一种高纯铝的制备方法技术领域
本发明属于材料制备领域，具体为高纯铝的制备方法。
背景技术
6N高纯铝主要应用于半导体工业及超导体，其中半导体工业约占96%，用于超导体
约占4%。主要应用包括：1、阴极溅镀靶。2、集成电路配线。3、光电子存储媒体。4、航空航天领
域。高纯铝的最大应用领域是生产电子铝箔，用于制造铝电解电容器，其消耗的高纯铝量约
为高纯铝总产量的80%。从高纯铝的应用方面以及市场需求情况考虑，开展6N高纯铝的研制
迫在眉睫。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述背景技术中所提到的问题，提供了一种高纯铝的制
备方法。
为了实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种高纯铝的制备方法，包括如下步骤：
a、将高纯铝原料在真空熔炼炉520-550℃下保温2-6小时，取出后水淬；
b、经过a步骤处理的铝锭在轧机上冷轧处理后，装入石英舟中；
C、将装入石英舟的铝锭再次放入真空熔炼炉内，对真空熔炼炉进行脱氧处理，并使其
真空度达到5×10-4pa～10×10-4pa，真空熔炼炉以100℃～200℃/小时的速度缓慢升温
600℃～800℃，恒温1.5～2.5小时后，以100-200℃/小时的速度缓慢降温至300℃～400℃，
恒温处理2～3小时后，以150-200℃/小时的速度缓慢降温至常温即可。
进一步地，步骤c中铝锭在真空熔炼炉熔炼时，控制熔区宽度30—50mm。
进一步地，步骤c中真空熔炼炉的脱氧处理为：开启氩气阀，向真空熔炼炉内通氩
气，调节氩气流量为300-400mL/min。
进一步地，步骤a中，经真空熔炼炉熔炼后，将铝锭放入事先配好的清洗液中，水浴
加热至90—100℃，3-5min后停止加热，待冷却后用去离子水清洗铝锭至中性。
进一步地，步骤c中将装入石英舟的铝锭再次放入真空熔炼炉内，对真空熔炼炉进
行脱氧处理，并使其真空度达到5×10-4pa～10×10-4pa，真空熔炼炉以150℃/小时的速度
缓慢升温700℃，恒温2小时后，以150℃/小时的速度缓慢降温至350℃，恒温处理2.5小时
后，以180℃/小时的速度缓慢降温至常温即可。本工艺中的区域熔炼法提纯，也是提纯至6N
产品的难点所在，是由于铝的物理性质决定了高熔点、导热效果好，采用普通的区域熔炼的
方式很难把铝熔化，或者熔化后很难快速凝固，无法达到提纯效果。
本发明提供的高纯铝的制备方法，先将其熔炼、水淬将其轧机上冷轧处理后放入
石英舟后再对铝锭进行熔炼，其通过三段去氧热处理，其铝锭能够熔炼后调入石墨舟底部，
完成头尾料的去除，避免了铝锭熔炼时带入锌的杂质，从而保证铝锭的纯度。本方法操作简
单，使用设备简便，工艺成本低廉，可制备出6N高纯铝，填补国内6N高纯铝的空白。
具体实施方式
对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅
是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人
员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种高纯铝的制备方法，包括如下步骤：
a、将高纯铝原料在真空熔炼炉520℃下保温6小时，取出后水淬；
b、经过a步骤处理的铝锭在轧机上冷轧处理后，装入石英舟中；
C、将装入石英舟的铝锭再次放入真空熔炼炉内，对真空熔炼炉进行脱氧处理，并使其
真空度达到5×10-4pa～10×10-4pa，真空熔炼炉以100℃/小时的速度缓慢升温600℃，恒
温2.5小时后，以200℃/小时的速度缓慢降温至400℃，恒温处理3小时后，以150℃/小时的
速度缓慢降温至常温即可。
步骤c中铝锭在真空熔炼炉熔炼时，控制熔区宽度50mm。
步骤c中真空熔炼炉的脱氧处理为：开启氩气阀，向真空熔炼炉内通氩气，调节氩
气流量为300mL/min。
步骤a中，经真空熔炼炉熔炼后，将铝锭放入事先配好的清洗液中，水浴加热至
90—100℃，3-5min后停止加热，待冷却后用去离子水清洗铝锭至中性。
实施例2
一种高纯铝的制备方法，包括如下步骤：
a、将高纯铝原料在真空熔炼炉550℃下保温2小时，取出后水淬；
b、经过a步骤处理的铝锭在轧机上冷轧处理后，装入石英舟中；
C、将装入石英舟的铝锭再次放入真空熔炼炉内，对真空熔炼炉进行脱氧处理，并使其
真空度达到5×10-4pa～10×10-4pa，真空熔炼炉以200℃/小时的速度缓慢升温800℃，恒
温2.5小时后，以200℃/小时的速度缓慢降温至400℃，恒温处理2小时后，以150℃/小时的
速度缓慢降温至常温即可。
步骤c中铝锭在真空熔炼炉熔炼时，控制熔区宽度30mm。
步骤c中真空熔炼炉的脱氧处理为：开启氩气阀，向真空熔炼炉内通氩气，调节氩
气流量为300mL/min。
步骤a中，经真空熔炼炉熔炼后，将铝锭放入事先配好的清洗液中，水浴加热至
90—100℃，3-5min后停止加热，待冷却后用去离子水清洗铝锭至中性。
实施例3
一种高纯铝的制备方法，包括如下步骤：
a、将高纯铝原料在真空熔炼炉530℃下保温4小时，取出后水淬；
b、经过a步骤处理的铝锭在轧机上冷轧处理后，装入石英舟中；
C、将装入石英舟的铝锭再次放入真空熔炼炉内，对真空熔炼炉进行脱氧处理，并使其
真空度达到5×10-4pa～10×10-4pa，真空熔炼炉以150℃/小时的速度缓慢升温700℃，恒
温2小时后，以150℃/小时的速度缓慢降温至350℃，恒温处理2.5小时后，以180℃/小时的
速度缓慢降温至常温即可。
步骤c中铝锭在真空熔炼炉熔炼时，控制熔区宽度45mm。
步骤c中真空熔炼炉的脱氧处理为：开启氩气阀，向真空熔炼炉内通氩气，调节氩
气流量为300mL/min。
步骤a中，经真空熔炼炉熔炼后，将铝锭放入事先配好的清洗液中，水浴加热至
90—100℃，3-5min后停止加热，待冷却后用去离子水清洗铝锭至中性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的保护范
围内所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。