线圈零件的制造方法.pdf

本发明涉及用作共态扼流线圈或变压器等的主要零件的线圈零件的制造方法，提供一种阻抗特性不会变差且可靠性高的小型·较薄的线圈零件的制造方法。在磁性基板(3)上形成绝缘膜(9a)，在绝缘膜(9a)上形成开口部(15、17)。在绝缘膜(9a)上形成引线端子部(21)，并且在开口部(15、17)形成平坦化膜(29)。形成绝缘膜(9b)，开口出绝缘膜(9b)的开口部(15、17)。在绝缘膜(9b)上形成线圈导体(11)，并且在平坦化膜(29)上形成平坦化膜(31)。经由绝缘膜而在线圈导体(11)上进一步形成线圈导体之后除去平坦化膜(29、31)。

1.  一种线圈零件的制造方法，其特征在于，
在磁性基板上形成绝缘膜，
在前述绝缘膜上形成规定的开口部，
在前述开口部上形成平坦化膜，
在前述绝缘膜上形成由导电性材料构成的线圈导体，
在前述线圈导体上进一步形成绝缘膜，
除去前述平坦化膜。

2.  如权利要求1所述的线圈零件的制造方法，其特征在于，前述平坦化膜使用前述导电性材料并与前述线圈导体的形成同时地形成。

3.  如权利要求1所述的线圈零件的制造方法，其特征在于，前述平坦化膜在形成前述线圈导体之前形成。

4.  如权利要求3所述的线圈零件的制造方法，其特征在于，在前述平坦化膜上使用前述导电性材料并与前述线圈导体的形成同时地进一步形成平坦化膜。

5.  一种线圈零件的制造方法，其特征在于，
在第1磁性基板上形成第1绝缘膜，
在前述第1绝缘膜上形成规定的开口部，
在整个面上形成第1金属层并图案成形，在前述第1绝缘膜上形成第1引线端子部，并且在前述开口部上形成第1平坦化膜，
在整个面上形成第2绝缘膜，
开口出前述第2绝缘膜的前述开口部，
在整个面上形成第2金属层并图案成形，在前述第2绝缘膜上螺旋状地形成第1线圈导体，使得前述开口部位于内周一侧，并且在前述第1平坦化膜上形成第2平坦化膜，
在整个面上形成第3绝缘膜，
开口出前述第3绝缘膜的前述开口部，
在整个面上形成第3金属层并图案成形，在前述第3绝缘膜上螺旋状地形成第2线圈导体，使得前述开口部位于内周一侧，
在整个面上形成第4绝缘膜，
开口出前述第4绝缘膜的前述开口部，
在整个面上形成第4金属层并图案成形，在前述第4绝缘膜上形成第2引线端子部，
在整个面上形成第5绝缘膜，
开口出前述第5绝缘膜的前述开口部，
除去前述第1及第2的平坦化膜，
形成至少埋入前述开口部的磁性层，
将第2磁性基板固定在前述磁性层上。

6.  如权利要求5所述的线圈零件的制造方法，其特征在于，前述第1～第4的金属层使用相同的金属材料。

7.  如权利要求6所述的线圈零件的制造方法，其特征在于，前述金属材料是铜。

8.  如权利要求1～7的任一项所述的线圈零件的制造方法，其特征在于，前述线圈导体由框架镀敷法形成。

线圈零件的制造方法
技术领域
本发明涉及用作共态扼流线圈或变压器等的主要零件的线圈零件及其制造方法。
背景技术
伴随着个人电脑或手机等电子设备的小型化，要求安装在电子设备内部电路的线圈或电容器等的电子零件也随之小型化及实现零件厚度的薄型化(高度低)。
然而，在铁氧体磁芯上卷绕铜线等的卷线型线圈因为结构上的制约而具有难于实现小型化的问题。因此，能够实现小型化、薄型化的芯片型线圈零件的研究开发一直在进行。作为芯片型的线圈零件，公知的线圈零件有两种，即，叠层型的线圈零件：在铁氧体等的磁性体片材表面上形成线圈导体图案并将该磁性薄片叠层；薄膜型的线圈零件：使用薄膜形成技术而交替地形成了绝缘膜以及金属薄膜的线圈导体。
作为薄膜型的线圈零件，共态扼流线圈已被公知。共态扼流线圈具有以下构成：在形成于对置配置的2张铁氧体基板(磁性基板)之间的绝缘层中，经由绝缘膜而对置地埋入形成为螺旋状的2个线圈导体。在螺旋状的线圈导体的内周一侧及外周一侧形成有开口部。在开口部上形成有将磁粉混合于绝缘性材料中的磁性材料的磁性层。通过给线圈导体通电，在含有线圈导体的中心轴的剖面中形成闭磁路。
使用图8～图10来说明现有的共态扼流线圈的制造方法。图8～图10是共态扼流线圈的制造工序剖视图。首先，如图8(a)所示，在磁性基板53上形成绝缘膜59a，图案成形绝缘膜59a并开口有开口部65、67。接着，如图8(b)所示，在绝缘膜59a上的例如开口部65附近形成引线端子部71。接着，如图8(c)所示，在整个面上形成绝缘膜59b，图案成形绝缘膜59b并形成使引线端子部71露出的接触孔75，并且将开口部65、67上方开口。
接着，如图8(d)所示，在绝缘膜59b上形成用框架镀敷法而图案成形为螺旋状的线圈导体61。线圈导体61的一端部形成在露出于接触孔75内的引线端子部71上。由此，线圈导体61及引线端子部71电连接。
接着，如图9(a)所示，在整个面上形成绝缘膜59c，图案成形绝缘膜59c并对开口部65、67上方进行开口。接着，如图9(b)所示，在绝缘膜59c上形成用框架镀敷法而图案成形为螺旋状的线圈导体63。
接着，如图9(c)所示，在整个面上形成绝缘膜59d，图案成形绝缘膜59d并形成使线圈导体63的一端部露出的接触孔77，并且对开口部65、67上方进行开口。
接着，在绝缘膜59d上形成引线端子部73。引线端子部73的一端部如图9(d)所示，形成在露出于接触孔77内的线圈导体63的一端部上。由此，线圈导体63与引线端子部73电连接。
接着，如图10(a)所示，在整个面上形成绝缘膜59e，图案成形绝缘膜59e并对开口部65、67上方进行开口。接着，如图10(b)所示，形成有将铁氧体的磁粉混合于绝缘树脂中的复合铁氧体埋入开口部65、67的磁性层68。其次，在开口部65、67的磁性层68上及绝缘膜59e上涂布粘接剂而形成粘接层69。接着，将磁性基板55固定在粘接层69上，完成共态扼流线圈。
[专利文献1]特开平11-54326号公报
[专利文献2]特开2003-133135号公报
可是，要增大线圈导体61、63相互间的磁耦合并且增加公共阻抗来提高阻抗特性，就需要使线圈导体61、63之间的绝缘膜59c的膜厚均匀且平坦。进而，要使线圈导体61、63的膜厚均匀，就需要使与电流流动方向垂直的线圈导体61、63的剖面形状在各种情况下都大致相同。
然而，各绝缘膜59a～59e在整个面上涂布例如聚酰亚胺树脂，使开口部65、67上方开口地图案成形。涂布于开口部65、67内的聚酰亚胺树脂按照各绝缘膜59a～59e的形成而被除去，使得磁性基板53一直露出在开口部65、67内。因此，绝缘膜上表面与露出于开口部65、67内的磁性基板53表面之间产生大的阶差。由于该阶差的影响，如图9(b)所示，开口部65、67附近的绝缘膜59c的膜厚减少，开口部65、67附近与除此之外的区域的绝缘膜59c的膜厚不同，由此产生线圈导体61、63的间隔变得不均匀的问题。
进而，因为线圈导体63形成在膜厚不均匀的绝缘膜59c上，所以如图9(b)所示，开口部65、67附近与除此之外的区域的线圈导体63的剖面形状也变得不均匀。又，在线圈导体63形成用的蚀刻框架的图案成形中，开口部65、67附近与除此之外的区域的蚀刻框架高度也变得不均匀，镀敷膜可能会在形成为较低高度地蚀刻框架的上表面溢出，从而使线圈导体63的剖面形状变得不均匀。进而，还具有因线圈导体63的剖面形状不均匀而使线圈导体63的电阻值局部地不同的问题。
这样，若绝缘膜59c的膜厚变得不均匀，则线圈导体61、63相互间的磁耦合变小，公共阻抗降低，阻抗特性变差。进而，若绝缘膜59c的膜厚变得不均匀，则线圈导体63的剖面形状不均匀，难于制造具有高阻抗的共态扼流线圈。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够制造阻抗特性优良的小型·薄型的线圈零件的线圈零件制造方法。
上述目的通过具有以下特征的制造方法来实现，即，在磁性基板上形成绝缘膜，在前述绝缘膜上形成规定的开口部，在前述开口部上形成平坦化膜，在前述绝缘膜上形成由导电性材料构成的线圈导体，在前述线圈导体上进一步形成绝缘膜，除去前述平坦化膜。
在上述本发明的线圈零件的制造方法中，其特征在于，前述平坦化膜使用前述导电性材料并与前述线圈导体的形成同时地形成。
在上述本发明的线圈零件的制造方法中，其特征在于，前述平坦化膜在形成前述线圈导体之前形成。
在上述本发明的线圈零件的制造方法中，其特征在于，在前述平坦化膜上使用前述导电性材料并与前述线圈导体的形成同时地进一步形成平坦化膜。
又，上述目的通过具有以下特征的制造方法来实现，即，在第1磁性基板上形成第1绝缘膜，在前述第1绝缘膜上形成规定的开口部，在整个面上形成第1金属层并图案成形，在前述第1绝缘膜上形成第1引线端子部，并且在前述开口部上形成第1平坦化膜，在整个面上形成第2绝缘膜，开口出前述第2绝缘膜的前述开口部，在整个面上形成第2金属层并图案成形，在前述第2绝缘膜上螺旋状地形成第1线圈导体，使得前述开口部位于内周一侧，并且在前述第1平坦化膜上形成第2平坦化膜，在整个面上形成第3绝缘膜，开口出前述第3绝缘膜的前述开口部，在整个面上形成第3金属层并图案成形，在前述第3绝缘膜上螺旋状地形成第2线圈导体，使得前述开口部位于内周一侧，在整个面上形成第4绝缘膜，开口出前述第4绝缘膜的前述开口部，在整个面上形成第4金属层并图案成形，在前述第4绝缘膜上形成第2引线端子部，在整个面上形成第5绝缘膜，开口出前述第5绝缘膜的前述开口部，除去前述第1及第2的平坦化膜，形成至少埋入前述开口部的磁性层，将第2磁性基板固定在前述磁性层上。
在上述本发明的线圈零件的制造方法中，其特征在于，前述第1～第4的金属层使用相同的金属材料。又，其特征在于，前述金属材料是铜。
在上述本发明的线圈零件的制造方法中，其特征在于，前述线圈导体由框架镀敷法形成。
根据本发明，能够制造阻抗特性优良的小型·薄型的线圈零件。
附图说明
图1是表示用图2(a)、(b)的假想线A-A切断本发明的一实施方式的共态扼流线圈1所得的剖面的图。
图2是表示本发明的一实施方式的共态扼流线圈1的线圈导体11、13的图。图2(a)表示含有线圈导体11的平面形状，图2(b)表示含有线圈导体13的平面形状。
图3是表示本发明的一实施方式的共态扼流线圈1的制造工序的剖视图。
图4是表示本发明的一实施方式的共态扼流线圈1的线圈导体11及平坦化膜31的制造工序的剖视图。
图5是表示本发明的一实施方式的共态扼流线圈1的线圈导体11及平坦化膜31的制造工序的剖视图。
图6是表示本发明的一实施方式的共态扼流线圈1的制造工序的剖视图。
图7是表示本发明的一实施方式的共态扼流线圈1的制造工序的剖视图。
图8是表示现有的共态扼流线圈的制造工序的剖视图。
图9是表示现有的共态扼流线圈的制造工序的剖视图。
图10是表示现有的共态扼流线圈的制造工序的剖视图。
具体实施方式
使用图1～图7来说明本发明的一实施方式的线圈零件及其制造方法。在本实施方式中，作为线圈零件，以抑制共态电流的共态扼流线圈为例进行说明，所述共态电流是在平衡传送方式中产生电磁妨碍的原因。首先，使用图1及图2说明共态扼流线圈1的构成。图1表示用图2(a)、(b)的假想线A-A切断共态扼流线圈1所得的剖面。图2(a)表示含有共态扼流线圈1的线圈导体11的平面形状，图2(b)表示含有线圈导体13的平面形状。
如图1所示，本实施方式的共态扼流线圈1具有在由铁氧体形成的磁性基板3上依次叠层有绝缘膜9a、引线端子部21、绝缘膜9b、由导电性材料形成的线圈导体11、绝缘膜9c、由导电性材料形成的线圈导体13、绝缘膜9d、引线端子部23、绝缘膜9e的结构。线圈导体11与线圈导体13隔着绝缘膜9c对置。又，线圈导体11、13被埋入由绝缘膜9a～绝缘膜9e构成的绝缘层9中。绝缘膜9的绝缘膜9a、9b、9c、9d、9e分别由聚酰亚胺树脂形成，通过后述的制造方法而形成为大致均匀且平坦的膜厚。在线圈导体11、13的内周一侧除去绝缘膜9而形成有开口部15。在线圈导体11、13的外周一侧除去绝缘膜9而形成有开口部17。
又，埋入开口部15、17而形成有磁性层18。磁性层18由在聚酰亚胺树脂中混入了铁氧体磁粉所得的复合铁氧体形成。进而，在磁性层18及绝缘膜9e上形成粘接层19，粘接有由铁氧体形成的磁性基板5。
如图2(a)所示，线圈导体11在绝缘膜9b上形成为螺旋状。线圈导体11经由形成于绝缘膜9b的接触孔25连接在形成于绝缘膜9b下层的如图中虚线所示的引线端子部21的一端子上。引线端子部21的另一端子连接在形成于共态扼流线圈1的侧面上的电极端子(未图示)上。
如图2(b)所示，在绝缘膜9d上形成有引线端子部23。又，在绝缘膜9d下层上形成有与线圈导体形状几乎相同的螺旋状的如图中虚线所示的线圈导体13。线圈导体13经由形成于绝缘膜9d的接触孔27而连接在引线端子部23的一端子上。引线端子部23的另一端子连接在形成于共态扼流线圈1的侧面上的另一电极端子(未图示)上。
接着，对于本实施方式的共态扼流线圈1的动作进行说明。如图1所示，通过给线圈导体11、13通电，在含有线圈导体11、13的中心轴的剖面中，形成通过以下顺序(或相反顺序)连通的磁路M，即，依次连通磁性基板3、开口部15的磁性层18、粘接层19、磁性基板5、粘接层19、开口部17的磁性层18。粘接层19虽然为非磁性，但因为是几μm左右的薄膜，所以在该部分几乎没有磁力线泄漏，磁路M能够被看作是闭磁路。因此，共态扼流线圈1具有良好的磁耦合度及阻抗特性。
接着，使用图3～图7来说明本实施方式的共态扼流线圈1的制造方法。图3、图6、图7表示用图2(a)、(b)的假想线A-A切断共态扼流线圈1所得的剖面。另外，对于与图1、图2所示的共态扼流线圈1的构成要素起到相同作用·功能的构成要素标注相同的符号，省略其说明。
首先，如图3(a)所示，在由铁氧体形成的磁性基板(第1磁性基板)3上涂布聚酰亚胺树脂来形成厚度7～8μm的绝缘膜(第1绝缘膜)9a，将绝缘膜9a图案成形来形成开口部15、17。接着，如图3(b)所示，在整个面上形成Cu(铜)等的第1金属层(未图示)并图案成形，形成厚度5μm的引线端子部(第1引线端子部)21(参照图2(a))，其一端子位于开口部15附近，另一端子位于磁性基板3周围。同时，对第1金属层进行图案成形，在开口部15、17上形成厚度5μm的平坦化膜(第1平坦化膜)29。因为通过平坦化膜29来减少绝缘膜9a与开口部15、17的阶差，所以能够使在后续工序中形成的绝缘膜9b的膜厚极其均匀且平坦。
接着，如图3(c)所示，在整个面上涂布聚酰亚胺树脂来形成厚度7～8μm的绝缘膜(第2绝缘膜)9b，将绝缘膜9b图案成形来形成使引线端子部21的一端子露出的接触孔25以及使开口部15、17露出于平坦化膜29上的开口。
接着，如图3(d)所示，在整个面上形成Cu层等的第2金属层(未图示)，螺旋状地图案成形而在绝缘膜9b上形成厚度5μm的线圈导体(第1线圈导体)11，并且在形成于开口部15、17的平坦化膜29上形成平坦化膜(第2平坦化膜)31。线圈导体11的一端子形成在露出于接触孔25的引线端子部21的一端子上。由此，线圈导体11及引线端子部21电连接。另一方面，另一端子形成于经由绝缘膜9b而与引线端子部21的另一端子对置的磁性基板3周围(参照图2(a))。
使用框架镀敷法来形成线圈导体11及平坦化膜31。使用图4及图5来说明框架镀敷法。框架镀敷法是使用对蚀刻剂层进行图案成形所形成的模具(框架)来形成镀敷膜的方法。图4及图5表示线圈导体11及平坦化膜31的制造工序，图中表示从图3(d)的左侧的开口部17的中央部到开口部15的中央部之间的部分。经过图3(a)～(c)的制造工序，在磁性基板3上依次形成有绝缘膜9a、引线端子部21、绝缘膜9b。进而，在开口部15、17上形成有平坦化膜29。如图4(a)所示，在整个面上使用喷溅法或蒸镀法来成膜出电极膜33。可以在电极膜33的下层上通过用于提高与绝缘膜9b及平坦化膜29的紧贴性的例如Cr(铬)膜或Ti(钛)膜等来形成粘接层。电极膜33虽然只要是具有导电性的材料即可，但是希望尽量使用与镀敷的金属材料相同的材料。
接着，如图4(b)所示，在整个面上涂布蚀刻剂来形成蚀刻剂层35，根据需要来进行蚀刻剂层35的预烘焙处理。其次，经由绘出了线圈导体11及平坦化膜31的图案的掩模37而照射曝光光线，从而使蚀刻剂层35曝光。
接着，根据需要进行热处理后，用碱性显像液进行显像。作为碱性显像液，能够使用例如规定浓度的四甲基氢氧化胺(TMAH)。接着，从显像工序转移到清洗工序。用清洗液清洗蚀刻剂层35中的显像液，使蚀刻剂层35中的显像溶解反应停止，如图4(c)所示，形成了图案成形为规定形状的蚀刻剂框架39。作为清洗液，例如使用纯水。
若清洗结束，则甩掉清洗液使其干燥。若有需要也可以加热磁性基板3来使清洗液干燥。接着，如图5(a)所示，将磁性基板3浸渍在镀敷槽中的镀敷液中，以蚀刻剂框架39为模具进行镀敷处理，在蚀刻剂框架39之间形成镀敷膜41。接着，如图5(b)所示，根据需要水洗并干燥后，使用有机溶剂将蚀刻剂框架39从绝缘膜9b上剥离。接着，如图5(c)所示，以镀敷膜41为掩模，通过干蚀法(离子铣削或反应性离子蚀刻(RIE)等)或湿蚀法来除去电极膜33。这样，形成线圈导体11及平坦化膜31。通过平坦化膜29、31来减少绝缘膜9b与开口部15、17的阶差，所以能够使在后续工序中形成的绝缘膜9c的膜厚极其均匀且平坦。
通过框架镀敷法来形成线圈导体11及平坦化膜31之后，如图6(a)所示，在整个面上涂布聚酰亚胺树脂来形成绝缘膜(第3绝缘膜)9c，对绝缘膜9c进行图案成形而形成露出开口部15、17上部的平坦化膜31的开口。如图6(b)所示，形成Cu等的第3金属层(未图示)之后，使用框架镀敷法，在绝缘膜9c上形成螺旋状地图案成形的厚度5μm的线圈导体(第2线圈导体)13。线圈导体13的一端子形成在开口部15附近，另一端子形成在经由绝缘膜9c与线圈导体11的另一端子相邻的磁性基板3周围。因为线圈导体13用与图4及图5所说明的线圈导体11及平坦化膜31的制造方法相同的框架镀敷法形成，所以省略其说明。
接着，如图6(c)所示，在整个面上涂布聚酰亚胺树脂来形成厚度7～8μm的绝缘膜(第4绝缘膜)9d，将绝缘膜9d图案成形来形成使线圈导体13的一端子露出的接触孔27以及使开口部15、17露出于平坦化膜31上的开口，
接着，如图6(d)所示，在整个面上形成Cu层等的第4金属层(未图示)，形成厚度5μm的引线端子部(第2引线端子部)23。引线端子部23的一端子形成在露出于接触孔27的线圈导体13的一端子上。由此，线圈导体13及引线端子部23电连接。另一方面，另一端子形成于经由绝缘膜9d而与线圈导体13的另一端子对置的磁性基板3周围(参照图2(b))。
接着，如图7(a)所示，在整个面上涂布聚酰亚胺树脂来形成厚度7～8μm的绝缘膜(第5绝缘膜)9e，将绝缘膜9e图案成形来形成使开口部15、17露出的开口。接着，通过湿蚀法来除去平坦化膜29、31。
接着，如图7(b)所示，形成在开口部15、17中埋入了复合铁氧体所得的磁性层18，所述复合铁氧体是指在聚酰亚胺树脂中混入了铁氧体的磁粉。其次，在开口部15、17的磁性层18及绝缘膜9e上涂布粘接剂而形成粘接层19。接着，在粘接层19上固定磁性基板(第2磁性基板)5。
接着，虽然未图示，但是通过喷溅法，以与磁性基板3的基板表面大致成直角且横截磁性基板3、5的方式，在配置于共态扼流线圈1的侧面的引线端子部21、23的另一端子及线圈导体11、13的另一端子的形成位置上形成Ni(镍)的电极膜(未图示)。接着，利用筒镀在电极膜的表面上成膜Sn(锡)、Ni、Cu(铜)的合金导电材料，形成Ni/Sn的2层构造的电极端子(未图示)，共态扼流线圈1的制造结束。
如上所述，在本实施方式的共态扼流线圈1的制造方法中，因为在开口部15、17上叠层地形成平坦化膜29、31，所以能够减少绝缘膜9b的线圈导体11形成面与开口部15、17的阶差。由此，能够降低形成在绝缘膜9b上与露出于开口部15、17的平坦化膜31上的绝缘膜9c的厚度离散，绝缘膜9c形成为极其均匀的膜厚。又，即使减少绝缘膜9c的膜厚也能够使膜足够平坦。线圈导体13因为形成在来自绝缘膜9b的膜厚均匀且平坦的绝缘膜9c上，所以能够使用厚度离散及图案成形离散小的蚀刻剂层，因此，能够使线圈导体11、13的间隔几乎一定，线圈导体11、13经由绝缘膜9c而足够接近地对置，以及能够增大长宽比。由此，能够实现以下共态扼流线圈1：使线圈导体11、13之间的磁耦合稳定，具有良好的磁耦合度，阻抗特性进一步提高。
又，在形成线圈导体13之际，形成于图4及图5所示的镀敷框架39之间的镀敷膜41的镀敷分布得到改善，镀敷膜41的膜厚变得大致均匀，与电流的流动方向垂直的线圈导体13的剖面形状大致一定，所以能够使线圈导体13的电阻值稳定。又，由于实现了绝缘膜9c膜厚的均匀化、膜平坦化、及线圈导体13的剖面形状的均匀化，所以能够稳定地制造具有高阻抗的共态扼流线圈1。进而，因为仅仅追加除去平坦化膜29、31的工序即可，所以几乎不增加制造工序而以低成本来制造共态扼流线圈1。
本发明不限于上述实施方式，能够进行种种的变形。
在上述实施方式中，虽然使用框架镀敷法来形成线圈导体11、13及平坦化膜31，但是本发明不限于此。例如，当然也可以取代框架镀敷法而使用喷溅法或物理蒸镀法来形成线圈导体11、13及平坦化膜31。
又，在上述实施方式中，虽然在开口部15、17上叠层有平坦化膜29、31，但本发明不限于此。例如，当然也可以在开口部15、17上仅形成平坦化膜29或平坦化膜31的任一个。在这种情况下，因为也能够在一定程度上缓和绝缘膜9b的线圈导体11形成面与开口部15、17的阶差，所以能够抑制绝缘膜9c的厚度离散。又，由于作成一层，还能够缩短平坦化膜的除去工序的时间。
又，在形成线圈导体13之际，当然也可以在开口部15、17的平坦化膜29、31上进一步叠层平坦化膜。在这种情况下，因为能够使绝缘膜9d的膜厚均匀且平坦地形成膜，所以能够可靠地防止线圈导体13与引线端子部23两者的层间短路。
又，在上述实施方式中，虽然作为线圈零件，以共态扼流线圈1为例进行了说明，但是本发明不限于此。例如，当然也可以使用本发明来用于将多个共态扼流线圈形成为阵列状的共态扼流线圈阵列的制造。在这种情况下，因为各个共态扼流线圈具有良好的磁耦合度及阻抗特性，还能够抑制多个共态扼流线圈之间的特性离散，所以能够制造高性能的共态扼流线圈阵列。