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1、(10)申请公布号 CN 102994958 A (43)申请公布日 2013.03.27 CN 102994958 A *CN102994958A* (21)申请号 201210544335.0 (22)申请日 2012.12.14 C23C 14/24(2006.01) (71)申请人 深圳先进技术研究院 地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学 城学苑大道 1068 号 申请人 香港中文大学 (72)发明人 张撷秋 肖旭东 陈旺寿 宋建军 刘壮 顾光一 杨春雷 (74)专利代理机构 广州华进联合专利商标代理 有限公司 44224 代理人 刘诚 吴平 (54) 发明名称 热蒸发镀膜设。
2、备的热蒸发源 (57) 摘要 一种热蒸发镀膜设备的热蒸发源， 包括用于 沉积薄膜的衬底、 用于装载蒸发材料的坩埚， 及用 于加热所述坩埚的加热组件 ； 所述坩埚上设有多 个与所述衬底相对的喷嘴， 所述多个喷嘴中的每 两个相邻喷嘴之间的距离不全相等。采用非均匀 分布的喷嘴排列方式， 改变了每个喷嘴喷射到衬 底平面上的位置， 而衬底上的总的喷射材料是各 个喷嘴喷射材料的叠加， 从而改善蒸发镀膜的均 匀性。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 5 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 5 页 附图 2 页 1/1 页。
3、 2 1. 一种热蒸发镀膜设备的热蒸发源， 包括用于沉积薄膜的衬底、 用于装载蒸发材料的 坩埚， 及用于加热所述坩埚的加热组件 ； 其特征在于， 所述坩埚上设有多个与所述衬底相对 的喷嘴， 所述多个喷嘴中的每两个相邻喷嘴之间的距离不全相等。 2. 根据权利要求 1 所述的热蒸发镀膜设备的热蒸发源， 其特征在于， 每个喷嘴的高度 与所述喷嘴的开口宽度相等。 3. 根据权利要求 1 所述的热蒸发镀膜设备的热蒸发源， 其特征在于， 所述多个喷嘴沿 直线依次间隔排列， 且每个喷嘴到所述衬底的距离相等。 4. 根据权利要求 3 所述的热蒸发镀膜设备的热蒸发源， 其特征在于， 所述多个喷嘴的 数量为奇数，。
4、 所述多个喷嘴以中间的一个喷嘴的轴线为对称轴镜像分布。 5. 根据权利要求 4 所述的热蒸发镀膜设备的热蒸发源， 其特征在于， 靠近中间的两个 喷嘴之间的距离比靠近边缘的两个喷嘴之间的距离大。 6. 根据权利要求 5 所述的热蒸发镀膜设备的热蒸发源， 其特征在于， 所述衬底与所述 多个喷嘴之间的距离为20cm， 所述多个喷嘴的数量为13个， 所述13个喷嘴之间的距离比依 次为 3.7 ： 3.9 ： 4.1 ： 4.3 ： 4.5 ： 4.7 ： 4.7 ： 4.5 ： 4.3 ： 4.1 ： 3.9 ： 3.7。 7. 根据权利要求 5 所述的热蒸发镀膜设备的热蒸发源， 其特征在于， 所述衬。
5、底与所述 多个喷嘴之间的距离为30cm， 所述多个喷嘴的数量为11个， 所述13个喷嘴之间的距离比依 次为 3 ： 4 ： 5 ： 6 ： 7 ： 7 ： 6 ： 5 ： 4 ： 3。 8. 根据权利要求 4 所述的热蒸发镀膜设备的热蒸发源， 其特征在于， 所述衬底与所 述多个喷嘴之间的距离为 20cm， 设所述衬底的宽度为 f， 所述多个喷嘴的数量为 11 个， 所述 11 个喷嘴之间的距离比依次为 0.1f ： 0.1f ： (0.05f+5) ：（0.9f+1.6） ：（0.9f+1.6） ： （0.9f+1.6） ：（0.9f+1.6） ： (0.05f+5) ： 0.1f ： 0.1。
6、f。 9. 根据权利要求 4 所述的热蒸发镀膜设备的热蒸发源， 其特征在于， 所述衬底与所 述多个喷嘴之间的距离为 30cm， 设所述衬底的宽度为 f， 所述多个喷嘴的数量为 11 个， 所 述 11 个喷嘴之间的距离比依次为 3 ： 3 ： (0.2f+2) ：（0.05f+4） ：（0.05f+4） ：（0.05f+4） ： （0.05f+4） ： (0.2f+2) ： 3 ： 3。 10. 根据权利要求 1 所述的热蒸发镀膜设备的热蒸发源， 其特征在于， 所述衬底的材料 为玻璃、 聚合物、 金属、 半导体或陶瓷。 权 利 要 求 书 CN 102994958 A 2 1/5 页 3 热蒸。
7、发镀膜设备的热蒸发源 技术领域 0001 本发明涉及真空镀膜设备， 特别是涉及一种热蒸发镀膜设备的热蒸发源。 背景技术 0002 热蒸发镀膜法是在真空环境中利用电流加热、 电子束加热、 或激光加热等方法使 蒸发材料变成团簇、 分子或原子， 以较大的自由程作近自由运动， 当这些自由运动的分子或 原子碰撞到温度较低的基片， 就在基片上凝结下来， 沉积覆盖在基片上形成薄膜。 热蒸发镀 膜法具有纯度高、 结晶好的优点， 常用于金属薄膜、 半导体薄膜、 薄膜太阳能电池材料的生 产制作。 0003 容纳并加热蒸发材料的装置被称为热蒸发源。根据热蒸发源的几何结构不同， 可 分为点蒸发源， 面蒸发源和束源炉。。
8、 点蒸发源的特点是蒸汽分布在空间各方向呈均匀分布， 而面蒸发源的蒸汽只向一半的空间分布， 束源炉则是有坩埚， 而蒸发材料只从坩埚上的开 口喷射出来。 和点蒸发源以及面蒸发源相比， 束源炉具有束流稳定、 方向可调、 分布定向、 节 省原材料的特点， 常用对薄膜厚度以及材料稳定性要求较高的场合， 比如在实验室中对材 料性质要求较高的小尺寸样品， 通常样品的尺寸不超过 10cm。 0004 请参阅图 1， 所示为传统的具有独立喷嘴的束源炉的蒸发束流分布示意图。其中， 101 衬底， 102 是坩埚， 103 是固态或熔化的蒸发材料， 104 是蒸发材料的蒸气， 105 是喷嘴的 高度l， 106是喷。
9、嘴的开口尺寸d， 107是喷口位置到衬底的垂直距离h， 同时也是喷嘴的蒸发 束流的中轴线， 108 和 109 分别是衬底上任意沉积点相对于喷口的距离 r 和斜角 ， 110 是 此喷嘴在衬底上沉积薄膜的厚度沿纸面上的分布曲线。在蒸发过程中， 衬底 101 沿垂直于 纸面的方向移动， 喷嘴喷射出来的蒸发材料在沉积到衬底 101。从图 1 可以看出， 单一喷嘴 在衬底上的沉积薄膜的厚度中间高， 两边低， 不够均匀。 0005 在生产型的产业线中， 衬底的尺寸通常较大， 需要蒸发源的蒸发覆盖面积较大， 一 般镀膜区间不小于 30cm， 并且对均匀性和蒸发过程的稳定可控性要求较高， 还需要较高的 蒸。
10、发速率提高产率。目前均匀排列的多个热蒸发源喷嘴无法保证薄膜的均匀性要求。 发明内容 0006 基于此， 有必要提供一种沉积镀膜的均匀性较好的热蒸发镀膜设备的热蒸发源。 0007 一种热蒸发镀膜设备的热蒸发源， 包括用于沉积薄膜的衬底、 用于装载蒸发材料 的坩埚， 及用于加热所述坩埚的加热组件 ； 所述坩埚上设有多个与所述衬底相对的喷嘴， 所 述多个喷嘴中的每两个相邻喷嘴之间的距离不全相等。 0008 在其中一个实施例中， 每个喷嘴的高度与所述喷嘴的开口宽度相等。 0009 在其中一个实施例中， 所述多个喷嘴沿直线依次间隔排列， 且每个喷嘴到所述衬 底的距离相等。 0010 在其中一个实施例中，。
11、 所述多个喷嘴的数量为奇数， 所述多个喷嘴以中间的一个 喷嘴的轴线为对称轴镜像分布。 说 明 书 CN 102994958 A 3 2/5 页 4 0011 在其中一个实施例中， 靠近中间的两个喷嘴之间的距离比靠近边缘的两个喷嘴之 间的距离大。 0012 在其中一个实施例中， 所述衬底与所述多个喷嘴之间的距离为 20cm， 所述多个喷 嘴的数量为 13 个， 所述 13 个喷嘴之间的距离比依次为 3.7 ： 3.9 ： 4.1 ： 4.3 ： 4.5 ： 4.7 ： 4.7 ： 4.5 ： 4.3 ： 4.1 ： 3.9 ： 3.7。 0013 在其中一个实施例中， 所述衬底与所述多个喷嘴之间。
12、的距离为 30cm， 所述多个喷 嘴的数量为 11 个， 所述 13 个喷嘴之间的距离比依次为 3 ： 4 ： 5 ： 6 ： 7 ： 7 ： 6 ： 5 ： 4 ： 3。 0014 在其中一个实施例中， 所述衬底与所述多个喷嘴之间的距离为 20cm， 设所述衬底 的宽度为f， 所述多个喷嘴的数量为11个， 所述11个喷嘴之间的距离比依次为0.1f ： 0.1f ： (0.05f+5) ：（0.9f+1.6） ：（0.9f+1.6） ：（0.9f+1.6） ：（0.9f+1.6） ： (0.05f+5) ： 0.1f 0.1f。 0015 在其中一个实施例中， 所述衬底与所述多个喷嘴之间的距离。
13、为 30cm， 设所述衬 底的宽度为 f， 所述多个喷嘴的数量为 11 个， 所述 11 个喷嘴之间的距离比依次为 3 ： 3 ： (0.2f+2) ：（0.05f+4） ：（0.05f+4） ：（0.05f+4） ：（0.05f+4） ： (0.2f+2) ： 3 ： 3。 0016 在其中一个实施例中， 所述衬底的材料为玻璃、 聚合物、 金属、 半导体或陶瓷。 0017 采用非均匀分布的喷嘴排列方式， 改变了每个喷嘴喷射到衬底平面上的位置， 而 衬底上的总的喷射材料是各个喷嘴喷射材料的叠加， 从而改善蒸发镀膜的均匀性。 附图说明 0018 图 1 为传统的具有独立喷嘴的热蒸发源的蒸发束流分。
14、布示意图 ； 0019 图 2 为一实施方式的热蒸发镀膜设备的热蒸发源的蒸发束流分布示意图 ； 0020 图 3 为另一实施方式的热蒸发镀膜设备的热蒸发源的蒸发束流分布示意图。 具体实施方式 0021 为使本发明的上述目的、 特征和优点能够更加明显易懂， 下面结合附图对本发明 的具体实施方式做详细的说明。 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发 明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施， 本领域技术人员可以在不 违背本发明内涵的情况下做类似改进， 因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。 0022 请参阅图 2， 一实施例的热蒸发镀膜设备的热蒸发源包括用于沉积薄膜的衬。
15、底 201、 用于装载蒸发材料 204 的坩埚 203， 及用于加热坩埚 203 的加热组件 202。坩埚 203 的 顶部设有多个与衬底 201201 相对的喷嘴 207。 0023 衬底 201 大致为方形平板， 其可以在沿与纸面垂直的方向上移动。衬底 201 的宽 度即为镀膜的幅宽。衬底 201 的材料， 包括但不限于玻璃、 聚合物箔材、 铁或钛等金属箔材、 晶体硅等半导体材料， 氧化铝等陶瓷衬底。 0024 坩埚 203 的形状为方形或圆形的盒体， 其收容在加热组件 202 内。坩埚 203 和喷 嘴 207 的材料为高温难熔金属。坩埚 203 和喷嘴 207 的最高加热温度为 150。
16、0 C， 由热电 偶监控并反馈给可控加热电源。 0025 蒸发材料 204 包括但不限于金、 银、 铜、 铟、 镓、 锌、 锡、 等金属， 以及硒、 硫、 磷等非 金属， 以及有机化合物或者氟化钠、 氟化镁、 氧化硅等无机化合物。可用于本发明中的线源 结构可蒸镀金属薄膜或化合物薄膜， 或用于共蒸发制备半导体化合物材料 （包括但不限于 说 明 书 CN 102994958 A 4 3/5 页 5 铜铟镓硒、 铜铟镓硫、 铜铟镓硒硫， 铜锌锡硫等） ， 或者蒸镀光学薄膜 （氟化钠、 氟化镁、 氧化 硅等） ， 或用于蒸镀有机或无机发光材料 （LED或OLED制备） 。 蒸发材料204受热蒸发形成蒸。
17、 汽 205， 从喷嘴 207 喷出。 0026 加热组件 202 外还可以设置一层或多层用于隔绝热量的屏蔽罩 （图未示） ， 用以减 少热量从加热组件向外发散， 降低加热功率。 0027 每个喷嘴 207 的形状为圆柱形或正方形。每个喷嘴 207 的高度与喷嘴 207 的开口 宽度大致相等， 这样每个喷嘴的喷射束流角度分布比较适中， 不是太发散， 也不是太集中， 容易实现较好的均匀性。多个喷嘴 207 在坩埚 203 的顶部沿直线依次间隔排列， 且每个喷 嘴 207 到衬底 201 的距离相等。每个喷嘴 207 的周围还设有加热器和屏蔽罩组件 206。这 样能够较好的保持了喷嘴的温度， 防止。
18、蒸发材料蒸汽 205 在喷嘴处凝结， 提高了镀膜的稳 定性。 0028 多个喷嘴 207 中的每两个相邻喷嘴 207 之间的距离不全相等， 即至少有两个相邻 喷嘴 207 之间的距离与其他两个相邻喷嘴 207 之间的距离不等。采用这种非均匀分布的喷 嘴排列方式， 改变了每个喷嘴喷射到衬底平面上的位置， 而衬底上的总的喷射材料是各个 喷嘴喷射材料的叠加， 从而改善蒸发镀膜的均匀性。 0029 本实施例中， 喷嘴 207 的数量为 11 或 13 个， 且 11 或 13 个喷嘴以最中间的一个喷 嘴的轴线 210 为对称轴镜像分布。这 11 个喷嘴 207 两两之间的距离从左到右依次为 d5、 d。
19、4、 d3、 d2、 d1、 d1、 d2、 d3、 d4、 d5。本申请中， 两个喷嘴之间的距离被定义为两个喷嘴的中 心线的最小距离。由图 2 可以看出， 靠近中间的两个喷嘴 207 之间的距离比靠近边缘的两 个喷嘴之间的距离大， 即 d1d2d3d4d5。 0030 上述五个距离和以下参数有关 ： 衬底 201 和喷嘴 207 间距 208 ； 衬底 201 的宽度。 0031 衬底上的沉积速率是把每个喷嘴对衬底上的沉积速率累加起来， 衡量喷嘴排列好 坏的主要依据是总的沉积速率的均匀性。 非均匀性定义为镀膜区间沿喷嘴排列方向的沉积 速率最大值和最小值之差与最大值和最小值之和的比值。 以下针。
20、对典型的衬底和喷嘴间距 （20cm、 30cm） ， 以及在热蒸发镀膜中典型的镀膜幅宽 (30cm、 40cm、 50cm、 60cm) 下给出喷嘴 的排列方案以及对应的非均匀性的结果 ： 0032 1衬底和喷嘴间距为 20cm 的情况下， 优化的喷嘴排列方案中， 喷嘴总数为 13， 喷 嘴间的间距比例为 ： 0033 d1:d2:d3:d4:d5:d6=4.7:4.5:4.3:4.1:3.9:3.7 （I） 0034 (1) 衬底和喷嘴间距为 20cm， 镀膜的幅宽为 30cm 的情况下， d1、 d2、 d3、 d4、 d5、 d6 的间距分别为 4.00cm、 3.83cm、 3.66c。
21、m、 3.49cm、 3.32cm、 3.15cm， 最边缘的两个喷嘴的中心 距为 43cm， 沉积速率的非均匀性不超过 3%。 0035 (2) 衬底和喷嘴间距为 20cm， 镀膜的幅宽为 40cm 的情况下， d1、 d2、 d3、 d4、 d5、 d6 的间距分别为 4.7cm、 4.5cm、 4.3cm、 4.1cm、 3.9cm、 3.7cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 50cm， 沉积速率的非均匀性不超过 5%。 0036 (3) 衬底和喷嘴间距为 20cm， 镀膜的幅宽为 50cm 的情况下， d1、 d2、 d3、 d4、 d5、 d6 的间距分别为 5.64cm、 5.4c。
22、m、 5.16cm、 4.92cm、 4.68cm、 4.44cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距 为 60cm， 沉积速率的非均匀性不超过 6%。 0037 (4) 衬底和喷嘴间距为 20cm， 镀膜的幅宽为 60cm 的情况下， d1、 d2、 d3、 d4、 d5 的 说 明 书 CN 102994958 A 5 4/5 页 6 间距分别为 6.35cm、 6.08cm、 5.81cm、 5.54cm、 5.27cm、 5.0cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 68cm， 沉积速率的非均匀性不超过 7%。 0038 2对衬底和喷嘴间距为 30cm 的情况下， 优化的喷嘴排列方案中， 喷嘴总数。
23、为 11， 喷嘴间的间距比例为 ： 0039 d1:d2:d3:d4:d5=7:6:5:4:3 （II） 0040 (1) 衬底和喷嘴间距为 30cm， 镀膜的幅宽为 30cm 的情况下， d1、 d2、 d3、 d4、 d5 的 间距分别为 6.4cm、 5.5cm、 4.6cm、 3.7cm、 2.8cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 46cm， 薄膜 的非均匀性不超过 3%。 0041 (2) 衬底和喷嘴间距为 30cm， 镀膜的幅宽为 40cm 的情况下， d1、 d2、 d3、 d4、 d5 的 间距分别为 7cm、 6cm、 5cm、 4cm、 3cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为。
24、 50cm， 薄膜的非均匀性 不超过 5%。 0042 (3) 衬底和喷嘴间距为 30cm， 镀膜的幅宽为 50cm 的情况下， d1、 d2、 d3、 d4、 d5 的 间距分别为 7.7cm、 6.6cm、 5.5cm、 4.4cm、 3.3cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 55cm， 薄膜 的非均匀性不超过 8%。 0043 (4) 衬底和喷嘴间距为 30cm， 镀膜的幅宽为 60cm 的情况下， d1、 d2、 d3、 d4、 d5 的 间距分别为 8.75cm、 7.5cm、 6.25cm、 5cm、 3.75cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 62.5cm， 薄 膜的非均匀性不超。
25、过 10%。 0044 图 2 中， 209 是喷嘴 207 的喷射束流到达衬底的分布曲线。211 是所有喷嘴的喷射 曲线到达衬底上叠加形成的薄膜厚度的分布曲线。 由此可知， 非均匀性的喷嘴排列方式中， 边缘处的喷嘴排列较密， 可补偿中间主喷射组的沉积速率在边缘处的减小， 和均匀性排列 相比， 非均匀性排列的喷嘴提高了镀膜厚度的均匀性和材料利用率。 0045 可以理解， 公式 I 和公式 II 中的系数和常数可以有改动范围， 但基本排列方案不 变。如果间距介于 10cm 和 20cm 之间， 可采用介于公式 I 和公式 II 之间的渐变排列方式 ； 如果间距介于 20cm 和 30cm 之间，。
26、 可采用介于公式 I 和公式 II 之间的渐变排列方式。 0046 请参阅图 3， 另一实施例的热蒸发镀膜设备的热蒸发源与前述热蒸发源的结构大 致相同， 用于沉积薄膜的衬底 301、 用于装载蒸发材料 304 的坩埚 303， 及用于加热坩埚 303 的加热组件 302。坩埚 303 的顶部设有多个与衬底 301 相对的喷嘴 307， 其区别技术特征在 于， 从中央喷嘴到边上的相邻喷嘴的间距不是逐渐减小的， 而是有增有减的。其中两个 d2 间距用于把喷嘴分成三组， 中央的 5 个喷嘴组成主喷射组， 其中相邻间距为 d1， 两边各有一 组补偿组， 每个组内喷嘴以 d3 等距离分布， 组和组之间以。
27、间距 d2 分开。 0047 和渐变排列方案相比， 喷嘴分组有两个优点 ： 1、 加工简单， 部分喷嘴间距相同和部 分加热屏蔽组件相同减少了加工的难度 ； 2、 分组使各组的功能独立出来， 使得工艺改变时 需要改变的参数从渐变方案中多个间距简化为 3 个特征间距 d1、 d2、 d3， 调节更容易。 0048 1、 对于喷嘴和衬底间距为20cm的情况， 对于衬底301的宽度为f(cm)， 分组喷组方 案中的三个特征间距分别为 （以 cm 为单位） ： 0049 d1=0.09*f+1.6; 0050 d2=0.05*f+5; 0051 d3=0.1*f （III） 0052 按以上特征间距排列。
28、的喷嘴， 其非均匀性均不超过 5%。以镀膜幅宽 30cm， 40cm， 说 明 书 CN 102994958 A 6 5/5 页 7 50cm， 60cm 为例 ： 0053 (1) 衬底和喷嘴间距为 30cm， 镀膜的幅宽为 30cm 的情况下， d1=4.3cm、 d2=6.5cm、 d3=3cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 42cm， 薄膜的非均匀性不超过 3%。 0054 (2) 衬底和喷嘴间距为 30cm， 镀膜的幅宽为 40cm 的情况下， d1=5.2cm、 d2=7cm， d3=4cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 51cm， 薄膜的非均匀性不超过 3%。 0055 (3) 。
29、衬底和喷嘴间距为 30cm， 镀膜的幅宽为 50cm 的情况下， d1=6.1cm、 d2=7.5cm、 d3=5cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 60cm， 薄膜的非均匀性不超过 3%。 0056 (4) 衬底和喷嘴间距为 30cm， 镀膜的幅宽为 60cm 的情况下， d1=7cm、 d2=8cm、 d3=6cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 68cm， 薄膜的非均匀性不超过 5%。 0057 2、 对于喷嘴和衬底间距为30cm的情况， 对于衬底301的宽度f(cm)， 分组喷组方案 中的三个特征间距分别为 （以 cm 为单位） ： 0058 d1=0.05*f+4; 0059 d2=0。
30、.2*f+2; 0060 d3=3 （IV） 0061 按以上特征间距排列的喷嘴， 其非均匀性均不超过 5%。以镀膜幅宽 30cm， 40cm， 50cm， 60cm 为例 ： 0062 (1) 衬底和喷嘴间距为 30cm， 镀膜的幅宽为 30cm 的情况下， d1=5.5cm、 d2=8cm、 d3=3cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 44cm， 薄膜的非均匀性不超过 3%。 0063 (2) 衬底和喷嘴间距为 30cm， 镀膜的幅宽为 40cm 的情况下， d1=6cm、 d2=10cm、 d3=3cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 56cm， 薄膜的非均匀性不超过 3%。 0064 (。
31、3) 衬底和喷嘴间距为 30cm， 镀膜的幅宽为 50cm 的情况下， d1=6.5cm、 d2=12cm、 d3=3cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 62cm， 薄膜的非均匀性不超过 3%。 0065 (4) 衬底和喷嘴间距为 30cm， 镀膜的幅宽为 60cm 的情况下， d1=7cm、 d2=14cm、 d3=3cm， 最边缘的两个喷嘴的中心距为 68cm， 薄膜的非均匀性不超过 5%。 0066 由此可知， 采用分组式间距的排列方式给出高均匀性的线性蒸发源喷嘴分布方 案， 衬底和喷嘴间距从 10cm 到 30cm， 镀膜幅宽从 30cm 到 60cm， 沉积镀膜的非均匀性都不超 过 。
32、5%， 均匀性较好。 0067 可以理解， 公式 III 和公式 IV 中的系数和常数可以有改动范围， 但基本排列方案 不变。如果间距介于 10cm 和 20cm 之间， 可采用介于公式 III 和公式 IV 之间的渐变排列方 式 ； 如果间距介于 20cm 和 30cm 之间， 可采用介于公式 III 和公式 IV 之间的渐变排列方式。 0068 衬底的宽度也不限于 30cm， 40cm， 50cm， 60cm， 可以根据基底和喷嘴之间的间距采 用按公式 I、 公式 II、 公式 III 及公式 IV 或介于这几个公式之间描述的渐变排列方式。 0069 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式， 其描述较为具体和详细， 但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是， 对于本领域的普通技术人员 来说， 在不脱离本发明构思的前提下， 还可以做出若干变形和改进， 这些都属于本发明的保 护范围。因此， 本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。 说 明 书 CN 102994958 A 7 1/2 页 8 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 102994958 A 8 2/2 页 9 图 3 说 明 书 附 图 CN 102994958 A 9 。