Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的制备方法及应用技术领域
本发明涉及光催化技术领域，更为具体地说，涉及Ag/AgCl/La半导体异质结光催
化剂的制备方法及应用。
背景技术
近些年来，氮氧化物(NOx)、硫化物、挥发性有机化合物(VOCs)等空气污染物导致
室内空气质量较差，严重影响人的健康。由于人的一生在室内度过的时间大约有80％或以上，
因此从某种意义上而言，室内空气污染已经成为危害人体健康的主要隐形杀手。与此同时，
随着社会和文明的进步，人们对生活环境的要求也越来越高，因此，室内空气的处理也就越
来越受人们的关注。
目前，由于光催化技术能够深度氧化NOx、硫化物、VOCs等空气污染物并且极少产生
二次污染，因此，光催化技术在处理生活环境方面展现出了其独特的优越性，并表现出了广
阔的应用前景。
但是，目前多数的光催化剂由于光响应范围窄，太阳能(可见光)利用率低，光生电子
和空穴复合严重等问题的存在而阻碍光催化技术的应用。因此，寻求一种光能利用率高，光
催化性能稳定的光催化剂乃当务之急。氢氧化镧(La(OH)3)具有良好的化学惰性、光热稳定
性以及很强的紫外光活性等性能。然而，La(OH)3的可见光吸收很低，因而限制了其在光催
化技术方面的应用。
发明内容
本发明的目的是提供一种Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的制备方法及应用，
以解决背景技术所述的光催化剂的光生电子和空穴复合严重的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：
本发明提供了Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的制备方法，该制备方法包括：
S01：将硝酸银、氯化钠和棒状氢氧化镧分别溶解于水中，并分别超声30min，形成硝
酸银溶液、氯化钠溶液和氢氧化镧溶液；
S02：将硝酸银溶液滴入氢氧化镧溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A；
S03：将氯化钠溶液逐滴加入上述混合溶液A中，继续磁力搅拌15min-120min，并反应
形成混合溶液B；
S04：反应结束后，将上述混合溶液B静置15min-60min，并产生分层；
S05：将分层后的混合溶液B中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S06：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、水洗及有机溶剂洗涤，得到固体物质；
S07：将固体物质干燥，得到Ag/AgCl/La。
优选地，所述Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的形状为硝酸银和氯化钠反应生成
的氯化银负载在棒状氢氧化镧的表面上。
优选地，所述氯化银与棒状氢氧化镧的质量比为20％-100％。
优选地，所述氯化银与棒状氢氧化镧的质量比为50％。
优选地，所述氯化银的粒径为0.5μm-1μm；所述棒状氢氧化镧的直径为5nm-30nm，且
所述棒状氢氧化镧的长度为30nm-2000nm。
优选地，所述棒状氢氧化镧的直径为8nm-10nm，且所述棒状氢氧化镧的长度为
1500nm-2000nm。
优选地，所述有机溶剂为乙醇。
优选地，步骤S07中所述将固体物质干燥为在温度为50℃-100℃的温度下干燥固体物
质。
优选地，步骤S07中所述将固体物质干燥为在温度为60℃的温度下干燥固体物质。
本发明还提供了Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的应用，由Ag/AgCl/La半导体
异质结光催化剂制备方法制备而成的Ag/AgCl/La作为光催化剂能够能用于空气的净化、
废水处理、太阳能转化制氢、杀菌或制药。
本发明提供的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的制备方法由硝酸银(AgNO3)和
氯化钠(NaCl)作为前聚体和棒状La(OH)3通过浸渍法进行反应，得到氯化银(AgCl)
和La(OH)3不同质量比的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂，且制备的Ag/AgCl/La半导
体异质结光催化剂具有较高的结晶度。该方法通过将Ag/AgCl和La(OH)3复合，构建成
了半导体异质结结构，而Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂中的贵金属Ag能够吸收可见
光并产生光电子和空穴，同时一维结构的棒状Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂相对于颗
粒形态的光催化剂具有较大的比表面积，能够为光生电子提供直线传输通路，因而
Ag/AgCl/La在光催化过程中有利于光生电子和空穴的分离和传输，进而抑制电子和空穴
的复合，从而提高其光催化性能。一维结构的棒状Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂上
的微结构在堆叠后能够形成孔状结构，所形成的孔状结构能够促进反应物和产物之间的
扩散传递，从而进一步提高光催化性能。
本发明还提供了Ag/AgCl/La作为光催化剂的应用，该Ag/AgCl/La半导体异质结光
催化剂由于光催化活性高，稳定性好，因而能够应用于空气的净化、废水的处理、太阳能
转化制氢、杀菌或制药等领域。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用
的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳
动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本发明实施例提供的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的制备方法流程图；
图2是本发明实施例1制备的纯相La(OH)3的TEM图(TEM为transmissionelectron
microscope的缩写，即透射电子显微镜)；
图3是本发明实施例2制备的纯相La(OH)3的TEM图；
图4是本发明实施例3制备的纯相La(OH)3的TEM图；
图5是本发明实施例1、2、3在不同水热温度下制备的纯相La(OH)3紫外光条件下
对NO去除的去除效率对比图；
图6是本发明本发明实施例4制备的质量比为20％的Ag/AgCl/La半导体异质结光
催化剂的XRD图(XRD为X-raydiffraction的缩写，即X射线衍射)；
图7是本发明本发明实施例5制备的质量比为50％的Ag/AgCl/La半导体异质结光
催化剂的XRD图；
图8是本发明本发明实施例6制备的质量比为100％的Ag/AgCl/La半导体异质结光
催化剂的XRD图；
图9是本发明本发明实施例5制备的质量比为50％的Ag/AgCl/La半导体异质结光
催化剂的TEM图；
图10是本发明本发明实施例4、5、6制备的三种不同质量比(20％、50％、100％)
的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂与实施例2制备的纯相La(OH)3的UV-VisDRS图
(UV-VisDRS为UV-Visiblediffuse-reflectionspectra，即紫外可见漫反射)；
图11是本发明本发明实施例4、5、6制备的三种不同质量比(20％、50％、100％)
的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂与实施例2制备的纯相La(OH)3在可见光条件下对
NO去除的去除效率对比图；
图12是本发明本发明实施例5制备的质量比为50％的Ag/AgCl/La半导体异质结光
催化剂在可见光条件下对NO去除的羟基自由基检测图；
图13是本发明本发明实施例5制备的质量比为50％的Ag/AgCl/La半导体异质结光
催化剂在可见光条件下对NO去除的超氧自由基检测图；
图14是本发明本发明实施例5制备的质量比为50％的Ag/AgCl/La半导体异质结光
催化剂在可见光条件下去除NO稳定性的测试图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的制备方法及应用，
以解决背景技术所述的光催化剂的光生电子和空穴复合严重的问题。
请参考图1，本发明提供了Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的制备方法包括以下
步骤：
S01：将硝酸银、氯化钠和棒状氢氧化镧分别溶解于水中，并分别超声30min，形成硝
酸银溶液、氯化钠溶液和氢氧化镧溶液；
S02：将硝酸银溶液滴入氢氧化镧溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A；
S03：将氯化钠溶液逐滴加入上述混合溶液A中，继续磁力搅拌15min-120min，并反应
形成混合溶液B；
S04：反应结束后，将上述混合溶液B静置15min-60min，并产生分层；
S05：将分层后的混合溶液B中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S06：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、水洗及有机溶剂洗涤，得到固体物质；
S07：将固体物质干燥，得到Ag/AgCl/La。
上述制备Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的方法为浸渍法。在浸渍法制备
Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的过程中，通过控制AgNO3与NaCl反应所生成的
AgCl的含量来控制Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂中AgCl和La(OH)3的质量比例。
同时在浸渍法制备Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂时，浸渍反应时间为30min-180min，
优选为45min-150min，更优选为60min-120min。其中，该浸渍反应时间包括磁力搅拌时间和
静置时间，即磁力搅拌时间为15min-120min，静置时间为15min-60min；优选地，磁力搅拌
时间为15min-100min，静置时间为30min-50min；更优选地，磁力搅拌时间为30min-60min，
静置时间为30min-60min；最优选地，磁力搅拌时间为30min，静置时间为30min。
静置之后得到的反应产物经过离心分离、过滤、水洗及有机溶剂洗涤，得到固体物质。
其中，本发明对离心分离、过滤、水洗及有机溶剂洗涤没有限制，采用本领域技术人员熟知
的技术方案即可。在本发明的实施例中，水洗时所用水选取去离子水，水洗次数为1-5次；
有机溶剂洗涤时所选溶剂优选为乙醇溶液，有机溶剂洗涤的次数为1-5次。经洗涤后的固体
物质在干燥箱中烘干就可得到Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂。本发明不对烘干的参
数，如温度、时间及方法等进行特殊限制，采用本领域技术人员熟知的技术方案即可。在
本发明中，固体物质烘干时的温度优选为50℃-100℃，更优选地，烘干温度为60℃-90℃，
最优选地，烘干温度为60℃。
通过对上述方法制备的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行XRD、TEM和UV-Vis
DRS表征，可得知Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂具有以下特性：
(1)对质量比为20％、50％和100％的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行XRD
分析(如图6、7和8所示)，证实在Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂中同时存在AgCl
和La(OH)3，且AgCl和La(OH)3的晶型结构完整、稳定。
(2)对质量比为50％的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM分析(如图9
所示)，证实本发明实施例制备的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的形态为AgCl颗粒
负载在La(OH)3纳米棒上，AgCl颗粒的粒径为0.5μm-1μm，La(OH)3纳米棒的长度为
1500nm-2000nm，直径为8nm-10nm。
(3)对质量比为20％、50％和100％的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-Vis
DRS分析(如图10所示)，测试其光响应范围，证明Ag/AgCl的引入能够加强La(OH)3从
紫外-可见-红外区域对光的吸收。
本发明还对Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的催化性能进行了测试，测试的目的
是为了通过计算NOx的去除率来判断Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的催化活性。测
试条件为：在相对湿度40％-80％；氧气含量为15％-25％的条件下；NOx气流的流量为2.4
L/min-4.0L/min；NOx的初始浓度为500μg/kg-600μg/kg；测试的具体过程为：
(1)将0.2g实施例制备的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂置于玻璃圆盘上；
(2)在反应器四周安装四个小风扇，以排除反应中温度的影响；
(3)在黑暗条件下，当NOx浓度达到平衡时，用150W的卤钨灯照射Ag/AgCl/La半
导体异质结光催化剂30min；后关灯，等NOx的浓度再次回到初始浓度且平衡后，再次开
灯，光照30min。
在本发明中，NOx选用一氧化氮(NO)，且催化性能测试过程的条件为：相对湿度60％；
氧气含量为21％；NO气流的流量为2.4L/min；NO的初始浓度为550μg/kg；卤钨灯照射前用
420nm的截止滤光片滤除紫外光。
通过上述性能测试方法测试质量比为20％、50％和100％的Ag/AgCl/La半导体异质结
光催化剂在可见光条件下对NO的去除可以得出如下结论：
(1)质量比为20％、50％和100％的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂对NO的去
除率为48％-55％(如图11所示)，要高于纯相La(OH)3对NO的去除率，去除率的计算公式
为η(％)＝(1-C/C0)×100％，C0为初始NO浓度，C为光照30min后NO的瞬时浓度。
(2)羟基自由基(·OH)是Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂在可见光条件下去除
NO的最主要去除自由基(如图12和13所示)。
(3)Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂能够稳定地去除NO(如图14所示)。
在本发明提供的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的制备方法中，所用的棒状
La(OH)3的制备方法为：
(1)将可溶性镧盐和碱性化合物在水中混合，搅拌均匀，得到混合溶液；
(2)将上述混合溶液置于水热釜中进行水热反应；
(3)上述反应结束后，将水热釜冷却并取出其中的反应产物；
(4)将上述反应产物离心分离、过滤、水洗及有机溶剂洗涤，得到固体物质；
(5)将固体物质进行干燥，得到La(OH)3。
在上述制备方法中，可溶性镧盐选用氯化镧、醋酸镧、硫酸镧和硝酸镧中的一种或
几种，本发明对氯化镧、醋酸镧、硫酸镧和硝酸镧的类别没有特殊限制，如可以采用无
水氯化镧、无水醋酸镧、一水合醋酸镧、1.5水合醋酸镧、无水硫酸镧或六水合硝酸镧等。在
本发明的实施例中采用的可溶性镧盐为六水合硝酸镧。本发明所选可溶性镧盐中镧元素的摩
尔浓度为9.0×10-3mol/L-4.2×10-2mol/L，优选的为9.6×10-3mol/L-5.0×10-2mol/L，更优选的为
1.0×10-2mol/L-5×10-2mol/L。本发明所选碱性化合物为氨水，氨水的质量浓度可以为0.1mol/L
-3.0mol/L，优选的为0.5mol/L-2.5mol/L，更优选的为1.0mol/L-2.0mol/L。本发明对所述可
溶性镧盐水溶液中的溶剂水没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的水即可，如可以采
用去离子水。
本发明不对可溶性镧盐和碱性化合物在水中搅拌的参数进行限制，该参数为时间、
温度等。由于La(OH)3的形貌与水热反应的温度有关，且棒状的La(OH)3更有利于提高
Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的光催化性能，因此，在本发明提供的实施例中，可
溶性镧盐和碱性化合物在水中混合搅拌的时间为0min-40min，水热反应的温度为130℃
-220℃，水热反应时间为8h。优选地，搅拌时间为23min-30min，水热反应的温度为150℃
-210℃；最优选的，搅拌时间为30min，水热反应的温度为180℃。
本发明水热反应后的冷却方法没有限制，可以采用本领域技术人员熟知的技术方案即
可。本发明对离心分离、过滤、水洗及有机溶剂洗涤没有限制，采用本领域技术人员熟知的
技术方案即可。在本发明的实施例中，水洗时所用水选取去离子水，水洗次数为1-5次；有
机溶剂洗涤时所选溶剂优选为乙醇溶液，有机溶剂洗涤的次数为1-5次。同样，本发明不对
烘干的参数，如温度、时间及方法等进行特殊限制，采用本领域技术人员熟知的技术方案
即可。在本发明中，固体物质烘干时的温度优选为50℃-100℃，更优选地，烘干温度为60℃
-90℃，最优选地，烘干温度为60℃。
通过对上述方法制备的La(OH)3进行XRD和TEM表征，可得知La(OH)3具有以下特
性：
(1)对水热反应温度为150℃、180℃和210℃条件下制备的La(OH)3进行XRD分析(如
图6、7和8所示)，证实所制备的La(OH)3具有稳定和完整的晶型结构。
(2)对水热反应温度为150℃、180℃和210℃条件下制备的La(OH)3进行TEM分析(如
图2、3和4所示)，证实本发明实施例制备的La(OH)3的形态为棒状的La(OH)3，且La(OH)3
纳米棒形貌均匀，La(OH)3的长度为30nm-2000nm，直径为5nm-30nm。
本发明还对La(OH)3的催化性能进行了测试，测试的目的是为了通过计算NOx的去
除率来判断La(OH)3的催化活性。测试条件为：在相对湿度40％-80％；氧气含量为15％-25％
的条件下；NOx气流的流量为2.4L/min-4.0L/min；NOx的初始浓度为500μg/kg-600μg/kg；
测试的具体过程为：
(1)将0.2g实施例制备的La(OH)3置于玻璃圆盘上；
(2)在反应器四周安装四个小风扇，以排除反应中温度的影响；
(3)在黑暗条件下，当NOx浓度达到平衡时，用6W的紫外灯照射La(OH)330min；后
关灯，等NOx的浓度再次回到初始浓度且平衡后，再次开灯，光照30min。
在本发明中，NOx选用NO，且催化性能测试过程的条件为：相对湿度60％；氧气含量
为21％；NO气流的流量为2.4L/min；NO的初始浓度为550μg/kg。
通过上述性能测试方法测试水热反应温度为150℃、180℃和210℃条件下制备的
La(OH)3在紫外光条件下对NO的去除可以得出如下结论：
水热反应温度为150℃、180℃和210℃条件下制备的La(OH)3对NO的去除率为26％-40％
(如图5所示)，这说明本发明实施例提供的La(OH)3具有较高的紫外光催化活性。去除率的
计算公式为η(％)＝(1-C/C0)×100％，Co为初始NO浓度，C为光照30min后NO的瞬时浓
度。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明实施例中的技术方案，并使本发明实施
例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合具体实施例对本发明提供的
Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的制备方法作进一步详细的说明，但不能将它们理解
为对本发明保护范围的限定。
实施例1
将1.083g六水合硝酸镧溶解于50mL去离子水中，向其中加入20mL浓度为1.0mol/L
的浓氨水，搅拌30min后，将得到的混合溶液置于水热釜中，水热反应温度为150℃，水热
反应时间为8h。反应结束后，冷却，取出反应产物，将反应产物离心、过滤、3次水洗和1
次乙醇洗，然后在60℃下烘干得到的固体，得到La(OH)3。
对所制备的La(OH)3进行XRD分析可以得知本实施例制备的La(OH)3具有稳定和完整
的晶体结构；对所制备的La(OH)3进行TEM扫描分析可以得知La(OH)3为纳米棒结构且形貌
均匀，纳米棒的长度为1500nm-2000nm,直径为25nm-30nm。
本发明还对所制备的La(OH)3的光催化活性进行了测试，具体过程为：在相对湿度为
60％，氧气含量为21％，NO气流的流量为2.4L/min；NO的初始浓度为550μg/kg的条件下，
将0.2g本实施例制备的La(OH)3置于玻璃圆盘上；在反应器四周安装四个小风扇，以排除反
应中温度的影响；在黑暗条件下，当NO浓度达到平衡时，用6W的紫外灯照射La(OH)330min；
后关灯，等NO的浓度再次回到初始浓度且平衡后，再次开灯，光照30min。通过计算得到
本发明实施例制备的La(OH)3对NO的去除率为26％。
实施例2
将1.083g六水合硝酸镧溶解于50mL去离子水中，向其中加入20mL浓度为1.0mol/L
的浓氨水，搅拌30min后，将得到的混合溶液置于水热釜中，水热反应温度为180℃，水热
反应时间为8h。反应结束后，冷却，取出反应产物，将反应产物离心、过滤、3次水洗和1
次乙醇洗，然后在60℃下烘干得到的固体，得到La(OH)3。
对所制备的La(OH)3进行XRD分析可以得知本实施例制备的La(OH)3具有稳定和完整
的晶体结构；对所制备的La(OH)3进行TEM扫描分析可以得知La(OH)3为纳米棒结构且形貌
均匀，纳米棒的长度为1500nm-2000nm,直径为8nm-10nm。
本发明还对所制备的La(OH)3的光催化活性进行了测试，具体过程同实施例1，此处不
再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的La(OH)3对NO的去除率为46％。
实施例3
将1.083g六水合硝酸镧溶解于50mL去离子水中，向其中加入20mL浓度为1.0mol/L
的浓氨水，搅拌30min后，将得到的混合溶液置于水热釜中，水热反应温度为210℃，水热
反应时间为8h。反应结束后，冷却，取出反应产物，将反应产物离心、过滤、3次水洗和1
次乙醇洗，然后在60℃下烘干得到的固体，得到La(OH)3。
对所制备的La(OH)3进行XRD分析可以得知本实施例制备的La(OH)3具有稳定和完整
的晶体结构；对所制备的La(OH)3进行TEM扫描分析可以得知La(OH)3为纳米棒结构且形貌
不是很均匀，纳米棒的长度为30nm-160nm,直径为5nm-15nm。
本发明还对所制备的La(OH)3的光催化活性进行了测试，具体过程同实施例1，此处不
再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的La(OH)3对NO的去除率为40％。
实施例4
S401：将0.54g实施例2制备的棒状La(OH)3溶解于50mL去离子水中，超声30min；
将0.128gAgNO3溶解于30mL去离子水中，超声30min；将0.044gNaCl溶解于30mL去离
子水中，超声30min，此时AgNO3和NaCl反应生成的AgCl与棒状La(OH)3的质量比为20％；
S402：先将AgNO3溶液滴入La(OH)3溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A4；
S403：再将NaCl溶液逐滴滴入上述混合溶液A4中，继续磁力搅拌30min，并反应形
成混合溶液B4；
S404：上述反应结束后，将上述混合溶液B4静置30min，并产生明显的分层；
S405：将分层后的混合溶液B4中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S406：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、3次水洗和1次乙醇洗，得到固体物质；
S407：将固体物质在60℃的温度下干燥，得到20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化
剂。
本发明实施例对制备的20％Ag/AgCl/La进行XRD分析，可以得出，本实施例制备的
20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂同时具有完整和稳定的AgCl与La(OH)3晶型结构。
本发明对得到的20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM扫描分析，可以得出，本
实施例制备的20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂为AgCl颗粒负载在La(OH)3纳米棒上，
且AgCl纳米颗粒的直径为0.6μm，La(OH)3纳米棒的长度1500nm，直径为8nm。本发明实
施例对20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-VISDRS分析，测试其光响应范围，
证明Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的引入能加强La(OH)3从紫外-可见-红外区域对光的吸
收。
本发明实施例还对所制备的质量比为20％的Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的光催化
活性进行了测试，具体过程为：在相对湿度为60％，氧气含量为21％，NO气流的流量为
2.4L/min；NO的初始浓度为550μg/kg的条件下，将0.2g本实施例制备的质量比为20％的
Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂置于玻璃圆盘上；在反应器四周安装四个小风扇；在黑暗
条件下，用420nm的截止滤光片滤除紫外光，当NO浓度达到平衡时，用150W的卤钨灯照
射Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂30min；后关灯，等NO的浓度再次回到初始浓度且平
衡后，再次开灯，光照30min。通过计算得到本发明实施例制备的质量比为20％的Ag/AgCl/La
光催化剂对NO的去除率为50％。
实施例5
S501：将0.54g实施例2制备的棒状La(OH)3溶解于50mL去离子水中，超声30min；
将0.312gAgNO3溶解于30mL去离子水中，超声30min；将0.107gNaCl溶解于30mL去离
子水中，超声30min，此时AgNO3和NaCl反应生成的AgCl与棒状La(OH)3的质量比为50％；
S502：先将AgNO3溶液滴入La(OH)3溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A5；
S503：再将NaCl溶液逐滴滴入上述混合溶液A5中，继续磁力搅拌30min，并反应形
成混合溶液B5；
S504：上述反应结束后，将上述混合溶液B5静置30min，并产生明显的分层；
S505：将分层后的混合溶液B5中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S506：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、3次水洗和1次乙醇洗，得到固体物质；
S507：将固体物质在60℃的温度下干燥，得到50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化
剂。
本发明实施例对制备的50％Ag/AgCl/La进行XRD分析，可以得出，本实施例制备的
50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂同时具有完整和稳定的AgCl与La(OH)3晶型结构。
本发明对得到的50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM扫描分析，可以得出，本
实施例制备的50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂为AgCl颗粒负载在La(OH)3纳米棒上，
且AgCl纳米颗粒的直径为0.8μm，La(OH)3纳米棒的长度2000nm，直径为10nm。本发明实
施例对50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-VISDRS分析，测试其光响应范围，
证明Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的引入能加强La(OH)3从紫外-可见-红外区域对光的吸
收。
本发明实施例还对所制备的质量比为50％的Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的光催化
活性进行了测试，具体过程同实施例4，此处不再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的
质量比为50％的Ag/AgCl/La光催化剂对NO的去除率为55％。
实施例6
S601：将0.54g实施例2制备的棒状La(OH)3溶解于50mL去离子水中，超声30min；
将0.635gAgNO3溶解于30mL去离子水中，超声30min；将0.219gNaCl溶解于30mL去离
子水中，超声30min，此时AgNO3和NaCl反应生成的AgCl与棒状La(OH)3的质量比为100％；
S602：先将AgNO3溶液滴入La(OH)3溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A6；
S603：再将NaCl溶液逐滴滴入上述混合溶液A6中，继续磁力搅拌30min，并反应形
成混合溶液B6；
S604：上述反应结束后，将上述混合溶液B6静置30min，并产生明显的分层；
S605：将分层后的混合溶液B6中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S606：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、3次水洗和1次乙醇洗，得到固体物质；
S607：将固体物质在60℃的温度下干燥，得到100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化
剂。
本发明实施例对制备的100％Ag/AgCl/La进行XRD分析，可以得出，本实施例制备的
100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂同时具有完整和稳定的AgCl与La(OH)3晶型结构。
本发明对得到的100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM扫描分析，可以得出，本
实施例制备的100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂为AgCl颗粒负载在La(OH)3纳米棒
上，且AgCl纳米颗粒的直径为0.9μm，La(OH)3纳米棒的长度1800nm，直径为9nm。本发
明实施例对100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-VISDRS分析，测试其光响应
范围，证明Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的引入能加强La(OH)3从紫外-可见-红外区域对
光的吸收。
本发明实施例还对所制备的质量比为100％的Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的光催化
活性进行了测试，具体过程同实施例4，此处不再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的
质量比为100％的Ag/AgCl/La光催化剂对NO的去除率为48％。
实施例7
S701：将0.54g实施例2制备的棒状La(OH)3溶解于50mL去离子水中，超声30min；
将0.128gAgNO3溶解于30mL去离子水中，超声30min；将0.044gNaCl溶解于30mL去离
子水中，超声30min，此时AgNO3和NaCl反应生成的AgCl与棒状La(OH)3的质量比为20％；
S702：先将AgNO3溶液滴入La(OH)3溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A7；
S703：再将NaCl溶液逐滴滴入上述混合溶液A7中，继续磁力搅拌15min，并反应形
成混合溶液B7；
S704：上述反应结束后，将上述混合溶液B7静置15min，并产生明显的分层；
S705：将分层后的混合溶液B7中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S706：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、1次水洗和1次乙醇洗，得到固体物质；
S707：将固体物质在50℃的温度下干燥，得到20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化
剂。
本发明实施例对制备的20％Ag/AgCl/La进行XRD分析，可以得出，本实施例制备的
20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂同时具有完整和稳定的AgCl与La(OH)3晶型结构。
本发明对得到的20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM扫描分析，可以得出，本
实施例制备的20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂为AgCl颗粒负载在La(OH)3纳米棒上，
且AgCl纳米颗粒的直径为0.7μm，La(OH)3纳米棒的长度2000nm，直径为8nm。本发明实
施例对20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-VISDRS分析，测试其光响应范围，
证明Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的引入能加强La(OH)3从紫外-可见-红外区域对光的吸
收。
本发明实施例还对所制备的质量比为20％的Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的光催化
活性进行了测试，具体过程同实施例4，此处不再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的
质量比为20％的Ag/AgCl/La光催化剂对NO的去除率为49％。
实施例8
S801：将0.54g实施例2制备的棒状La(OH)3溶解于50mL去离子水中，超声30min；
将0.312gAgNO3溶解于30mL去离子水中，超声30min；将0.107gNaCl溶解于30mL去离
子水中，超声30min，此时AgNO3和NaCl反应生成的AgCl与棒状La(OH)3的质量比为50％；
S802：先将AgNO3溶液滴入La(OH)3溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A8；
S803：再将NaCl溶液逐滴滴入上述混合溶液A8中，继续磁力搅拌120min，并反应形
成混合溶液B8；
S804：上述反应结束后，将上述混合溶液B8静置60min，并产生明显的分层；
S805：将分层后的混合溶液B8中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S806：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、5次水洗和5次乙醇洗，得到固体物质；
S807：将固体物质在100℃的温度下干燥，得到50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化
剂。
本发明实施例对制备的50％Ag/AgCl/La进行XRD分析，可以得出，本实施例制备的
50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂同时具有完整和稳定的AgCl与La(OH)3晶型结构。
本发明对得到的50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM扫描分析，可以得出，本
实施例制备的50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂为AgCl颗粒负载在La(OH)3纳米棒上，
且AgCl纳米颗粒的直径为0.5μm，La(OH)3纳米棒的长度1600nm，直径为8nm。本发明实
施例对50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-VISDRS分析，测试其光响应范围，
证明Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的引入能加强La(OH)3从紫外-可见-红外区域对光的吸
收。
本发明实施例还对所制备的质量比为50％的Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的光催化
活性进行了测试，具体过程同实施例4，此处不再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的
质量比为50％的Ag/AgCl/La光催化剂对NO的去除率为52％。
实施例9
S901：将0.54g实施例2制备的棒状La(OH)3溶解于50mL去离子水中，超声30min；
将0.635gAgNO3溶解于30mL去离子水中，超声30min；将0.219gNaCl溶解于30mL去离
子水中，超声30min，此时AgNO3和NaCl反应生成的AgCl与棒状La(OH)3的质量比为100％；
S902：先将AgNO3溶液滴入La(OH)3溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A9；
S903：再将NaCl溶液逐滴滴入上述混合溶液A9中，继续磁力搅拌90min，并反应形
成混合溶液B9；
S904：上述反应结束后，将上述混合溶液B9静置40min，并产生明显的分层；
S905：将分层后的混合溶液B9中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S906：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、2次水洗和3次乙醇洗，得到固体物质；
S907：将固体物质在80℃的温度下干燥，得到100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化
剂。
本发明实施例对制备的100％Ag/AgCl/La进行XRD分析，可以得出，本实施例制备的
100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂同时具有完整和稳定的AgCl与La(OH)3晶型结构。
本发明对得到的100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM扫描分析，可以得出，本
实施例制备的100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂为AgCl颗粒负载在La(OH)3纳米棒
上，且AgCl纳米颗粒的直径为0.8μm，La(OH)3纳米棒的长度1800nm，直径为8nm。本发
明实施例对100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-VISDRS分析，测试其光响应
范围，证明Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的引入能加强La(OH)3从紫外-可见-红外区域对
光的吸收。
本发明实施例还对所制备的质量比为100％的Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的光催化
活性进行了测试，具体过程同实施例4，此处不再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的
质量比为100％的Ag/AgCl/La光催化剂对NO的去除率为48％。
实施例10
S1001：将0.54g实施例1制备的棒状La(OH)3溶解于50mL去离子水中，超声30min；
将0.128gAgNO3溶解于30mL去离子水中，超声30min；将0.044gNaCl溶解于30mL去离
子水中，超声30min，此时AgNO3和NaCl反应生成的AgCl与棒状La(OH)3的质量比为20％；
S1002：先将AgNO3溶液滴入La(OH)3溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A10；
S1003：再将NaCl溶液逐滴滴入上述混合溶液A10中，继续磁力搅拌30min，并反应
形成混合溶液B10；
S1004：上述反应结束后，将上述混合溶液B10静置30min，并产生明显的分层；
S1005：将分层后的混合溶液B10中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S1006：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、3次水洗和1次乙醇洗，得到固体物质；
S1007：将固体物质在60℃的温度下干燥，得到20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化
剂。
本发明实施例对制备的20％Ag/AgCl/La进行XRD分析，可以得出，本实施例制备的
20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂同时具有完整和稳定的AgCl与La(OH)3晶型结构。
本发明对得到的20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM扫描分析，可以得出，本
实施例制备的20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂为AgCl颗粒负载在La(OH)3纳米棒上，
且AgCl纳米颗粒的直径为0.7μm，La(OH)3纳米棒的长度1500μm，直径为25nm。本发明实
施例对20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-VISDRS分析，测试其光响应范围，
证明Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的引入能加强La(OH)3从紫外-可见-红外区域对光的吸
收。
本发明实施例还对所制备的质量比为20％的Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的光催化
活性进行了测试，具体过程同实施例4，此处不再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的
质量比为20％的Ag/AgCl/La光催化剂对NO的去除率为50％。
实施例11
S1101：将0.54g实施例1制备的棒状La(OH)3溶解于50mL去离子水中，超声30min；
将0.312gAgNO3溶解于30mL去离子水中，超声30min；将0.107gNaCl溶解于30mL去离
子水中，超声30min，此时AgNO3和NaCl反应生成的AgCl与棒状La(OH)3的质量比为50％；
S1102：先将AgNO3溶液滴入La(OH)3溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A11；
S1103：再将NaCl溶液逐滴滴入上述混合溶液A11中，继续磁力搅拌30min，并反应形
成混合溶液B11；
S1104：上述反应结束后，将上述混合溶液B11静置30min，并产生明显的分层；
S1105：将分层后的混合溶液B11中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S1106：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、3次水洗和1次乙醇洗，得到固体物质；
S1107：将固体物质在60℃的温度下干燥，得到50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化
剂。
本发明实施例对制备的50％Ag/AgCl/La进行XRD分析，可以得出，本实施例制备的
50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂同时具有完整和稳定的AgCl与La(OH)3晶型结构。
本发明对得到的50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM扫描分析，可以得出，本
实施例制备的50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂为AgCl颗粒负载在La(OH)3纳米棒上，
且AgCl纳米颗粒的直径为0.9μm，La(OH)3纳米棒的长度1800nm，直径为28nm。本发明实
施例对50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-VISDRS分析，测试其光响应范围，
证明Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的引入能加强La(OH)3从紫外-可见-红外区域对光的吸
收。
本发明实施例还对所制备的质量比为50％的Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的光催化
活性进行了测试，具体过程同实施例4，此处不再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的
质量比为50％的Ag/AgCl/La光催化剂对NO的去除率为51％。
实施例12
S1201：将0.54g实施例1制备的棒状La(OH)3溶解于50mL去离子水中，超声30min；
将0.635gAgNO3溶解于30mL去离子水中，超声30min；将0.219gNaCl溶解于30mL去离
子水中，超声30min，此时AgNO3和NaCl反应生成的AgCl与棒状La(OH)3的质量比为100％；
S1202：先将AgNO3溶液滴入La(OH)3溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A12；
S1203：再将NaCl溶液逐滴滴入上述混合溶液A12中，继续磁力搅拌30min，并反应
形成混合溶液B12；
S1204：上述反应结束后，将上述混合溶液B12静置30min，并产生明显的分层；
S1205：将分层后的混合溶液B12中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S1206：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、3次水洗和1次乙醇洗，得到固体物质；
S1207：将固体物质在60℃的温度下干燥，得到100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化
剂。
本发明实施例对制备的100％Ag/AgCl/La进行XRD分析，可以得出，本实施例制备的
100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂同时具有完整和稳定的AgCl与La(OH)3晶型结构。
本发明对得到的100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM扫描分析，可以得出，本
实施例制备的100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂为AgCl颗粒负载在La(OH)3纳米棒
上，且AgCl纳米颗粒的直径为1μm，La(OH)3纳米棒的长度2000nm，直径为30nm。本发明
实施例对100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-VISDRS分析，测试其光响应范
围，证明Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的引入能加强La(OH)3从紫外-可见-红外区域对光
的吸收。
本发明实施例还对所制备的质量比为100％的Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的光催化
活性进行了测试，具体过程同实施例4，此处不再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的
质量比为100％的Ag/AgCl/La光催化剂对NO的去除率为51％。
实施例13
S1301：将0.54g实施例3制备的棒状La(OH)3溶解于50mL去离子水中，超声30min；
将0.128gAgNO3溶解于30mL去离子水中，超声30min；将0.044gNaCl溶解于30mL去离
子水中，超声30min，此时AgNO3和NaCl反应生成的AgCl与棒状La(OH)3的质量比为20％；
S1302：先将AgNO3溶液滴入La(OH)3溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A13；
S1303：再将NaCl溶液逐滴滴入上述混合溶液A13中，继续磁力搅拌15min，并反应
形成混合溶液B13；
S1304：上述反应结束后，将上述混合溶液B13静置15min，并产生明显的分层；
S1305：将分层后的混合溶液B13中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S1306：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、1次水洗和1次乙醇洗，得到固体物质；
S1307：将固体物质在50℃的温度下干燥，得到20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化
剂。
本发明实施例对制备的20％Ag/AgCl/La进行XRD分析，可以得出，本实施例制备的
20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂同时具有完整和稳定的AgCl与La(OH)3晶型结构。
本发明对得到的20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM扫描分析，可以得出，本
实施例制备的20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂为AgCl颗粒负载在La(OH)3纳米棒上，
且AgCl纳米颗粒的直径为0.7μm，La(OH)3纳米棒的长度30nm，直径为5nm。本发明实施
例对20％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-VISDRS分析，测试其光响应范围，证
明Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的引入能加强La(OH)3从紫外-可见-红外区域对光的吸收。
本发明实施例还对所制备的质量比为20％的Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的光催化
活性进行了测试，具体过程同实施例4，此处不再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的
质量比为20％的Ag/AgCl/La光催化剂对NO的去除率为49％。
实施例14
S1401：将0.54g实施例3制备的棒状La(OH)3溶解于50mL去离子水中，超声30min；
将0.312gAgNO3溶解于30mL去离子水中，超声30min；将0.107gNaCl溶解于30mL去离
子水中，超声30min，此时AgNO3和NaCl反应生成的AgCl与棒状La(OH)3的质量比为50％；
S1402：先将AgNO3溶液滴入La(OH)3溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A14；
S1403：再将NaCl溶液逐滴滴入上述混合溶液A14中，继续磁力搅拌120min，并反应
形成混合溶液B14；
S1404：上述反应结束后，将上述混合溶液B14静置60min，并产生明显的分层；
S1405：将分层后的混合溶液B14中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S1406：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、5次水洗和5次乙醇洗，得到固体物质；
S1407：将固体物质在100℃的温度下干燥，得到50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化
剂。
本发明实施例对制备的50％Ag/AgCl/La进行XRD分析，可以得出，本实施例制备的
50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂同时具有完整和稳定的AgCl与La(OH)3晶型结构。
本发明对得到的50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM扫描分析，可以得出，本
实施例制备的50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂为AgCl颗粒负载在La(OH)3纳米棒上，
且AgCl纳米颗粒的直径为0.8μm，La(OH)3纳米棒的长度100nm，直径为10nm。本发明实
施例对50％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-VISDRS分析，测试其光响应范围，
证明Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的引入能加强La(OH)3从紫外-可见-红外区域对光的吸
收。
本发明实施例还对所制备的质量比为50％的Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的光催化
活性进行了测试，具体过程同实施例4，此处不再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的
质量比为50％的Ag/AgCl/La光催化剂对NO的去除率为50％。
实施例15
S1501：将0.54g实施例3制备的棒状La(OH)3溶解于50mL去离子水中，超声30min；
将0.635gAgNO3溶解于30mL去离子水中，超声30min；将0.219gNaCl溶解于30mL去离
子水中，超声30min，此时AgNO3和NaCl反应生成的AgCl与棒状La(OH)3的质量比为100％；
S1502：先将AgNO3溶液滴入La(OH)3溶液中，磁力搅拌均匀，形成混合溶液A15；
S1503：再将NaCl溶液逐滴滴入上述混合溶液A15中，继续磁力搅拌90min，并反应
形成混合溶液B15；
S1504：上述反应结束后，将上述混合溶液B15静置40min，并产生明显的分层；
S1505：将分层后的混合溶液B15中的上清溶液倒掉，留取下层浑浊溶液；
S1506：将上述浑浊溶液离心分离、过滤、2次水洗和3次乙醇洗，得到固体物质；
S1507：将固体物质在80℃的温度下干燥，得到100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化
剂。
本发明实施例对制备的100％Ag/AgCl/La进行XRD分析，可以得出，本实施例制备的
100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂同时具有完整和稳定的AgCl与La(OH)3晶型结构。
本发明对得到的100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行TEM扫描分析，可以得出，本
实施例制备的100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂为AgCl颗粒负载在La(OH)3纳米棒
上，且AgCl纳米颗粒的直径为1μm，La(OH)3纳米棒的长度160nm，直径为15nm。本发明
实施例对100％Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂进行UV-VISDRS分析，测试其光响应范
围，证明Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的引入能加强La(OH)3从紫外-可见-红外区域对光
的吸收。
本发明实施例还对所制备的质量比为100％的Ag/AgCl半导体异质结光催化剂的光催化
活性进行了测试，具体过程同实施例4，此处不再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的
质量比为100％的Ag/AgCl/La光催化剂对NO的去除率为48％。
实施例16
本发明实施例对实施例2所制备的La(OH)3的光催化活性进行了测试，该测试的具体过
程同实施例4，此处不再赘述。通过计算得到本发明实施例制备的La(OH)3对NO的去除率为
3％。
本发明将实施例1、2和3制备La(OH)3时的水热反应温度，制备得到的La(OH)3的长
度、直径及La(OH)3在紫外光条件下对NO的去除率列于表1，并进行对比。
表1：实施例1、2和3制备La(OH)3时的水热反应温度，制备得到的La(OH)3长度、
直径以及在紫外光条件下对NO的去除率
从表1中可以看出，水热反应温度为180℃时，La(OH)3的比表面积较大，且La(OH)3
在紫外光条件下对NO去除率最高，这说明本发明提供的La(OH)3具有较高的紫外光催化活
性。因此，在制备Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂时使用实施例2制备的La(OH)3能够使
Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂具有更大的比表面积，更好的催化效果。
本发明将实施例4-16制备的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂中AgCl与La(OH)3
的质量比及Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂在可见光条件下对NO的去除率列于表2，并
进行比较。
表2：实施例4-16制备的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂中AgCl与La(OH)3的质
量比及Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂在可见光条件下对NO的去除率
由表2可以看出，水热温度180℃时制备的La(OH)3在可见光条件下对NO的去除率很
低，这说明La(OH)3在可见光条件下基本没有光催化活性；而经过Ag/AgCl与La(OH)3复合
后所形成的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂去除NO的去除率较高，这说明Ag/AgCl/La
半导体异质结光催化剂的催化性能相对于纯相La(OH)3去除NO的性能具有明显的增强效果。
同时实验结果表明，Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂采用实施例2制备的La(OH)3时，且
AgCl与La(OH)3的质量比例为50％时，Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的可见光催化活
性能最好，此时Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂去除NO的去除率能够达到55％。
在本发明中，Ag/AgCl/La作为光催化剂时，等离子体效应促进光的吸收，异质结构有利
于光生电子和空穴的分离和传输，促进反应物和反应产物的扩散传递，具有较高的光催化活
性，且在可见光下可稳定存在。因此，Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂作为一种催化剂能
够应用于空气污染的净化、废水处理、太阳能转化制氢、杀菌或制药等领域。同时，本发明
提供的Ag/AgCl/La半导体异质结光催化剂的制备方法简单、条件温和、操作简单，利于大规
模生产。
以上所述的本发明实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的
精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。