《一种热插拔保护线路系统.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《一种热插拔保护线路系统.pdf（12页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、(10)申请公布号 CN 103777554 A (43)申请公布日 2014.05.07 CN 103777554 A (21)申请号 201410044950.4 (22)申请日 2014.02.07 G05B 19/042(2006.01) (71)申请人 浪潮 （北京） 电子信息产业有限公司 地址 100085 北京市海淀区上地信息路 2 号 2-1 号 C 栋 1 层 (72)发明人 王武军 (74)专利代理机构 北京安信方达知识产权代理 有限公司 11262 代理人 王丹 栗若木 (54) 发明名称 一种热插拔保护线路系统 (57) 摘要 一种热插拔 Hot Swap 保护线路系统。
2、， 包括多 个集成电路、 主机模块 ； 其中各所述集成电路分 别包括 ： 保护模块、 开关模块、 控制开关模块、 控 制接口模块 ； 所述控制接口模块通过总线与所述 主机模块互连 ； 所述开关模块的输入端与集成电 路外部的负载电源连接， 输出端与集成电路外部 的负载连接 ； 所述保护模块用于对所述开关模块 进行实时检测， 如果检测结果超过标准值， 则向所 述控制接口模块发送请求保护动作指令 ； 所述控 制接口模块用于向所述控制开关模块发送保护动 作指令， 向主机模块发送故障消息 ； 所述控制开 关模块用于接收所述控制接口模块的保护动作指 令， 控制所述开关模块的导通与关断。 所述主机模 块用于。
3、存储发生故障的集成电路的地址。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 (10)申请公布号 CN 103777554 A CN 103777554 A 1/2 页 2 1. 一种热插拔 Hot Swap 保护线路系统， 其特征在于， 包括多个集成电路、 主机模块 ； 其 中各所述集成电路分别包括 ： 保护模块、 开关模块、 控制开关模块、 控制接口模块 ； 所述控 制接口模块通过总线与所述主机模块互连 ； 所述开关模块的输入端与集成电路外部的负载电源连接， 所述开。
4、关模块的输出端与集 成电路外部的负载连接 ； 所述保护模块用于对所述开关模块的参数值进行实时检测， 把检测结果输送到控制接 口模块， 还用于对检测结果进行判断， 如果检测结果超出标准值的范围， 则向所述控制接口 模块发送请求保护动作指令 ； 所述控制接口模块用于接收所述保护模块发送的请求保护动作指令后， 向所述控制开 关模块发送保护动作指令， 记录故障消息， 向主机模块发送故障消息， 其中携带所在的集成 电路的地址 ； 所述控制开关模块用于控制所述开关模块的导通与关断 ； 当控制开关模块接收到所述 控制接口模块的保护动作指令， 控制所述开关模块的输入端与输出端的关断 ； 所述主机模块用于存储发。
5、生故障的集成电路的地址。 2. 如权利要求 1 所述的系统， 其特征在于， 所述开关模块为金属氧化物半导体场效应 晶体管 MOSFET ； 所述 MOSFET 的源极作为开关模块的输入端与所述负载相连， 漏极作为开关 模块的输出端与所述负载电源连接。 3. 如权利要求 1 所述的系统， 其特征在于， 所述保护模块包含电流传感器、 过流保护 OCP 模块 ； 所述电流传感器用于检测所述开关模块的电流值， 将电流值转换为电信号传送给所述 OCP 模块 ； 所述 OCP 模块用于转发所述电流传感器检测的电信号给所述控制接口模块， 并判断所 述电信号是否超过电流的标准值， 如果超过电流的标准值， 向所。
6、述控制接口模块上报请求 保护动作指令。 4. 如权利要求 1 所述的系统， 其特征在于， 所述保护模块包括过压保护 OVP 模块， 所述 OVP 模块用于检测所述开关模块的输入端或输出端电压， 判断所述输入端或输出端电压是 否超过输入电压或输出电压的标准值的上限， 如果超过输入电压或输出电压的标准值的上 限， 向所述控制接口模块发送请求保护动作指令。 5. 如权利要求 1 所述的系统， 其特征在于， 所述保护模块包括输入端欠压保护 VIN UVLO 模块 ； 所述 VIN UVLO 模块用于检测开关模块输入端的电压， 当所述输入端电压低于输 入电压的标准值的下限时， 向所述控制接口模块发送请求。
7、保护动作指令。 6.如权利要求1所述的系统， 其特征在于， 所述保护模块包括欠压保护VDD UVLO模块， 所述VDD UVLO模块用于检测与外部集成电路电源相连的集成电路引脚VDD的电压， 当引脚 VDD 的电压的值低于门限值时， 向所述控制接口模块发送请求保护动作指令。 7.如权利要求2所述的系统， 其特征在于， 所述开关控制模块包括场效应晶体管FET控 制模块和场效应晶体管FET驱动模块 ； 所述场效应晶体管FET控制模块包括栅极驱动模块、 栅极欠压保护 Gate UVLO 模块， 启动欠压保护 Boost UVLO 模块、 软启动模块 ； 所述栅极驱动模块用于设置所述开关模块的开启电压。
8、 ； 所述软启动模块用于限制所述开关模块的开启时间 ； 权 利 要 求 书 CN 103777554 A 2 2/2 页 3 所述栅极欠压保护 Gate UVLO 模块用于对所述开关模块的栅极电压进行欠压保护 ； 所述启动欠压保护 Boost UVLO 模块用于对集成电路的引脚 VBST 进行欠压保护 ； 所述场效应晶体管 FET 驱动模块用于为所述开关模块提供驱动电压以驱使开关模块 工作。 8. 如权利要求 1 所述的系统， 其特征在于， 所述控制接口模块包括上电复位 POR 模块， 所述 POR 模块用于存储故障信息， 所述故障信息包括故障类型。 9. 如权利要求 1 所述的系统， 其特征。
9、在于， 所述主机模块还用于存储每个集成电路的 地址 ； 所述主机模块通过 PMBus 总线与各个集成电路的控制接口模块连接 ； 当收到集成电 路发送的故障消息时， 保存该故障消息并与相应集成电路的地址对应。 10. 如权利要求 1 所述的系统， 其特征在于， 所述集成电路内部还包括温度传感器， 所 述温度传感器检测所述开关模块的工作温度， 将所述温度值作为电信号传输到控制接口模 块。 权 利 要 求 书 CN 103777554 A 3 1/7 页 4 一种热插拔保护线路系统 技术领域 0001 本申请涉及一种电气保护线路的方法， 尤其涉及一种采用集成电路 IC 的分布式 热插拔 Hot Sw。
10、ap 保护线路方法 背景技术 0002 热插拔 Hot Swap 电路设计应用非常广泛， 作用是对热插拔的设备的元器件、 芯片 的一种保护措施。当负载的电气参数超过其工作标准时， Hot Swap 可以断开电源， 已达到 保护电子设备的目的。 0003 当前的 Hot Swap 线路都是采取分立式元件来堆叠实现特定功能， 线路较为复杂 , 设计参数繁多 , 而且由于分立式元器件本身的误差较大， 电气特性分布一致性也较差， 再 者由于元件多， 在 PCB 布线时各敏感信号受干扰的机会就大增， 导致线路精度， 信号完整性 降低， 也增大了电磁干扰， 特别是在大功率系统中， 单个分立元件承受功率有限。
11、， 这就需要 多组线路并联来实现功能， 造成成本极大上升以及故障率和误差的叠加， 无论对设计初期 还是后期批量生产都存在很大隐患。这些因素都会削弱电子产品的稳定性和安全性， 无形 中增加了成本， 也会影响产品的竞争力。 0004 当一个 Hot Swap 电路系统含有多个负载时， 每个负载都有一个 Hot Swap 装置开 关保护， 当其中的一个负载发生故障， 比如说电流超过标准值， 其Hot Swap保护装置断开电 源， 保护了负载。但是在后续的维修过程中， 如何快速的查找并确定这个故障点， 现有技术 中没有解决的方案。 0005 因此研发人员在设计时要考虑在硬件出现故障时， 怎么实现精准的。
12、检测， 一方面 要保护整个线路不受损害， 另一方面也要帮助维护人员快速定位故障点， 以便快速排除故 障， 保证系统的可靠运行和人身财产安全。而现在主流的 Hot Swap 保护线路较为复杂， 制 造成本较高， 设计灵活性以及可靠性有很多弊端。 为了解决上述问题， 既要保护整个线路不 受损害， 又要帮助维护人员快速定位故障点， 以便快速排除故障， 保证系统的可靠运行和人 身财产安全。本申请提供了一种成本较低， 容易布局， 可靠度佳 , 易管理的 Hot Swap 保护 线路方法及系统， 把集成电路 IC(integrated circuit) 用于 Hot Swap 电路， 利用 IC 集成 电。
13、路的集成特性来解决现有的技术问题。 发明内容 0006 本发明公布了一种通过高集成电路 IC 来实现分布式、 有针对性、 易于管理的 Hot Swap 保护线路方案。 0007 一种热插拔 Hot Swap 保护线路系统， 包括多个集成电路、 主机模块 ； 其中各所述 集成电路分别包括 ： 保护模块、 开关模块、 控制开关模块、 控制接口模块 ； 所述控制接口模 块通过总线与所述主机模块互连 ； 0008 所述开关模块的输入端与集成电路外部的负载电源连接， 所述开关模块的输出端 与集成电路外部的负载连接 ； 说 明 书 CN 103777554 A 4 2/7 页 5 0009 所述保护模块用。
14、于对所述开关模块的参数值进行实时检测， 把检测结果输送到控 制接口模块， 还用于对检测结果进行判断， 如果检测结果超出标准值的范围， 则向所述控制 接口模块发送请求保护动作指令 ； 0010 所述控制接口模块用于接收所述保护模块发送的请求保护动作指令后， 向所述控 制开关模块发送保护动作指令， 记录故障消息， 向主机模块发送故障消息， 其中携带所在的 集成电路的地址 ； 0011 所述控制开关模块用于控制所述开关模块的导通与关断 ； 当控制开关模块接收到 所述控制接口模块的保护动作指令， 控制所述开关模块的输入端与输出端的关断 ； 0012 所述主机模块用于存储发生故障的集成电路的地址。 00。
15、13 可选地， 所述开关模块为金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET ； 所述 MOSFET 的 源极作为开关模块的输入端与所述负载相连， 漏极作为开关模块的输出端与所述负载电源 连接。 0014 可选地， 所述保护模块包含电流传感器、 过流保护 OCP 模块 ； 0015 所述电流传感器用于检测所述开关模块的电流值， 将电流值转换为电信号传送给 所述 OCP 模块 ； 0016 所述 OCP 模块用于转发所述电流传感器检测的电信号给所述控制接口模块， 并判 断所述电信号是否超过电流的标准值， 如果超过电流的标准值， 向所述控制接口模块上报 请求保护动作指令。 0017 可选地， 所述保护。
16、模块包括过压保护OVP模块， 所述OVP模块用于检测所述开关模 块的输入端或输出端电压， 判断所述输入端或输出端电压是否超过输入电压或输出电压的 标准值的上限， 如果超过输入电压或输出电压的标准值的上限， 向所述控制接口模块发送 请求保护动作指令。 0018 可选地， 所述保护模块包括输入端欠压保护VIN UVLO模块 ； 所述VIN UVLO模块用 于检测开关模块输入端的电压， 当所述输入端电压低于输入电压的标准值的下限时， 向所 述控制接口模块发送请求保护动作指令。 0019 可选地， 所述保护模块包括欠压保护VDD UVLO模块， 所述VDD UVLO模块用于检测 与外部集成电路电源相连。
17、的集成电路引脚 VDD 的电压， 当引脚 VDD 的电压的值低于门限值 时， 向所述控制接口模块发送请求保护动作指令。 0020 可选地， 所述开关控制模块包括场效应晶体管 FET 控制模块和场效应晶体管 FET 驱动模块 ； 所述场效应晶体管FET控制模块包括栅极驱动模块、 栅极欠压保护Gate UVLO模 块， 启动欠压保护 Boost UVLO 模块、 软启动模块 ； 0021 所述栅极驱动模块用于设置所述开关模块的开启电压 ； 0022 所述软启动模块用于限制所述开关模块的开启时间 ； 0023 所述栅极欠压保护 Gate UVLO 模块用于对所述开关模块的栅极电压进行欠压保 护 ； 。
18、0024 所述启动欠压保护 Boost UVLO 模块用于对集成电路的引脚 VBST 进行欠压保护 ； 0025 所述场效应晶体管 FET 驱动模块用于为所述开关模块提供驱动电压以驱使开关 模块工作。 0026 可选地， 所述控制接口模块包括上电复位POR模块， 所述POR模块用于存储故障信 说 明 书 CN 103777554 A 5 3/7 页 6 息， 所述故障信息包括故障类型。 0027 可选地， 所述主机模块还用于存储每个集成电路的地址 ； 所述主机模块通过 PMbus 总线与各个集成电路的控制接口模块连接 ； 当收到集成电路发送的故障消息时， 保 存该故障消息并与相应集成电路的地址。
19、对应 ； 0028 可选地， 所述集成电路内部还包括温度传感器， 所述温度传感器检测所述开关模 块的工作温度， 将所述温度值作为电信号传输到控制接口模块。 0029 本发明的实施例用集成电路 IC 来实现 Hot Swap 功能 , 克服了目前 HotSwap 设计 元件数较多、 原理设计及布局布、 局麻烦且线路易受干扰的缺点 ； 相对于分立式元件， 集成 电路 IC 的电气特性一致性很高， 采用先进检测方法可将电流检测精度控制在 1%。而传 统的检测方式为 5% ； 用分布式架构， 通过 PMBus 实时报告后端负载状况， 让系统负载均衡 调节更容易， 更及时 ； 当某个节点触发了保护机制，。
20、 集成电路 IC 可迅速做出反应， 以保护后 端芯片不受损坏。同时报告故障位置， 便于维护， 在故障解除后可立即恢复正常工作 ； 通过 PMBus 总线来实时监控各集成电路节点电路的电流 , 电压状况的一种典型应用方案。在其 中某些 Hot Swap 节点出现异常时可有针对性地采取保护措施， 进而保证系统连续工作， 提 高可靠性。 附图说明 0030 图 1 为本发明的集成电路 IC 内部的参考原理框架图 ； 0031 图 2 为本发明的典型实际应用架构图。 具体实施方式 0032 下面将结合附图及实施例对本申请的技术方案进行更详细的说明。 0033 需要说明的是， 如果不冲突， 本申请实施例。
21、以及实施例中的各个特征可以相互结 合， 均在本申请的保护范围之内。另外， 虽然在流程图中示出了逻辑顺序， 但是在某些情况 下， 可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。 0034 一种热插拔 Hot Swap 保护线路系统， 包括多个集成电路、 主机模块 ； 其中各所述 集成电路分别包括 ： 保护模块、 开关模块、 控制开关模块、 控制接口模块 ； 所述控制接口模 块通过总线与所述主机模块互连 ； 0035 所述开关模块的输入端与集成电路外部的负载电源连接， 所述开关模块的输出端 与集成电路外部的负载连接 ； 0036 所述保护模块用于对所述开关模块进行实时检测， 把检测结果输送到控制接。
22、口模 块， 还用于对检测结果进行判断， 如果检测结果超过标准值， 则向所述控制接口模块发送请 求保护动作指令 ； 0037 所述控制接口模块用于接收所述保护模块发送的请求保护动作指令后， 向所述控 制开关模块发送保护动作指令， 记录故障消息， 向主机模块发送故障消息， 其中携带所在的 集成电路的地址 ； 0038 所述控制开关模块用于接收所述控制接口模块的保护动作指令， 控制所述开关模 块的输入端与输出端的导通与关断 ； 0039 所述主机模块用于存储发生故障的集成电路的地址。 说 明 书 CN 103777554 A 6 4/7 页 7 0040 下面结合图 1 来描述实施情况。 0041 。
23、图 1 为本申请集成电路 IC 内部的参考原理框架图， 0042 所述开关模块为金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET ； 所述 MOSFET 的源极作 为开关模块的输入端与所述负载相连， 漏极作为开关模块的输出端与所述负载电源连接。 0043 金属 - 氧化层半导体场效应晶体管 （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管 （field-effect transistor） 。MOSFET 依照其 “通道” 的极性不同， 可分为 “N 型” 与 “P 型” 的MO。
24、SFET， 通常又称为NMOSFET与PMOSFET， 其他简称尚包括NMOS FET、 PMOS FET、 nMOSFET、 pMOSFET 等。 0044 MOSFET 有三个电极 ： G( 栅极） 、 S（源极） 及 D（漏极） 。 0045 当一个够大的电位差施于 MOSFET 的栅极 G 与源极 S 之间时， 源极 S 和漏极之间会 形成电流通道， MOSFET 即可让电流通过， 而依据施于栅极 G 的电压值不同， 可由 MOSFET 的 通道流过的电流大小亦会受其控制而改变。 0046 MOSFET导通是指的源极S和漏极D之间电流通道导通， 源极S接外部的负载， 漏极 D 接外部电。
25、源， 可以认为 MOSFET 导通会使得外部的负载和外部电源建立连接关系 ； 0047 MOSFET导通后， 流过源极S和漏极D之间电流由依据施于栅极G的电压值控制， 可 以认为MOSFET导通后， 由依据施于栅极G的电压值来控制流过集成电路外部负载和外部电 源的电流。 0048 MOSFET 关断是指源极 S 和漏极 D 之间电流通道关断。源极 S 接外部的负载， 漏极 D 接外部电源， 可以认为 MOSFET 关断会使得外部的负载和外部电源取消连接关系。 0049 所述保护模块包含电流传感器、 过流保护 OCP 模块 ； 0050 所述电流传感器用于检测所述开关模块的电流值， 将电流值转换。
26、为电信号传送给 所述 OCP 模块 ； 0051 所述 OCP 模块用于转发所述电流传感器检测的电信号给所述控制接口模块， 并判 断所述电信号是否超过电流的标准值， 如果超过电流的标准值， 向所述控制接口模块上报 请求保护动作指令。 0052 集成电路内部分为五个模块， 开关模块， 保护模块， 场效应晶体管 FET 控制模块， 场效应晶体管 FET 驱动模块和控制接口模块。 0053 开关模块， 采用 MOSFET， MOSFET 作为开关应用， 导通时， 外部负载和外部负载电源 连接， 并能控制流过外部负载和外部电源的电流 ； MOSFET 关断时， 外部负载和外部电源断 开连接。 0054。
27、 集成电路的 VIN 引脚， 也就是开关模块的输入端， 连接外部的负载电源， 0055 集成电路的 VOUT 引脚， 也就是开关模块的输出端连接外部的负载。 0056 保护模块通过以下模块拥有以下功能 ： 0057 电流检测功能， 通过电流传感器实现， 电流传感器检测通过所述 MOSFET 电流值大 小， MOSFET 电流也就是指的是流过源极 S 和漏极 D 的电流， 也可以认为是流过外部负载和 外部电源的电流， 电流传感器将电流信息反馈给保护模块。 0058 过流保护 OCP ： 根据电流传感器检测到的电流信息判定是否达到最大电流， 当达 到最大电流后发信号给控制接口模块， 控制接口模块通。
28、过场效应晶体管 FET 控制模块与场 说 明 书 CN 103777554 A 7 5/7 页 8 效应晶体管 FET 驱动模块控制 MOSFET 关断。 0059 所述保护模块包括过压保护 OVP 模块， 所述 OVP 模块用于检测所述开关模块的输 入端或输出端电压， 判断所述输入端或输出端电压是否超过输入电压或输出电压的标准值 的上限， 如果超过输入电压或输出电压的标准值的上限， 向所述控制接口模块发送请求保 护动作指令。 0060 过压保护 OVP ： 检测输入端的电压和 / 或输出端电压， 0061 开关模块的输入端与外部负载电源相连， 0062 开关模块的输出端与外部负载相连。 00。
29、63 当输入或输出电压超过一定门限值， 过压保护 OVP 将发信号给控制接口模块， 控 制接口模块通过场效应晶体管FET控制模块与场效应晶体管FET驱动模块控制所述MOSFET 关断。 0064 所述保护模块包括输入端欠压保护 VIN UVLO 模块 ； 所述 VIN UVLO 模块用于检测 开关模块输入端的电压， 当所述输入端电压低于输入电压的标准值的下限时， 向所述控制 接口模块发送请求保护动作指令。 0065 输入端引脚电压欠压保护 VIN UVLO ： 开关模块的输入端引脚 VIN PIN 连接着开关 模块的外部负载电源， 当所述输入端引脚VIN PIN电压低于一定门限时， 输入端引脚。
30、电压欠 压保护VIN UVLO将发送信号给控制接口模块， 控制接口模块通过场效应晶体管FET控制模 块与场效应晶体管 FET 驱动模块控制所述 MOSFET 关断。 0066 所述保护模块包括欠压保护 VDD UVLO 模块， 所述 VDD UVLO 模块用于检测与外部 集成电路电源相连的集成电路引脚VDD的电压， 当引脚VDD的电压的值低于门限值时， 向所 述控制接口模块发送请求保护动作指令。 0067 集成电路电源欠压保护 VDD UVLO ： 集成电路的工作电压为 12V， 如果实际工作时， 集成电路的工作电压不足 12V， 集成电路就不能正常工作或者出现故障。因此， 需要对集成 电路的。
31、工作电压进行监测并进行欠电压保护， 实际方案为 ： 集成电路的 VDD 引脚连接集成 电路的电源， 对集成电路的 VDD 引脚电压进行检测， 当 VDD 引脚电压低于一定门限时， 集成 电路电源欠压保护VDD UVLO将发送信号给控制接口模块， 控制接口模块通过场效应晶体管 FET 控制模块与场效应晶体管 FET 驱动模块控制所述 MOSFET 关断。 0068 所述开关控制模块包括场效应晶体管 FET 控制模块和场效应晶体管 FET 驱动模 块 ； 0069 场效应晶体管FET控制模块包括栅极驱动模块、 栅极欠压保护Gate UVLO模块， 启 动欠压保护 Boost UVLO 模块、 软启。
32、动模块 ； 0070 所述栅极驱动模块用于设置所述开关模块的开启电压 ； 0071 所述软启动模块用于限制所述开关模块的开启时间 ； 0072 所述栅极欠压保护 Gate UVLO 模块用于对所述开关模块的栅极电压进行欠压保 护 ； 0073 所述启动欠压保护 Boost UVLO 模块用于对集成电路的引脚 VBST 进行欠压保护 ； 0074 所述场效应晶体管 FET 驱动模块用于为所述开关模块提供驱动电压以驱使开关 模块工作。 0075 场效应晶体管 FET 控制模块主要功能有 ： 说 明 书 CN 103777554 A 8 6/7 页 9 0076 软启动 Soft Start ： 集。
33、成电流的外部线路一般后端会接很多大容值的电容， 而当 MOSFET 开启时， 会给电容充电， 此时电流非常大。软启动 Soft Start 线路的作用是将所述 MOSFET开启的时间延长， 并将电流限制在一定范围之内， 避免电流过大损坏线路。 其外部的 引脚 SS PIN 用于设置所述 MOSFET 开启的时间。 0077 场效应晶体管 FET 驱动模块主要功能 ： 因 MOSFET 开启需要满足 MOSFET 的驱动电 压必须大于 Vgs(th) 电压， 本实施例利用的芯片为 NMOSFET， 所以需要将驱动电压抬高并且 等于 Vout+Vbst 电压。 0078 所述控制接口模块还包括上电。
34、复位POR模块， 所述POR模块用于存储故障信息， 所 述故障信息包括故障类型。 0079 控制接口模块主要功能 ： 通过各个模块反馈给控制接口模块的信息， 并将此信息 通过 SMBUS 信号发送给外部的主机模块， 如 ： 通过电流传感器读取流过 MOSFET 的电流值大 小发送给外部主机模块， 告知目前系统的功耗。如果发生保护动作 （过流保护 OCP 或者过压 保护 OVP 等） ， 会将保护信息存储到上电复位 POR 模块， 下次开机后， 可以读取上电复位 POR 模块中的信息， 了解具体发生了哪种异常。 0080 所述主机模块还用于存储每个集成电路的地址 ； 所述主机模块通过 PMBus。
35、 总线与 各个集成电路的控制接口模块连接 ； 当收到集成电路发送的故障消息时， 保存该故障消息 并与相应集成电路的地址对应 ； 0081 所述集成电路 IC 内部还包括温度传感器， 所述温度传感器检测 IC 内部的 MOSFET 的工作温度， 温度传感器与控制接口模块相连接， 温度传感器将所述温度值作为电信号传 输到控制接口模块。 0082 MOFET的工作电压为1.8V， 集成电路的工作电压为12V， V DD引脚与外部的集成电 路电源相连， 模块 1.8VLDO 将 12V 的电压转换为 1.8V 的电压后， 向 MOSFET 供电。 0083 数字控制默认监视 SMBUS 总线接口有三个。
36、端口 ： SMBUS_DATA、 SMBUS_CLK、 FAULTB， 通过三个端口实现与主机模块和其他总线接口的互联。 0084 引脚 ROCP 为集成电路的过流保护外界电阻引脚， 用于外接一个电阻， 电阻值可以 选择， 通过电阻值的选择来改变过流保护的内在门限值大小。 0085 集成电路的引脚 EN/UVLO 为欠压保护使能引脚， 用于控制是否开启欠压保护的功 能 0086 图 2 为本申请的典型实际应用架构图， Hot Swap 电路板上设置有集成电路 IC（包 括图 2 中的 Hot Swap1、 Hot Swap2、 Hot Swap3、 Hot Swapn） 。各个 Hot Swa。
37、p 电路板上的集 成电路 IC 之间用 PMBus 总线相连接。 0087 图 2 中的 CPU（包括图 2 中的 CPU1、 CPU2、 CPU3、 CPUs） 为负载， 与 Hot Swap 电路 板上的集成电路 IC 的 MOSFET 的源极 S 相连。负载电源与 MOSFET 的漏极 D 相连。 0088 图 2 中的 POWER CONNECTOR 是电源， RAM 是 CPU 所带的存储器， 做负载使用。 0089 负载也可以为光盘， 软盘等各种电子设备。 0090 当其中一个集成电路出现故障， 比如出现某一个引脚的过流保护， 过压保护， 或者 温度过高需要关断时， 集成电路自动使。
38、得 MOSFET 由导通状态转换为关断， 并上报主机模 块， 主机模块有各个集成电路的地址， 主机模块记录下发生故障的集成电路， 为后续的故障 维修工作， 寻找发生故障的节点， 提供方便。 说 明 书 CN 103777554 A 9 7/7 页 10 0091 本申请用一个高集成度的 IC 来实现目前分立式元件架构的 Hot Swap 功能， 集成 度高， 布局容易。分布式架构， 可避免传统 Hot Swap 结构大电流路径过于集中， 局部过热 以及大量 PCB 过孔对 PCB 电路板信号完整性的影响， 同时可减小电磁兼容 EMC ； 采用分布式 架构来精准实时检测负载用电状况 , 单个节点故障不至于影响整个系统的正常工作 ； 采用 PMBus 总线 , 数字化报告系统状况 , 可使系统更好的均衡负载 , 提高产品稳定性并简化维 护任务。 说 明 书 CN 103777554 A 10 1/2 页 11 图 1 说 明 书 附 图 CN 103777554 A 11 2/2 页 12 图 2 说 明 书 附 图 CN 103777554 A 12 。