在所述有机二氧化硅被覆工 序中, 向所述表面活性剂复合二。
5、氧化硅微粒加入所述有机二氧化硅源和第二表面活性剂, 利用复合有所述第二表面活性剂的有机二氧化硅被覆所述表面活性剂复合二氧化硅微粒 的表面的至少一部分。 5. 一种含有介孔二氧化硅微粒的组合物, 含有权利要求 1 所述的介孔二氧化硅微粒和 基质形成材料。 6. 一种含有介孔二氧化硅微粒的成形物, 是权利要求 5 所述的含有介孔二氧化硅微粒 的组合物被成形为规定形状而成的。 7. 一种有机电致发光元件, 具备 : 第一电极与第二电极 ; 和 配置于所述第一电极与所述第二电极之间的、 含有发光层的有机层, 所述有机层含有 权利要求 1 所述的介孔二氧化硅微粒。 权 利 要 求 书 CN 103781。
6、726 A 2 1/16 页 3 介孔二氧化硅微粒、 介孔二氧化硅微粒的制造方法、 含有介 孔二氧化硅微粒的组合物、 含有介孔二氧化硅微粒的成形 物和有机电致发光元件 技术领域 0001 本发明涉及介孔二氧化硅微粒、 介孔二氧化硅微粒的制造方法、 使用上述介孔二 氧化硅微粒得到的组合物、 使用上述组合物得到的成形物、 和使用上述介孔二氧化硅微粒 得到的有机电致发光元件。 背景技术 0002 以往, 作为实现低反射率 (Low-n) 和 / 或低介电常数 (Low-k) 的微粒, 已知如专利 文献 1 中所记载的中空结构的二氧化硅微粒。另外近年来, 要求更高孔隙化所带来的高性 能化。但是, 中空。
7、二氧化硅微粒将外侧的壳变薄是困难的, 如果微粒化为粒径 100nm 以下则 从其结构来看孔隙率容易下降。 0003 那样的状况之中, 介孔 (mesoporous) 二氧化硅微粒, 具有即使从其结构上进行微 粒化孔隙率也难以下降的特征, 作为下一代的高孔隙微粒期待向着低反射率 (Low-n) 材料、 低介电常数 (Low-k) 材料、 以及低热传导率材料的应用。并且, 通过使介孔二氧化硅微粒分 散于树脂等的基质形成材料中, 能够得到具有上述功能的成形物 (参照专利文献26) 。 另 外, 也提出了外壳部具有介孔结构的核壳型介孔二氧化硅粒子等 (参照专利文献 7) 。 0004 现有技术文献 0。
8、005 专利文献 1 : 日本特开 2001-233611 号公报 0006 专利文献 2 : 日本特开 2009-040965 号公报 0007 专利文献 3 : 日本特开 2009-040966 号公报 0008 专利文献 4 : 日本特开 2009-040967 号公报 0009 专利文献 5 : 日本特开 2004-083307 号公报 0010 专利文献 6 : 日本特开 2007-161518 号公报 0011 专利文献 7 : 日本特开 2009-263171 号公报 0012 非专利文献 1 : Microporous and Mesoporous Materials120(2。
9、009) 447-453 发明内容 0013 为了制作具有介孔二氧化硅微粒的优异功能的成形物, 需要使孔隙率高的介孔二 氧化硅微粒保持于成形物。 但是, 由于以往的介孔二氧化硅微粒中孔隙量少, 存在介孔二氧 化硅微粒的含量少则成形物等无法充分得到上述那样的功能, 相反地, 介孔二氧化硅微粒 的含量变多则成形物的强度下降的问题。另外, 也致力于将介孔二氧化硅微粒进一步高孔 隙化。例如, 非专利文献 1 中, 记载了通过加入苯乙烯等扩大介孔而将粒子高孔隙化的技 术。但是, 用该方法, 介孔的形状和 / 或配置没有规则性, 起因于粒子强度使成形物的强度 有可能降低。另外, 同时, 由于介孔的扩大使基。
10、质形成材料变得容易侵入介孔内, 有可能变 得难以体现低反射率 (Low-n) 、 低介电常数 (Low-k) 和 / 或低热传导率的功能。 说 明 书 CN 103781726 A 3 2/16 页 4 0014 并且, 为了提高由介孔二氧化硅微粒的复合化所得到的成形物的功能, 需要使介 孔二氧化硅微粒高度分散于成形物中。 但是, 以往的介孔二氧化硅微粒, 在分散性方面要求 进一步的改善。 0015 本发明是鉴于上述的点而完成的, 目的在于提供能够对成形物赋予低反射率 (Low-n) 、 低介电常数 (Low-k) 和 / 或低热传导率等优异功能、 以及高强度化两方面的介孔 二氧化硅微粒。 0。
11、016 本发明提供一种介孔二氧化硅微粒, 具备 : 具有第一介孔的粒子内部、 和被覆上述 粒子内部的粒子外周部, 0017 上述粒子外周部, 含有包含有机二氧化硅的有机二氧化硅被覆部, 0018 上述有机二氧化硅, 包含二氧化硅骨架内的两个 Si 之间被有机基团交联的交联 型有机二氧化硅。 0019 根据本发明, 能够提高向基质形成材料中的分散性, 并抑制基质形成材料向介孔 的侵入, 能够提供可对成形物赋予低反射率 (Low-n) 和 / 或低介电常数 (Low-k) 、 低热传导 率等优异功能、 以及高强度化两方面的介孔二氧化硅微粒。 附图说明 0020 图 1 是表示本发明的实施方式涉及的。
12、有机电致发光元件的一例的截面图。 0021 图 2A 是表示实施例 1 的介孔二氧化硅微粒的透射型电子显微镜 (TEM) 图像的照 片。 0022 图 2B 是表示实施例 1 的介孔二氧化硅微粒的 TEM 图像的照片。 0023 图 3A 是表示实施例 2 的介孔二氧化硅微粒的 TEM 图像的照片。 0024 图 3B 是表示实施例 2 的介孔二氧化硅微粒的 TEM 图像的照片。 0025 图 4A 是表示实施例 3 的介孔二氧化硅微粒的 TEM 图像的照片。 0026 图 4B 是表示实施例 3 的介孔二氧化硅微粒的 TEM 图像的照片。 0027 图 5A 是表示比较例 1 的介孔二氧化硅。
13、微粒的 TEM 图像的照片。 0028 图 5B 是表示比较例 1 的介孔二氧化硅微粒的 TEM 图像的照片。 具体实施方式 0029 本发明者们发现, 使介孔二氧化硅微粒分散于形成基质的材料 (基质形成材料) 从 而形成成形物时, 以往的介孔二氧化硅微粒具有下述课题 : 由于其表面为亲水性而在亲水 性的基质形成材料中比较容易分散, 但在疏水性的基质形成材料中难以分散。 在此, 本发明 者们反复研究的结果, 提供了一种具有向基质形成材料的优异分散性, 其结果能够使成形 物的功能更加提高的介孔二氧化硅微粒。并且, 本发明者们提供了一种能够制造那样的介 孔二氧化硅微粒的方法。并且, 本发明者们提供。
14、了一种使用上述介孔二氧化硅微粒得到的 组合物、 使用上述组合物得到的成形物、 和使用上述介孔二氧化硅微粒得到的有机电致发 光元件 (以下, 记载为 有机 EL 元件 ) 。 0030 本发明的第一方式, 提供一种介孔二氧化硅微粒, 具备 : 具有第一介孔的粒子内 部、 和被覆上述粒子内部的粒子外周部, 0031 上述粒子外周部, 含有包含有机二氧化硅的有机二氧化硅被覆部, 说 明 书 CN 103781726 A 4 3/16 页 5 0032 上述有机二氧化硅, 包含二氧化硅骨架内的两个 Si 之间被有机基团交联的交联 型有机二氧化硅。 0033 第一方式涉及的介孔二氧化硅微粒, 粒子外周部。
15、包含有机二氧化硅被覆部。 因此, 由于可以通过适当地选择有机二氧化硅所含有的有机基团来使粒子表面成为疏水性, 所以 即使是构成成形物的基质形成材料为疏水性的情况, 也可得到向基质形成材料中的优异分 散性。 并且, 由于有机二氧化硅被覆部包含交联型有机二氧化硅, 所以有机基团被插入骨架 内成为在有机二氧化硅被覆部内均匀配置的状态。因此, 能够均一地发现相对于基质形成 材料的均匀的分散性和反应性等的功能。另外, 由于具有介孔的粒子内部被粒子外周部被 覆, 基质形成材料变得难以侵入粒子内部的介孔内。 因此, 即使不增多介孔二氧化硅微粒的 添加量, 低反射率 (Low-n) 、 低介电常数 (Low-。
16、k) 和 / 或低热传导率的功能也可被充分地体 现。 据此, 第一方式涉及的介孔二氧化硅微粒, 能够并存地赋予成形物低反射率 (Low-n) 、 低 介电常数 (Low-k) 和 / 或低热传导率等的优异功能和高强度化。 0034 本发明的第二方式, 提供一种介孔二氧化硅微粒, 在第一方式中, 上述有机二氧化 硅被覆部, 具有比上述第一介孔小的第二介孔。 0035 根据第二方式涉及的介孔二氧化硅微粒, 能够保持构成成形物的基质形成材料向 粒子内部的介孔内的侵入难度, 同时增加粒子的孔隙量。 0036 本发明的第三方式, 提供一种介孔二氧化硅微粒的制造方法, 包括 : 0037 表面活性剂复合二。
17、氧化硅微粒制作工序, 该工序将第一表面活性剂、 水、 碱、 含疏 水部添加物、 和二氧化硅源混合, 制作表面活性剂复合二氧化硅微粒, 上述含疏水部添加物 具备使由上述第一表面活性剂形成的胶束 (micelle, 微胞) 的体积增大的疏水部 ; 和 0038 有机二氧化硅被覆工序, 该工序向上述表面活性剂复合二氧化硅微粒加入有机二 氧化硅源, 利用有机二氧化硅被覆上述表面活性剂复合二氧化硅微粒的表面的至少一部 分。 0039 根据本发明的第三方式涉及的制造方法, 能够制造一种介孔二氧化硅微粒, 上述 介孔二氧化硅微粒具有向基质生成材料的高分散性, 能够抑制基质形成材料向介孔的侵 入, 能够对于成。
18、形物赋予低反射率 (Low-n) 、 低介电常数 (Low-k) 和 / 或低热传导率等优异 功能和高强度化两者。 0040 本发明的第四方式, 提供一种介孔二氧化硅微粒的制造方法, 在第三方式中, 在上 述有机二氧化硅被覆工序中, 向上述表面活性剂复合二氧化硅微粒加入上述有机二氧化硅 源和第二表面活性剂, 利用复合有上述第二表面活性剂的有机二氧化硅被覆上述表面活性 剂复合二氧化硅微粒的表面的至少一部分。 0041 根据第四方式涉及的制造方法, 能够制造具备了具有比上述第一介孔小的第二介 孔的有机二氧化硅被覆部的介孔二氧化硅微粒。 0042 本发明的第五方式, 提供一种含有介孔二氧化硅微粒的组。
19、合物, 其含有第一方式 或第二方式涉及的介孔二氧化硅微粒和基质形成材料。 0043 根据第五方式涉及的组合物, 能够容易地制造可兼具低反射率 (Low-n) 、 低介电常 数 (Low-k) 和 / 或低热传导率等优异功能以及高强度化的成形物。 0044 本发明的第六方式, 提供一种介孔二氧化硅成形物, 是第五方式涉及的含有介孔 二氧化硅微粒的组合物被成形为规定形状而成的。 说 明 书 CN 103781726 A 5 4/16 页 6 0045 第六方式涉及的成形物, 能够实现低反射率 (Low-n) 、 低介电常数 (Low-k) 和 / 或 低热传导率等优异功能以及高强度化的并存。 00。
20、46 本发明的第七方式, 提供一种有机电致发光元件, 具备 : 0047 第一电极与第二电极 ; 和 0048 配置于上述第一电极与上述第二电极之间的、 含有发光层的有机层, 0049 上述有机层含有第一方式或第二方式涉及的介孔二氧化硅微粒。 0050 第七方式涉及的有机 EL 元件中, 含有发光层的有机层, 含有第一方式或第二方式 涉及的介孔二氧化硅微粒。 如上所述, 第一方式或第二方式涉及的介孔二氧化硅微粒, 能够 赋予成形物低反射率 (Low-n) 、 低介电常数 (Low-k) 和 / 或低热传导率等优异功能以及高强 度化两者。因此, 根据第七方式涉及的有机 EL 元件, 能够将含有发。
21、光层的有机层设为低折 射率, 因此可得到高的发光性。 0051 以下, 对用于实施本发明的方式进行说明。 0052 介孔二氧化硅微粒 0053 介孔二氧化硅微粒, 具备具有第一介孔的粒子内部、 和被覆上述粒子内部的粒子 外周部。再者, 在介孔二氧化硅微粒具有核壳型结构的情况下, 粒子内部为核部, 粒子外周 部为被覆核部的壳部。粒子外周部, 含有通过有机二氧化硅的被覆而形成了的部分。以下, 在本说明书中, 将具备第一介孔的粒子内部的部分称为二氧化硅核。 另外, 将通过有机二氧 化硅的被覆而形成了的部分称为有机二氧化硅被覆部 (或有机二氧化硅壳) 。形成有机二氧 化硅被覆部的有机二氧化硅, 含有在。
22、二氧化硅骨架内的至少一部分具有两个 Si 之间被有 机基团交联的结构的二氧化硅 (交联型有机二氧化硅) 。如上所述, 粒子外周部含有有机二 氧化硅被覆部即可, 粒子外周部可以还含有包含有机二氧化硅以外的材料的被覆部。 但是, 本实施方式中, 对粒子外周部由有机二氧化硅被覆部构成的结构举例说明。 0054 介孔二氧化硅微粒的平均粒径, 优选为 100nm 以下。据此, 变得容易进入要求低折 射率 (Low-n) 、 低介电常数 (Low-k) 和 / 或低热传导率的装置结构中, 能够向装置内高密度 地填充微粒。介孔二氧化硅微粒的平均粒径比该范围大时有可能不能进行高度填充。介孔 二氧化硅微粒的平均。
23、粒径的下限实质性地为 10nm。平均粒径优选为 20 100nm。在此, 介 孔二氧化硅微粒的粒径, 是包含有机二氧化硅被覆部、 即粒子外周部的粒径, 是二氧化硅核 的粒径合计了有机二氧化硅被覆部的厚度的粒径。二氧化硅核的平均粒径可以设为例如 20 80nm。再者, 介孔二氧化硅微粒的平均粒径, 是通过根据电子显微镜进行的直接观察 测定至少 30 个介孔二氧化硅微粒的粒径, 求算得到的测定值的算术平均值来求算的值。另 外, 二氧化硅核的平均粒径, 在后述的介孔二氧化硅微粒的制造中, 在 表面活性剂复合二 氧化硅微粒制作工序 之后, 使用不实施 有机二氧化硅被覆工序 而实施 除去工序 得到 的粒。
24、子能够进行确认。具体地, 通过根据电子显微镜进行的直接观察测定至少 30 个粒子的 粒径, 求算得到了的测定值的算术平均值, 将此作为平均粒径。 0055 第一介孔的孔径优选为 3.0nm 以上, 并且优选介孔二氧化硅微粒中多个第一介孔 以相等间隔配置于粒子内部而形成。据此, 将含有介孔二氧化硅微粒的组合物成形时, 第 一介孔相等间隔地进行配置, 从而不会像介孔分布不均的情况那样强度变弱, 能够均一地 维持强度, 同时实现充分的高孔隙率化。第一介孔的孔径低于 3.0nm 则有可能得不到充分 的孔隙。另外, 第一介孔的孔径优选为 10nm 以下。介孔的孔径比其大, 则孔隙过大粒子易 说 明 书 。
25、CN 103781726 A 6 5/16 页 7 坏从而成形物的强度有可能变弱。再者, 所谓相等间隔不需要为完全相等的间隔, 进行了 TEM 观察等的情况下认为是实质性相等的间隔即可。再者, 第一介孔的孔径, 是从采用 BJH (Barrett-Joyner-Halenda) 解析法得到的细孔径分布求算的值。 对于第二介孔的孔径也是 同样的。 0056 粒子外周部、 在本实施方式中是被覆二氧化硅核的有机二氧化硅被覆部 (有机二 氧化硅壳) , 可以被覆二氧化硅核整体, 也可以部分地被覆二氧化硅核。据此, 能够将在二氧 化硅核的表面露出了的第一介孔堵塞、 或缩小第一介孔的开口面积。 0057 。
26、有机二氧化硅被覆部的厚度, 优选为 30nm 以下。厚度在其以上, 则粒子全体的孔 隙量有可能变小。作为低折射率材料使用的情况, 为 10nm 以下则能够充分地低折射率化, 从而更优选。另外, 有机二氧化硅被覆部的厚度, 优选为 1nm 以上。厚度在其以下, 则被覆 量减少, 有可能不能将第一介孔充分堵塞或缩小。 0058 有机二氧化硅被覆部, 优选具备比第一介孔小的第二介孔。通过有机二氧化硅被 覆部具有孔径比第一介孔小的第二介孔, 能够保持树脂等基质形成材料向第一介孔的侵入 难度, 同时使粒子的孔隙量增大。 0059 第二介孔的孔径优选为 2nm 以上, 并且优选有机二氧化硅被覆部中多个第二。
27、介孔 以相等间隔配置而形成。通过第二介孔相等间隔地配置, 将含有介孔二氧化硅微粒的组合 物成形时, 不会像介孔分布不均的情况那样强度变弱, 能够均一地维持强度, 同时实现充分 的高孔隙率化。第二介孔的孔径低于 2nm 则有可能得不到充分的孔隙。另外, 第二介孔的 孔径优选为第一介孔的孔径的 90% 以下。第二介孔的孔径比其大, 则变得几乎没有与第一 介孔的孔径的差, 有可能体现不了被覆的效果。再者, 所谓 相等间隔 不需要是完全相等 的间隔, 进行了 TEM 观察等的情况下认为是实质性相等的间隔即可。 0060 介孔二氧化硅微粒, 具备有机二氧化硅被覆部。即, 在介孔二氧化硅微粒的表面, 存在。
28、有机二氧化硅所含有的有机基团。通过这样的有机基团的存在, 能够提高相对于基质 形成材料的分散性和反应性等的介孔二氧化硅微粒的功能。介孔二氧化硅微粒, 优选除了 形成有机二氧化硅被覆部的有机二氧化硅所含有的有机基团以外, 在其表面另外具备有机 基团。通过另外的有机基团的导入, 能够进一步提高分散性和 / 或反应性等的功能性。 0061 在介孔二氧化硅微粒表面, 优选均匀地配置有机基团。据此, 能够使分散性和 / 或 反应性等的功能性的提高均匀地体现。形成有机二氧化硅被覆部的有机二氧化硅, 包含二 氧化硅骨架的一部分具有两个 Si 之间被有机基团交联的结构的交联型有机二氧化硅。形 成有机二氧化硅被。
29、覆部的有机二氧化硅, 也可以由交联型有机二氧化硅构成。根据这样的 交联型有机二氧化硅, 有机基团被更均匀地配置, 从而优选。 0062 存在于介孔二氧化硅微粒表面的有机基团, 优选为疏水性的官能团。 据此, 在分散 液中向溶剂中的分散性提高, 并且在树脂组合物中向树脂中的分散性提高。 因此, 能够得到 粒子均匀地分散了的成形物。另外, 以高密度成形的情况下, 在成形中和 / 或成形后, 水分 有可能侵入介孔二氧化硅微粒的介孔和 / 或孔隙发生品质劣化。但是, 因为疏水性的官能 团防止水分吸附, 因此能够得到高品质的成形物。 0063 作为疏水性的官能团, 并没有特别限定。 该疏水性的官能团, 。
30、为构成形成有机二氧 化硅被覆部的有机二氧化硅的官能团, 在为交联两个Si之间的2价官能团的情况, 例如, 可 举出亚甲基、 亚乙基和亚丁基等的亚烷基、 亚苯基和亚联苯基等的 2 价芳香基的疏水性的 说 明 书 CN 103781726 A 7 6/16 页 8 有机基团。另外, 当该疏水性的官能团是在介孔二氧化硅微粒的表面进一步加成的官能团 的情况, 例如, 可举出甲基、 乙基和丁基等的烷基、 苯基和联苯基等的芳香基的疏水性有机 基团和 / 或它们的氟取代基等。优选这些疏水性的官能团设置于有机二氧化硅被覆部。据 此, 能够有效地提高疏水性从而提高分散性。 0064 另外, 介孔二氧化硅微粒, 。
31、优选在该粒子表面具备反应性的官能团。 反应性的官能 团, 是指与主要形成基质的树脂反应的官能团。 据此, 由于形成基质的树脂与微粒的官能团 反应能够形成化学键, 因此能够提高成形物的强度。优选这些反应性的官能团被设置于有 机二氧化硅被覆部。据此, 能够有效地提高反应性并提高成形物的强度。 0065 反应性的官能团, 并没有特别限定, 但优选为氨基、 环氧基、 乙烯基、 异氰酸酯基、 巯基、 硫醚基 (sulfide group) 、 脲基 (ureido group) 、 甲基丙烯酰氧基、 丙烯酰氧基、 苯乙 烯基等。 根据这些官能团, 该官能团与树脂形成化学键, 因此能够提高介孔二氧化硅微粒。
32、与 形成基质的树脂的密着性。 0066 介孔二氧化硅微粒的制造 0067 本发明的介孔二氧化硅微粒的制造方法没有特别限定, 优选用以下方法进行。首 先, 进行 表面活性剂复合二氧化硅微粒制作工序 , 该工序制作表面活性剂胶束作为模板 (templet) 存在于介孔内部的表面活性剂复合二氧化硅微粒, 该表面活性剂胶束的内部包 含含疏水部添加物。 并且, 接着进行 有机二氧化硅被覆工序 , 该工序向该表面活性剂复合 二氧化硅微粒加入有机二氧化硅源, 利用有机二氧化硅被覆上述二氧化硅微粒 (二氧化硅 核) 表面的至少一部分。并且, 最后进行 除去工序 , 该工序将表面活性剂复合二氧化硅微 粒所含有的。
33、表面活性剂和含疏水部添加物除去。 0068 (表面活性剂复合二氧化硅微粒制作工序) 0069 表面活性剂复合二氧化硅微粒制作工序中, 首先, 制作含有表面活性剂 (第一表面 活性剂) 、 水、 碱、 含疏水部添加物、 和二氧化硅源的混合液, 该含疏水部添加物具备使由上 述表面活性剂形成的胶束的体积增大的疏水部。 0070 作为二氧化硅源, 是形成介孔二氧化硅微粒中的具有第一介孔的粒子内部的二氧 化硅源即可, 能够使用合适的二氧化硅源 (硅化合物) 。作为这样的物质, 例如, 能够举出烷 氧基硅烷, 特别是可以举出作为四烷氧基硅烷的四甲氧基硅烷、 四乙氧基硅烷、 四丙氧基硅 烷等。 由于其中能够。
34、简单地制作良好的介孔二氧化硅微粒, 因此优选使用四乙氧基硅烷 (Si (OC2H5) 4) 。 0071 并且, 作为二氧化硅源, 优选含有具有有机基团的烷氧基硅烷。通过使用这样的 烷氧基硅烷, 能够使内部包含含疏水部添加物的表面活性剂胶束与二氧化硅源更稳定地反 应, 能够容易地制造介孔在粒子内部被相等间隔地配置了的介孔二氧化硅微粒。 0072 作为具有有机基团的烷氧基硅烷, 是能够通过作为二氧化硅源的成分使用来得到 表面活性剂复合二氧化硅微粒的烷氧基硅烷即可, 并没有特别限定, 例如, 能够举出将烷 基、 芳基、 氨基、 环氧基、 乙烯基、 巯基、 硫醚基、 脲基、 甲基丙烯酰氧基、 丙烯酰。
35、氧基、 苯乙烯 基等作为有机基团含有的烷氧基硅烷。 其中, 更优选氨基, 例如能够优选使用氨丙基三乙氧 基硅烷等的硅烷偶联剂。 0073 作为表面活性剂, 可以使用阳离子系表面活性剂、 阴离子系表面活性剂、 非离子系 表面活性剂、 三嵌段共聚物的任一种表面活性剂, 但优选使用阳离子性表面活性剂。作为 说 明 书 CN 103781726 A 8 7/16 页 9 阳离子性表面活性剂, 并没有特别限定, 十八烷基三甲基溴化铵、 十六烷基三甲基溴化铵、 十四烷基三甲基溴化铵、 十二烷基三甲基溴化铵、 十烷基三甲基溴化铵、 辛基三甲基溴化 铵、 己基三甲基溴化铵等的季铵盐阳离子性表面活性剂, 由于能。
36、够简单地制作良好的介孔 二氧化硅微粒所以特别优选。 0074 二氧化硅源与表面活性剂的混合比率并没有特别限定, 以重量比计优选为 1:10 10:1。表面活性剂的量相对于二氧化硅源在该重量比的范围外则生成物的结构规 则性容易下降, 得到介孔有规则地排列了的介孔二氧化硅微粒有可能变难。 特别地, 如果是 100:75 100:100, 则能够得到排列了容易有规则排列的介孔的介孔二氧化硅微粒。 0075 含疏水部添加物是具备疏水部的添加物, 该疏水部具有使上述那样的表面活性剂 形成的胶束体积增大的效果。 含有含疏水部的添加物, 则使烷氧基硅烷的水解反应进行时, 通过该添加物进入表面活性剂胶束的疏水。
37、部使胶束的体积增大, 因此能够得到第一介孔大 的介孔二氧化硅微粒。 作为含疏水部添加物, 并没有特别限定, 作为分子全体为疏水性的物 质能够例示烷基苯和 / 或长链烷烃、 苯、 萘、 蒽、 环己烷等, 作为分子的一部分具备疏水部的 物质能够例示嵌段共聚物等。甲苯、 乙苯、 异丙苯等的烷基苯由于容易进入胶束, 第一介孔 容易变大所以特别优选。 0076 再者, 制作介孔材料的情况下, 添加疏水性的添加物扩大介孔, 在现有技术文献 J.Am.Chem.Soc.1992,114,10834-10843和Chem.Mater.2008,20,4777-4782中公开。 但是, 在本发明的制造方法中, 。
38、通过使用上述那样的方法, 能够保持可适用于微小装置的分散良 好的微粒状态不变地扩大介孔由此得到高孔隙化了的介孔二氧化硅微粒。 0077 混合液中的含疏水部添加物的量, 相对于表面活性剂的物质量比 (摩尔比) 优选为 3 倍以上。据此, 能够使介孔的大小充分, 容易制作更高孔隙的微粒。如果含疏水部添加物 相对于表面活性剂的量低于 3 倍, 则有可能得不到充分的介孔大小。即使含疏水部添加物 以过剩的量被含有, 过剩的含疏水部添加物也不进入胶束之中, 对微粒的反应难以给予大 的影响。因此, 含疏水部添加物的量的上限, 并没有特别限定, 但考虑水解反应的效率化则 优选为 100 倍以内。更优选为 3 。
39、倍以上 50 倍以内。 0078 混合液中优选含有醇 (alcohol) 。如果混合液含有醇, 则二氧化硅源聚合时, 能够 控制聚合物的大小和 / 或形状, 能够接近于大小一致的球形微粒。特别是作为二氧化硅源 使用了具有有机基团的烷氧基硅烷的情况, 粒子的大小和 / 或形状容易变得不规则, 但如 果含有醇, 则能够防止有机基团导致的形状等的错乱, 调整粒子的大小和 / 或形状。 0079 而现有技术文献 Microporous and Mesoporous Materials2006,93,190-198 中, 公开了使用各种醇制作形状不同的介孔二氧化硅微粒。 但是, 该文献的方法中, 介孔的。
40、大小 不充分, 不能制作形成高孔隙的微粒。另一方面, 上述的本实施方式的方法中, 在向上述那 样的混合物中添加了醇的情况下, 能够在粒子的生长被抑制的同时进一步得到第一介孔大 的微粒。 0080 作为醇, 并没有特别限定, 但具有两个以上羟基的多元醇, 能够良好地控制粒子生 长因此优选。作为多元醇, 能够使用适当的物质, 例如优选使用乙二醇、 丙三醇、 1.3- 丁二 醇、 丙二醇、 聚乙二醇等。醇的混合量, 并没有特别限定, 相对于二氧化硅源优选为 1000 10000 质量 % 左右, 更优选为 2200 6700 质量 % 左右。 0081 并且, 表面活性剂复合二氧化硅微粒制作工序中,。
41、 接着, 将上述的混合液混合搅 说 明 书 CN 103781726 A 9 8/16 页 10 拌, 制作表面活性剂复合二氧化硅微粒。通过该混合和搅拌使二氧化硅源通过碱发生水解 反应并聚合。再者, 上述的混合液的调制中, 也可以通过向含有表面活性剂、 水、 碱、 和含疏 水部的添加物的混合液中添加二氧化硅源来调制上述的混合液。 0082 作为用于反应的碱, 可以适当使用能够用于表面活性剂复合二氧化硅微粒的合成 反应的无机和有机碱。例如, 优选使用作为氮系碱的氨或胺系的碱、 碱金属的氢氧化物, 其 中更优选使用氢氧化钠。 0083 再者, 混合液中, 二氧化硅源与含有水、 根据情况含有醇的分散。
42、溶剂的混合比率, 相对于二氧化硅源水解反应得到的缩合物 1 质量份, 分散溶剂优选为 5 1000 质量份。如 果分散溶剂的量比这少, 则二氧化硅源的浓度过高反应速度变快从而有可能难以稳定形成 有规则的介孔结构。 另一方面, 如果分散溶剂的量比该范围多, 则介孔二氧化硅微粒的产量 变得极低因此有可能难以成为实用的制造方法。 0084 如此, 表面活性剂复合二氧化硅微粒制作工序中被制作了的表面活性剂复合二氧 化硅微粒, 介孔二氧化硅微粒中成为构成二氧化硅核的微粒。 0085 (有机二氧化硅被覆工序) 0086 有机二氧化硅被覆工序中, 向该表面活性剂复合二氧化硅微粒 (二氧化硅核) 中进 一步添。
43、加有机二氧化硅源, 将上述二氧化硅微粒的表面、 即二氧化硅核的表面, 用有机二氧 化硅被覆。此时, 使用表面活性剂 (第二表面活性剂) 的同时不使用含疏水部添加物, 则能够 在有机二氧化硅被覆部简单地形成比第一介孔小的第二介孔。 0087 例如, 首先, 制作含有表面活性剂复合二氧化硅微粒、 水、 碱、 和有机二氧化硅源的 混合液。表面活性剂复合二氧化硅微粒, 可以不进行精制等而是原样使用上述工序中得到 的产物。另外, 如果使用表面活性剂, 则在反应溶液中形成胶束, 因此能够简单地形成第二 介孔。 0088 作为有机二氧化硅源, 如果使用在有机基团 (R1) 的两侧结合了硅醇基 Si(OR2)。
44、 3 的有机硅烷 (R2O) 3Si-R 1-Si(R2O) 3, 则能够简单地形成在二氧化硅骨架内两个 Si 之间 被有机基团交联的结构。 0089 作为交联两个 Si 之间的有机基团 (R1) , 能够示例亚甲基、 亚乙基、 三亚甲基、 四亚 甲基、 1,2- 亚丁基、 1,3- 亚丁基、 1,2- 亚苯基、 1,3- 亚苯基、 1,4- 亚苯基、 联苯基、 甲苯甲酰 基 (toluyl group) 、 二乙基亚苯基、 亚乙烯基、 亚丙烯基、 亚丁烯基等。特别是亚甲基、 亚乙 基、 亚乙烯基、 亚苯基, 能够形成结构规则性高的有机二氧化硅被覆部因此优选。 0090 作为有机二氧化硅被覆工。
45、序中所使用的表面活性剂, 可以使用与表面活性剂复合 二氧化硅微粒制作工序中使用了的物质 (第一表面活性剂) 相同的物质, 也可以使用不同的 物质。如果使用相同的物质则制造变得简单。 0091 有机二氧化硅源与表面活性剂的混合比率并没有特别限定, 但优选重量比为 1:10 10:1。如果表面活性剂的量相对于二氧化硅源在该重量比的范围外则生成物的结 构规则性容易降低, 得到介孔有规则地排列了的介孔二氧化硅微粒有可能变得困难。特别 地, 如果为 100:75 100:100, 则可以容易地得到排列了有规则排列的介孔的介孔二氧化 硅微粒。 0092 并且, 有机二氧化硅被覆工序中, 接着, 将上述的混。
46、合液混合搅拌, 在表面活性剂 复合二氧化硅微粒的表面制作有机二氧化硅被覆部。 通过该混合和搅拌使有机二氧化硅源 说 明 书 CN 103781726 A 10 9/16 页 11 通过碱发生水解反应并聚合, 在表面活性剂复合二氧化硅微粒的表面上形成有机二氧化硅 被覆部。再者, 上述的混合液的调制中, 可以通过向含有表面活性剂、 水、 碱、 和有机二氧化 硅源的混合液添加表面活性剂复合二氧化硅微粒来调制上述的混合液。 0093 作为用于反应的碱, 可以使用与表面活性剂复合二氧化硅微粒制作工序中使用了 的物质相同的物质, 也可以使用不同的物质。如果使用相同的物质则制造变得简单。 0094 再者, 。
47、混合液中, 表面活性剂复合二氧化硅微粒与添加的有机二氧化硅源的混合 比率, 相对于形成表面活性剂复合二氧化硅微粒的二氧化硅源 1 质量份, 有机二氧化硅源 优选为 0.1 10 质量份。如果有机二氧化硅源的量比这少, 则有可能得不到充分的被覆。 另一方面, 如果有机二氧化硅源的量比该范围多, 则有机二氧化硅被覆部过厚, 有可能难以 得到孔隙带来的充分效果。 0095 有机二氧化硅被覆工序中, 有机二氧化硅源优选使用混合了正硅酸乙酯 (TEOS) 等 的四烷氧基硅烷、 和十六烷基三甲基溴化铵 (CTAB) 等的表面活性剂的物质。作为四烷氧基 硅烷, 期望使用 TEOS。如果混合使用 TEOS, 。
48、则能够进一步提高有机二氧化硅被覆部的结构 规则性。TEOS 的配合量, 相对于有机二氧化硅源 1 质量份, 可以设为 0.1 10 质量份, 优选 为 0.5 2 质量份。使用 TEOS 的情况下, 优选使用 CTAB。CTAB 的配合量, 相对于形成表面 活性剂复合二氧化硅微粒的二氧化硅源 1 质量份, 可以设为 0.1 10 质量份。 0096 另外, 优选二次以上或三次以上地多次进行有机二氧化硅被覆工序。 据此, 可以得 到多层的有机二氧化硅被覆部, 能够更切实地堵塞第一介孔的开口。 0097 有机二氧化硅被覆工序中的搅拌温度优选设定为室温 (例如 25) 100。有机 二氧化硅被覆工序。
49、中的搅拌时间优选为 30 分钟 24 小时。如果搅拌温度、 搅拌时间在这 样的范围, 则能够在提高制造效率的同时, 在成为二氧化硅核的表面活性剂复合二氧化硅 微粒的表面, 形成充分的有机二氧化硅被覆部。 0098 (除去工序) 0099 有机二氧化硅被覆工序中利用有机二氧化硅被覆部 (有机二氧化硅壳) 被覆表面 活性剂复合二氧化硅微粒 (二氧化硅核) 后, 通过除去工序, 进行表面活性剂复合二氧化硅 微粒所含有的表面活性剂和含疏水部添加物的除去。 通过除去表面活性剂和含疏水部添加 物, 能够得到第一介孔和第二介孔成为孔隙被形成了的介孔二氧化硅微粒。 0100 为了从复合有表面活性剂的二氧化硅微粒中去除作为模板的表面活性剂和含疏 水部添加物, 可以在模板分解的温度下对表面。