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1、(10)申请公布号 CN 103097568 A (43)申请公布日 2013.05.08 CN 103097568 A *CN103097568A* (21)申请号 201080067349.7 (22)申请日 2010.06.14 10-2010-0055020 2010.06.10 KR C23C 14/24(2006.01) H01L 51/56(2006.01) (71)申请人 SNU 精密股份有限公司 地址 韩国首尔 (72)发明人 姜敞晧 权铉九 玄在根 (74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限 公司 11127 代理人 党晓林 王小东 (54) 发明名称 薄膜沉积设备和薄。
2、膜沉积系统 (57) 摘要 本发明公开了一种薄膜沉积设备， 该薄膜沉 积设备使得基板和沉积掩膜的布置 / 对准时间的 处理等待时间最短。为此， 所述薄膜沉积设备包 括 ： 室， 该室具有反应空间 ； 第一基板保持件和第 二基板保持件， 在所述室中， 在所述第一基板保持 件和所述第二基板保持件之间设置有用于接收基 板的空间 ； 沉积源， 该沉积源设置在所述第一基 板保持件和所述第二基板保持件之间， 以向所述 第一基板保持件和所述第二基板保持件供应沉积 材料 ； 以及固定单元， 当所述基板被接收在所述 第一基板保持件和所述第二基板保持件中时， 该 固定单元将所述第一基板保持件和所述第二基板 保持件。
3、放置在所述室中的预定位置。 因而， 能够实 现基板和掩膜的稳定对准。 (30)优先权数据 (85)PCT申请进入国家阶段日 2012.12.10 (86)PCT申请的申请数据 PCT/KR2010/003810 2010.06.14 (87)PCT申请的公布数据 WO2011/155652 KO 2011.12.15 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 7 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书7页 附图7页 (10)申请公布号 CN 103097568 A CN 103097568 A *CN103097568A*。
4、 1/2 页 2 1. 一种膜沉积设备， 该膜沉积设备包括 ： 室， 在该室中形成有反应空间 ； 第一基板保持件和第二基板保持件， 所述第一基板保持件和所述第二基板保持件构造 成在其内容纳基板并且所述第一基板保持件和所述第二基板保持件彼此间隔开 ； 沉积源， 该沉积源设置在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件之间， 以向基板 供应沉积材料 ； 以及 固定单元， 当所述基板分别容纳在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件中时， 该固定单元使得所述第一基板保持件和所述第二基板保持件固定在所述室中的预定位置 处达预定时间。 2. 根据权利要求 1 所述的膜沉积设备， 其中， 所述第一基板保持件和所。
5、述第二基板保 持件将所述基板支承为相对于地面垂直。 3. 根据权利要求 2 所述的膜沉积设备， 其中， 所述固定单元包括 ： 固定部， 该固定部构造成允许从所述第一基板保持件的底部和所述第二基板保持件的 底部向上插入 ； 以及 升降部， 当所述第一基板保持件和所述第二基板保持件被固定在所述预定位置时， 该 升降部的至少一部分插入所述固定部中或者从所述固定部抽出。 4. 根据权利要求 3 所述的膜沉积设备， 该膜沉积设备还包括行进控制单元， 该行进控 制单元用于限制所述第一基板保持件和所述第二基板保持件沿一方向的行进。 5. 根据权利要求 4 所述的膜沉积设备， 其中， 所述行进控制单元包括 ：。
6、 引导部， 该引导部定位成与所述第一基板保持件和所述第二基板保持件各自的两侧相 邻， 以引导所述第一基板保持件和所述第二基板保持件的运动 ； 以及 驱动部， 该驱动部使得所述引导部靠近或远离所述第一基板保持件和所述第二基板保 持件移动。 6. 根据权利要求 5 所述的膜沉积设备， 其中， 所述引导部是布置在所述第一基板保持 件和所述第二基板保持件各自的两侧的多个辊。 7. 根据权利要求 2 所述的膜沉积设备， 其中， 所述第一基板保持件和所述第二基板保 持件均包括 ： 支承板， 该支承板用于供安装基板以及固定所述基板 ； 以及 夹子， 该夹子用于固定安装在所述支承板上的所述基板。 8. 根据权。
7、利要求 2 所述的膜沉积设备， 其中， 所述第一基板保持件和所述第二基板保 持件均还包括驱动单元， 该驱动单元用于竖直地立起所述支承板或者用于水平地放置所述 支承板。 9. 根据权利要求 1 所述的膜沉积设备， 其中， 所述沉积源能够在所述第一基板保持件 和所述第二基板保持件之间旋转。 10. 根据权利要求 1 所述的膜沉积设备， 其中， 所述沉积源是点式沉积源、 线式沉积源 以及面式沉积源中的一种。 11. 根据权利要求 1 所述的膜沉积设备， 其中， 所述室与掩膜室连接， 所述掩膜室用于 将沉积掩膜分别供应到所述第一基板保持件和所述第二基板保持件或者用新的沉积掩膜 来更换所述沉积掩膜。 权。
8、 利 要 求 书 CN 103097568 A 2 2/2 页 3 12. 一种膜沉积系统， 该膜沉积系统包括 ： 多个单元 ； 以及 第一处理线路和第二处理线路， 所述第一处理线路和所述第二处理线路分别安装在所 述多个单元中， 其中， 所述多个单元中的至少一个单元包括 ： 第一基板保持件， 该第一基板保持件形成所述第一处理线路 ； 第二基板保持件， 该第二基板保持件形成所述第二处理线路并且与所述第一基板保持 件间隔开 ； 以及 沉积源， 该沉积源设置在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件之间， 以向基板 供应沉积材料。 13. 根据权利要求 12 所述的膜沉积系统， 其中， 所述沉积源能够。
9、在所述第一基板保持 件和所述第二基板保持件之间旋转。 14. 根据权利要求 12 所述的膜沉积系统， 其中， 所述沉积源是点式沉积源、 线式沉积源 以及面式沉积源中的一种。 15. 根据权利要求 12 所述的膜沉积系统， 其中， 所述多个单元包括 ： 多个处理单元， 这些处理单元用于执行单元处理 ； 以及 多个减振器， 这些减振器分别被插入所述多个处理单元之间。 16. 根据权利要求 15 所述的膜沉积系统， 其中， 每个处理单元均连接到掩膜容纳单元， 该掩膜容纳单元用于提供新的沉积掩膜或者用新的沉积掩膜来更换所述沉积掩膜。 权 利 要 求 书 CN 103097568 A 3 1/7 页 4。
10、 薄膜沉积设备和薄膜沉积系统 技术领域 0001 本发明涉及膜沉积设备， 并且更具体地涉及用于在基板上沉积膜的膜沉积设备和 膜沉积系统。 背景技术 0002 作为自发光装置的有机发光二极管 （OLED） 不需要背光源并且比LCD更加节能。 此 外， 由于OLED具有广视角和高响应速度， 因此利用OLED形成的显示器能够显示既不具有视 角问题也不具有余像问题的高质量图像。 0003 这样的 OLED 通过将多个膜 （例如有机膜或金属膜） 堆叠在玻璃基板上来制造。为 了沉积多个膜， 常规上， 主要使用聚类方法， 在该聚类方法中， 在绕圆形输送室布置并且连 接到该圆形输送室的多个单元室中执行一系列单。
11、元处理。在聚类方法中， 玻璃基板在这些 室之间以水平位置被输送并且然后经受装置处理。 聚类方法能够连续且快速地执行一系列 处理， 并且因为聚类方法允许容易更换主要用于制造 OLED 的沉积掩膜， 因此该聚类方法也 是有利的。 0004 近来， 基于利用精细金属掩膜 （FMM） 在大型基板上顺序地形成蓝色 （B） 、 绿色 （G） 和红色 （R） 发光层的所谓三色独立像素方案的 OLED 已引人关注。三色独立像素方案实现 有优良的色纯度和光效率并且还是成本有效的。 0005 然而， 由于三色独立像素方案必须在独立的处理室中顺序地形成蓝色 （B） 、 绿色 （G） 和红色 （R） 发光层， 因此其。
12、中用于执行单元处理的处理室沿直线排列的直列架构适于三 色独立像素方案。因而， 常规的聚类方法必须被转换成直列架构。然而， 直列架构的缺点在 于， 在建立生产线时由于显著的设备叠置而增加成本并且由于处理速度慢而降低生产率。 0006 同时， 由于常规的聚类方法在水平放置的基板上进行膜沉积 （有机膜沉积） ， 因此 基板偏转显著， 这对制造装置带来许多困难。 而且， 用于大型基板的沉积掩膜由于它们达至 数百千克重的重量而使得基板偏转更加显著， 这也造成诸如基板破裂的严重问题。 发明内容 0007 技术问题 0008 因而， 下列说明涉及通过一起处理多个基板并且使得用于基板和掩膜的沉积 / 布 置的。
13、准备时间 （lead time） 最短而能够实现高生产率的膜沉积设备以及包括该膜沉积设备 的膜沉积系统。 0009 而且， 下列说明涉及通过在两个或更多个处理步骤中共享共同使用的设备而能够 节省用于建立生产线的成本的膜沉积设备以及包括该膜沉积设备的膜沉积系统。 0010 而且， 下列说明涉及通过在将基板竖直地立起之后执行膜沉积而能够防止基板掉 落的膜沉积设备以及包括该膜沉积设备的膜沉积系统。 0011 技术方案 0012 根据本发明， 提供了一种膜沉积设备， 该膜沉积设备包括 ： 室， 在该室中形成反应 说 明 书 CN 103097568 A 4 2/7 页 5 空间 ； 第一基板保持件和第。
14、二基板保持件， 所述第一基板保持件和所述第二基板保持件构 造成在其中容纳基板并且彼此间隔开 ； 沉积源， 该沉积源设置在所述第一基板保持件和所 述第二基板保持件之间， 以向所述基板供应沉积材料 ； 以及固定单元， 当所述基板分别容纳 在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件中时， 该固定单元使得所述第一基板保持件 和所述第二基板保持件固定在所述室中的预定位置处达预定时间。 0013 根据本发明， 提供了一种膜沉积系统， 该膜沉积系统包括 ： 多个单元 ； 以及第一处 理线路和第二处理线路， 所述第一处理线路和所述第二处理线路分别安装在所述多个单元 中， 其中， 所述多个单元中的至少一个单元包括。
15、 ： 第一基板保持件， 该第一基板保持件形成 所述第一处理线路 ； 第二基板保持件， 该第二基板保持件形成所述第二处理线路并且与所 述第一基板保持件间隔开 ； 以及沉积源， 该沉积源设置在所述第一基板保持件和所述第二 基板保持件之间， 以向所述基板供应沉积材料。 0014 有利效果 0015 因此， 根据本发明， 由于借助安装在处理室中的沉积源在设置于每个处理室中的 多个处理线路上连续地执行膜沉积， 因此能够实现成本的降低和生产率的提高。 0016 而且， 由于在每个处理室中被输送的第一基板保持件和第二基板保持件被固定在 所述处理室中的预定位置， 因此能够提高布置基板 / 掩膜的可靠性。 00。
16、17 而且， 由于当在一个处理线路上对一个基板执行膜沉积时， 在另一处理线路上执 行相对于另一基板的基板输送和基板 / 掩膜布置， 因此能够减少准备时间， 这进一步提高 了生产率。 0018 另外， 由于基板在水平位置中被输送以防止基板损坏并且在处于竖直地立起状态 下的基板上执行膜沉积， 因此减少基板掉落， 这有利于装置的制造。 附图说明 0019 图 1 是示出根据一实施方式的膜沉积系统的平面图。 0020 图 2 是示出包括在图 1 的膜沉积系统中的膜沉积设备的平面图。 0021 图3是用于说明其中第一基板保持件或第二基板保持件在包括于图1的膜沉积系 统中的膜沉积设备中沿一方向行进的过程的。
17、图。 0022 图4示出当第一基板保持件或第二基板保持件由图3所示的膜沉积设备中的固定 单元固定时的状态。 0023 图5示出当第一基板保持件或第二基板保持件的行进由图3所示的膜沉积设备中 的行进控制单元引导时的状态。 0024 图 6 是用于说明行进控制单元在图 3 所示的膜沉积设备中操作的过程的图。 0025 图 7 至图 12 是用于说明根据一实施方式的膜沉积系统的单元处理的平面图。 具体实施方式 0026 根据本发明， 提供了一种膜沉积设备， 该膜沉积设备包括 ： 室， 在该室中形成反应 空间 ； 第一基板保持件和第二基板保持件， 所述第一基板保持件和所述第二基板保持件构 造成在其中容。
18、纳基板并且彼此间隔开 ； 沉积源， 该沉积源设置在所述第一基板保持件和所 述第二基板保持件之间， 以向所述基板供应沉积材料 ； 以及固定单元， 当所述基板分别容纳 说 明 书 CN 103097568 A 5 3/7 页 6 在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件中时， 该固定单元使得所述第一基板保持件 和所述第二基板保持件固定在所述室中的预定位置处预定时间。 0027 根据本发明， 提供了一种膜沉积系统， 该膜沉积系统包括多个单元、 以及第一处理 线路和第二处理线路， 所述第一处理线路和所述第二处理线路分别安装在所述多个单元 中， 其中， 所述多个单元中的至少一个单元包括 ： 第一基板保持。
19、件， 该第一基板保持件形成 所述第一处理线路 ； 第二基板保持件， 该第二基板保持件形成所述第二处理线路并且与所 述第一基板保持件间隔开 ； 以及沉积源， 该沉积源设置在所述第一基板保持件和所述第二 基板保持件之间， 以向所述基板供应沉积材料。 0028 本发明的实施方式 0029 在下文中参照附图更全面地描述本发明， 在附图中示出了本发明的示例性实施方 式。 然而， 本发明可以以许多不同的形式实施， 因此不应被视为局限于本文所阐述的示例性 实施方式。 而且， 提供这些示例性实施方式使得本公开内容变得完整， 并且将向本领域技术 人员全面传达本发明的范围。在附图中， 层和区域的尺寸和相对尺寸为了。
20、清楚起见而可能 被放大。附图中相同的附图标记表示相同的元件。 0030 参照图1和图2， 该膜沉积系统是基于直列式架构， 其中， 多个单元200和600在作 为前部台架的加载单元 110 和作为后部台架的卸载单元 120 之间沿直线排列。这里， 每个 单元 200 和 600 均包括两个处理线路 PL1 和 PL2 （在下文中， 被称为第一处理线路和第二处 理线路） 。能够在第一处理线路 PL1 和第二处理线路 PL2 上连续地执行单元处理， 使得在第 一处理线路 PL1 上执行单元处理时在第二处理线路 PL2 上进行用于单元处理的准备。 0031 加载单元 110 用于接收在大气压力下经受预。
21、处理的基板 G 并且将基板 G 放入处于 真空状态下的处理单元中。卸载单元 120 用于从处理单元 263 接收经受一系列单元处理的 基板 G， 并且在大气压力下引出基板 G 以用于后处理。因而， 加载单元 110 和卸载单元 120 被构造成允许在大气状况和真空状况之间转换。另外， 加载单元 110 和卸载单元 120 均可 以被连接到图中未示出的诸如机器人臂的基板搬运装置和诸如基板盒的基板装载装置。 0032 单元 200 和 600 包括多个用于执行单元处理的处理单元 （200 ： 210， 220， 230， 240， 250， 260） 和插设在处理单元 200 之间的多个减振器 （。
22、600 ： 610， 620） 。减振器 600 提供在基 板 G 进入下一处理之前基板 G 临时停放所在的临时空间。而且， 每个处理单元 200 的一端 均连接到第一掩膜容纳单元310， 以将第一沉积掩膜M1供应到第一处理线路PL1上。 而且， 每个处理单元 200 的另一端均连接到第二掩膜容纳单元 320， 以将第二沉积掩膜 M2 供应到 第二处理线路 PL2 上。第一掩膜容纳单元 310 和第二掩膜容纳单元 320 分别存储将用于膜 沉积的沉积掩膜 M1 和 M2 或者将取代沉积掩膜 M1 和 M2 的额外沉积掩膜。然而， 第一掩膜 容纳单元 310 和第二掩膜容纳单元 320 可以是与。
23、每个处理单元 200 连接的单个共享的掩膜 容纳单元。另外， 用于向沉积源 540 供应材料的供给器可以连接到单元 200 和 600 中的一 些单元。 0033 单元 200 构造成对基板 G 进行一系列装置处理。例如， 当前实施方式构造成在 预先形成有空穴的基板 G 上顺序地堆叠空穴注入层 （HIL） 、 空穴输送层 （HTL） 、 发光材料 层 （EML） 、 电子输送层 （ETL） 、 电子注入层 （EIL）以及负电极， 因此形成有机发光二极管 （OLED） 。为此， HIL 形成单元 210、 HTL 形成单元 220、 EML 形成单元 230、 ETL 形成单元 240、 EIL。
24、 形成单元 250 以及负电极形成单元 260 沿直线连接。EML 形成单元 230 可以进一步包 说 明 书 CN 103097568 A 6 4/7 页 7 括蓝色 EML 形成单元 231、 绿色 EML 形成单元 232 和红色 EML 形成单元 233， 以显示自然色， 并且负电极形成单元260可以进一步包括多个负电极形成单元261、 262和263， 以形成呈多 层结构的负电极。 0034 包括在具有上述结构的膜沉积系统中的多个装置中的至少一个装置可以是膜沉 积设备 200， 并且在下文中， 将参照图 2 详细地描述膜沉积设备 200 的结构。 0035 膜沉积设备 200 包括室。
25、 100、 第一基板保持件 520、 第二基板保持件 530、 沉积源 540 以及固定单元 10（参见图 3） 。 0036 室 100 可以具有六面体形状。室 100 中包含用于处理基板 G1 和 G2 的反应空间。 室 100 包括沿着第一处理线路对准的第一基板入口 511a、 第一基板保持件 520 和第一基板 出口 512a。室 100 还包括也沿着第二处理线路对准的第二基板入口 511b、 第二基板保持件 530和第二基板出口512b。 第一基板入口511a和第二基板入口511b形成在室100的壁中， 并且彼此间隔开。第一基板出口 512a 和第二基板出口 512b 形成在室 10。
26、0 的与形成第一基 板入口 511a 和第二基板入口 511b 的室壁相对的另一壁中， 并且第一基板出口 512a 和第二 基板出口 512b 也彼此间隔开。第一基板入口 511a 和第二基板入口 511b 以及第一基板出 口 512a 和第二基板出口 512b 可以是狭缝阀。 0037 第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 均包括 ： 支承板 521， 该支承板用于支 承基板G1或G2的背面侧 ； 夹子522， 该夹子附接到支承板521以固定基板G1或G2 ； 以及驱 动单元 （未示出） ， 该驱动单元用于竖直地立起支承板 521 或者将支承板水平放置。与当前 实施方式不同， 如。
27、果基板G1和G2在其竖直地立起状态下放入单独的处理单元210、 22、 230、 240、 250 和 260 中， 则可以不需要该驱动单元。 0038 在支承板521内或其下方可以设置温度控制单元523， 使得安装在支承板521上的 基板 G1 或 G2 能够保持在适于处理的温度。温度控制单元 523 可以是用于冷却基板 G1 或 G2的冷却单元、 用于加热基板G1或G2的加热单元、 或者它们的组合。 当前实施方式通过利 用冷却单元将基板 G1 和 G2 保持在处理温度而改善了基板 G1 和 G2 与沉积在该基板 G1 和 G2 的上表面上的沉积材料之间的反应性。 0039 夹子 522 夹。
28、持基板 G1 和 G2 的边缘， 以在将水平地安装在支承板 521 上的基板 G1 和 G2 竖直地立起时防止该基板 G1 和 G2 移动。在当前实施方式中， 均具有预定沉积图案的 沉积掩膜 M1 和 M2 分别形成在基板 G1 和 G2 上， 以在基板 G1 和 G2 上形成薄膜图案。因而， 夹子 522 可以构造成将基板 G1 和 G2 以及沉积掩膜 M1 和 M2 全部牢固地固定在支承板 521 上。 0040 第一基板保持件520和第二基板保持件530构造成在其中分别容纳基板G1和G2。 而且， 第一基板保持件520和第二基板保持件530在同一竖直面上彼此间隔开预定距离， 使 得当第一。
29、基板保持件520和第二基板保持件530中的任何一个基板保持件旋转而处于其水 平位置或竖直位置时， 该基板保持件既不与另一个基板保持件接触也不彼此影响。 0041 沉积源 540 设置在第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 之间。详细地， 沉 积源 540 定位成面向基板 G1 和 G2 中的旋转成处于竖直位置以进行沉积处理的那个基板， 并且沉积源 540 用于朝向基板 G1 或 G2 的面对表面 （即， 沉积表面） 供应蒸发材料。沉积源 540 具有图中未示出的用于存储材料的室、 用于使材料蒸发的加热单元、 以及用于分配蒸发 材料的分配器。沉积源 540 可以是点式沉积源、 线式沉。
30、积源或面式沉积源。在当前实施方 说 明 书 CN 103097568 A 7 5/7 页 8 式中， 沉积源 540 是点式沉积源， 其中， 多个点式沉积源 541 和 542 沿直线排列。点式沉积 源540借助往复式驱动单元而沿左右方向移动和返回， 以将材料均匀地分配在基板G1或G2 的表面上。在该基板 G1 或 G2 竖直立起时执行将材料分配在基板 G1 或 G2 上的过程。为了 将基板 G1 和 G2 保持处于竖直位置， 第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 将基板 G1 和 G2 支承为与地面垂直。 0042 具体地， 沉积源 540 构造成将其分配方向相对于第一基板保持件。
31、 520 旋转 180， 以将材料分配到第二基板保持件 530 ； 或者沿相反方向旋转 180， 以将材料分配到第一基 板保持件 520。因而， 能够使用单个沉积源 540， 以用于在单个设备中安装的两条处理线路。 0043 现在， 在下文中将参照图 1 示意性地描述由具有上述结构的膜沉积系统执行的膜 沉积处理。 0044 首先， 将借助预处理已形成有正电极的基板G在大气压力下放入加载单元110中， 并且加载单元 110 变成真空状态。然后， 将基板 G 顺序地放入处理单元 210、 220、 230、 240、 250 和 260 中， 以沿着被交替地选择的第一处理线路和第二处理线路执行一系。
32、列单元处理。 换言之， 基板 G 在真空状态下被顺序地放入 HIL 形成单元 210、 HTL 形成单元 220、 蓝色 IML 形成单元 231、 绿色 EML 形成单元 232 以及红色 EML 形成单元 233 中。因而， 在各基板 G 的 正电极上顺序地形成 HIL、 HTL 和 EML。接着， 将基板 G 顺序地放入 ETL 形成单元 240、 EIL 形 成单元 250 以及负电极形成单元 261、 262 和 263 中。结果， 在各基板 G 的 EML 上形成 ETL、 EIL 和多个负电极， 从而形成 OLED。之后， 将所形成的基板 G 输送到卸载单元 120 并然后在 大。
33、气压力下在外部排出。 0045 同时， 参照图 3 和图 4， 膜沉积设备可包括固定单元 10。当容纳有基板 G 的第一基 板保持件 520 和第二基板保持件 530 被输送到室中时， 第一基板保持件 520 和第二基板保 持件 530 在室内的预定位置处由固定单元 10 捕获， 并且被固定在该预定位置处预定时间 段。该预定位置是容纳在第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 中的基板 G 与掩膜精 确对准所在的位置。因而， 可以根据制造商的设计而在各基板上形成正确的膜图案。 0046 基板与掩膜之间的精确对准任选地由诸如电荷耦合装置 （CCD） 、 互补式金属氧化 物半导体 （CMO。
34、S） 之类的图像拾取装置来执行。在上述的当前实施方式中， 由于容纳有基板 G 的第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 在预定位置处由固定单元 10 稳定地固定， 因此实现基板 G 和掩膜之间的稳定对准。 0047 同时， 固定单元 10 可包括固定部 11 和升降部 12。固定部 11 捕获升降部 12， 使得 该升降部 12 通过固定部 11 插入第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 的底部中。升 降部 12 的至少一部分形成为当第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 固定在预定位 置时插入固定部 11 中。升降部 12 可包括液压缸。另选地， 升降部 12。
35、 可包括线性马达。 0048 固定部 11 可以形成为锥形形状。升降部 12 的末端也可以形成为锥形形状， 以被 容纳在固定部 11 中。另选地， 固定部 11 可以形成为柱形形状， 并且在该情况下， 升降部 12 的末端可以形成为半球形， 以容易被插入固定部 11 中或从该固定部 11 抽出。 0049 同时， 参照图 5 和图 6， 膜沉积设备可进一步包括多个行进控制单元 20。这些行进 控制单元限制第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 沿预定方向的行进。 0050 各行进控制单元 20 可包括引导部 21 和驱动部 22。这些引导部 （均为 21） 定位成 与第一基板保持件 。
36、520 和第二基板保持件 530 中的每个的两侧相邻， 以引导第一基板保持 说 明 书 CN 103097568 A 8 6/7 页 9 件 520 和第二基板保持件 530 的行进。驱动部 22 使得引导部 21 靠近或远离第一基板保持 件 520 和第二基板保持件 530 移动。各驱动 22 均可以为线性马达。另选地， 驱动部 22 可 以是液压缸。 0051 引导部 21 可以是多个辊， 这些辊在第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 中 的每个的两则处沿着一个边缘布置。当将第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 放入 到室中以使得在基板上分配沉积材料时， 这些辊借助。
37、驱动部 22 移动成靠近于第一基板保 持件520和第二基板保持件530。 辊之间的间隔的最大值可以被适当地设定， 以防止第一基 板保持件 520 和第二基板保持件 530 过分倾斜而偏离辊。辊之间的间隔的最小值被设定成 比第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 中的每个的厚度均略窄。 0052 通过借助多个辊来移动第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530， 能够实现第 一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 的稳定的移动。而且， 多个辊用于在将沉积材料 沉积在基板G上时稳定地保持第一基板保持件520和第二基板保持件530， 由此抵抗相邻元 件的振动。因此， 能够改善在。
38、基板上沉积沉积材料方面的可靠性。 0053 另外， 由于在基板 G 与掩膜对准时第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 的 上部由行进控制单元 20 保持， 因此能够实现稳定的对准。 0054 同时， 可以在第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 的底部的下方设置输送 辊 30。输送辊 30 布置在每个室 （未示出） 中。输送辊 30 用于使第一基板保持件 520 和第 二基板保持件 530 沿一方向移动。然而， 还可以在第一基板保持件 520 和第二基板保持件 530 的底部的下方设置输送带而不是该输送辊 30。 0055 同时， 在膜沉积处理中， 各基板 G 均在垂直于。
39、地面的竖直地立起位置中被输送。然 而， 各基板 G 还可以在平行于地面的水平位置中被输送。当基板 G 在平行于地面的水平位 置中被输送时， 需要将基板 G 在单独的处理单元 210、 220、 230、 240、 250 和 260 中水平地立 起的处理。以下将参照图 7 至图 12 详细地描述该过程。图 7 至图 12 是用于说明根据一实 施方式的膜沉积系统的单元处理的平面图。 0056 如图7所示， 在其水平位置从第一处理线路被输送的第一基板G1通过第一基板入 口 511a 被放入处理单元 200 中， 然后将第一基板 G1 安装在水平地放置的第一基板保持件 520的支承板上。 接着， 从。
40、与处理单元200连接的第一腌膜容纳单元310提供第一沉积掩膜 M1， 并且将第一沉积掩膜 M1 放置在第一基板 G1 上 （图 8） 。然后， 如图 8 所示， 第一基板保持 件 520 的夹子 522 夹持基板 G1 和第一沉积掩膜 M1， 然后将第一基板保持件 520 旋转 90 而处于竖直状态。因而， 第一基板 G 的表面面对沉积源 540 的分配方向。当沉积源 540 朝 向第一基板 G1 分配蒸发材料时， 执行在第一基板 G1 上沉积膜的第一膜沉积处理。 0057 如图 9 所示， 在将第一基板 G1 放入处理单元 200 时或之后， 在其水平位置从第二 处理线路被输送的第二基板 G。
41、2 通过第二基板入口 511b 被放入处理单元 200 中。将第二基 板 G2 安装在水平地放置的第二基板保持件 530 的支承板上， 并且从与处理单元 200 连接的 第二腌膜容纳单元 320 供应第二沉积掩膜 M2（参见图 10） ， 然后将第二沉积掩膜 M2 放置并 设置在第二基板 G2 上。接着， 如图 10 所示， 当第二基板保持件 530 的夹子 512 夹持第二基 板 G2 和第二沉积掩膜 M2 时， 将第二基板保持件 530 旋转 90而处于竖直状态。这里， 可以 在第一膜沉积处理时间段执行沉积 / 布置第二基板 G2 和第二沉积掩膜 M2 的处理， 以使准 备时间最短并且提高。
42、生产率。 说 明 书 CN 103097568 A 9 7/7 页 10 0058 接着， 如图11所示， 当第一膜沉积处理完成时， 沉积源540的沉积方向相对于第一 基板保持件 520 旋转 180。因而， 沉积源 540 的分配方向面对第二基板 G2 的表面， 并且 当沉积源 540 在第二基板 G2 的表面上分配蒸发材料时， 执行在第二基板 G2 上沉积膜的第 二膜沉积处理。同时， 如图 12 所示， 在执行第二膜沉积处理时， 第一基板保持件 520 返回到 其水平状态并且第一沉积膜 M1 与第一基板 G1 分离。之后， 第一基板 G1 通过第一基板出口 512a 被排出， 然后被置于下。
43、一个单元处理。同时， 在第一膜沉积处理和第二膜沉积处理之 后与第一基板 G1 分离的第一沉积掩膜 M1 以及与第二基板 G2 分离的第二沉积掩膜 M2 都停 留在对应单元中以用于随后的沉积处理， 并且第一沉积掩膜 M1 和第二沉积掩膜 M2 当其由 于遭受污染、 破裂等而必须被更换时被输送到第一掩膜容纳单元 310 和第二掩膜容纳单元 320 并且然后被引出。之后， 第一沉积掩膜 M1 和第二沉积掩膜 M2 通过清洗、 修复等被重新 使用。然而， 第一掩膜容纳单元 310 和第二掩膜容纳单元 320 还可以包含将用于更换使用 后的沉积掩膜的附加沉积掩膜。 0059 这样， 由于根据上述实施方式。
44、的膜沉积系统允许设置在单独的处理单元 210、 220、 230、 240、 250 和 260 中的单个沉积源 540 在安装于单独的处理单元 210、 220、 230、 240、 250 和 260 中的多条处理线路 PL1 和 PL2 上执行连续的膜沉积处理， 因此能够实现成本的降低 和生产率的提高。此外， 由于当在一条处理线路上对一个基板执行膜沉积时在另一条处理 线路上执行另一基板输送和相对于另一基板的基板 / 掩膜布置， 因而能够减少准备时间， 这进一步提高了生产率。 0060 以上已描述了多个实施例。然而， 应理解的是可以进行各种修改。例如， 如果所描 述的技术以不同的顺序执行和。
45、 / 或如果在所描述的系统、 架构、 装置或回路中的部件以不 同的方式组合和 / 或由其它部件或它们的等同物取代或增补， 则也可以实现适当的结果。 因而， 其它实施方式处于下述权利要求的范围内。 0061 产业应用性 0062 根据本发明的薄膜沉积设备和薄膜沉积系统用于制造有机发光二极管。 说 明 书 CN 103097568 A 10 1/7 页 11 图 1 说 明 书 附 图 CN 103097568 A 11 2/7 页 12 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 103097568 A 12 3/7 页 13 图 4 图 5 说 明 书 附 图 CN 103097568 A 13 4/7 页 14 图 6 图 7 说 明 书 附 图 CN 103097568 A 14 5/7 页 15 图 8 图 9 说 明 书 附 图 CN 103097568 A 15 6/7 页 16 图 10 图 11 说 明 书 附 图 CN 103097568 A 16 7/7 页 17 图 12 说 明 书 附 图 CN 103097568 A 17 。