低电阻率导电碳薄膜及其制备方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201610822005.1

申请日:

2016.09.13

公开号:

CN106450376A

公开日:

2017.02.22

当前法律状态:

实审

有效性:

审中

法律详情:

实质审查的生效IPC(主分类):H01M 8/0234申请日:20160913|||公开

IPC分类号:

H01M8/0234(2016.01)I; H01M8/0241(2016.01)I; H01M8/10(2016.01)I; H01B1/24

主分类号:

H01M8/0234

申请人:

深圳市德方纳米科技股份有限公司

发明人:

孔令涌; 方东升; 尚伟丽; 黄少真

地址:

518000 广东省深圳市南山区创盛路1号康和盛大楼223-224

优先权:

专利代理机构:

深圳中一专利商标事务所 44237

代理人:

张全文

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内容摘要

本发明提供一种低电阻率导电碳薄膜及其制备方法。所述低电阻率导电碳薄膜按照质量百分比包括以下组分:导电碳50~95%;成膜剂4.5~59%;其他添加剂0.5~1.4%;其中,按照导电碳质量100%计,包括以下组分:碳纳米管25~100%;其他导电碳0~75%,且所述其他导电碳含量不取0值。本发明获得的导电碳薄膜表面光滑均匀,可卷曲,具有良好的柔韧性;更重要的是,导电碳薄膜的电阻率为20mΩ·cm~50Ω·cm,抗拉强度达到10MPa及以上,表现出优异的导电性能和机械强度。

权利要求书

1.一种低电阻率导电碳薄膜,按照质量百分比包括以下组分:
导电碳 50~95%;
成膜剂 4.5~59%;
其他添加剂 0.5~1.4%;
其中,按照导电碳质量100%计,包括以下组分:
碳纳米管 25~100%;
其他导电碳 0~75%,且所述其他导电碳含量不取0值。
2.如权利要求1所述的低电阻率导电碳薄膜,其特征在于:按照质量百分比包括以下组
分:
导电碳 75~95%;
成膜剂 4.5~25%;
其他添加剂 0.6~1.0%;
其中,按照导电碳质量100%计,包括以下组分:
碳纳米管 25~100%;
其他导电碳 0~75%,且所述其他导电碳含量不取0值。
3.如权利要求1~2任一所述的低电阻率导电碳薄膜,其特征在于:以所述导电碳质量
100%计,包括以下组分:
碳纳米管 60~95%;
其他导电碳 5~40%。
4.如权利要求1~2任一所述的低电阻率导电碳薄膜,其特征在于:所述其他导电碳为
石墨烯、膨胀石墨、Super P、KS-6中的至少一种。
5.如权利要求1~2任一所述的低电阻率导电碳薄膜,其特征在于:所述其他添加剂为
增韧剂、塑化剂、流平剂中的至少一种。
6.如权利要求1~2任一所述的低电阻率导电碳薄膜,其特征在于:所述成膜剂为蛋白
成膜剂、丙烯酸树脂成膜剂、丁二烯树脂成膜剂、聚氨酯成膜剂、硝酸纤维成膜剂、聚乙烯
醇、丙烯腈多元共聚物、聚酰亚胺、聚偏氟乙烯中的至少一种。
7.如权利要求5所述的低电阻率导电碳薄膜,其特征在于:所述增韧剂为丁苯橡胶、丁
腈橡胶、聚乙烯醇缩丁醛、聚醚砜、聚苯醚酮、聚醋酸乙烯乳液、聚乙烯吡咯烷酮、丙烯酸酯
橡胶、ABS、SBS、SEBS中的至少一种。
8.如权利要求1~7任一所述的低电阻率导电碳薄膜的制备方法,至少包括以下步骤:
按照权利要求1~7任一所述配方比例称取导电碳、成膜剂、其他添加剂;
采用修饰剂对所述导电碳进行表面修饰处理,获得改性的碳导电碳;
采用分散溶剂对所述改性的导电碳进行分散处理,获得导电碳分散液;
向所述导电碳分散液中加入所述成膜剂、其他添加剂,混合处理,获得粘度为100~
1500mPa·s的浆料;
将所述浆料涂布或流延于基材上,获得湿膜;
将所述湿膜与基材一起进行干燥处理,获得干燥的导电薄膜;
对所述导电薄膜进行浸润并起膜、风干处理。
9.如权利要求8所述的低电阻率导电碳薄膜的制备方法,其特征在于:所述修饰剂为表
面活性剂或硫酸、硝酸、磷酸中的任一种;和/或按照质量比为表面活性剂:导电碳:溶剂=
(0.5~10):(1~50):(40~98.5);和/或按照质量比为所述酸:所述导电碳=100:5~100:
20。
10.如权利要求8所述的低电阻率导电碳薄膜的制备方法,其特征在于:所述干燥处理
的温度为60~150℃;和/或所述分散溶剂为无水乙醇、去离子水、二甲基甲酰胺、N-甲基吡
咯烷酮中的至少一种。

说明书

低电阻率导电碳薄膜及其制备方法

技术领域

本发明属于导电碳薄膜技术领域,具体涉及一种低电阻率导电碳薄膜及其制备方
法。

背景技术

导电碳薄膜作为质子燃料电池的重要组成部分,其微观形态形成的孔隙是燃料电
池中重要的电子通道,同时也是气体及排水的通道。因此,需要导电碳薄膜具有良好的机械
强度和优异的导电性能。

目前导电碳薄膜主要采用碳纤维加粘结剂制成膜,并通过浸泽固化剂碳化的制备
方法。该方法需要通过浸泽提高强度,但是采用浸泽方法获得的碳薄膜的均匀性得不到保
障。

此外,还有采用与聚合物混合成熔融液后制备薄膜的方法成膜,但是此方法获得
的碳薄膜碳含量低,电阻率在30Ω·cm~3000Ω·cm之间,甚至更大。

可见,上述两种方法均无法获得综合性能较好的导电碳薄膜。

发明内容

针对目前导电碳薄膜电阻率大且制备方法均匀性不佳等问题,本发明实施例提供
了一种低电阻率导电碳薄膜及其制备方法。

为了实现上述发明目的,本发明实施例的技术方案如下:

一种低电阻率导电碳薄膜,按照质量百分比包括以下组分:

导电碳 50~95%;

成膜剂 4.5~59%;

其他添加剂 0.5~1.4%;

其中,按照导电碳质量100%计,包括以下组分:

碳纳米管 25~100%;

其他导电碳 0~75%,且所述其他导电碳含量不取0值。

以及,一种如上所述的低电阻率导电碳薄膜的制备方法,至少包括以下步骤:

按照如上所述配方比例称取导电碳、成膜剂、其他添加剂;

采用修饰剂对所述导电碳进行表面修饰处理,获得改性的导电碳;

采用分散溶剂对所述改性的导电碳进行分散处理,获得导电碳分散液;

向所述导电碳分散液中加入所述成膜剂、其他添加剂,混合处理,获得粘度为100
~1500mPa·s的浆料;

将所述浆料涂布或流延于基材上,获得湿膜;

将所述湿膜与基材一起进行干燥处理,获得干燥的导电薄膜;

对所述导电薄膜进行浸润并起膜、风干处理。

上述实施例中的低电阻率导电碳薄膜,通过采用碳纳米管作为基本骨架,而其他
导电碳不仅起导电作用还起填充作用,并结合成膜剂和其他添加剂,获得的导电碳薄膜表
面光滑均匀,可卷曲,柔韧性良好;更重要的是,导电碳薄膜的电阻率为20mΩ·cm~50Ω·
cm,抗拉强度达到10MPa及以上,优异的导电性能和机械强度,可用于微电子行业、航空航
天、军工业及纺织业。如白板感压导电膜、电池及电容等。

上述实施例提供的低电阻率导电碳薄膜的制备方法,工艺简单、成本低廉,而且制
备的导电碳薄膜表面光滑均匀,可卷曲,柔韧性良好,更重要的是,制备的导电碳薄膜的电
阻率为20mΩ·cm~50Ω·cm,抗拉强度达到10MPa及以上。本实施例制备方法为电子元器
件、光电产品、电池及电容薄膜材料的制备提供一种良好的借鉴方案。

附图说明

图1为本发明实施例1提供的低电阻率导电碳薄膜的SEM图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图和实施例,对
本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并
不用于限定本发明。

本发明实例提供了一种低电阻率导电碳薄膜,所述低电阻率导电碳薄膜按照质量
百分比包括以下组分:

导电碳 50~95%;

成膜剂 4.5~59%;

其他添加剂 0.5~1.4%;

其中,按照导电碳质量100%计,包括以下组分:

碳纳米管 25~100%;

其他导电碳 0~75%,且所述其他导电碳含量不取0值。

优选地,其他导电碳为石墨烯、膨胀石墨、Super P、KS-6中的至少一种,但不限于
所列举的这几种导电碳。其他导电碳填充在碳纳米管内部起到填充作用,避免碳纳米管的
破碎,同时还起到导电的作用,从而实现导电碳薄膜的电阻率达到20mΩ·cm~50Ω·cm;
抗拉伸强度达到10MPa及以上。

作为一个优选的实施例,上述低电阻率导电碳薄膜按照质量百分比包括以下组
分:

导电碳 75~95%;

成膜剂 4.5~25%;

其他添加剂 0.6~1.0%;

其中,按照导电碳质量100%计,包括以下组分:

碳纳米管 25~100%;

其他导电碳 0~75%,且所述其他导电碳含量不取0值。在该优选的配方比例下,
获得的导电碳薄膜的电阻率低于25Ω·cm。

更进一步优选地,上述任何一个导电碳薄膜的配方中,以所述导电碳质量100%
计,包括以下组分:

碳纳米管 60~95%;

其他导电碳 5~40%。

由于碳纳米管含量增大,其他导电碳含量相对减少,各碳纳米管实现充分桥接导电的
同时,其他碳纳米管可以充分的填充在碳纳米管内部,最终实现导电碳薄膜的电阻率低于
80mΩ·cm,而且抗拉伸强度达到10MPa及以上。

如当碳含量为90%时,且碳纳米管与Super P的比例在4:1时其电阻率低达30m
Ω·cm,致密性良好;当碳含量为90%时,且碳纳米管与KS-6比例为2:1时其电阻率可达到
60mΩ·cm。

优选地,成膜剂为蛋白成膜剂、丙烯酸树脂成膜剂、丁二烯树脂成膜剂、聚氨酯成
膜剂、硝酸纤维成膜剂、聚乙烯醇、丙烯腈多元共聚物、聚酰亚胺、聚偏氟乙烯(PVDF)中的至
少一种。当成膜剂为混合成分时,如按照质量比例为丙烯酸树脂:聚偏氟乙烯=1:1时,成膜
效果优于单一成膜剂的效果,可以有效避免单一成膜剂塑性较差的问题,同时还提高导电
碳薄膜的力学性能,抗拉伸强度达到12MPa。

优选地,其他添加剂为增韧剂、塑化剂、流平剂中的至少一种。通过加入其他添加
剂辅助成膜,获得的导电碳薄膜表面光滑均匀。

进一步优选地,增韧剂为增韧剂为丁苯橡胶、丁腈橡胶、聚乙烯醇缩丁醛、聚醚砜、
聚苯醚酮、聚醋酸乙烯乳液、聚乙烯吡咯烷酮、丙烯酸酯橡胶、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯塑料
(ABS)、苯乙烯系嵌段共聚物(SBS)、(SEBS)中的至少一种。当增韧剂为质量比例为丁苯橡
胶:ABS=1:2时,增韧可达到较佳效果,可进行卷曲而不断裂。

优选地,塑化剂为邻苯二甲酸酯类塑化剂。具体为邻苯二甲酸二(2-乙基己)酯、邻
苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二正辛酯、邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二环己酯中的任一
种。

优选地,流平剂为聚二甲基硅氧烷、聚醚聚酯改性有机硅氧烷、烷基改性有机硅氧
烷、丙烯酸酯类流平剂中的任一种。

上述实施例提供的低电阻率导电碳薄膜,通过采用碳纳米管作为基本骨架,以其
他导电碳作为填充碳,其他导电碳填充作用还增强了导电性能,避免出现导电断路,再结合
成膜剂和其他添加剂,最终获得的导电碳薄膜表面光滑均匀,可卷曲,呈现出良好的柔韧
性;更重要的是,导电碳薄膜的电阻率为20mΩ·cm~50Ω·cm,抗拉强度达到10MPa及以
上。由于本实施例的导电碳薄膜具有优异的导电性能和机械强度,可用于微电子行业、航空
航天、军工业及纺织业;具体如白板感压导电膜、光电产品、电子元器件、光电一体化产品、
电池及电容等。

相应地,本发明实施例还提供了该低电阻率导电碳薄膜的制备方法。

在一实施例中,上述低电阻率导电碳薄膜的制备方法至少包括以下步骤:

按照如上所述配方比例称取导电碳、成膜剂、其他添加剂;

采用修饰剂对所述导电碳进行表面修饰处理,获得改性的导电碳;

采用分散溶剂对所述改性的导电碳进行分散处理,获得导电碳分散液;

向所述导电碳分散液中加入所述成膜剂、其他添加剂,混合处理,获得粘度为100
~1500mPa·s的浆料;

将所述浆料涂布或流延于基材上,获得湿膜;

将所述湿膜与基材一起进行干燥处理,获得干燥的导电薄膜;

对所述导电薄膜进行浸润并起膜、风干处理。

其中,在一优选实施例中,以导电碳质量100%计,称取的导电碳中,碳纳米管60~
95%;其他导电碳5~40%。这个配比下获得的导电碳薄膜电阻率低于80mΩ·cm,而且抗拉
伸强度达到10MPa及以上。

优选地,所用的修饰剂为表面活性剂或者硫酸、硝酸、磷酸。通过表面活性剂如十
二万基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、曲拉通-100、聚乙烯吡咯烷酮中的一种或几种,对导电
碳进行表面修饰,引入羧羟基等官能团,提高其分散性,避免导电碳的团聚。或者硫酸、硝
酸、磷酸中的任一种对导电碳表面进行酸化,使其表面附带官能团,同样提高其分散性能。

当以表面活性剂进行修饰时,按照质量比为表面活性剂:导电碳:溶剂=(0.5~
10):(1~50):(40~98.5);而当采用硫酸、硝酸、磷酸中的任一种进行酸化官能团时,按照
质量比为酸:导电碳=100:5~100:20,此时导电碳分散性较好,不易沉降。

优选地,分散处理的方式为球磨、研磨、砂磨、超声波或者分散机进行分散。并且在
分散处理中,需要添加分散溶剂。

优选的分散溶剂为无水乙醇、去离子水、二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基吡咯烷酮
(NMP)等中的任一种。最终制备的分散液中导电碳含量≤25%时,导电碳悬浮液分散稳定性
良好,且粘度在100~1500mPa·s,适合涂布。

优选地,加入的成膜剂为蛋白成膜剂、丙烯酸树脂成膜剂、丁二烯树脂成膜剂、聚
氨酯成膜剂、硝酸纤维成膜剂、聚乙烯醇、丙烯腈多元共聚物、聚酰亚胺、聚偏氟乙烯(PVDF)
中的至少一种。当成膜剂为混合成膜剂时,如按照质量比例为丙烯酸树脂:聚偏氟乙烯=1:
1时,成膜效果优于单一成膜剂的效果,可以有效避免单一成膜剂塑性较差的问题,同时还
提高导电碳薄膜的力学性能,抗拉伸强度达到12MPa。

优选地,其他添加剂包括增韧剂、塑化剂、流平剂。通过加入其他添加剂辅助成膜,
获得的导电碳薄膜表面光滑均匀。

进一步优选地,增韧剂为增韧剂为丁苯橡胶、丁腈橡胶、聚乙烯醇缩丁醛、聚醚砜、
聚苯醚酮、聚醋酸乙烯乳液、聚乙烯吡咯烷酮、丙烯酸酯橡胶、ABS、SBS、SEBS中的至少一种。

当增韧剂为质量比例为丁苯橡胶:ABS=1:2时,增韧可达到较佳效果,此时所制备
导电薄膜抗拉强度可达15MPa以上,抗折性能良好。

优选地,在将浆料进行涂布或流延成膜处理时,是将浆料涂布或流延于洁净干燥
的基材表面。具体来说需要采用涂布机进行涂布或者流延设备进行流延。通过涂布或流延
的方式,避免了获得的导电薄膜表面不均匀、不光滑的现象。

可选用的基材为铝箔、铜箔、特氟龙布等。

优选地,涂布或流延的湿膜需要在60~150℃的温度下干燥处理,使湿膜烘干成干
膜。

进一步地,起膜处理是将干膜置于酒精或去离子水中浸润,待完全浸润后,采用起
膜工具进行起膜,即可获得本发明实施例的低电阻率导电薄膜材料。以酒精或去离子水进
行起膜,以改变膜物质组成的相变结构。具体地,本发明实施例这种起膜方式浸润干膜,可
以使干膜受冷,致使成膜剂固化后的相结构引起相变改变为低温下的相结构,确保导电薄
膜的稳定性良好。

为了获得更好的导电碳薄膜材料,起膜后,将基材和导电碳薄膜在25℃~60℃之
间进行风干处理即获得干燥的导电碳薄膜。低温风干可保持导电碳薄膜的形态不变形。

上述实施例提供的低电阻率导电碳薄膜的制备方法,工艺简单、成本低廉,而且制
备的导电碳薄膜表面光滑均匀,可卷曲,柔韧性良好。更重要的是,制备的导电碳薄膜的电
阻率为20mΩ·cm~50Ω·cm,抗拉强度达到10MPa及以上。

本实施例制备方法为电子元器件、光电产品、电池及电容薄膜材料的制备提供一
种良好的借鉴方案。

为了更好的说明本发明实施例,下面进一步通过具体实施例做进一步的说明。

实施例1

一种低电阻率导电碳薄膜,按照质量百分比,包括以下组分:


所述低电阻率导电碳薄膜的制备方法如下:

首先称取60.0g的碳纳米管导电碳和2.5g KS-6;

将所述混合导电碳添加到300mL混合酸中处理6~24h,所述混合酸按照体积比为
硫酸:硝酸=1:2,然后用去离子水抽滤清洗干净,直至pH=7;

将处理后的混合导电碳在3000r/min的分散机中分散成质量分数为10%的水溶
液;

向上述水溶液中加入总质量为5g的聚乙烯醇(PVA)与丙烯腈多元共聚物混合物,
以及加入0.5g丁苯橡胶后在室温条件下磁力搅拌8h制备成浆料悬浮液,所述浆料悬浮液的
粘度为600mPa·s;

将上述浆料悬浮液在丝杆涂布机上涂布成膜,衬底为剥离,随后在80℃的烘箱中
烘干成膜;

将干燥成膜后的样品取出,在薄膜表面喷涂酒精使其浸润充分,随后取下样品薄
膜在30℃下风干,即制得碳纳米管薄膜。

经检测,实施例1制备的导电碳薄膜电阻率为40mΩ·cm,抗拉强度为12MPa,可卷
曲,呈现出良好的柔韧性.。并对获得的导电碳薄膜进行SEM扫描测试,获得如附图1所示的
SEM图。从图1可知,导电碳薄膜中碳纳米管形成骨架起支撑作用,而KS-6则填充于碳纳米管
内部,图中由于KS-6含量较少,而且表面为成膜剂、增韧剂所覆盖,故未能清晰的观察到KS-
6的分布情况,由此构成了实施例1的导电碳薄膜。

实施例2

一种低电阻率导电碳薄膜,按照质量百分比,包括以下组分:


所述低电阻率导电碳薄膜的制备方法如下:

首先称取75g的碳纳米管,按照碳纳米管与Super P的质量比为5:1的比例称取
Super P,将两者混合后,形成混合导电碳;

称取0.7g聚乙烯吡咯烷酮分散于500g二甲基甲酰胺(DMF)溶液中,形成分散液;

将所述混合导电碳添加上述分散液中进行混合处理;

将处理后的混合导电碳在2000r/min的分散机中分散处理4h形成悬浮液;

向上述悬浮液中加入总质量为9.0g的聚偏氟乙烯(PVDF)与聚酰亚胺混合物,所述
混合物中,PVDF与聚酰亚胺的质量比为10:1;将加入0.3g丁苯橡胶,然后在室温条件下磁力
搅拌6h制备成浆料悬浮液,所述浆料悬浮液的粘度为800mPa·s;

将上述浆料悬浮液在丝杆涂布机上涂布成膜,衬底为剥离,随后在110℃的烘箱中
烘干成膜;

将干燥成膜后的样品取出,在薄膜表面喷涂酒精使其浸润充分,随后取下样品薄
膜在60℃下风干,即制得碳纳米管薄膜。

经检测,实施例2制备的导电碳薄膜其电阻率为60mΩ·cm,且抗拉强度为
18.0MPa,可卷曲,呈现出良好的柔韧性。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精
神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包括在本发明的保护范围之内。

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本发明提供一种低电阻率导电碳薄膜及其制备方法。所述低电阻率导电碳薄膜按照质量百分比包括以下组分:导电碳5095;成膜剂4.559;其他添加剂0.51.4;其中,按照导电碳质量100计,包括以下组分:碳纳米管25100;其他导电碳075,且所述其他导电碳含量不取0值。本发明获得的导电碳薄膜表面光滑均匀,可卷曲,具有良好的柔韧性;更重要的是,导电碳薄膜的电阻率为20mcm50cm,抗拉强度达到10MP。

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