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1、(10)申请公布号 CN 103578537 A (43)申请公布日 2014.02.12 CN 103578537 A (21)申请号 201210370772.5 (22)申请日 2012.09.28 13/556,807 2012.07.24 US G11C 16/06(2006.01) G11C 16/02(2006.01) (71)申请人 擎泰科技股份有限公司 地址 中国台湾新竹市力行一路 10-1 号 6 楼 (72)发明人 刘亦峻 李忠勋 周铭宏 (74)专利代理机构 北京泛诚知识产权代理有限 公司 11298 代理人 陈波 文琦 (54) 发明名称 存取非易失性存储器的方法 (。
2、57) 摘要 公开一种存取非易失性存储器的方法。数据 的初始位以位级进行复制， 以产生对应于每个初 始位的多个复制位。在对应于不同初始位的复制 位之间提供至少一个屏蔽位。将复制位与至少一 个屏蔽位烧录到非易失性存储器。根据复制位产 生或决定初始位。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 14 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书6页 附图14页 (10)申请公布号 CN 103578537 A CN 103578537 A 1/2 页 2 1. 一种存取非易失性存储器的方法， 包括 ： 以位级复制。
3、数据的多个初始位， 以生成对应于每一个所述初始位的多个复制位 ； 在对应于不同初始位的所述复制位之间提供至少一个屏蔽位 ； 将所述复制位和所述至少一个屏蔽位烧录至所述非易失性存储器 ； 以及 根据所述复制位， 产生所述数据的所述初始位。 2. 如权利要求 1 所述的方法， 其中， 所述非易失性存储器包括快闪存储器。 3. 如权利要求 1 所述的方法， 其中， 所述数据包括保护数据以及至少一个保护码， 其中， 该保护码用于错误检测和 / 或纠正， 以确定该保护数据的正确性。 4. 如权利要求 1 所述的方法， 其中， 所述至少一个屏蔽位是以表示最低电压电平的数 据而烧录的。 5. 如权利要求 1。
4、 所述的方法， 其中， 对应于每一个所述初始位的所述复制位邻接着所 述至少一个屏蔽位。 6. 如权利要求 1 所述的方法， 其中， 所述屏蔽位是以虚拟数据而烧录的。 7. 如权利要求 1 所述的方法， 其中， 将对应于每一个所述初始位的所述复制位烧录到 一字线的非连续第一位线和该字线的非连续第二位线 ； 并且 其中， 所述第一位线散布在所述第二位线之间， 使所述第二位线的所述复制位作为所 述屏蔽位。 8. 如权利要求 7 所述的方法， 其中， 所述第一位线是偶数位线， 并且所述第二位线是奇 数位线。 9. 如权利要求 1 所述的方法， 其中， 将对应于每一个所述初始位的所述复制位烧录至 一字线。
5、的非连续第一位线， 并且将一虚拟数据烧录至所述字线的非连续第二位线， 并且 其中， 所述第一位线散布在所述第二位线之间， 使所述第二位线的所述虚拟数据作为 所述屏蔽位。 10. 如权利要求 1 所述的方法， 其中， 将对应于每一个所述初始位的所述复制位烧录至 一第一字线的非连续第一位线与一相邻第二字线的非连续第二位线， 并且将一虚拟数据烧 录至该第一字线的非连续第二位线与该第二字线的非连续第一位线， 其中， 所述第一位线散布在所述第二位线之间， 使所述第二位线的所述虚拟数据作为 所述屏蔽位。 11. 如权利要求 10 所述的方法， 还包括 ： 将一反转复制位烧录至一第三字线的非连续第一位线， 。
6、其中所述反转复制位反转于所 述复制位 ； 以及 将所述虚拟数据烧录至所述第三字线的非连续第二位线。 12. 如权利要求 1 所述的方法， 其中， 将所述复制位与所述屏蔽位烧录至一第一字线， 并且将一虚拟数据烧录至一相邻第二字线。 13. 如权利要求 12 所述的方法， 还包括 ： 将一反转复制位烧录至一第三字线， 其中所述反转复制位反转于所述复制位 ； 以及 将所述虚拟数据烧录至一第四字线， 其中， 所述第四字线与所述第三字线相邻。 14. 如权利要求 1 所述的方法， 其中， 所述非易失性存储器包括多位单元存储器。 15. 如权利要求 14 所述的方法， 其中， 将所述复制位与所述屏蔽位烧录。
7、至一字线的全 权 利 要 求 书 CN 103578537 A 2 2/2 页 3 页。 16. 如权利要求 14 所述的方法， 其中， 将所述复制位烧录至字线的最低有效位 (LSB) 页， 并且将虚拟数据烧录至所述字线的另一页。 17. 如权利要求 14 所述的方法， 其中， 将所述多位单元存储器配置为单位单元存储器， 并以所述复制位烧录。 18. 如权利要求 14 所述的方法， 其中， 仅烧录字线的最低有效位 (LSB) 页。 19. 如权利要求 1 所述的方法， 其中， 所述根据所述复制位产生所述数据的所述初始位 的步骤包括 ： 将对应于所述其中一个初始位的所述烧录复制位予以投票， 并且。
8、根据所述烧录复制位 的多数， 来决定所述初始位。 20. 如权利要求 1 所述的方法， 其中， 所述根据所述复制位产生所述数据的所述初始位 的步骤包括 ： 选取对应于不同初始位的所烧录的复制位的其中一位 ； 合并该数据的所述初始位的所述选取位 ； 以及 验证所述合并位。 21. 如权利要求 1 所述的方法， 还包括 ： 当烧录至第一字线时， 分配对应于所述初始位的所述复制位， 直到不再遇到异常行 ； 当烧录至第二字线时， 如果遇到异常行， 则分配对应于所述初始位的所述复制位， 而如 果没遇到所述异常行， 则烧录反转复制位 ； 其中， 所述反转复制位反转于所述复制位。 22. 如权利要求 21 。
9、所述的方法， 其中， 所述复制位与所述反转复制位分别邻接着所述 至少一个屏蔽位。 23. 如权利要求 21 所述的方法， 其中， 在所述根据所述复制位产生所述数据的所述初 始位的步骤中， 还包括 ： 读取所述第一字线和所述第二字线 ； 以及 比较读取自该第一字线的所述数据与读取自该第二字线的所述数据， 以检查是否存在 异常行。 24. 如权利要求 23 所述的方法， 其中， 所述比较读取自该第一字线的所述数据与读取 自该第二字线的所述数据的步骤是通过所述读取复制位和所述读取反转复制位， 执行位逻 辑异或运算。 25. 如权利要求 23 所述的方法， 其中， 所述根据所述复制位产生所述数据的所述。
10、初始 位的步骤还包括 ： 当所述复制位遇到所述异常行时， 丢弃对应于所述第一字线中的所述初始位的所述复 制位。 权 利 要 求 书 CN 103578537 A 3 1/6 页 4 存取非易失性存储器的方法 技术领域 0001 本发明涉及一种有关于非易失性存储器的技术， 特别是涉及一种避免受到耦合效 应及异常行 (bad column) 问题影响的存取非易失性存储器的方法。 背景技术 0002 快闪存储器为一种非易失性存储器元件， 其可以电气方式进行抹除及写入。传统 快闪存储器可在每一存储器单元内储存单一位的数据， 因而每一存储器单元具有两种可能 状态。因此， 将此种传统快闪存储器称为单一位单。
11、元 （single-bit per cell） 快闪存储器。 现今快闪存储器可在每一存储器单元内储存两位或多位的数据， 因而每一存储器单元具有 两个以上的可能状态。此种快闪存储器因此称之为多位单元 （multi-bit per cell） 快闪 存储器。 0003 图 1 示出了与非门 （NAND） 快闪存储器的示意图， 其中与非门 （NAND） 快闪存储器包 括由浮栅存储器单元 11 所排列组合的阵列 (n-by-m)。从字线 WL0 至字线 WLn-1 中选取位 在列上的浮门存储器单元。位在行上的浮栅存储器单元 11 耦接漏极至源极， 以形成对应耦 接至感测放大器的位线 BL0 至 BLm。
12、-1。 0004 当存储器储存密度增加和/或更多位储存在单一单元中， 则浮栅存储器单元11间 的电容耦合也会随之增加。 耦合效应可以降低， 例如， 可通过使用位在存储器控制器中的信 号高频滤波元件， 或是在快闪存储器中使用非单一快取存储器容错设计 (fault-tolerant design)， 但其整体所需的费用高且系统设计复杂性高。 0005 快闪存储器一般可能具有一些缺陷位线， 也就是位线上有一或多个浮栅存储器单 元不能正常工作， 因此这些位线通常视作为异常行。异常行问题可以被解决， 例如， 通过在 快闪存储器中使用复制电路 (replacement circuit)， 以使数据改向到快。
13、闪存储器中的保 留区域， 然而如此将产生高成本的缺点。异常行问题的解决方式也可以是通过存储器控制 器， 使得当在存取快闪存储器时， 跳过缺陷位线。 0006 传统解决异常行问题的方法需要在最初时， 将参数储存到快闪存储器中， 并且须 根据参数可适当初始化以用于快闪存储器的存储器控制器。然而， 使用于存储器控制器以 解决由于快闪存储器缺陷或不完善所产生的问题的参数， 一开始即可能储存在快闪存储器 的缺陷区域中。 0007 因此， 亟需提出具有高效率及高效益的存取非易失性存储器的新颖方法。 发明内容 0008 鉴于上述情况， 本发明的一实施例提供一种避免受到耦合效应及异常行 (bad column。
14、) 问题影响， 准确的在非易失性存储器存取数据的方法。 0009 根据本发明的一实施例， 以位级复制一数据的初始位， 由此产生对应于每一初始 位的多个复制位。在对应于不同初始位的复制位之间提供至少一个屏蔽位。将复制位与至 少一个屏蔽位烧录至非易失性存储器。之后， 根据复制位来产生或决定数据的初始位。 说 明 书 CN 103578537 A 4 2/6 页 5 附图说明 0010 图 1 是示出与非门 （NAND） 快闪存储器的示意图 ; 0011 图 2 是示出存储器系统的功能方框图 ; 0012 图 3 是示出保护数据及保护码的数据结构的示例图 ; 0013 图4A及图4B是根据本发明的第。
15、一实施例示出的一种存取非易失性存储器的方法 示意图 ; 0014 图 4C 是根据本发明的第一实施例示出一种烧录多位单元快闪存储器的方法示意 图 ; 0015 图 4D 是根据本发明的第一实施例示出在烧录多位单元快闪存储器后的门限电压 分布图 ; 0016 图 5A 是根据本发明的第二实施例示出一种存取非易失性存储器的方法示意图 ; 0017 图5B及图5C是根据本发明的第二实施例示出的一种烧录快闪存储器的方法示意 图 ; 0018 图6A至图6D是根据本发明的另一第二实施例示出一种烧录非易失性存储器的方 法示意图 ; 0019 图 7A 是根据本发明的第三实施例示出一种存取非易失性存储器的方。
16、法示意图 ; 0020 图7B及图7C是根据本发明的第三实施例示出一种烧录非易失性存储器的方法示 意图 ; 0021 图8A及图8B是根据本发明的另一第三实施例示出一种烧录非易失性存储器的方 法示意图 ; 0022 图9A至图9C是根据本发明的第四实施例示出一种烧录非易失性存储器的方法示 意图 ; 以及 0023 图 10 是示出考虑异常行的存取非易失性存储器的方法示意图。 0024 附图标号说明 0025 11 ： 浮栅存储器单元 0026 21 ： 存储器控制器 0027 22 ： 非易失性存储器 具体实施方式 0028 本发明公开一种在非易失性存储器存取数据的方法。 而所公开的方法可用于。
17、存储 器控制器 21 中， 如图 2 所示， 其中存储器控制器 21 控制在非易失性存储器 22( 例如 ： 快闪 存储器 ) 流出或流入的数据流。在一实施例中， 作为初始化非易失性存储器 22 以使用存储 器控制器 21 的参数， 是以一特定方式 ( 其描述记载在后述说明内容中 ) 写入 ( 或烧录 ) 至 非易失性存储器 22， 以使即便参数部分有误， 参数也可从非易失性存储器 22 正确读取。此 外， 所公开的方法可适用于在非易失性存储器 22 中储存重要数据或一般数据。在本说明书 中， 用语” 写入 (write)” 可与用语” 烧录 (program)” 相互交替。虽然以下实施例是以。
18、快闪 存储器作为示例， 但其所公开的方法可广泛适用于非易失性存储器， 其中非易失性存储器 在电源关闭时仍可保留存储数据。 说 明 书 CN 103578537 A 5 3/6 页 6 0029 在本说明书中， 用语 “数据” 可指欲保护的信息 ( 或数据 )， 并且还可包括至少一个 保护码， 其用于检测错误和/或确保保护数据完整性的修正。 图3图示了一些保护数据及保 护码的数据结构示例， 例如 ： 纠错码(error-correcting code;ECC)、 循环冗余校验(cyclic redundancy check;CRC) 或校验和 (checksum)。 0030 第一实施例 003。
19、1 图 4A 是根据本发明的第一实施例所图示的一种存取非易失性存储器 ( 以下简称 为 “存储器” 或 “快闪存储器” ) 的方法示意图。在本实施例中， 数据的初始位 ( 例如 ： 写入存 储器的数据)依序以位级复制， 以产生复制位。 如图4A所示， 初始数据包括26位A,B， .Z， 其中每一位具有 8 个初始位， 即 A=(a0,a1,a7)、 B=(b0,b1,b7)、Z=(z0,z1， .z7)。 初始位依序在位级复制七次， 以分别生成复制位 (a00,a01， .a06)、 (a10,a11， .a16)、 (b00,b01， .b06)、 (b10,b11， .b16)、(z70,。
20、z71,z76)， 其中 a00=a01=a06、 a10=a11 =a16等。根据本实施例的一方面， 对应于每一初始位的复制位邻接着至少一个 ( 位线 ) 屏 蔽位(sb)。 在实施例中， 屏蔽位最好是不同于复制位， 以防止产生耦合效应。 实施例中的屏 蔽位所烧录的数据， 最好其所表示的电压尽可能低。 在一实施例中， 屏蔽位是以虚拟数据烧 录， 举例来说， 位 “1” 可表示为存储器单元中的最低电压电平。 0032 所属本领域技术人员可领会到， 对应于每一初始位的复制位的数量及屏蔽位 的数量， 都不局限于图 4A 所示出的示意数量。举例来说， 如图 4B 所示的优选实施例 中， 初始位依序在。
21、一位级复制八次， 并且对应于每一初始位的复制位邻接着八个屏蔽位 (sb1,sb2， .sb8)。 0033 关于多位单元(multi-bit per cell)快闪存储器， 举例来说， 三位单元(3b/cell) 快闪存储器中的每一单元可储存三个信息位 ( 例如 ： 最低有效位 (LSB)、 中间有效位 (CSB) 及最高有效位 (MSB)， 而将数据烧录至多位单元快闪存储器的一些方法则如下所述。 0034 在第一种将数据烧录到多位单元快闪存储器的方法中， 如图 4C 所示， 复制位 ( 例 如 ： a00,a01， .a06) 以及屏蔽位 (sb) 烧录到字线的全页 ( 例如 ： LSB、 。
22、CSB 及 MSB 页 )。 0035 在第二种将数据烧录至多位单元快闪存储器的方法中， 仅 LSB 页是以复制位与屏 蔽位烧录， 至于其他页(例如 ： CSB页与MSB页)则是以虚拟数据烧录。 在一优选实施例中， CSB 页与 MSB 页是以虚拟数据烧录， 以使位在 LSB 页中的数据 “0” 与 “1” 的门限电压分布， 在实质上可以彼此保持距离。如图 4D 所示， 在以虚拟数据 “11” 烧录至 CSB 页及 MSB 页之 后， 位在 LSB 页中的数据 “0” 与 “1” 的门限电压分布， 则分别位于相距最远的两端 ( 最低电 压电平 111 及最高电压电平 110)。 0036 在第。
23、三种将数据烧录至多位单元快闪存储器的方法中， 多位单元快闪存储器作为 单位单元快闪存储器而配置， 若快闪存储器支持此类配置架构， 将复制位及屏蔽位进行烧 录。另外， 在第三种方法中， 仅用 LSB 页供复制位及屏蔽位的烧录。 0037 根据上述所公开的第一实施例， 屏蔽位用以防止分别对应于相邻初始位 ( 例如 ： a0 与 a1) 的复制位间的相互干扰。因此， 在初始位之后可从快闪存储器正确读取。例如， 初始位 (a0) 可通过读取其中的复制位 (a00,a01,a02,a03,a04,a05,a06,a07) 予以确认。更好 地， 初始位 (a0) 的判定可通过读取复制位的中间一个或多个位 。
24、( 例如 ： a03和 / 或 a04)。以 下实施例提供一些从快闪存储器读取数据的方法。 0038 在从快闪存储器读取数据的第一种方法中， 首先确定已烧录的复制位的页位 说 明 书 CN 103578537 A 6 4/6 页 7 址 (page address)， 根据该页位址中的复制位， 将数据自快闪存储器读取 ( 或撷取 ) 出 来。用于烧录复制位的页位址可以是一预定页位址， 例如 ： 快闪存储器的第一位址。也 或是， 页位址可预先设定于存储器控制器中 ( 例如 ： 图 2 所示之存储器控制器 21)， 例如 ： 页位址可预先设定在只读存储器 (read only memory;ROM。
25、) 或单次可编程式 (one-time programmable;OTP) 存储器 ； 或是外部设置， 例如 ： 通过存储器控制器 21 的探针。接着， 初 始位可根据所对应的复制位通过投票 ( 或采多数 ) 方式予以判定。举例来说， 当复制位 (a00,a01,a02,a03,a04,a05,a06)中的数值 “1” 多于数值 “0” 时， 则初始位a0认定为 “1” 。 已认 定的初始位可通过相关的保护码予以检测和 / 或修正错误， 从而确定保护数据的完整性。 0039 从快闪存储器读取数据的第二种方法中， 在决定储存复制位的页面位址后， 选取 对应于初始位的其中一个复制位， 并且合并对应。
26、于不同初始位的选取位， 且之后经由相关 保护码予以确认 ( 例如 ： 错误检测和 / 或修正 )。若确认失败， 上述选取过程将依至少其中 另外一个复制位， 重新进行。将重复不断进行选取和确认， 直到确认成功。 0040 第二实施例 0041 图 5A 是根据本发明的第二实施例所图示的一种存取非易失性存储器的方法示 意图。在本实施例中， 数据的初始位依序用位级进行复制， 以产生复制位。如图 5A 所 示， 初始数据包括 26 位 A,B， .Z， 其中每一位具有 8 个初始位， 即 A=(a0,a1， .a7)、 B=(b0,b1， .b7)、Z=(z0,z1， .z7)。初始位在位级依序复制八。
27、次， 以分别产生 复 制 位 (a00,a01,a07)、 (a10,a11,a17)、 (b00,b01,b07)、 (b10,b11,b17)、 (z70,z71， .z77)， 其中 a00=a01=a07、 a10=a11=a17等。根据本实施例的一方面， 如图 5B 所示， 将对应于每一初始位的复制位烧录到字线的非连续第一位线 ( 例如 ： 偶数位线 )， 并 且上述复制位也烧录到字线的非连续第二位线 ( 例如 ： 奇数位线 )， 其中第一位线散布在第 二位线之间。相较于第一实施例中所使用屏蔽位以防止相邻初始位 ( 例如 ： a0 与 a1) 间的 相互干扰， 第二实施例则使用烧录至。
28、第二位线 ( 例如 ： 奇数位线 ) 的复制位作为屏蔽位， 以 防止相邻复制位 ( 例如 ： a00与 a01、 a07与 a10) 间的相互干扰。 0042 关于多位单元快闪存储器， 例如 ： 3 位单元 (3b/cell) 快闪存储器， 其相似于第一 实施例， 而多位单元快闪存储器的三种烧录数据方法如下所示。 0043 在第一种将数据烧录至多位单元快闪存储器的方法中， 如图 5C 所示， 位在第一位 线及第二位线上的复制位 ( 例如 ： a00,a01， .a07) 烧录至字线的全页 ( 例如 ： LSB、 CSB 及 MSB 页 )。 0044 在第二种将数据烧录至多位单元快闪存储器的方。
29、法中， 仅使用 LSB 页烧录复制 位， 而至于其他页 ( 例如 ： CSB 页与 MSB 页 ) 则是以虚拟数据烧录。 0045 在第三种将数据烧录至多位单元快闪存储器的方法中， 多位单元快闪存储器作为 单位单元快闪存储器而配置， 若快闪存储器支援此类配置架构， 将复制位烧录在各第一位 线与第二位线上。另外， 在第三种方法中， 仅 LSB 页是以同时位在第一位线及第二位线的复 制位烧录。 0046 另一第二实施例 0047 图6A及图6B是根据本发明的另一第二实施例所图示的一种存取非易失性存储器 的方法示意图。相较于图 5B 至图 5C 所图示的第二实施例， 对应于本实施例的每一初始位 的复。
30、制位烧录至字线中的非连续第一位线 ( 例如 ： 偶数位线 )， 然而作为屏蔽位的虚拟数据 说 明 书 CN 103578537 A 7 5/6 页 8 DD( 例如 ： 位 “1” ) 则烧录至字线的非连续第二位线 ( 例如 ： 奇数位线 )。 0048 图 6C 还示出了一实施例， 其中虚拟数据烧录至一字线之第二位线， 并且烧录至一 相邻字线的第一位线。复制位烧录至一字线中的第一位线， 且相同的复制位 ( 或反转复制 位 ) 烧录至一相邻字线中的第二位线。烧录至字线之第一位线的复制位， 可与烧录至相邻 字线的第二位线的复制位进行比较， 以检查数据的正确性。 0049 图 6D 图示如图 6C。
31、 所示的烧录方式的另一实施利。此外， 在另一非需相邻在前两 字线的字线中， 以反转复制位(或非反转复制位)烧录至第一位线上， 并且以虚拟数据烧录 至第二位线。因此， 在两字线中的第一位线的复制位将可相互比对， ( 例如 ： 通过异或运算 (exclusive OR operation)， 以监视数据的正确性， 或监视异常行的产生。 0050 第三实施例 0051 图 7A 是根据本发明的第三实施例所图示的一种存取非易失性存储器的方法示意 图。在此实施例中， 数据的初始位 ( 例如 ： 初始数据页 ) 在页级复制， 以产生复制位 ( 例如 ： 复制数据页 )。如图 7A 所示， 初始数据包括 2。
32、6 位 A,B， .Z， 其中每一位具有 8 个初始位， 即 A=(a0,a1， .a7)、 B=(b0,b1， .b7)、Z=(z0,z1， .z7)。初始数据页在页级复制， 以 分别产生复制数据页 (a01,a11,a71)、 (b01,b11,b71)、(z01,z11,z71)。根据此实施 例的一方面， 如图 7B 所示， 初始数据页烧录至字线的非连续第一位线 ( 例如 ： 偶数位线 )， 并且复制数据页烧录至字线的非连续第二位线 ( 例如 ： 奇数位线 )。本实施例使用烧录至 第二位线 ( 例如 ： 偶数位线 ) 的复制数据作为屏蔽位， 以预防相邻初始位间的相互干扰。 0052 关于。
33、多位单元快闪存储器， 例如 ： 3 位单元 (3b/cell) 快闪存储器， 其相似于第一 实施例或第二实施例， 多位单元快闪存储器的三种烧录数据方法如下所示。 0053 在第一种将数据烧录至多位单元快闪存储器的方法中， 如图 7C 所示， 第一位线的 初始数据页及第二位线的复制数据页烧录至字线的全页 ( 例如 ： LSB、 CSB 及 MSB 页 )。 0054 在第二种将数据烧录至多位单元快闪存储器的方法中， 仅用 LSB 页的第一位线与 第二位线分别烧录初始数据页与复制数据页， 而至于其他页 ( 例如 ： CSB 页与 MSB 页 ) 则是 以虚拟数据烧录。 0055 在第三种将数据烧录。
34、至多位单元快闪存储器的方法中， 多位单元快闪存储器作为 单位单元快闪存储器配置， 若快闪存储器支援此类配置架构， 将初始数据页与复制数据页 分别烧录在第一位线与第二位线。另外， 在第三种方法中， 仅 LSB 页是分别以位在第一位线 的初始数据及位在第二位的复制位予以烧录。 0056 另一第三实施例 0057 图8A及第图8A是根据本发明的另一第三实施例所绘示一种存取非易失性存储器 之方法示意图。相较于图 7B 至图 7C 所示出的第三实施例， 初始数据页烧录至字线的非连 续第一位线 ( 例如 ： 偶数位线 )， 然而作为屏蔽位的虚拟数据 DD( 例如 ： 位 “1” ) 则烧录至字 线的非连续。
35、第二位线 ( 例如 ： 偶数位线 )。 0058 第四实施例 0059 图 9A 是根据本发明的第四实施例所图示的一种存取非易失性存储器的方法示意 图。在此实施例中， 其相似于第一实施例， 数据的初始位在位级依序复制， 以产生复制位， 其中复制位邻接着至少一个屏蔽位。根据此实施例的一方面， 下一字线通过烧录虚拟数据 (DD) 至其至少一数据页以作为遮蔽位 ( 字线 )。在一实施例中， 不烧录作为屏蔽位的字线， 说 明 书 CN 103578537 A 8 6/6 页 9 相同地说， 也或是其全部以位 “1” 予以烧录。 0060 图 9B 是根据本发明的第四实施例所图示的另一种存取非易失性存储。
36、器的方法示 意图。 在实施例中， 其相似于第二实施例， 对应于每一初始位的复制位烧录至字线的非连续 第一位线 ( 例如 ： 偶数位线 )， 并且上述复制位也烧录至字线的非连续第二位线 ( 例如 ： 奇 数位线 )。根据此实施例的一方面， 下一字线通过烧录虚拟数据 (DD) 至其至少一数据页以 作为遮蔽位(字线)。 在一实施例中， 作为屏蔽位的字线不予以烧录， 相同地说， 也或是其全 部以位 “1” 予以烧录。 0061 图 9C 是根据本发明的第四实施例所图示的又一种存取非易失性存储器的方法示 意图。在实施例中， 其相似于图 9A， 复制位烧录至字线 ( 例如 ： WL0)， 其中复制位邻接着。
37、以 虚拟数据烧录的相邻字线 (WL1)。此外， 另一对无须相邻于第一对字线的两字线中， 其中一 个字线是以反转复制位 ( 或非反转复制位 ) 烧录， 而另一字线则是以虚拟数据烧录。因此， 两对字线中的复制位可相互比较， (例如 ： 通过异或运算(exclusive OR operation)， 以监 视数据的正确性， 或监视异常行的产生。 0062 关于图 2 所示的存储器系统， 在量产阶段中， 存储器控制器 21 可通过由主机 ( 未 显示 ) 所提供的程序， 从存储器 22 读取系统信息 ( 例如 ： 异常行 )。因此， 存储器控制器 21 将可写入一些初始设定信息 ( 例如 ： 固件、 。
38、控制器配置参数等 ) 至存储器 22 中。然而， 在量 产之外的阶段中， 由于没有可用的主机， 存储器控制器 21 无法适当地辨识存储器 22， 因而 无法取得异常行的信息。 图10是示出一种考虑异常行的存取非易失性存储器的方法。 如图 10 所示， 复制位及其相关屏蔽位烧录至第一字线 WL0。当遇到异常行 ( 例如 ： BL2) 时， 对应 于一初始位的复制位 ( 例如 ： a00,a01， .a06) 将再次分配至下一位线 ( 例如 ： BL8-BL14)。 复制位将持续重新复制配置直到不再遇到异常行， 并且后续将分配下一复制位 ( 例如 ： a10,a11， .a16)。在另一字线 ( 。
39、例如 ： WLn) 中， 当遇到异常行时， ( 非反转 ) 复制位 ( 例如 ： a00,a01， .a06) 分配到程序中。复制位将持续重新复制直到不再遇到异常行， 并且后续将 分配反转复制位 ( 例如 ： a00,a01， .a06)。如图 10 所示， 复制位邻接着至少一个屏蔽 位， 并且下一字线以虚拟数据 (DD) 烧录作为遮蔽位， 其相似于图 9A 所示出的方法。 0063 从快闪存储器读取如图 10 所示的烧录数据时， 将所选取的复制位及反转复制位 进行位逻辑异或运算 (bit-wise logical exclusive-OR(XOR)operation)。若异或运算结 果为假 。
40、(“0” )， 则显示遇到异常行， 应需丢弃所选取的复制位。由此可得知异常行的位置， 以丢弃不可靠的数据。 0064 虽然本发明已经以如上述实施的方式公开， 但其并非用以限定本发明， 任何本领 域技术人员， 在不脱离本发明的精神和范围内， 当可作各种之更动与改进， 因此本发明的保 护范围视权利要求范围所界定的为准。 说 明 书 CN 103578537 A 9 1/14 页 10 图 1 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 10 2/14 页 11 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 11 3/14 页 12 图 4A 说 明 书 附 图 CN 10。
41、3578537 A 12 4/14 页 13 图 4B 图 4C 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 13 5/14 页 14 图 4D 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 14 6/14 页 15 图 5A 图 5B 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 15 7/14 页 16 图 5C 图 6A 图 6B 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 16 8/14 页 17 图 6C 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 17 9/14 页 18 图 6D 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 18 10/14 页 19 图 7A 图 7B 图 7C 图 8A 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 19 11/14 页 20 图 8B 图 9A 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 20 12/14 页 21 图 9B 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 21 13/14 页 22 图 9C 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 22 14/14 页 23 图 10 说 明 书 附 图 CN 103578537 A 23 。