《一种改良的薄膜硅片切割方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《一种改良的薄膜硅片切割方法.pdf（3页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、10申请公布号CN101954674A43申请公布日20110126CN101954674ACN101954674A21申请号201010183116522申请日20100526B28D5/0420060171申请人山东舜亦新能源有限公司地址274300山东省菏泽市单县经济开发区72发明人吴春林应雪倡王丽萍时嘉恒陈献领74专利代理机构济南泉城专利商标事务所37218代理人张贵宾54发明名称一种改良的薄膜硅片切割方法57摘要本发明涉及一种切割方法，特别涉及一种改良的薄膜硅片切割方法。该改良的薄膜硅片切割方法，其特征是在切割硅片过程中使用95M粒径的研磨砂、直径为100M的钢丝及150008M的碳。
2、化硅，从而将硅片厚度由原来的20020M降到16010M，使其出片率在原有的68片/千克基础上增加至74片/千克，减少硅料损耗372，提高了2的出片率。因此，本发明的有益效果是，很大程度地降低了生产成本，提高了生产效率和成品的出片率。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书1页CN101954674A1/1页21一种改良的薄膜硅片切割方法，其特征是在切割硅片过程中使用95M粒径的研磨砂、直径为100M的钢丝及150008M的碳化硅。权利要求书CN101954674A1/1页3一种改良的薄膜硅片切割方法一技术领域0001本发明涉及一种切割方法，特别涉及一。
3、种改良的薄膜硅片切割方法。二背景技术0002随着能源的紧缺及可再生能源的广泛应用，光伏发电越来越多的受到人们的关注，太阳能电池硅片的市场需求量也越来越大。太阳能电池硅片是将方形单晶硅棒切割成薄片而成的，但硅晶材料价格昂贵，尤其在国内硅晶材料极其稀缺，为能够降低太阳能电池硅片的成本，需使一根方形单晶硅棒能够切得更多的硅片，也就是让每片硅片尽量薄，这对硅片的切割技术提出了非常高的要求。现有的硅片切割普遍采用线切割工艺进行加工，该加工技术相对于传统的内圆切割技术具有极高的生产效率，且切割损失小，大大提高了硅材料的利用率。进行硅片的线切割加工，先将截面为圆形的硅棒加工为截面为正方形的硅棒后，再将硅棒的。
4、一面用高粘接强度的粘接胶粘接在一个卡具上进行切割，然后脱胶清洗。现行硅片切割使用的研磨砂不仅出片率低，同时切割的硅片质量指标达不到要求，致使硅材料损失及生产成本居高不下。三发明内容0003本发明为了弥补现有技术的不足，提供了一种低成本高产率的改良的薄膜硅片切割方法。0004本发明是通过如下技术方案实现的0005一种改良的薄膜硅片切割方法，其特殊之处在于在切割硅片过程中使用95M粒径的研磨砂、直径为100M的钢丝及150008M的碳化硅。0006在切割硅片过程中使用更细的95M粒径的研磨砂，使用直径为100M的钢丝替代直径为120M的钢丝切割，使用150008M的碳化硅替代1200095M的碳化。
5、硅进行线切割，从而将硅片厚度由原来的20020M降到16010M，使其出片率在原有的68片/千克基础上增加至74片/千克，减少硅料损耗372，提高了2的出片率，改善了硅片的质量指标。0007因此，本发明的有益效果是，很大程度地降低了生产成本，提高了生产效率和成品的出片率。四具体实施方式0008实施例0009将截面为圆形的硅棒加工为截面为正方形的硅棒后，再将硅棒的一面用高粘接强度的粘接胶粘接在一个卡具上进行切割，在切割硅片的过程中使用95M粒径的研磨砂、直径为100M的钢丝及150008M的碳化硅进行线切割，从而将硅片厚度降到160M，使其出片率增加至74片/千克，减少硅料损耗372，提高了2的出片率，然后脱胶清洗即得到薄膜硅片。说明书。