一种ON-CELL用ITO透明导电膜及其制作工艺技术领域
本发明涉及光学器件领域，尤其是一种ON-CELL用ITO透明导电膜及其制作工艺。
背景技术
On-cell是指将触摸面板功能嵌入到彩色滤光片基板和偏光板之间的方法；由于
液晶面板不耐高温，故在液晶模板生产过程中，液晶面板之上的ITO镀膜时温度不能过高，
只能镀制低温ITO膜层，而低温ITO膜层的透光性以及电阻率等性能均不理想。随着消费电
子市场需求，现有消费电子用触摸屏都要求屏幕尽可能大，这就要求用于触控功能的ITO膜
层电阻尽可能低，否则影响触控灵敏度。现有工艺制备的低温ITO膜层存在透光性较低，电
阻率较高的特效，其难以满足上述大尺寸屏幕的使用要求。与此同时，现有的ITO膜层较厚，
其蚀刻痕迹较为明显。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种ON-CELL用ITO透明导电膜及其制作工艺，其
可针对大屏幕电子产品形成同时满足高透光率以及低电阻的ITO膜层，进而致使触控面板
整体可改善触控的灵敏度。
为解决上述技术问题，本发明涉及一种ON-CELL用ITO透明导电膜，其包括有A膜
层、二氧化硅膜层、ITO膜层，所述A模层为氧化铌膜层与二氧化钛膜层中的任意一种，所述
ON-CELL用ITO透明导电膜膜层结构依次为：A膜层、二氧化硅膜层、ITO膜层。
上述ON-CELL用ITO透明导电膜的制作工艺包括有如下工艺步骤：
1)将玻璃基板、A靶材、硅靶以及ITO靶材分别安装在镀膜箱体之中，并对镀膜箱体进行
抽真空处理，所述A靶材为氧化铌靶材与二氧化钛靶材中的任意一种；
2)将镀膜箱体内部在300～500℃的温度环境下烘烤3～6h，以去除镀膜箱体内部杂质
气体；
3)当镀膜箱体内部真空度达到5*10-4pa时，向镀膜箱体内充入纯度为99.99%的氩气与
氧气，直至镀膜箱体内部工作压强达到0.1～0.6Pa，镀膜箱体内部ITO靶材所处位置氧气占
比为5～10%；
4)在70℃的环境温度下开启A靶材、硅靶与ITO靶材电源，当A靶材、硅靶与ITO靶材的靶
材表面分别形成等离子区，在镀膜箱体内进行磁控溅射，通过氩气轰击靶材表面，以在玻璃
基板上依次沉积A膜层、二氧化硅膜层、ITO膜层，得到成型面板；所述A膜层为步骤1）所采用
的氧化铌靶材与二氧化钛靶材所得到的对应膜层；
5)将完成镀膜后的成型面板置于退火箱体内进行真空冷却退火处理，退火箱体内部安
装有冷却板，成型面板置于置于冷却板之上进行退火处理，冷却板温度为8至15℃，退火时
间为20至40min。
作为本发明的一种改进，所述步骤1）中的ITO靶材内氧化铟和氧化锡的质量比例
为90:10。
作为本发明的一种改进，所述步骤4）之中，成型面板A膜层厚为8～12nm，二氧化硅
膜层厚为20～50nm，ITO膜层厚为110～160nm。
采用上述技术方案中的ON-CELL用ITO透明导电膜，其通过采用氧化铌膜层与二氧
化钛膜层中的任意一种，进而使得成型面板在进行镀膜成型过程中的蚀刻痕迹得以消除，
致使本申请中面板的触摸效果得以显著改善；与此同时，上述ON-CELL用ITO透明导电膜在
制作过程之中，其可通过采用氧气进行镀膜处理进而使得面板中的ITO膜层可同时形成高
透光率以及低电阻率。当面板在镀膜箱体内成型后，其可进一步通过长时间的真空退火处
理，以进一步的降低ITO膜层的电阻率。
附图说明
图1为本发明实施例1中膜层示意图；
图2为本发明实施例4中膜层示意图；
附图标记列表：
1—氧化铌膜层、2—二氧化硅膜层、3—ITO膜层、4—玻璃基板、5—二氧化钛膜层。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅
用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、
“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远
离特定部件几何中心的方向。
实施例1
如图1所示的一种ON-CELL用ITO透明导电膜，其包括有氧化铌膜层1、二氧化硅膜层2、
ITO膜层3；所述ON-CELL用ITO透明导电膜膜层结构依次为：氧化铌膜层1、二氧化硅膜层2、
ITO膜层3。
上述ON-CELL用ITO透明导电膜的制作工艺包括有如下工艺步骤：
1)将玻璃基板4、氧化铌靶材、硅靶以及ITO靶材分别安装在镀膜箱体之中，并对镀膜箱
体进行抽真空处理；
2)将镀膜箱体内部在300℃的温度环境下烘烤6h，以去除镀膜箱体内部杂质气体；
3)当镀膜箱体内部真空度达到5*10-4pa时，向镀膜箱体内充入纯度为99.99%的氩气与
氧气，直至镀膜箱体内部工作压强达到0.1Pa，镀膜箱体内部ITO靶材所处位置氧气占比为
10%；
4)在70℃的环境温度下开启氧化铌靶材、硅靶与ITO靶材电源，当氧化铌靶材、硅靶与
ITO靶材的靶材表面分别形成等离子区，在镀膜箱体内进行磁控溅射，通过氩气轰击靶材表
面，以在玻璃基板4上依次沉积氧化铌膜层1、二氧化硅膜层2、ITO膜层3，得到成型面板；
5)将完成镀膜后的成型面板置于退火箱体内进行真空冷却退火处理，退火箱体内部安
装有冷却板，成型面板置于置于冷却板之上进行退火处理，冷却板温度为8℃，退火时间为
40min。
作为本发明的一种改进，所述步骤1）中的ITO靶材内氧化铟和氧化锡的质量比例
为90:10。
作为本发明的一种改进，所述步骤4）之中，成型面板氧化铌膜层1厚为8nm，二氧化
硅膜层2厚为20nm，ITO膜层3厚为110nm。
采用上述技术方案中的ON-CELL用ITO透明导电膜，其通过采用氧化铌膜层与二氧
化钛膜层中的任意一种，进而使得成型面板在进行镀膜成型过程中的蚀刻痕迹得以消除，
致使本申请中面板的触摸效果得以显著改善；与此同时，上述ON-CELL用ITO透明导电膜在
制作过程之中，其可通过采用氧气进行镀膜处理进而使得面板中的ITO膜层可同时形成高
透光率以及低电阻率。当面板在镀膜箱体内成型后，其可进一步通过长时间的真空退火处
理，以进一步的降低ITO膜层的电阻率。
采用上述技术方案中的ON-CELL用ITO透明导电膜，其透光率可达到88%以上，而电
阻率可控制在3.0*10-4Ω.cm以下，相较于常规ITO膜层透光率在70%左右，电阻率在6*10-4
Ω.cm左右，其在ITO透明导电膜的性能上具有显著改善。
实施例2
如图1所示的一种ON-CELL用ITO透明导电膜，其包括有氧化铌膜层1、二氧化硅膜层2、
ITO膜层3；所述ON-CELL用ITO透明导电膜膜层结构依次为：氧化铌膜层1、二氧化硅膜层2、
ITO膜层3。
1)将玻璃基板4、氧化铌靶材、硅靶以及ITO靶材分别安装在镀膜箱体之中，并对镀
膜箱体进行抽真空处理；
2)将镀膜箱体内部在500℃的温度环境下烘烤3h，以去除镀膜箱体内部杂质气体；
3)当镀膜箱体内部真空度达到5*10-4pa时，向镀膜箱体内充入纯度为99.99%的氩气与
氧气，直至镀膜箱体内部工作压强达到0.6Pa，镀膜箱体内部ITO靶材所处位置氧气占比为
10%；
4)在70℃的环境温度下开启氧化铌靶材、硅靶与ITO靶材电源，当氧化铌靶材、硅靶与
ITO靶材的靶材表面分别形成等离子区，在镀膜箱体内进行磁控溅射，通过氩气轰击靶材表
面，以在玻璃基板4上依次沉积氧化铌膜层1、二氧化硅膜层2、ITO膜层3，得到成型面板；
5)将完成镀膜后的成型面板置于退火箱体内进行真空冷却退火处理，退火箱体内部安
装有冷却板，成型面板置于置于冷却板之上进行退火处理，冷却板温度为15℃，退火时间为
20min。
作为本发明的一种改进，所述步骤4）之中，成型面板氧化铌膜层厚为12nm，二氧化
硅膜层厚为50nm，ITO膜层厚为160nm。
本实施例其余特征与优点均与实施例1相同。
实施例3
如图1所示的一种ON-CELL用ITO透明导电膜，其包括有氧化铌膜层1、二氧化硅膜层2、
ITO膜层3；所述ON-CELL用ITO透明导电膜膜层结构依次为：氧化铌膜层1、二氧化硅膜层2、
ITO膜层3。
1)将玻璃基板4、氧化铌靶材、硅靶以及ITO靶材分别安装在镀膜箱体之中，并对镀
膜箱体进行抽真空处理；
2)将镀膜箱体内部在400℃的温度环境下烘烤4.5h，以去除镀膜箱体内部杂质气体；
3)当镀膜箱体内部真空度达到5*10-4pa时，向镀膜箱体内充入纯度为99.99%的氩气与
氧气，直至镀膜箱体内部工作压强达到0.3Pa，镀膜箱体内部ITO靶材所处位置氧气占比为
8%；
4)在70℃的环境温度下开启氧化铌靶材、硅靶与ITO靶材电源，当氧化铌靶材、硅靶与
ITO靶材的靶材表面分别形成等离子区，在镀膜箱体内进行磁控溅射，通过氩气轰击靶材表
面，以在玻璃基板4上依次沉积氧化铌膜层1、二氧化硅膜层2、ITO膜层3，得到成型面板；
5)将完成镀膜后的成型面板置于退火箱体内进行真空冷却退火处理，退火箱体内部安
装有冷却板，成型面板置于置于冷却板之上进行退火处理，冷却板温度为12℃，退火时间为
30min。
作为本发明的一种改进，所述步骤4）之中，成型面板氧化铌膜层厚为10nm，二氧化
硅膜层厚为35nm，ITO膜层厚为135nm。
本实施例其余特征与优点均与实施例1相同。
实施例4
如图2所示的一种ON-CELL用ITO透明导电膜，其包括有二氧化钛膜层5、二氧化硅膜层
2、ITO膜层3；所述ON-CELL用ITO透明导电膜膜层结构依次为：二氧化钛膜层5、二氧化硅膜
层2、ITO膜层3。
上述ON-CELL用ITO透明导电膜的制作工艺包括有如下工艺步骤：
1)将玻璃基板4、二氧化钛靶材、硅靶以及ITO靶材分别安装在镀膜箱体之中，并对镀膜
箱体进行抽真空处理；
2)将镀膜箱体内部在400℃的温度环境下烘烤4.5h，以去除镀膜箱体内部杂质气体；
3)当镀膜箱体内部真空度达到5*10-4pa时，向镀膜箱体内充入纯度为99.99%的氩气与
氧气，直至镀膜箱体内部工作压强达到0.4Pa，镀膜箱体内部ITO靶材所处位置氧气占比为5
～10%；
4)在70℃的环境温度下开启二氧化钛靶材、硅靶与ITO靶材电源，当二氧化钛靶材、硅
靶与ITO靶材的靶材表面分别形成等离子区，在镀膜箱体内进行磁控溅射，通过氩气轰击靶
材表面，以在玻璃基板4上依次沉积二氧化钛膜层5、二氧化硅膜层2、ITO膜层3，得到成型面
板；
5)将完成镀膜后的成型面板置于退火箱体内进行真空冷却退火处理，退火箱体内部安
装有冷却板，成型面板置于置于冷却板之上进行退火处理，冷却板温度为12℃，退火时间为
30min。
作为本发明的一种改进，所述步骤4）之中，成型面板二氧化钛膜层厚为10nm，二氧
化硅膜层厚为35nm，ITO膜层厚为135nm。
本实施例其余特征均与实施例1相同。