本发明涉及分辨率提高的X射线图像管、其制造方法以及X射线摄影装置。 已往X射线图像管一般广泛地应用在医疗用的X射线摄像装置和工业上无损检查用的X射线工业电视等。
还有，已往的X射线图像管包括具有输入X射线的输入窗的真空管壳。而且在该真空管壳的内部，与输入窗相对配置弯曲基板，在弯曲基板的与输入窗相反一侧面上依次层积着输入荧光屏以及光电面。还在真空管壳的输出侧配置了阳极以及荧光屏并沿真空管壳内部的侧壁设置了聚焦电极。
从X射线管放射出的X射线透过被照体经过输入窗与弯曲基板由输入荧光屏变换为光。这光由光电面变换成电子，靠由聚焦电极与阳极构成的电子透镜加速、聚焦而由输出荧光屏变换成可视像。
而且该可视像由电视摄像机、摄影机或现场摄像机等显像，以进行医疗诊断等。
下面参照图1说明用在上述X射线图像管中的输入荧光屏的一例。
该输入荧光屏，是在铝质基板1上形成作为碘化铯（CsI）荧光体层的不连续层2，在该不连续层2上层积作为碘化铯荧光体的连续层3，连续地层积光电面4而形成的。
因而上述输入荧光屏首先具有光传导效果。即，碘化铯对于波长420μm附近的发光折射率为1.84，理论上，如图10所示在晶体中产生的发光以大于临界角33°以上的角到达晶体与真空的界面时就全反射而不会出射到晶体以外。因此光的一部分到达光电面4上，且光被强制地沿晶体成长方向传送。
还有在结晶与真空界面地光发生衰减。因此以小于临界角33°的角度出射到晶体以外的光再次到达邻接的别的不连续层2。这时大部分的光是被留在晶体内的，一部分如图10所示经菲涅耳反射回到原来的晶体中。另外从晶体出射到真空时也是一样的。这样沿横向传播的光逐次衰减，偏离晶体成长方向的光所通过界面的次数越多，衰减的幅度越大。因此发生越近晶体成长方向就以越小衰减量到达光电面4上。
如上所述在不连续层发出的光会到达离发光点不太远的光电面4上，而得到作为输入荧光屏单个的分辨率。
而且近几年的X射线图像管，以尽可能多地拾取透过被照体的X射线信号为目的，而将输入荧光屏的厚度设定在400μm以上以期望X射线吸收效率的提高。
还有在上述作用中，光传导的效果不依赖于输入荧光屏的厚度，而对于真空与界面的光衰减，输入荧光屏的厚度变厚时由界产生的衰减效果就会差，输入荧光屏的分辨率则下降。
为增强该分辨率可考虑使不连续层2的直径变细而使面方向的光学界面致密。于是可想到，由于这样使化学界面致密，沿横向传播的光就会增加每单位光程衰减的比例。
又不连续层2的直径是依赖于屏蒸镀工艺中的基板温度的，在蒸镀时基板温度维持在150℃的情况下，在4.5Pa的压力下形成碘化铯膜，便形成6μm晶体柱的不连续层2，基板维持在温度180℃则形成9μm的不连续层2。
对形成有这些不连续层2的输入荧光屏的析像度测定，在20lp/cm，CTF（对比度传递函数（Contrast Transfer Function））值都略等于24%左右，即使50lp/cm，6μm的输入荧光屏的值也不过超出了1%。另外，若是这种程度的CTF的差异，在X射线图像管内部装着入射荧光屏的情况下，经摄像系统在电视画面上出现的差异就变小。
特别是作为提高在真空与界面间的光衰减的，已知道例如特开昭62-43046公报中记载的那样，使光吸收层介于不连续层的晶体柱间的，如特开昭59-121933公报中记载的那样，在不连续层的晶体柱间充填光反射物质的粉末的。
然而不连续层的晶体柱间为1μm大小，对这些晶体柱间的间隙加工是非常困难的。
进而在特公昭54-4071公报中记载了通过使混入铜的柱状荧光体在氧化性气氛中退火，在柱状荧光体的光学界面上形成氧化膜的构造。
不过该特公昭54-4071公报中记载的构造中，记载着柱状荧光体内的光经输入荧光屏的氧化膜反射而不输出到荧光体外的构思。
如上述的特开昭62-43046公报或特开昭59-121733公报所记载的那样，作为提高在真空与界面间光衰减的，使光吸收层介于不连续层晶体柱间或充填光反射物质的粉末，有不连续层的晶体柱间为1μm大小加工这些晶体柱间的间隙是非常困难的问题。
还有如特开昭62-43046公报所记载的那样使光吸收物质介于不连续层的晶体柱间，在不连续层的晶体柱间吸收从荧光体发出的光的情况下，就有无法充分地提高分辨率的问题。
进一步特公昭54-4071公报记载的构造有柱状荧光体内的光由输入荧光面的氧化膜反射无法输出的问题。
本发明的目的在于提供一种鉴于上述问题的，能以简单的构造使分辨率提高的X射线图像管、其制造方法以及X射线摄影装置。
权利要求1记载的X射线图像管，包括将X射线变换成光的荧光体;与包含有对该荧光体发出光进行吸收的光吸收物质的输入荧光屏。
权利要求2记载的X射线图像管，是在权利要求1记载的X射线图像管中，输入荧光屏包括靠光学界面在面方向上呈不连续形状并且越靠近所述光学界面光吸收物质浓度越高的不连续层。
权利要求3记载的X射线图像管，是在包括了具有将X射线变换为光的荧光体的荧光体层的X射线图像管中，所述荧光体层，含有比起主要构成所述荧光体的元素离子对于某种气体还要活泼的，同时与其在前述荧光体层的晶体中以金属离子存在的场合还不如在晶体外以所述气体的化合物存在的场合有效地吸收所述荧光体发光的元素，并且靠光学界面而在面方向上呈不连续构造。
权利要求4记载的X射线图像管，是在权利要求3记载的X射线图像管中，荧光体层含有氧化铜、氧化铁、氧化铬、氧化锰、氧化锶以及氧化汞中的至少一种。
权利要求5记载的X射线图摄影装置是将权利要求1至4任一所记载的X射图像管与摄像元件组合。
权利要求6记载的X射线图像管的制造方法，是在包括了具有将X射线变换成光的荧光体的荧光体层的X射线图像管制造方法中，含有比起主要构成的元素离子对于某种气体还要活泼的，同时与其在晶体中以金属离子存在的场合还不如在晶体外以所述气体的化合物存在的场合有效地吸收发光的元素，并使所述气体跟含有该元素的表面接触，形成越近表面侧越吸收光发光的所述荧光体层。
权利要求1记载的X射线图像管，因在输入荧光屏中含有光吸收物质，因而光衰减以提高分辨率。
权利要求2记载的X射线图像管，是在权利要求1记载的X射线图像管中，靠光学界面在面方向上具有不连续构造的输入荧光屏不连续层，因所含有的光吸收物质越接近光学界面光吸收物质的浓度越高，从荧光体发出的发光越偏离晶体成长方向，输入荧光屏的光程越长，因而衰减量增加分辨率提高。
权利要求3记载的X射线图像管，因使荧光体层靠光学界面在界面方向呈不连续的构造，因采用比起主要构成荧光体的元素离子对于某种气体还要活泼的，同时与其在荧光体层的晶体中以金属离子存在的场合下还不如在晶体外以化合物存在的场合下有效地吸收荧光体发光的元素，故与其在荧光体内部还不如在气体多的光学界面活化形成化合物以有效地吸收发光，使沿横向传播的光衰减而抑制光扩散，使分辨率提高。
权利要求4记载的X射线图像管，是在权利要求3记载的X射线图像管中，因荧光体层含有氧化铜、氧化铁、氧化铬、氧化锰、氧化锶以及氧化汞的至少一种，故而能有效地吸收荧光体层内的发光。
权利要求5记载的X射线图像管，是使权利要求1至4任一所记载的X射线图像管与摄像元件组合，因而使光衰减抑制光的扩散以提高分辨率。
权利要求6记载的X射线图像管的制造方法，因含有比起主要构成元素离子对于某种气体还要活泼的、同时与其在晶体中以金属离子存在的场合下还不如在晶体外以气体的化合物存在的场合下有效地吸收发光的元素，使气体跟含有该元素的表面接触，越接近表面与气体的接触越大，能容易地形成越接近表面侧越吸收发光的荧光体层，有效地吸收发光，使沿横向传播的光衰减抑制光扩散，从而使分辨率提高。
图1是示出本发明X射线图像管的输入荧光屏的一个实施例的截面图。
图2是示出本发明X射线图像管的输入荧光屏的制造装置的说明图。
图3是示出采用了本发明X射线图像管的系统的说明图。
图4是示出本发明X射线图像管的输入荧光屏与已有例的输入荧光屏的CTF值的曲线图。
图5是示出本发明X射线图像管的输入荧光屏别的实施例的截面图。
图6是示出本发明X射线图像管的输入面的退火工艺中碘气体发生总量与时间的关系的曲线图。
图7是示出本发明X射线图像管输入面的分光透过光量的曲线图。
图8是示出本发明X射线图像管输入荧光屏与已有例的输入荧光屏的CTF值的曲线图。
图9是示出本发明X射线图像管与已有例X射线图像管CTF值的曲线图。
图10是示出入射角与反射关系的说明图。
以下参照图面说明本发明的X射线图像管的一个实施例。
本发明实施例的X射线图像管与已有例相同也具有将X射线变换成光的输入荧光屏，该输入荧光屏也如图1中所示的那样。即输入荧光屏，在铝质（Al）基板1上沿面方向形成作为荧光体层的不连续的纤维柱状的由许多柱状结晶纤维2a构成的碘化铯（CsI）的不连续层2，在该不连续层2上层积碘化铯的连续层3，使光电面4连续地形成。
而且在不连续层2中混入平均浓度0.1Wt%以下，最好是0.01-0.1Wt%的碘化铁（FeI2），透明度变低，在不连续层2的晶体表面上形成了铁（Fe）的氧化物层。
还有在不连续层2以及连续层3中，含有适当浓度的铊离子（Tl+）、钠离子（Na+）、钾离子（K+）用于提高发光效率。
另外，邻接的纤维体2a的间隔即光学界面的间隔，较好是0.1-40μm，最好是0.1-3μm，纤维体2a的直径较好是40μm以下，最好是5-15μm。
接着参照图2说明上述X射线图像管的制造装置。
图2是输入荧光屏的制造装置。11是真空槽，在该真空槽11的内部载置着铝质基板1。而且分别在铝质基板1的上部配置了加热器12，下部配置了舟皿13、14。而且在一舟皿13中放入混有0.1Wt%的碘化铁（FeI2）的碘化铯（CsI），另一舟皿14中放入碘化铯（CsI）。
接着，首先用加热器12把铝质基板1加热到180℃，在保持真空槽11内的压力为4.5×10-1Pa的状态下，加热舟皿13，在铝质基板1上膜压形成380°μm的柱状不连续层2。在该状态下继续加热铝质基板1至180℃，使真空槽11的压力处于10-3Pa以下，加热另一舟皿14，在不连续层2上形成约20μm厚度的连续层3。接着使形成了这些不连续层2以及连续层3的铝质基板1，暴露于空气中在200℃焙烧2小时。
进一步说明作用。
构成X射线图像管的输入荧光屏的物质碘化铯（CsI）是离子晶体，格子中的Cs（铯）离子（Cs+）或碘离子（I-），可容易地同别的化学元素离子置换。例如在输入荧光屏中，为提高发光效率，如化学式1所示微量添加了铊离子（Tl+）、钠离子（Na+）。
（化学式1）
利用该性质，就可在保持晶体格子的情况下，将光吸收物质混入不连续层2中。这即使是多价离子也是可能的，在添加量少的场合较少损坏不连续层2的荧光体本来物性。又例如2价的铁离子（Fe++）场合如化学式2所示。
（化学式2）
（+：阳空穴）
这样在混入了某种化学元素离子的晶体，就具有在纯碘化铯（CsI）或加入了钠离子（Na+）的碘化铯（CsI）中所没有的光吸收特性，原来对于发光大致透明的输入荧光屏其光透过率也减小。
因而发光越是向着偏离了不连续层2结晶方向的方向的光则到达光电面4的距离越长，输入荧光屏的倾斜度越小，到达光电面4上离开发光点地方的衰减越大，故而输入荧光屏的分辨率提高。
而且通过选择注入晶体中的物质，就能使混入物质的分布变化。例如对均匀混入铁离子（Fe++）的碘化铁（FeI2）的结晶在氧气氛中加热时，如化学式3在不连续层2的晶体表面附近即光学界面处析出铁（Fe）的氧化物。
（化学式3）
另外这时铯离子（Cs+）比起铁离子（Fe++）对氧气（O2）是不活泼的，故难于得到铯（Cs）的氧化物，较少使不连续层2的荧光膜劣化。
进一步随着不连续层2表面附近的氧化反应的进行而缺少铁离子（Fe++），由于通过加热主体中的铁离子（Fe++）扩散而得到补充，因而反应进一步进行，越接近不连续层2的晶体表面即光学界面形成越高浓度的氧化铁（Fe2O3）层。
通过这类反应精制出的输入荧光屏，在晶体主体中作为光吸收物质的光吸收离子浓度较低，因而能将不连续层的荧光体的发光效率的降低抑制在最小限度，进而若选择作为光吸收物质的铁一类的氧化物，就能使光衰减性能保持在同等水平。
如上制造的输入荧光屏装在了输入视野9英吋，输出孔直径25mm的X射线图像管，就得到如图3所示的结果，即采用了上述输入荧光屏的X射线图像管在视野尺寸为9英吋CTF值A，与将已有的X射线图像管的视野尺寸扩大至4.5英吋的CTF值B大致是同样的，比起使已有的X射线图像管的视野同样为9英吋的CTF值C，则大大地提高了。
还有对作为其他实施例，采用氧化铜以取代氧化铁的构造进行说明。
于是在图1所示的实施例的不连续层2中，取代铁混入平均浓度0.1wt%以下、最好是0.01-0.1wt%的铜（Cu），在不连续层2的各纤维体2a的晶体中的表面处覆盖了由铜的氧化物氧化铜（CuO）构成的黑色膜5。
另外，所谓铜元素是指比起主要构成荧光体的例如钠活化碘化铯（CsI∶Na）等元素离子对于氧气还要活泼的，同时与其在连续层3的晶体中以金属离子存在的场合下还不如在晶体外以氧化物存在的场合有效地吸收荧光体发光的元素。
另外同样地，邻接的纤维体2a的间隔即光学界面的间隔较好为0.1-40μm，最好为0.1-3μm，纤维体2a的直径较好为40μm以下，最好为5-15μm。
这样在采用铜的场合也使用如图2中所示的输入荧光屏的制造装置。
这样采用铜的场合，一舟皿13中放入混入了0.02wt%的碘化铜（CuI）的碘化铯（CsI）以及微量的碘化钠（NaI），另一舟皿14中放入碘化铯（CsI）以及微量的碘化钠（NaI）。而且进行与含有碘化铁的不连续层2以及连续层3相同的工作，最后暴露铝质基板1在空气中在280℃进行5小时焙烧形成。
进而说明得到上述输入荧光屏构造的理由。
构成X射线图像管的输入荧光屏的物质碘化铯（CsI），因为是离子晶体，因而格子中的铯离子（Cs+）或碘离子（I-）可容易地与其他化学元素离子置换。例如输入荧光屏中，为提高发光效率，如化学式4所示，微量添加了铊离子（Tl+）、钠离子（Na+）。
（化学式4）
利用这性质，就可在保持结晶格子的情况下，在不连续层2中混入光吸收物质。这用多价离子也是可能的，在添加量较少的情况下很少损坏不连续层2的荧光体本来的物性。还有例如为1价铜离子Cu+的情况下是如化学式5中所示的那样。
（化学式5）
另外这类构造的晶体，是通过对在碘化铯中混合了碘化铜粉末一类的物质进行真空蒸镀而得到的。
而且如图5所示，因铜离子（Cu+），对于氧气（O2）跟构成荧光体的铯离子（Cs+）以及碘离子（I-）相比还要活泼，因而能通过暴露在空气中使其氧化。
这时反应式为
（化学式6）
（化学式7）
而且由于氧气比起不连续层2的内部更多地供给到光学界面，因而使光学界面为中心发生反应。
还有随着不连续层2表面附近的氧化反应进行而铜离子（Cu+）缺少，由于通过加热使主体中的铜离子（Cu+）扩散而被补充，反应进一步进行，形成越接近不连续层2的晶体表面即光学界面越高浓度的氧化铜（CuO）的黑色膜5。
在进行形成该黑色膜5反应的场合用于得到充分的反应速度的温度，可通过监视碘化铜氧化形成氧化铜时的碘气体（I2）的量来求得。
即如图6中所示，横轴为时间，纵轴为磺气体的发生总量，标绘了测定值时，由于温度上升到280℃时，碘气体量急剧增多，280℃的温度可以说是起化学式6、化学式7反应中足够的温度。
还有通过在氧气中加热上述晶体中的杂质而使其析出的内容记载在《晶体生长期刊》（Journal of crystal Growth）第7期（1970）的259页-260页的“在不纯的NaCl晶体中通过杂质由体到面的扩散生成Mn2O3薄膜”（GROWTH OF Mn2O3THIN FILMS BY IM-PURITY DIFFUSION FROM VOLUME TO′SURFACE IN IM-PURE NaCl CRYSTALS）等。
因而在上述实施例中，可将在碘化铯（CsI）粉末中混合了碘化铜粉末的混合物进行真空蒸镀以形成由纤维体2a构成的不连续层2，接着蒸镀碘化铯（CsI）粉末形成连续层3，以后通过在空气中在280℃中加热5小时，在纤维体2a的光学界面处容易地形成高浓度的氧化铜（CuO）的黑色膜5。这种场合由于与连续层3相接的纤维体2a的表面不与空气相接，因而不形成高浓度的氧化铜（CuO）黑色膜5。
另一方面，加热条件以及晶体的尺寸与从晶表面杂质析出状态的关系记载在Revista Mexican de Fisica 30（4）（1984）685页-692页上。根据该记载，假设加热时间为t，晶体尺寸为l，则t/l2为表示析出进行状况的参数。换言之，表示假使晶体尺寸为n倍，在晶体表面析出杂质所必需的加热时间必须为n2，原因是晶体中的杂质到达表面的距离变长。
因此在构成不连续层2的纤维体2a的直径大的场合，极长的加热时间是必要的。加热时间变长，不仅对大量生产不利，还会因热使晶体成崩塌的结构。实际制作种种直径的纤维体2a时，若纤维体2a的直径超过50μm，就清楚在24小时的加热中CuO黑色膜5的量会极少。
考虑到以上情况，在空气中加热温度较好为60-350℃，最好是260°-300℃;加热时间较好在24小时以下，最好3-5小时。
还有邻接的纤维体2a的光学界面间的间隔在加热工艺中成了氧气供给源。因而在该间隙过于狭窄时，加热当中氧气量不足，反应速度就变慢。实际作成的膜中，宽全为0.3μm以上而没有问题，然而比0.1μm还狭窄时，即使是几十的氧化膜也难以形成。
接下来对上述实施例的效果，就采用接下去示出的3种实施例场合进行说明。
样品D：对已有的荧光屏在260℃中真空升温的
样品E：对混入了0.002wt%的碘化铜的荧光屏以实施例中示出的方法作成的
样品F：对混入了0.002wt%的碘化铜的荧光屏以实施例中示出的方法作成，进而在260℃中真空升温的
另外样品D在260℃的真空升温是益于荧光体活性的工艺。
还有样品E是省略了在空气中的升温工艺的，而样品F通过在空气中升温而形成氧化铜变色为灰色。
而且样品如图8所示，CTF曲线比起D大幅度地提高。还有样品F虽然外观是灰色发光量虽未图示然而达到样品D的36%。对于该外观虽然是灰色但发光量下降较少，可考虑是因为不含有主体的晶体中的铜离子，如图9所示，是透明的原因。
相反，样品E其CFT曲线与样品D相比无差异。而且，样品E虽然是透明，但由于在主体的晶体中含有大量铜离子，故妨碍荧光体CsI/Na+的发光，发光量虽未图示但降到样品D的29%。
将如上述制造的输入荧光屏装在输入视野9英吋，输出孔直径25mm的X射线图像管中，就得到了如图9所示的CTF曲线提高的效果。这时，与荧光屏单体实验时相同，样品F与样品D相比，可被认为辉度（（cd/m2）/mRisec）下降，为防止辉度下降，可以使光吸收材料的浓度降低，或可以将含有光吸收材料的部分限定在输入荧光屏的厚度方向的某一部分内，可以对应X射线圈像管的各种用途所必需的辉度来对浓度、构造作评审。
另外如上述实施例，混入0.02wt%的碘化铜，得到了足够的透明度，有助于离开光电面4的部分的发光，是X射线圈像管的重要性能因素，很少降低使射X射线信号尽可能多地取出作为有效信号的能力。
如上所述，一旦，晶体中使作为光吸收材料源的离子混入，经后面的氧化处理使成为光吸收材料源的物质在晶体界面处析出的一系列工艺，被组合到具有所要求的高分辨性能的X射线图像管的纤维构造的输入荧光屏的形成工艺中，就发挥极大的效果，并得到非常简单的所希望的构造，因而作为工业生产手段也是有益的。
还有作为包含在碘化铯（CsI）中的光吸收物质，除了铁离子（Fe++）或铜离子（Cu+）以外，还揭示铬（Cr）、锰（Mn）、锶（Sr）、汞（Hg）这类与铁（Fe）化学性质相近的物质，在碘化铯（CsI）的晶格中被获得的光吸收物质，即使采用1个或多个元素等也可得到同样效果。另外在蒸镀工艺中有必要在接近碘化铯（CsI）的蒸气压，同时进行蒸发。
进而，在除氧气外例如氮气（N2），氨气等气体气氛中为着色物质也有效。另外，在含有氮气的气氛中进行热处理的场合下，是可以使用铬、铁等。
再有连续层3因靠近光电面4，为避免光电面4的变质，不含铁（Fe）这类光吸收物质有时是可以的。以上说明的X射线图像管，使其与X射线管以及摄像装置组合，可作为X射线摄影系统使用，例如图3是示出透视系统以及间接摄影系统X射线摄影系统的一个例子的图。
如图3所示，与X射线管21相对配置X射线图像管22，与该X射线图像管22的栅网23对向配置被照体24。另一方面，在X射线图像管22的输出侧配置半透射反射镜25，使得能由该半透射反射镜25通过电视透镜26送给电视摄像机27而在电视监视器28中放像，同时会在摄影机29以及现场摄像机30中放像。
而且从X射线管21发出的X射线被照射到被照体24上，透过被照体24形成X射线透视像。该X射线透视像通过X射线栅网23除去散乱X射线入射到X射线图像管22中。X射线透视像在这里变换成清晰的可视像，在透视系统场合下透过电视透镜26而由电视摄像机27摄像在电视监视器28上输出X射线透视像。在间接摄影系统的场合下由半透射反射镜25将光量的90%送到摄影机29，剩下的10%送到电视摄像机27而在电视监视器28中输出X射线透视像。而且根据需要反转半透射反射镜25，90%的光送到现场摄像机30一侧，将X射线透视像印在胶卷或切割了的胶片上。
这样，根据上述实施例的X射线图像管，通过使高度感摄像元件组合就能具有S/N与已往同等且高分辨的性能。
根据上述实施例的X射线图像管，由于在构成输入荧光屏的荧光体柱状晶体的相互邻接的侧面处形成比起内部光吸收元素浓度高、含有该元素的化合物的光吸收层，抑制横向的光扩散，因此能提高分辨率。而且因为在纤维体2a与连续层3的界面处不存在光吸收层，故很少会使发光效率以及亮度下降。
根据权利要求1所述的X射线图像管，因使其在输入荧光屏中含有光吸收物质，故而光能衰减以提高分辨率。
根据权利要求2所述的X射线图像管，在权利要求1记载的X射线图像管中，靠光学界面在面方向上具有不连续构造的输入荧光屏的不连续层，由于所含有的光吸收物质越靠近光学界面光吸收物质浓度越高，故从荧光体发出的发光越偏离晶体成长方向，输入荧光屏的光程越大，就能使衰减量增加提高分辨率。
根据权利要求3所述的X射线图像管，因使荧光体层靠光学界面在面方向上呈不连续构造，因采用比起主要构成荧光体的元素离子对于某种气体还要活泼的，同时与其在荧光体层的晶体中以金属离子存在不如在晶体时以化合物存在更有效地吸收荧光体发光的元素，故而能与其在荧光体内部不如在气体多的光学界面活化形成化合物以更有效地吸收发光，使横向传播的光衰减抑制光扩散，使分辨率提高。
根据权利要求4所述的X射线图像管，因在权利要求3记载的X射线图像管中，荧光体层含有氧化铜、氧化铁、氧化铬、氧化锰、氧化锶以及氧化汞中的至少一种，故能有效地吸收荧光体层内的发光。
根据权利要求5所述的X射线摄影装置，因使权利要求1至4任一记载的X射线圈像管与摄像元件组合，故能使光衰减抑制光的扩散，使分辨率提高。
根据权利要求6所述的X射线图像管的制造方法，因使其含有比起主要构成的元素离子对于某种气体还要活泼的，同时与其在晶体中以金属离子存在不如在晶体外以气体的化合物存在更有效地吸收发光的元素，并使气体与含有该元素的表面相接触，故越靠近表面与气体的接触越多，可容易地形成越靠近表面一侧越吸收发光的荧光体层，能有效地吸收发光，使横向传播的光衰减抑制光扩散，使分辨率提高。