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1、(10)申请公布号 CN 104332261 A (43)申请公布日 2015.02.04 CN 104332261 A (21)申请号 201410544191.8 (22)申请日 2014.10.15 H01C 17/12(2006.01) (71)申请人 陕西易阳科技有限公司 地址 710075 陕西省西安市高新区高新路枫 叶高层 35 号 602 室 (72)发明人 张俊 (74)专利代理机构 西安亿诺专利代理有限公司 61220 代理人 刘斌 (54) 发明名称 一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法 (57) 摘要 一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 属于电子 元件的制备领域。对基片。
2、进行处理， 首先用纯净 水冲洗， 用纱布擦净基片表面， 在室温下用铬酸洗 液浸泡， 再用纯净水冲洗， 并用酒精、 丙酮涤荡后， 用四氯化碳、 丙酮和酒精先后各两次超声波清洗 10min ； 采用溅射镀膜的方式在基片上进行镀膜 处理 ； 在薄膜上设置细长条折线。通过对其工艺 的改进， 采用溅射镀膜的方式可使膜与基片的附 着力增强， 膜的纯度高， 重复性好， 成膜速率高， 可 以在较低的温度下制备薄膜。 本发明所述Pt薄膜 热敏电阻的制备方法操作简单， 易于推广。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页。
3、 说明书2页 (10)申请公布号 CN 104332261 A CN 104332261 A 1/1 页 2 1.一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法， 其特征在于包括如下步骤 ：（1） 对基片进行处理， 首先用纯净水冲洗， 用纱布擦净基片表面， 在室温下用铬酸洗液浸泡， 再用纯净水冲洗， 并 用酒精、 丙酮涤荡后， 用四氯化碳、 丙酮和酒精先后各两次超声波清洗 10 min ；（2） 采用溅 射镀膜的方式在基片上进行镀膜处理 ；（3） 在步骤 （2） 完成镀膜的薄膜上设置细长条折线。 2. 如权利要求 1 所述的一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 其特征在于所述步骤 （1） 中 的基片选用微晶玻。
4、璃， 表面粗糙度 Ra 为 0.05 m。 3. 如权利要求 1 所述的一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 其特征在于所述步骤 （2） 中 的靶材使用高纯铂板。 4. 如权利要求 1 所述的一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 其特征在于所述步骤 （1） 中 所述的浸泡时间为 6h。 5. 如权利要求 1 所述的一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 其特征在于所述步骤 （2） 所 述溅射时间为 3-5h。 6. 如权利要求 1 所述的一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 其特征在于所述步骤 （2） 的 工作电压为 2kV， 工作温度为 200。 权 利 要 求 书 CN 104332261 。
5、A 2 1/2 页 3 一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法 技术领域 0001 本发明属于电子元件的制备领域， 尤其涉及一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法。 背景技术 0002 随着科学技术的不断进步， 对于电子产品质量的答复提升， 对于电子元件的制备 工业也提出了新的要求。 Pt薄膜热敏电阻具有尺寸小， 响应快， 易于与集成电路相匹配的特 点， 且测温范围宽、 精度高。在工业、 国防和科学研究工作中有广泛的应用。Pt 薄膜热敏电 阻采用薄膜技术生产。热敏电阻的基底材料可以采用三氧化二铝陶瓷， 二氧化硅， 玻璃， 微 晶玻璃等。 薄膜的制备工艺可以采用真空蒸发镀膜法， 蒸发源通常有电阻加热蒸发。
6、源， 电子 束蒸发源或感应加热式蒸发源。真空蒸发镀膜工艺不能有效利用靶材， 在大量生产时效率 不高。 发明内容 0003 本发明旨在解决上述问题， 提供一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法。 0004 一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 其特征在于包括如下步骤 ：（1） 对基片进行处 理， 首先用纯净水冲洗， 用纱布擦净基片表面， 在室温下用铬酸洗液浸泡， 再用纯净水冲洗， 并用酒精、 丙酮涤荡后， 用四氯化碳、 丙酮和酒精先后各两次超声波清洗 10 min ；（2） 采用 溅射镀膜的方式在基片上进行镀膜处理 ；（3） 在步骤 （2） 完成镀膜的薄膜上设置细长条折 线。 0005 本发明所述的。
7、一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 其特征在于所述步骤 （1） 中的基 片选用微晶玻璃， 表面粗糙度 Ra 为 0.05 m。 0006 本发明所述的一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 其特征在于所述步骤 （2） 中的靶 材使用高纯铂板。 0007 本发明所述的一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 其特征在于所述步骤 （1） 中所述 的浸泡时间为 6h。 0008 本发明所述的一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 其特征在于所述步骤 （2） 所述溅 射时间为 3-5h。 0009 本发明所述的一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 其特征在于所述步骤 （2） 的工作 电压为 2kV， 工作温。
8、度为 200。 0010 本发明所述的 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 通过对其工艺的改进， 采用溅射镀膜 的方式可使膜与基片的附着力增强， 膜的纯度高， 重复性好， 成膜速率高， 可以在较低的温 度下制备薄膜。本发明所述 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法操作简单， 易于推广。 具体实施方式 0011 一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 包括如下步骤 ：（1） 对基片进行处理， 首先用 纯净水冲洗， 用纱布擦净基片表面， 在室温下用铬酸洗液浸泡， 再用纯净水冲洗， 并用酒精、 说 明 书 CN 104332261 A 3 2/2 页 4 丙酮涤荡后， 用四氯化碳、 丙酮和酒精先后各两次超声波清洗。
9、 10 min ；（2） 采用溅射镀膜的 方式在基片上进行镀膜处理， 用荷能粒子轰击靶材， 使靶材表面原子获得足够的能量从表 面逸出。 高能量的溅射原子淀积到基片上形成薄膜， 可使膜与基片的附着力增强， 膜的纯度 高， 重复性好， 成膜速率高， 可以在较低的温度下制备薄膜。 （3） 在步骤 （2） 完成镀膜的薄膜 上设置细长条折线。 0012 本发明所述的一种 Pt 薄膜热敏电阻的制备方法， 所述步骤 （1） 中的基片选用微晶 玻璃， 要求其目检无划痕， 表面粗糙度 Ra 为 0.05 m， 以保证薄膜的连续性。所述步骤 （2） 中的靶材使用高纯铂板， 金属铂具有正的温度系数， 物理化学性质稳。
10、定， 阻温系数的线性较 好， 可以在 190+630范围内有较高的测量精度， 常作为测量的基准。阻温系数 R = (3 85010)10-6。所述步骤 （1） 中所述的浸泡时间为 6h。所述步骤 （2） 所述溅射时间为 3-5h。所述步骤 （2） 的工作电压为 2kV， 工作温度为 200。基片温度的高低对膜的很多性 能都有影响。如膜的附着力、 致密性、 晶粒尺寸、 表面态等。理论上和本项研究试验都表明， 溅射前对基片加热一定时间， 有利于清除基片表面吸附的水气和杂质， 可明显提高膜的附 着力。溅射成膜时， 适当提高基片温度， 有利于薄膜材料原子和基片原子之间的相互扩散， 并且会加速化学反应。这有利于形成扩散附着和通过中间层附着， 提高了膜的附着力。从 薄膜生长的角度看， 适当提高基片的温度可使淀积原子保持一定的能量和沿基片表面的速 度分量， 有利于淀积原子沿基片表面的迁移运动， 增大淀积原子的聚集作用， 利于晶核沿基 片表面方向的生长， 尽快形成连续膜， 使膜表面平整光亮， 使晶粒长大。 说 明 书 CN 104332261 A 4 。